RU2405674C1 - Способ получения гранул кремния высокой чистоты - Google Patents

Способ получения гранул кремния высокой чистоты Download PDF

Info

Publication number
RU2405674C1
RU2405674C1 RU2009129661/05A RU2009129661A RU2405674C1 RU 2405674 C1 RU2405674 C1 RU 2405674C1 RU 2009129661/05 A RU2009129661/05 A RU 2009129661/05A RU 2009129661 A RU2009129661 A RU 2009129661A RU 2405674 C1 RU2405674 C1 RU 2405674C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
granules
crucible
melt
cooling
Prior art date
Application number
RU2009129661/05A
Other languages
English (en)
Inventor
Борис Георгиевич Грибов (RU)
Борис Георгиевич Грибов
Константин Владимирович Зиновьев (RU)
Константин Владимирович Зиновьев
Олег Николаевич Калашник (RU)
Олег Николаевич Калашник
Геннадий Яковлевич Красников (RU)
Геннадий Яковлевич Красников
Александр Иосифович Непомнящих (RU)
Александр Иосифович Непомнящих
Анатолий Арсеньевич Овечкин (RU)
Анатолий Арсеньевич Овечкин
Вадим Васильевич Одиноков (RU)
Вадим Васильевич Одиноков
Original Assignee
Борис Георгиевич Грибов
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Борис Георгиевич Грибов filed Critical Борис Георгиевич Грибов
Priority to RU2009129661/05A priority Critical patent/RU2405674C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2405674C1 publication Critical patent/RU2405674C1/ru

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29BPREPARATION OR PRETREATMENT OF THE MATERIAL TO BE SHAPED; MAKING GRANULES OR PREFORMS; RECOVERY OF PLASTICS OR OTHER CONSTITUENTS OF WASTE MATERIAL CONTAINING PLASTICS
    • B29B9/00Making granules
    • B29B9/10Making granules by moulding the material, i.e. treating it in the molten state
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2/00Processes or devices for granulating materials, e.g. fertilisers in general; Rendering particulate materials free flowing in general, e.g. making them hydrophobic

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

Способ включает загрузку в тигель исходного кремния, его нагрев в инертной атмосфере выше температуры плавления, формирование капель расплава кремния путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до затвердевания с образованием гранул. Причем исходный кремний загружают в тигель на слой особо чистой кварцевой крупки толщиной не менее 2 см. Далее нагрев исходного кремния производят до температуры не менее 1600°C с выдержкой не менее 40 мин. Затем проводят охлаждение капель расплава в деионизованной воде, масса которой превышает массу исходного кремния не менее чем в 5 раз. Способ позволяет получать гранулы кремния с более низким содержанием примесей, обеспечивает получение гранул кремния без оксидного слоя на поверхности и большую производительность процесса. 1 ил., 1 табл.

Description

Изобретение относится к области цветной металлургии, в частности к производству высокочистого кремния, который может быть использован при изготовлении солнечных элементов.
Известен способ получения гранул высокочистого кремния из трихлорсилана при его восстановлении водородом в реакторе кипящего слоя. Способ описан в патенте США №6007869, МКИ B29B 9/10, 1999 г. Он позволяет производить гранулированный кремний, пригодный для роста монокристаллов по Чохральскому и получения слитков мультикремния. Однако процессы получения трихлорсилана, его очистки и восстановления являются сложными, дорогостоящими и экологически опасными.
Известен способ получения гранул кремния из капель расплава с последующим охлаждением. Способ описан в патенте США №6074476, НПК C30B 9/00, 2000 г. и включает загрузку исходного материала в камеру, его нагрев в инертной атмосфере до получения расплавленной массы, вытекание расплава через сопло по каплям, охлаждение падающих капель в газовой среде и их затвердевание с образованием гранул. Способ позволяет получать гранулы заданной формы и определенной кристаллической структуры, но не обеспечивает получение гранул кремния высокой чистоты.
Наиболее близким к данному изобретению является техническое решение, предложенное в патенте США №7001543 В2, МКИ B29B 9/10 от 21.02.2006 г. Для получения гранул кремния высокой чистоты используют капельный вариант гранулирования, включающий: загрузку в тигель исходного высокочистого кремния и его нагрев выше температуры плавления (до 1450°C) в инертной газовой среде; создание условий для вытекания расплавленного кремния через калибровочное отверстие в дне тигля с образованием капель расплава, охлаждение и затвердевание капель расплава кремния в инертной газовой среде с образованием гранул определенной формы и размера.
Указанный способ позволяет работать с высокочистым исходным материалом и получать из него мелкие гранулы сферической формы и заданной кристаллической структуры. Однако этот способ непригоден для гранулирования менее чистых исходных материалов по следующим причинам:
- не обеспечивает очистку исходного материала от ряда примесей,
- не обеспечивает получение гранул кремния без оксидного слоя на поверхности. Кроме того, данный способ имеет очень низкую производительность, что не дает возможности использовать его для объемов, требуемых в промышленном производстве кремния.
Целью изобретения является получение высокочистого кремния, пригодного для выращивания монокристаллов (по методу Чохральского), из менее чистого, окисленного кремниевого порошка и других отходов кремниевого производства, что позволит значительно снизить стоимость производства кремния высокой чистоты.
Поставленная цель достигается тем, что в способе получения гранул кремния высокой чистоты, включающем загрузку в тигель исходного кремния, его нагрев в инертной атмосфере выше температуры плавления, формирование капель расплава кремния путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до затвердевания с образованием гранул, исходный кремний загружают в тигель на слой особо чистой кварцевой крупки толщиной не менее 2 см, нагревание исходного кремния производят до температуры не менее 1600°C с выдержкой не менее 40 мин, охлаждение капель расплава проводят в деионизованной воде, масса которой превышает массу исходного кремния не менее чем в 5 раз.
Сущность изобретения состоит в том, что расплавленный кремний перед вытеканием из тигля фильтруется через слой кварцевой крупки для удаления диоксида и карбида кремния, а также силицидов и оксидов других элементов. Толщина слоя 2 см необходима и достаточна для хорошей адсорбции указанных примесей. Таким образом, процесс получения гранул кремния совмещается с их очисткой от примесей. Нагревание расплава до температуры не менее 1600°C с выдержкой не менее 40 мин необходимо для снижения его вязкости, что обеспечивает эффективную фильтрацию и соответственно очистку. Использование деионизованной воды для формирования гранул кремния не только увеличивает производительность процесса гранулирования, но и способствует удалению остатков углерода и бора из кремния под воздействием перегретого водяного пара, образующегося при попадании капель расплава в воду.
Для получения гранул высокочистого кремния согласно настоящему изобретению используют аппарат, представленный на чертеже, состоящий из кварцевой плавильной камеры 1 с водяным охлаждением, высокочастотного индуктора 2, графитового нагревателя 3 и графитового тигля 4 с отверстиями в дне диаметром от 3 до 6 мм. Плавильная камера 1 соединена с кварцевой капельной трубой 5, в нижней части которой имеется диффузор (диспергатор) 6, а еще ниже - ванна с деионизованной водой 7 и поддон 8. Подачу чистого аргона производят в плавильную камеру сверху, и весь процесс гранулирования идет в инертной среде.
Способ получения гранул кремния высокой чистоты на данной установке описан в примере.
Пример №1
В качестве исходного материала для гранулирования используют порошок кремния чистотой 99,9 вес.% с размером частиц 30-100 мкм или скрап кристаллического кремния из процессов роста монокристаллов. В качестве фильтра для расплава кремния применяют кварцевую крупку чистотой 99,995 вес.% SiO2 с размером частиц 100-400 мкм. Кварцевую крупку засыпают в тигель равномерным слоем толщиной 2 см, а сверху загружают кремниевый порошок массой 500 г.
Тигель устанавливают в плавильную камеру, герметизируют при помощи уплотнительного устройства и продувают всю систему чистым аргоном для удаления воздуха. В ванну заливают 5 л деионизованной воды.
Нагрев тигля производят в атмосфере чистого аргона, температуру в тигле контролируют оптическим пирометром. После того, как кремний расплавится и температура расплава достигнет 1600°C, производят выдержку расплава при этой температуре в течение 40 минут, чтобы обеспечить максимальный выход расплавленного кремния в виде капель. Падающие капли кремния диспергируются на более мелкие части диффузором и затем попадают в воду. Охлаждаясь в воде, они застывают в виде гранул.
Полученные гранулы высушивают при температуре 180-200°С в инертной среде в течение 30 минут. Вес гранул составляет 400 г и более. Визуальный контроль показывает полное отсутствие оксидного слоя на поверхности гранул. Результаты примера и других экспериментов приведены в таблице.
Из данных таблицы следует, что превышение значений толщин слоя крупки, температуры и времени выдержки, а также массы деионизованной воды по сравнению со значениями в примере №1 нецелесообразно, так как полученные результаты остаются на уровне примера №1.
Сопоставление способа, являющегося предметом данного изобретения, с прототипом показывает следующие преимущества:
1) заявляемый способ позволяет получать гранулы кремния с более низким содержанием примесей;
2) заявляемый способ обеспечивает получение гранул кремния без оксидного слоя на поверхности;
3) заявляемый способ имеет гораздо большую производительность, что позволяет использовать его в производственных процессах по гранулированию кремния.
Отсюда следует, что заявляемый способ можно использовать в производстве гранул кремния высокой чистоты из отходов кремниевого производства, а получаемые таким образом гранулы пригодны для роста монокристаллов кремния по Чохральскому.
Таблица
№ п/п Толщина слоя крупки, см Температура расплава кремния, °C Время выдержки температуры, мин Масса воды на 1 кг кремния, кг Содержание суммы примесей в гранулах кремния, ppm Содержание углерода в гранулах кремния, ppm Степень извлечения кремния, % Производительность по гранулам кремния, кг/час
1 2,0 1600 40 5 10 2-3 80 5
2 1,5 1550 30 4 17 4-5 <60 2
3 2,5 1650 50 6 10 2-3 80 5
Прототип - 1450 - - 20 5 70 0,1
ppm - 10-4 вес.%

Claims (1)

  1. Способ получения гранул кремния высокой чистоты, включающий загрузку в тигель исходного кремния, его нагрев в инертной атмосфере выше температуры плавления, формирование капель расплава кремния путем его вытекания через калибровочное отверстие в дне тигля, охлаждение капель расплава до затвердевания с образованием гранул, отличающийся тем, что исходный кремний загружают в тигель на слой особо чистой кварцевой крупки толщиной не менее 2 см, нагрев исходного кремния производят до температуры не менее 1600°C с выдержкой не менее 40 мин, охлаждение капель расплава проводят в деионизованной воде, масса которой превышает массу исходного кремния не менее чем в 5 раз.
RU2009129661/05A 2009-08-04 2009-08-04 Способ получения гранул кремния высокой чистоты RU2405674C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009129661/05A RU2405674C1 (ru) 2009-08-04 2009-08-04 Способ получения гранул кремния высокой чистоты

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2009129661/05A RU2405674C1 (ru) 2009-08-04 2009-08-04 Способ получения гранул кремния высокой чистоты

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2405674C1 true RU2405674C1 (ru) 2010-12-10

Family

ID=46306365

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009129661/05A RU2405674C1 (ru) 2009-08-04 2009-08-04 Способ получения гранул кремния высокой чистоты

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2405674C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2477684C1 (ru) * 2011-09-28 2013-03-20 Борис Георгиевич Грибов Способ получения гранул кремния высокой чистоты
RU2778933C1 (ru) * 2021-12-01 2022-08-29 Общество С Ограниченной Ответственностью "Адв-Инжиниринг" Устройство для грануляции веществ

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2477684C1 (ru) * 2011-09-28 2013-03-20 Борис Георгиевич Грибов Способ получения гранул кремния высокой чистоты
RU2778933C1 (ru) * 2021-12-01 2022-08-29 Общество С Ограниченной Ответственностью "Адв-Инжиниринг" Устройство для грануляции веществ
RU2780215C1 (ru) * 2021-12-01 2022-09-20 Общество С Ограниченной Ответственностью "Адв-Инжиниринг" Способ грануляции веществ

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101585536B (zh) 一种提纯太阳能级多晶硅的装置与方法
JP5648640B2 (ja) 合成非晶質シリカ粉末
US8236266B2 (en) Method and apparatus for purifying metallurgical silicon for solar cells
TW200914371A (en) Processing of fine silicon powder to produce bulk silicon
JP5724881B2 (ja) 合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法
JP2011157260A (ja) 合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法
JP2012211070A (ja) 合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法
KR20070112407A (ko) 액체 Zn에 의한 SiCl₄의 환원에 의해 Si의 제조방법
CN101205628A (zh) 蓝宝石晶体生长方法
JP2009114026A (ja) 金属珪素の精製方法
RU2405674C1 (ru) Способ получения гранул кремния высокой чистоты
JP2007284259A (ja) シリコンの製造方法及び製造装置
JP2001220126A (ja) 結晶質合成シリカ粉体及びこれを用いたガラス成形体
JP2011157259A (ja) 合成非晶質シリカ粉末及びその製造方法
JP5635985B2 (ja) 金属ケイ素から非金属不純物を除去する方法
JPH05262512A (ja) シリコンの精製方法
JP2021508311A (ja) トリクロロシランを調製するためのシリコン顆粒、及び関連する製造方法
RU2588627C1 (ru) Способ рафинирования металлургического кремния
US20110120365A1 (en) Process for removal of contaminants from a melt of non-ferrous metals and apparatus for growing high purity silicon crystals
JPH0829924B2 (ja) 高純度珪素の破砕方法
JP5574295B2 (ja) 高純度シリコン微粉末の製造装置
RU2477684C1 (ru) Способ получения гранул кремния высокой чистоты
JP2013199395A (ja) 粒状シリコンの製造方法
JP2009033013A (ja) 結晶シリコン粒子の製造方法
JPS62292613A (ja) 高純度けい素の精製方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20120805