RU2289144C2 - Способ разбраковки полупроводниковых изделий - Google Patents
Способ разбраковки полупроводниковых изделий Download PDFInfo
- Publication number
- RU2289144C2 RU2289144C2 RU2005101028/28A RU2005101028A RU2289144C2 RU 2289144 C2 RU2289144 C2 RU 2289144C2 RU 2005101028/28 A RU2005101028/28 A RU 2005101028/28A RU 2005101028 A RU2005101028 A RU 2005101028A RU 2289144 C2 RU2289144 C2 RU 2289144C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- noise
- sorting
- intensiveness
- product
- basis
- Prior art date
Links
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области испытаний и контроля полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем) и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры. Данное изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей способа разбраковки полупроводниковые приборов. Способ разбраковки полупроводниковых изделий включает в себя следующие операции: измерение интенсивности шумов до и после внешнего воздействия; и последующий отбор потенциально ненадежных изделий проводят по оценке коэффициента увеличения интенсивности шумов каждого изделия после не менее 10 термоциклов в диапазоне крайних температур, допустимых по техническим условиям, по сравнению с первоначальным значением. 1 табл.
Description
Изобретение относится к области испытаний и контроля полупроводниковых изделий (диодов, транзисторов, интегральных схем) и может быть использовано для разбраковки по критерию потенциальной надежности как в процессе производства, так и на входном контроле на предприятиях-изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.
Известно [1], что каждый экземпляр изделия хотя бы немного, но отличается в пространстве параметров от остальных представителей даже одной и той же технологической партии. Это явление обусловлено разбросом исходных параметров материалов, разбросом режимов технологических операций, разбросом, обусловленным технологическим, измерительным и испытательным оборудованием.
Известно [2], что обычная проверка соответствия набора параметров изделий нормам технических условий позволяет лишь зафиксировать факт функциональной пригодности (или непригодности) его на момент контроля. Измерение параметров изделий в нескольких временных интервалах имитационных испытаний позволяет обнаружить тенденции к изменениям параметров и на этой основе прогнозировать будущее техническое состояние изделия. Такие имитационные испытания, как термоциклирование, основаны на изменении практически всех свойств материалов, используемых в изделиях вследствие их температурной зависимости [3].
Технологические испытания на стойкость к термоциклированию позволяют отбраковать некачественные изделия по контролю их электрических параметров, но не позволяют диагностировать их будущее поведение.
Известно, что с увеличением дефектности в структуре изделия из-за воздействия термоциклов уровень низкочастотного (НЧ) шума возрастает [4].
Наиболее близким к заявленному изобретению является способ отбраковки потенциально нестабильных полупроводниковых изделий [5], состоящий в том, что после измерения интенсивности шума в эксплуатационном режиме пропускают через изделие импульс тока, в 1,5-5 раз превышающий по амплитуде предельно допустимое значение в установленном режиме, а затем вновь измеряют интенсивность шума. По относительной величине изменения шума определяют потенциальную нестабильность полупроводниковых изделий.
Недостатком способа является подача импульса, превышающего по техническим условиям значение, что может вызвать необратимые изменения в структуре изделия.
Изобретение направлено на повышение достоверности и расширение функциональных возможностей способа разбраковки полупроводниковых приборов. Это достигается тем, что измерение НЧ шума проводят до термоциклирования и после. Проведение составных испытаний ″контроль уровня НЧ шума + термоциклирование + контроль уровня НЧ шума″ позволяет рассматривать поведение каждого изделия, его расположенность к ранним или поздним отказам.
Термоциклирование проводится в диапазоне крайних температур, допустимых техническими условиями на изделие. Количество термоциклов не менее десяти.
Для достаточной выборки изделий из партий одного типа находят коэффициент увеличения низкочастотного шума после термоциклирования по сравнению с начальным значением. Выбирается критерий оценки коэффициента увеличения шума. Изделия, у которых коэффициент увеличения шума будет больше установленного критерия, считаются потенциально ненадежными.
Пример осуществления способа.
На девяти транзисторах КТ361Е2, годных по электрическим параметрам нормам технических условий, измеряли интенсивность шумов на переходе эмиттер - база, наиболее уязвимом при всех последующих воздействиях, при прямом токе 15 мА с помощью установки прямого измерения на частоте 1 кГц до проведения термоциклирования и после 10 термоциклов (0-100°С с выдержкой при каждой температуре 30 минут) определяли коэффициент увеличения шума. Данные представлены в таблице.
| Таблица | |||
| № Транзистора | Интенсивность шумов U2 Ш, мВ2, |
 |
|
начальная  |
после 10 термоциклов  |
||
| 1 | 74 | 79,5 | 1,07 |
| 2 | 75 | 80 | 1,08 |
| 3 | 77 | 81,7 | 1,06 |
| 4 | 88 | 96,9 | 1,1 |
| 5 | 92 | 103,6 | 1,13 |
| 6 | 76 | 82,2 | 1,08 |
| 7 | 74 | 77,1 | 1,04 |
| 8 | 85 | 90,1 | 1,06 |
| 9 | 82 | 87,7 | 1,07 |
По таблице определяли, что для надежных транзисторов коэффициент К=/ должен быть менее 1,1. Поэтому по таблице транзисторы №4, 5 будут потенциально ненадежными.
Для проверки данного вывода все транзисторы были подвергнуты 200 термоциклам. Транзисторы №4, 5 показали снижение электрического параметра - коэффициента усиления по току ниже нормы, установленной техническими условиями, а значение обратного тока эмиттера у данных транзисторов увеличилось на порядок, в то время как у остальных транзисторов - в 2-4 раза.
Источники информации
1. Покровский Ф.Н., Номоконова Н.Н. Применение термоциклирования для оценки устойчивости КМОП интегральных схем. // Матер, докл. межд. науч.-техн. сем. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. М. 1997, с.328-334.
2. Ковтуненко П.В. Физическая химия твердого тела: кристаллы с дефектами. - М.: Высшая школа. 1993. - 352 с.
3. Горлов М.И., Ануфриев Л.П., Бордюжа О.Л. Обеспечение и повышение надежности полупроводниковых приборов и интегральных схем в процессе серийного производства / Под. ред. Горлова М.И. Минск: Интеграл. - 390 с.
4. Врачев А.С. Возможности низкочастотного шума как прогнозирующего параметра при оценке качества и надежности изделий электронной техники // Матер, докл. межд. науч.-техн. сем. Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах. М. 1996, с.191-197.
5. Авторское свидетельство СССР №490047, G 01 R 31/26, 1975.
Claims (1)
- Способ разбраковки полупроводниковых изделий, включающий измерение интенсивности шумов до и после внешнего воздействия, отличающийся тем, что отбор потенциально ненадежных изделий проводят по оценке коэффициента увеличения интенсивности шумов каждого изделия после не менее 10 термоциклов в диапазоне крайних температур, допустимых по техническим условиям, по сравнению с первоначальным значением.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005101028/28A RU2289144C2 (ru) | 2005-01-18 | 2005-01-18 | Способ разбраковки полупроводниковых изделий |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005101028/28A RU2289144C2 (ru) | 2005-01-18 | 2005-01-18 | Способ разбраковки полупроводниковых изделий |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005101028A RU2005101028A (ru) | 2006-06-20 |
| RU2289144C2 true RU2289144C2 (ru) | 2006-12-10 |
Family
ID=36714029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005101028/28A RU2289144C2 (ru) | 2005-01-18 | 2005-01-18 | Способ разбраковки полупроводниковых изделий |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2289144C2 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2455655C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-07-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ разбраковки полупроводниковых изделий по надежности |
| RU2472171C2 (ru) * | 2009-12-02 | 2013-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ разбраковки полупроводниковых изделий |
-
2005
- 2005-01-18 RU RU2005101028/28A patent/RU2289144C2/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| М. ГОРЛОВ, А. ЖАРКИХ и В.А.ЕМЕЛЬЯНОВ "Связь 1/f шума с электростатическими разрядами транзисторов типа КТ133А", в сборнике "Шумовые и деградационные процессы в полупроводниковых приборах"// Материалы докладов международного научно-технического семинара, М.: "Московский энергетический институт", 2003. М.ГОРЛОВ, Л.АНУФРИЕВ и А.СТРОГОНОВ. «Отбраковочные технологические испытания как средство повышения надежности партий ИС», http:/www.chipinfo.ru/literature/chipnews/200105/ /5.html от 2001 г. * |
| М.ГОРЛОВ, А.СТРОГОНОВ и А.АДАМЯН «Воздействие электростатических разрядов на полупроводниковые изделия». http:/www.chipinfo.ru/literature/chipnews/200101/34.html от 2001 г. * |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2455655C2 (ru) * | 2009-11-17 | 2012-07-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ разбраковки полупроводниковых изделий по надежности |
| RU2472171C2 (ru) * | 2009-12-02 | 2013-01-10 | Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет" | Способ разбраковки полупроводниковых изделий |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2005101028A (ru) | 2006-06-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI534445B (zh) | 電子裝置、效能分類系統與方法、電壓自動校正系統 | |
| US6043662A (en) | Detecting defects in integrated circuits | |
| RU2289144C2 (ru) | Способ разбраковки полупроводниковых изделий | |
| US7116142B2 (en) | Apparatus and method for accurately tuning the speed of an integrated circuit | |
| KR101511161B1 (ko) | 인터페이스부를 갖는 반도체 소자 검사 장치 및 이를 이용한 반도체 소자 검사 방법 | |
| JP2008002900A (ja) | 半導体装置のスクリーニング方法と装置並びにプログラム | |
| EP2652515A2 (en) | Iddq testing of cmos devices | |
| US20150109013A1 (en) | Semiconductor device and method of testing the same | |
| CN104716069B (zh) | 晶圆可接受性测试机台内部环境的监测方法和监测装置 | |
| US20080094096A1 (en) | Semiconductor testing equipment and semiconductor testing method | |
| US7565582B2 (en) | Circuit for testing the AC timing of an external input/output terminal of a semiconductor integrated circuit | |
| KR100950333B1 (ko) | 전자부품 검사 지원 장치 및 테스트가 이루어진 전자부품의분류방법 | |
| TWI693410B (zh) | 晶片測試系統及方法 | |
| RU2455655C2 (ru) | Способ разбраковки полупроводниковых изделий по надежности | |
| RU2278392C1 (ru) | Способ разделения интегральных схем | |
| RU2326394C1 (ru) | Способ повышения надежности партий полупроводниковых изделий | |
| JP2003084048A (ja) | 半導体試験装置 | |
| JP2003043099A (ja) | 半導体試験方法および半導体装置 | |
| RU2234163C1 (ru) | Способ определения потенциально ненадежных транзисторов | |
| US11624768B2 (en) | Constant power circuit with variable heating and measurement current capability | |
| JP3398755B2 (ja) | Ｉｃテスタの電流測定装置 | |
| WO2008026392A1 (fr) | Appareil d'inspection d'un circuit intégré à semi-conducteur | |
| JP2017059564A (ja) | 半導体ウエハーの検査方法及び半導体装置の製造方法 | |
| Wu et al. | Study of OCDs reliability estimation system based on bio-immunology | |
| Wong et al. | Rapid Assessment of Semiconductor Thermal Quality |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20070119 |