RU2367057C2 - Способ формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа и структура магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа (варианты) - Google Patents
Способ формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа и структура магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа (варианты) Download PDFInfo
- Publication number
- RU2367057C2 RU2367057C2 RU2007140034/28A RU2007140034A RU2367057C2 RU 2367057 C2 RU2367057 C2 RU 2367057C2 RU 2007140034/28 A RU2007140034/28 A RU 2007140034/28A RU 2007140034 A RU2007140034 A RU 2007140034A RU 2367057 C2 RU2367057 C2 RU 2367057C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- fixed magnetization
- magnetic tunnel
- ferromagnetic
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Abstract
Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии. Техническим результатом изобретения является формирование ферромагнитного электрода, выполненного в виде свободного перемагничивающегося слоя, в контакте с туннельным барьером с высокой характеристикой гладкости, отсутствием парамагнитной фазы при упрощении метода получения магнитных туннельных переходов, простоте интеграции в существующую кремниевую технологию изготовления элементов памяти, и также удешевлении процесса при сохранении конкурентоспособных характеристик. Сущность изобретения: в способе формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа, включающем формирование магнитного туннельного перехода на подложке, имеющего свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем и слоем с фиксированной намагниченностью, для формирования магнитного туннельного перехода на подложку в вакууме при комнатной температуре осаждают слой железа, затем на слой железа осаждают слой кремния, далее осуществляют окисление поверхности осажденного кремния в плазме тлеющего разряда, после чего формируют слой ферромагнитного силицида под слоем оксида кремния путем твердофазной реакции при температуре 400-800°С, затем слой с фиксированной намагниченностью формируют на туннельном изолирующем слое. 4 н. и 6 з.п. ф-лы, 2 ил.
Description
Изобретение относится к устройствам памяти, реализуемым с помощью методов микро- и нанотехнологии, в частности к созданию магнитных туннельных переходов на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл и использования их в качестве базовых компонентов энергонезависимой магниторезистивной памяти нового поколения, выполненных на основе ферромагнитного силицида железа.
Известно изобретение «Метод изготовления слоя магнитно-туннельного перехода в устройстве магнитной памяти произвольного доступа» (Республика Корея, Заявка № KR 20030002142, опубл. 2003-01-08), в котором на подложке последовательно формируются нижний магнитный электрод, изолирующий слой и верхний магнитный электрод. Верхний магнитный электрод, изолирующий слой и нижний магнитный электрод избирательно травятся для образования слоя магнитно-туннельного перехода, состоящего из верхнего магнитного электрода, изолирующего слоя и нижнего магнитного электрода.
Данный способ позволяет упростить и удешевить производственный процесс путем улучшения характеристик устройства, избежав при этом короткого замыкания между электродами. Побочный продукт на боковой стенке слоя магнитно-туннельного перехода затем окисляется.
Недостатком данного изобретения является необходимость проведения процесса избирательного травления структуры, что требует дополнительных затрат при производстве, связанных с наладкой литографического процесса (процесса избирательного травления)
Известно изобретение «Магнитная память произвольного доступа и метод записи данных» (Заявка № JP 2005327988, опубл. 2005-11-24), в котором слой регистрации и слои фиксации сформированы из, например, Fe, Co, Ni или их сплавов, магнетита, имеющего большую спин-поляризацию, окиси, типа СrO2 или RXMnO3-y (R: редкоземельные, X: Са, Ва или Sr), или сплав Heusler, типа MiMnSb или PtMnSb. Эти магнитные вещества могут содержать маленькое количество немагнитного элемента, типа Аg, Сu, Аu, Аl, Мg, Si, Bi, Та, В, С, О, N, Pd, Pt, Zr, Ir, W, Мо или Nb, если они не теряют ферромагнетизм. Туннельный запирающий слой сформирован из одного из различных диэлектриков, например, Аl2O3, SiO2, MgO, AlN, Вi2O3, MgF2, CaF2, SrTiO2 и AlLaO3. Верхний ферромагнитный слой и более низкий ферромагнитный слой сформированы из, например, Fe, Co, Ni или их сплавов, магнетитов, имеющих большую спин-поляризацию, окисей, типа СrO2 или RXMnO3-y (R: редкоземельные, X: Са, Ва или Sr), или сплав Heusler, типа MiMnSb или PtMnSb. Немагнитные слои сформированы из одного из различных диэлектриков, например, Аl2O3, SiO2, MgO, AlN, Bi2O3, MgF2, CaF2, SrTiO2 и AlLaO3. Антиферромагнитный слой сформирован из, например, Fe-Mn, Pt-Mn, Pt-Cr-Mn, Ni-Mn, Ir-Mn, NiO или Fe2O3. Первые и вторые пары слоев 21 и 22 сформированы из, например, NiFe, CoFe, аморфный-CoZrNb, FeNx или FeAlSi. Изобретение позволяет обеспечить магнитную память произвольного доступа, способную к уменьшению тока, и обеспечению способа записи данных.
Недостатком данного изобретения является необходимость создания антиферромагнитного слоя для фиксации одного из магнитных слоев, что делает процесс более громоздким и дорогим.
Известно изобретение «Способ формирования магнитного туннельного перехода (MTJ) для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа» (Заявка США №US2005277206, опубл. 2005-12-15), который включает формирование магнитного туннельного перехода, имеющего свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем и слоем с фиксированной намагниченностью; формирование проводящей твердой маски, лежащей над первой областью магнитного перехода, в то время как свободно перемагничивающийся слой во второй области незащищен; свободно перемагничивающийся слой представлен электрически и магнитно недействующим во второй области; формирование проводящей линии, связывающейся в твердую маску, указанная твердая маска электрически не соединена магнитным переходом MTJ с проводящей линией. Туннельный запирающий слой сформирован осаждением тонкого диэлектрического слоя на прикрепленный слой. Как правило, туннельный запирающий слой сформирован из окиси алюминия, типа Аl2O3, имеющего толщину приблизительно 1 нм. Другие материалы, доступные для использования как туннельный запирающий слой, включают окиси магния, окиси кремния, нитриды кремния и карбиды кремния; окиси, нитриды и карбиды других элементов или комбинаций элементов и другие материалы, включением или формированием из полупроводникового материалов свободно перемагничивающийся слой сформирован внесением на туннельный изолирующий слой слоя NiFe, имеющего толщину приблизительно 5 нм. После этого, проводящий запирающий слой нитрида тантала (ТаN), имеющего толщину приблизительно 5 нм, сформирован осаждением. Этот TaN слой служит, чтобы защитить слой NiFe в течение последующей обработки и обеспечить сцепление для одного или более впоследствии сформированных слоев. Альтернативно NiCoFe, аморфный CoFeB и подобные ферромагнетики могут использоваться вместо NiFe, как ферромагнитная часть свободного слоя. В альтернативном воплощении свободный слой может быть сформирован из больше, чем одного такого ферромагнитного слоя, чтобы улучшить работу или возможности производства. Многократные слои могут быть отделены немагнитными слоями как TaN или Ru. Эти слои типично располагаются в диапазоне толщин от 2 до 10 нм.
Недостатком данного изобретения является многослойность структуры, что увеличивает риск потерь спина электрона во время процесса туннелирования и перехода через границы раздела слоев, а следовательно, ведет к ухудшению важнейшего параметра магнитного туннельного перехода - магнитосопротивления.
Задачей данного изобретения является формирование ферромагнитного электрода, выполненного в виде свободного перемагничивающегося слоя, в контакте с туннельным барьером с высокой характеристикой гладкости, отсутствием парамагнитной фазы при упрощении метода получения магнитных туннельных переходов, простоте интеграции в существующую (кремниевую) технологию изготовления элементов памяти и также удешевлении процесса при сохранении конкурентоспособных характеристик.
Данная задача решается созданием способа формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа, включающем формирование магнитного туннельного перехода на подложке, имеющего свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем, и слоем с фиксированной намагниченностью, в котором для формирования магнитного туннельного перехода на подложку в вакууме осаждают слой железа при комнатной температуре, затем на поверхность слоя железа в вакууме осаждают слой кремния при комнатной температуре, далее осуществляют окисление поверхности осажденного кремния в плазме тлеющего разряда при комнатной температуре, после этого формируют слой ферромагнитного силицида под слоем оксида кремния путем твердофазной реакции при температуре 400-800°С, затем слой с фиксированной намагниченностью формируют на туннельном изолирующем слое.
Кроме того, слой железа осаждают методом импульсного лазерного осаждения.
Кроме того, слой железа осаждают методом термического осаждения. Кроме того, толщину слоя осаждаемого кремния рассчитывают по формуле:
где d и ρ - толщина и атомная плотность Fe, dSiO2 и ρSiO2 - толщина и молекулярная плотность оксида кремния SiO2, ρ1 - атомная плотность кремния.
Кроме того, формируют слой оксида кремния толщиной 2-3 нм.
Данная задача также по варианту 2 решается созданием структуры магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа, содержащая подложку, свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем, и слоем с фиксированной намагниченностью, в котором свободно перемагничивающийся слой расположен на подложке и выполнен из ферромагнитного силицида железа, слой с фиксированной намагниченностью, выполненный из ферромагнитных материалов, расположен на туннельном изолирующем слое, а туннельный изолирующий слой выполнен из оксида кремния SiO2.
Кроме того, свободно перемагничивающийся слой выполнен из ферромагнитного силицида железа Fe3Si.
Кроме того, слой с фиксированной намагниченностью выполнен из ферромагнитных материалов, выбранных из группы, содержащей Ni, Co, Fe.
Данная задача также по варианту 3 решается созданием структуры магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа, содержащая подложку, свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем, и слоем с фиксированной намагниченностью, в котором свободно перемагничивающийся слой расположен на подложке и выполнен из ферромагнитного силицида железа Fe3Si, слой с фиксированной намагниченностью выполнен из ферромагнитных материалов, выбранных из группы, содержащей Ni, Со, Fe, а туннельный изолирующий слой выполнен из оксида кремния SiO2.
Изобретение поясняется чертежами.
На фиг.1 изображена схема этапов формирования магнитного туннельного перехода.
На фиг.2 изображена принципиальная схема исследовательского комплекса ИЛО-РФЭС для роста и исследования структур, где 1. YAG: Nd лазер; 2. Система сканирования; 3. Система фокусировки; 4. Мишень; 5. Держатель образцов с подложкой; 6. Шток для ввода образцов; 7. СВВ камера препарирования; 8. Заслонка; 9. Рентгеновская пушка; 10. Полусферический энергоанализатор; 11. Камера анализа; 12. Фотоэлектроны; 13. Детектор; 14. Напуск газа.
Осуществление изобретения
Способ в соответствии с изобретением предназначен, в частности, для создания магнитных туннельных переходов на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл и использования их в качестве базовых компонентов энергонезависимой магниторезистивной памяти нового поколения, выполненных на основе ферромагнитного силицида железа.
Способ осуществляется следующим образом.
Туннельный изолирующий слой (фиг.1) формируют при помощи реакции окисления тонкого слоя кремния в активированном кислороде. В процессе окисления кремния в плазме тлеющего разряда в течении времени от 1-30 минут на поверхности кремния образуется слой оксида толщиной 2 нм (максимум 3нм), который становится серьезным барьером для проникновения кислорода из внешней среды к кремнию. Толщина туннельного изолирующего слоя определяется временем воздействия активированного кислорода на бислойную систему Fe/Si. Ферромагнитный силицид железа формируют твердофазной реакцией в бислойной структуре Fe/Si, т.е. реакцией взаимной диффузии слоев железа и кремния, проходящей в твердой фазе, которую проводят в вакууме и активизируют при помощи температурного воздействия 400-800°С. Окончательно наносят верхний ферромагнитный слой толщиной, при которой обеспечивается различие в коэрцитивных силах ферромагнитных слоев - с целью достижения независимого перемагничивания слоев. Верхний ферромагнитный слой формируется осаждением соответствующего слоя ферромагнитного материала непосредственно на туннельный изолирующий слой, например методом импульсного лазерного осаждения или методом термического осаждения.
Данным способом формирования по варианту 1, 2, 3 получена структура магнитного туннельного перехода, содержащая подложку, свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, выполненный из оксида кремния SiO2 и расположенный между свободно перемагничивающимся слоем и слоем с фиксированной намагниченностью, свободно перемагничивающийся слой расположен на подложке и выполнен из ферромагнитного силицида железа Fe3Si, а слой с фиксированной намагниченностью выполнен из ферромагнитных материалов, выбранных из группы, содержащей Mi, Co, Fe, и расположен на туннельном изолирующем слое.
Данным способом формирования получена структура магнитного туннельного перехода Fe3Si/SiO2/Co, которая обеспечивает существенное магнитосопротивление - эффект на котором работает магнитный туннельный переход и который основан на различии туннельного тока в случае параллельной и антипараллельной намагниченности слоев. Существенное различие в сопротивлении образца в зависимости от направления приложенного магнитного поля дает перспективные преимущества для его применения в элементах магниторезистивной памяти произвольного доступа.
Пример осуществления способа изобретения.
1-й шаг. Подложка Si/SiO2 помещается в сверхвысоковакуумную камеру (вакуум 10-6 Па).
2-й шаг. На подложку 5 в вакууме (10-6 Па) осаждается слой Fe слой толщиной порядка 10-15 нм при комнатной температуре, например, методом импульсного лазерного осаждения или методом термического осаждения. При этом толщина слоя определяется при помощи калибровок скорости осаждения, которые проводятся заранее, скажем, на кварцевом измерителе частоты или непосредственным измерением толщины калибровочных слоев методом обратного резерфордовского рассеяния.
3-й шаг. На поверхность Fe в вакууме (10-6 Па) при комнатной температуре осаждается слой Si толщины d1 достаточной для проведения двух процессов: окисления Si с целью создания туннельного барьера и проведения твердофазной реакции Si-Fe образования ферромагнитного силицида. Т.о. толщина d1 рассчитывается по формуле:
где d и ρ - толщина и атомная плотность Fe, dSiO2 и рSiO2 - толщина и молекулярная плотность оксида кремния SiO2, ρ1 - атомная плотность кремния.
4-й шаг. Окисление поверхности осажденного Si путем окисления в плазме тлеющего разряда (Ркислорода=10÷1 Па) при комнатной температуре. При этом толщина слоя лимитируется диффундированием кислорода при комнатной температуре и имеет величину (2 нм).
5-й шаг. Формирование слоя ферромагнитного силицида (Fe3Si) под слоем оксида кремния путем твердофазной реакции в диапазоне температур 400-650°С. При этом при температурах около 400°С формирование силицида занимает большое время (порядка десятков часов), чем при более высоких температурах 470-650°С (порядка минут), но при этом шероховатость слоя при температуре 400°С - 0,5 нм, при температуре 550°С - 0,8 нм, при температуре 650° - 1,0 нм.
Данная система Fe3Si/SiO2 дает ряд преимуществ: простота интеграции данной системы в существующую кремниевую технологию производства элементов памяти при сохранении конкурентоспособных характеристик магнитосопротивления, а также простота изготовления такой системы в одном цикле, что позволяет сильно сократить время и затраты на производство элемента магнитного туннельного перехода.
6-й шаг. Нанесение верхнего ферромагнитного электрода, например Со толщиной (50-200 нм).
Таким образом, разработан совершенно новый способ создания магнитных туннельных переходов, заключающийся в применении ферромагнитного силицида железа в контакте с оксидом кремния в качестве материала ферромагнитного электрода в контакте с материалом туннельного изолятора, что обеспечивает очень высокое качество границы раздела ферромагнитного слоя и туннельного изолирующего слоя и, как следствие, высокие значения магнитосопротивления в конечной структуре.
Также преимуществом данного способа является достаточная простота создания и в тоже время высокая эффективность магнитного туннельного перехода.
В данном изобретении предлагается качественно новый подход к сформулированной задаче, заключающийся в выборе таких материалов, как ферромагнитный силицид железа, что в свою очередь позволяет применить решение данной задачи на уже выстроенной и отлаженной кремниевой технологии производства элементов памяти.
Claims (10)
1. Способ формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа, включающий формирование магнитного туннельного перехода на подложке, имеющего свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем, и слоем с фиксированной намагниченностью, отличающийся тем, что для формирования магнитного туннельного перехода на подложку в вакууме осаждают слой железа при комнатной температуре, затем на поверхность слоя железа в вакууме осаждают слой кремния при комнатной температуре, далее осуществляют окисление поверхности осажденного кремния в плазме тлеющего разряда при комнатной температуре, после этого формируют слой ферромагнитного силицида под слоем оксида кремния путем твердофазной реакции при температуре 400-800°С, затем слой с фиксированной намагниченностью формируют на туннельном изолирующем слое.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой железа осаждают методом импульсного лазерного осаждения.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что слой железа осаждают методом термического осаждения.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что толщину слоя осаждаемого кремния рассчитывают по формуле:
где d и р - толщина и атомная плотность Fe,
и 
- толщина и молекулярная плотность оксида кремния SiO2, p1 - атомная плотность кремния.
где d и р - толщина и атомная плотность Fe,
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что формируют слой оксида кремния толщиной 2-3 нм.
6. Структура магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа, содержащая подложку, свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем и слоем с фиксированной намагниченностью, отличающаяся тем, что структура получена способом по любому из пп.1-5.
7. Структура магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа, содержащая подложку, свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем и слоем с фиксированной намагниченностью, отличающаяся тем, что свободно перемагничивающийся слой расположен на подложке и выполнен из ферромагнитного силицида железа, слой с фиксированной намагниченностью, выполненный из ферромагнитных материалов, расположен на туннельном изолирующем слое, а туннельный изолирующий слой выполнен из оксида кремния SiO2.
8. Структура магнитного туннельного перехода по п.7, отличающаяся тем, что свободно перемагничивающийся слой выполнен из ферромагнитного силицида железа Fe3Si.
9. Структура магнитного туннельного перехода по п.7, отличающаяся тем, что слой с фиксированной намагниченностью выполнен из ферромагнитных материалов, выбранных из группы, содержащей Ni, Со, Fe.
10. Структура магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа, содержащая подложку, свободно перемагничивающийся слой, слой с фиксированной намагниченностью и туннельный изолирующий слой, расположенный между свободно перемагничивающимся слоем и слоем с фиксированной намагниченностью, отличающаяся тем, что свободно перемагничивающийся слой расположен на подложке и выполнен из ферромагнитного силицида железа Fe3Si, слой с фиксированной намагниченностью выполнен из ферромагнитных материалов, выбранных из группы, содержащей Ni, Co, Fe, а туннельный изолирующий слой выполнен из оксида кремния SiO2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007140034/28A RU2367057C2 (ru) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | Способ формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа и структура магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа (варианты) |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2007140034/28A RU2367057C2 (ru) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | Способ формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа и структура магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа (варианты) |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2007140034A RU2007140034A (ru) | 2009-05-10 |
| RU2367057C2 true RU2367057C2 (ru) | 2009-09-10 |
Family
ID=41019503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2007140034/28A RU2367057C2 (ru) | 2007-10-31 | 2007-10-31 | Способ формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа и структура магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа (варианты) |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2367057C2 (ru) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2522714C2 (ru) * | 2012-08-09 | 2014-07-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Способ формирования магниторезистивного элемента памяти на основе туннельного перехода и его структура |
| RU2532589C2 (ru) * | 2012-11-26 | 2014-11-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Встраиваемая с сбис технологии кмоп/кни память "mram" и способ ее изготовления (варианты) |
| RU2546572C2 (ru) * | 2010-07-07 | 2015-04-10 | Крокус Текнолоджи Са | Способ записи в запоминающее устройство, основанное на mram, при уменьшенной потребляемой мощности |
| RU2553087C2 (ru) * | 2010-08-03 | 2015-06-10 | Квэлкомм Инкорпорейтед | Формирование необратимого состояния в одноразрядной ячейке, имеющей первый магнитный туннельный переход и второй магнитный туннельный переход |
| RU2553410C2 (ru) * | 2010-07-07 | 2015-06-10 | Крокус Текнолоджи Са | Магнитное устройство с оптимизированным ограничением тепла |
| RU2572464C2 (ru) * | 2011-03-28 | 2016-01-10 | Крокус Текнолоджи Са | Ячейка магнитной оперативной памяти с двойным переходом для применений троичной ассоциативной памяти |
| RU2573457C2 (ru) * | 2011-05-23 | 2016-01-20 | Крокус Текнолоджи Са | Многобитовая ячейка с синтетическим запоминающим слоем |
| RU2591643C2 (ru) * | 2011-11-22 | 2016-07-20 | Крокус Текнолоджи Са | Самоотносимая ячейка mram с оптимизированной надежностью |
| RU2598863C2 (ru) * | 2011-09-09 | 2016-09-27 | Крокус Текнолоджи Са | Магнитный туннельный переход с усовершенствованным туннельным барьером |
| RU2599941C2 (ru) * | 2012-01-16 | 2016-10-20 | Крокус Текнолоджи Са | Ячейка mram и способ для записи в ячейку mram с использованием термической операции записи с пониженным током поля |
| RU2810638C1 (ru) * | 2023-10-24 | 2023-12-28 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИПФ РАН) | Туннельный магниторезистивный элемент с вихревым распределением намагниченности в свободном слое и способ его изготовления |
-
2007
- 2007-10-31 RU RU2007140034/28A patent/RU2367057C2/ru not_active IP Right Cessation
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2546572C2 (ru) * | 2010-07-07 | 2015-04-10 | Крокус Текнолоджи Са | Способ записи в запоминающее устройство, основанное на mram, при уменьшенной потребляемой мощности |
| RU2553410C2 (ru) * | 2010-07-07 | 2015-06-10 | Крокус Текнолоджи Са | Магнитное устройство с оптимизированным ограничением тепла |
| RU2553087C2 (ru) * | 2010-08-03 | 2015-06-10 | Квэлкомм Инкорпорейтед | Формирование необратимого состояния в одноразрядной ячейке, имеющей первый магнитный туннельный переход и второй магнитный туннельный переход |
| RU2572464C2 (ru) * | 2011-03-28 | 2016-01-10 | Крокус Текнолоджи Са | Ячейка магнитной оперативной памяти с двойным переходом для применений троичной ассоциативной памяти |
| RU2573457C2 (ru) * | 2011-05-23 | 2016-01-20 | Крокус Текнолоджи Са | Многобитовая ячейка с синтетическим запоминающим слоем |
| RU2598863C2 (ru) * | 2011-09-09 | 2016-09-27 | Крокус Текнолоджи Са | Магнитный туннельный переход с усовершенствованным туннельным барьером |
| RU2591643C2 (ru) * | 2011-11-22 | 2016-07-20 | Крокус Текнолоджи Са | Самоотносимая ячейка mram с оптимизированной надежностью |
| RU2599941C2 (ru) * | 2012-01-16 | 2016-10-20 | Крокус Текнолоджи Са | Ячейка mram и способ для записи в ячейку mram с использованием термической операции записи с пониженным током поля |
| RU2522714C2 (ru) * | 2012-08-09 | 2014-07-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Способ формирования магниторезистивного элемента памяти на основе туннельного перехода и его структура |
| RU2532589C2 (ru) * | 2012-11-26 | 2014-11-10 | Федеральное государственное унитарное предприятие федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова" | Встраиваемая с сбис технологии кмоп/кни память "mram" и способ ее изготовления (варианты) |
| RU2810638C1 (ru) * | 2023-10-24 | 2023-12-28 | Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова Российской академии наук" (ИПФ РАН) | Туннельный магниторезистивный элемент с вихревым распределением намагниченности в свободном слое и способ его изготовления |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2007140034A (ru) | 2009-05-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2367057C2 (ru) | Способ формирования структур магнитных туннельных переходов для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа и структура магнитного туннельного перехода для магниторезистивной магнитной памяти произвольного доступа (варианты) | |
| US7598555B1 (en) | MgO tunnel barriers and method of formation | |
| EP3467891B1 (en) | Reduction of barrier resistance x area (ra) product and protection of perpendicular magnetic anisotropy (pma) for magnetic device applications | |
| JP4732781B2 (ja) | 磁気トンネル接合素子およびその形成方法 | |
| JP5731873B2 (ja) | 磁気抵抗磁界センサーと電子処理回路とを有する計測アセンブリ | |
| US7276384B2 (en) | Magnetic tunnel junctions with improved tunneling magneto-resistance | |
| KR101904024B1 (ko) | 자왜 층 시스템 | |
| JP2004282067A (ja) | ハイブリッド型磁性体／半導体スピン素子及びその製造方法 | |
| KR20030014209A (ko) | 절연 베일들을 갖는 자기 요소 및 그것의 제조 방법 | |
| RU2394304C2 (ru) | Способ формирования структуры магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл и структура магнитного туннельного перехода на основе наноразмерных структур металл-изолятор-металл (варианты) | |
| US20040012895A1 (en) | Enhanced giant magnetoresistance device and method | |
| EP3959753A1 (en) | Magnetoresistive devices and methods of manufacturing therefor | |
| JP4541861B2 (ja) | ホイスラー合金膜の成膜方法 | |
| CN113707804A (zh) | 一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法 | |
| US20050101035A1 (en) | Method for constructing a magneto-resistive element | |
| JP4575101B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子および磁気メモリ | |
| JP7137882B2 (ja) | 量子ビットセル及び量子ビット集積回路 | |
| JP3496215B2 (ja) | 強磁性トンネル接合素子の製造方法 | |
| RU2522714C2 (ru) | Способ формирования магниторезистивного элемента памяти на основе туннельного перехода и его структура | |
| RU2532589C2 (ru) | Встраиваемая с сбис технологии кмоп/кни память "mram" и способ ее изготовления (варианты) | |
| US11156678B2 (en) | Magnetic field sensor using in situ solid source graphene and graphene induced anti-ferromagnetic coupling and spin filtering | |
| Lee et al. | Failure of exchange-biased low resistance magnetic tunneling junctions upon thermal treatment | |
| US5681500A (en) | Magnetic oxide having a large magnetoresistance effect at room temperature | |
| Fitzell | Engineering Interfacial Magnetoelectric Effects in Ultrathin-Film Composite Nanostructures | |
| US20190326506A1 (en) | Magnetoresistive stacks and methods therefor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| PD4A | Correction of name of patent owner | ||
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20171101 |