RU222432U1 - Реактор для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевой подложке - Google Patents
Реактор для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевой подложке Download PDFInfo
- Publication number
- RU222432U1 RU222432U1 RU2023127572U RU2023127572U RU222432U1 RU 222432 U1 RU222432 U1 RU 222432U1 RU 2023127572 U RU2023127572 U RU 2023127572U RU 2023127572 U RU2023127572 U RU 2023127572U RU 222432 U1 RU222432 U1 RU 222432U1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- reactor
- substrate
- silicon
- substrate holders
- substrate holder
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 94
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 27
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 27
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 27
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 18
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 17
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 15
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 15
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 15
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 8
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 125000004429 atom Chemical class 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 5
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 4
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 4
- 239000012634 fragment Substances 0.000 description 3
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N Carbon monoxide Chemical compound [O+]#[C-] UGFAIRIUMAVXCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 2
- 239000006101 laboratory sample Substances 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000323 aluminium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000005493 condensed matter Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O HNPSIPDUKPIQMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000016507 interphase Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- CMOQUKQBSAJCOD-UHFFFAOYSA-N methane silane Chemical compound C.[SiH4] CMOQUKQBSAJCOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 silicon carbide compound Chemical class 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
Abstract
Полезная модель относится к электронной технике, а именно, к получению полупроводниковых материалов, и может быть использована при создании полупроводниковых приборов. Реактор для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевой подложке имеет цилиндрический вертикально ориентированный корпус, выполненный из кварцевого стекла с верхним и нижним уплотняющими фланцами, снабженными патрубками для ввода газа реагента и вывода реакционной смеси. Внутри корпуса по оси размещена сборка подложкодержателей. Реактор также содержит цилиндрическую катушку индукционного нагрева, концентрично охватывающую сборку подложкодержателей. Сборка подложкодержателей размещена на осевом стержне, соединенном с нижним фланцем, и состоит из подложкодержателей, выполненных в виде дисков, установленных друг над другом и разделенных между собой дистанционными элементами. При этом в подложкодержателях вдоль края выполнены отверстия, распределенные по окружности и предназначенные для прохождения центрирующих вертикально ориентированных стержней, нижние торцы которых закреплены на нижнем подложкодержателе.
Дистанционные элементы могут быть выполнены в виде втулок, надетых на центрирующие стержни или в виде цилиндрических колец, расположенных между центрирующими стержнями и снабженных радиальными сквозными отверстиями.
Реактор позволяет получать эпитаксиальные слои карбида кремния одновременно на нескольких кремниевых подложках при этом для нагрева используется индукционная катушка, обеспечивающая быстрый и равномерный нагрев. Однако по сравнению с прототипом заявляемый реактор обладает существенно более простой конструкцией, при этом подложкодержатели имеют форму плоских дисков с отверстиями, поэтому их изготовление не требует сложных технологических операций. 4 ил.
Description
Полезная модель относится к электронной технике, а именно, к получению полупроводниковых материалов, в частности, с применением технологии синтеза эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремнии методом согласованного замещения атомов [1. С.А. Кукушкин, А.В. Осипов. Термодинамика, кинетика и технология синтеза эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремнии методом согласованного замещения атомов и его уникальные свойства. (Обзор) // Конденсированные среды и межфазные границы. - (2022). Т. 24, вып.4. - С. 407-458. - DOI: 10.17308/kcmf.2022.24/10549], и может быть использована при создании полупроводниковых приборов.
Известно устройство для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевой подложке [1. Патент RU 86351 U1]. Устройство имеет водоохлаждаемый корпус, внутри которого коаксиально ему установлена реакционная камера со стенками, имеющими форму цилиндрической трубы, которая выполнена из кристаллического жаропрочного материала. В реакционной камере установлен графитовый держатель образца. В верхней части реакционной камеры имеется патрубок подвода реакционной газовой смеси, в нижней - патрубок для ее отвода. Устройство снабжено средством для нагрева. Средство для нагрева представляет собой резистивный нагреватель, выполненный в виде графитовой трубы, охватывающей стенки реакционной камеры в зоне расположения держателя образца. Токоподводы резистивного нагревателя предназначены для подключения к источнику постоянного тока, а полость между стенками водоохлаждаемого корпуса и стенками реакционной камеры заполнена пористым графитом. При этом стенки реакционной камеры выполнены из сапфира, а в качестве газа используют СО или СО2 или их смесь. Применение резистивного нагревателя, нагревающего не только зону расположения подложкодержателя, но и весь внутренний объем, приводит к необходимости применения графитовой термоизоляции корпуса и низкой энергетической эффективности устройства. Кроме того, устройство обладает низкой производительностью, поскольку содержит только один подложно держатель, соответствующий размерам подложки, и предназначено для использования в качестве лабораторного образца.
Повышение производительности достигается в описанном в патенте [2. Патент RU 2522812] реакторе для осуществления способа изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности. Реактор имеет корпус с нагреваемым до 950-1400°С внутренним объемом и снабжен патрубком подачи газовой смеси, включающей оксид углерода и кремнийсодержащий газ, и патрубком вывода газообразных продуктов реакции. Внутри корпуса расположена газопроницаемая камера, служащая барьером для прохождения молекул кремний-содержащего газа, с расположенным в ней подложкодержателем, выполненным с обеспечением возможности параллельной установки нескольких пластин кремниевых подложек.
В описанном в [2] реакторе подложки нагреваются не контактным способом, поскольку они установлены на подложкодержателе параллельно на ребро, а за счет конвективного теплообмена, что является малоэффективным способом. Кроме того, при таком процессе подложки находятся не в одинаковых условиях теплообмена, что приводит к тому, что полученные на разных подложках эпитаксиальные слои могут отличаться по качеству.
Повышение эффективности нагрева решается применением индуктора в качестве нагревателя.
Известен химический газофазный CVD реактор [3. Andre Leycuras. Optical monitoring of the growth of 3C SiC on Si in a CVD reactor. Diamond and Related Materials 6 (1997) 1857-1861]. В этом устройстве графитовый цилиндрический держатель помещен на корпусе термопары, расположенном вертикально по оси реактора. На графитовый держатель укладывается кремниевая подложка. Держатель с термопарой введены в кварцевую неохлаждаемую трубу. Снаружи этой трубы расположена катушка индуктивности, нагревающая подложкодержатель, который, в свою очередь, нагревает подложку. Газ подается в верхнюю часть кварцевой трубы и выводится из нижней. Давление метан-силановой газовой смеси составляет около 10 Па, температура подложки 1200-1400°С. Описанное в статье [3] устройство, как и в источнике [2] обладает низкой производительностью, поскольку содержит только один подложкодержатель, соответствующий размерам подложки, и предназначено для использования в качестве лабораторного образца.
Описанный в патенте [4. Патент RU 2767098] CVD-реактор синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевых подложках путем химического осаждения из газовой фазы принят в качестве прототипа. CVD-реактор включает внутреннюю кварцевую трубу с коаксиально установленной кварцевой наружной трубой, с размещенным внутри двухзонным выполненным из графита, покрытого карбидом кремния контейнером с подложкодержателями, нагревателем индукционного типа и системой подвода/отвода водорода в качестве газа-носителя. Контейнер установлен на полом пьедестале, направляющем поток водорода в первую зону, между контейнером и пьедесталом установлена разогреваемая ВЧ-полем индуктора металлическая пластина-диск с отверстиями для прохода потока водорода. Первая зона указанного контейнера предназначена для предварительного подогрева водорода и протекания реакции углерода с водородом в сквозных каналах основания с последующим транспортным переносом полученных газообразных углеводородов во вторую зону, включающую сборку подложкодержателей, установленных друг на друга, с подложками и тепловыми экранами, причем обе зоны сообщаются между собой отверстиями для переноса углеводородов потоком водорода над кремниевыми подложками. Подложкодержатели имеют тарельчатую форму с цилиндрическими стенками и ориентированы вверх донцами, в которых выполнены по контуру проточки для обеспечения фиксации стенок смежных подложкодержателей. В донцах тарельчатых подложкодержателей выполнены отверстия для перехода газового потока по высоте контейнера над кремниевыми подложками и они расположены так, чтобы кремниевые подложки не перекрывали отверстия в подложкодержателях,. Тепловые экраны выполнены в виде цилиндрических колец, на торцах которых сформированы кольцевые проточки, которые обеспечивают образование сборной трубы, охватывающей сборку подложкодержателей. Основание является источником углерода, в сквозных каналах которого происходит образование углеводородов посредством реакции углерода с водородом при температуре до 1100°С, т.е. осуществляется химический газовый транспорт исходного реагента из первой зоны во вторую зону с подложками кремния. При температуре 1360-1380°С во второй зоне протекает обратная реакция на поверхности подложек кремния: разложение углеводородов с образованием соединения карбида кремния на поверхности подложек кремния по всей высоте сборки подложкодержателей. Описанный в [4] CVD-реактор обладает большей производительностью за счет применения сборки подложкодержтелей. Недостатком конструкции является ее сложность и применение в технологическом процессе взрывоопасного реагента -водорода.
В основу полезной модели поставлена задача расширения арсенала средств и создание новой конструкции реактора для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния одновременно на нескольких кремниевых подложках, и реализующего технологию на основе метода согласованного замещения атомов [1]. Достигаемый технический результат - упрощение конструкции реактора.
Поставленная задача решается изменением конструкции.
Заявляемый реактор для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевой подложке имеет цилиндрический вертикально ориентированный корпус, выполненный из кварцевого стекла с верхним и нижним уплотняющими фланцами, снабженными патрубками для ввода газа реагента и вывода реакционной смеси. Внутри корпуса по оси размещена сборка подложкодержателей. Реактор также содержит цилиндрическую катушку индукционного нагрева, концентрично охватывающую сборку подложкодержателей. От прототипа отличается тем, что сборка подложкодержателей размещена на осевом стержне, соединенном с нижним фланцем, и состоит из подложкодержателей, выполненных в виде дисков, установленных друг над другом и разделенных между собой дистанционными элементами. При этом в подложкодержателях вдоль края выполнены отверстия, распределенные по окружности и предназначенные для прохождения центрирующих вертикально ориентированных стержней, нижние торцы которых закреплены на нижнем подложкодержателе.
Дистанционные элементы могут быть выполнены в виде втулок, надетых на центрирующие стержни или в виде цилиндрических колец, расположенных между центрирующими стержнями и снабженных радиальными сквозными отверстиями.
Для того, чтобы лучше продемонстрировать отличительные особенности полезной модели, в качестве примера, не имеющего какого-либо ограничительного характера, ниже описан предпочтительный вариант.
Пример реализации иллюстрируется Фигурами чертежей, на которых представлено: Фиг. 1 - заявляемый реактор, осевой разрез (схематично), Фиг. 2 - фрагмент сборки подложкодержателей с дистанционными втулками и установленными подложками: а) поперечный разрез, б) продольный разрез; Фиг. 3 - фрагмент сборки подложкодержателей с дистанционными цилиндрическими кольцами и установленными подложками: а) поперечный разрез, б) продольный разрез; Фиг. 4 - фрагмент сборки подложкодержателей с дистанционными втулками и с подложками, контактирующими с верхними и с нижними поверхностями подложкодержателей, продольный разрез.
Реактор имеет вертикально ориентированный корпус 1, выполненный из высококачественного кварцевого стекла и снабжен верхним уплотняющим фланцем 2 и нижним уплотняющим фланцем 3. Фланцы оснащены вакуумными уплотнениями 4. Нижний фланец 3 снабжен патрубком 5 подвода реакционной углеродсодержащей газовой смеси (как альтернатива на Фиг. 1 показан пунктиром патрубок 6, которым может быть снабжен верхний фланец). Нижний фланец также снабжен патрубком 7 для отвода реакционной смеси, присоединяемым к системе вакуумной откачки 8. В корпусе реактора (в реакционной камере) по оси размещен стержень 9, выполненный из малотеплопроводящего электроизоляционного материала, стойкого при температурах до 1400°С, например, алюмосиликатной керамики. Стержень 9 может быть полым и внутри него может быть размещена термопара 10 для измерения температуры сборки подложкодержателей. Стержень 9 соединен с нижним фланцем 3.
На верхнем торце стержня 9 установлена сборка 11 подложкодержателей 12 (на Фиг. 1 сборка 11 показана условно). Подложкодержатели 12 выполнены в виде дисков из электропроводящего и стабильного при температурах до 1400°С материала, например, графита. Подложкодержатели 12 установлены друг над другом, но при этом разделены между собой дистанционными элементами, то есть, подложкодержатели чередуются с дистанционными элементами. В подложкодержателях 12 вдоль края выполнены отверстия, распределенные по окружности. Через эти отверстия проходят центрирующие вертикально ориентированные стержни 13. Нижние торцы стержней 13 закреплены на нижнем подложкодержателе.
На Фиг 2 - Фиг. 4 показаны возможные варианты реализации дистанционных элементов, отделяющих подложкодержатели 12 друг от друга, а также возможные варианты размещения подложек 14. На Фиг. 2 показаны дистанционные элементы в виде втулок 15, расположенных между подложкодержателями 12, втулки надеты на центрирующие стержни 13. На Фиг. 3 показаны дистанционные элементы в виде уплощенных цилиндрических колец 16 (типа плоских шайб), расположенных между центрирующими стержнями и снабженных радиальными сквозными отверстиями 17. На Фиг. 4 показано, что подложки могут контактировать не только с верхними поверхностями подложкодержателей 12, но и с нижними, то есть, устанавливаются с обоих торцов дистанционных элементов. Дистанционные элементы могут быть выполнены из конструкционного графита, пористого графита или их аналогов (графитовый войлок). Осевой размер (толщина) дистанционных элементов может составлять 1-10 мм.
Реактор снабжен нагревательным устройством, выполненным в виде цилиндрической катушки 18 индукционного нагрева, установленной на специальном держателе (на Фиг. 1 не показан) вне реакционной камеры и концентрично охватывающей корпус 1 и, соответственно, сборку 11 подложкодержателей. Катушка 18 подсоединяется к источнику питания. Держатель катушки выполнен из диэлектрического материала и может иметь любую приемлемую форму, обеспечивающую надежную фиксацию витков катушки и соединен с конструкционными элементами реактора любым приемлемым способом, при этом катушка охватывает стенки корпуса в зоне расположения сборки 11 подложкодержателей.
Устройство работает следующим образом.
В качестве подложек 14 используют пластины в форме дисков монокристаллического кремния, вырезанные с учетом кристаллографической ориентации. Предварительно осуществляют сборку подложкодержателей, размещая подложки 14 внутри сборки (над подложкодержателями или над и под подложкодержателями, как это показано на Фигурах). После герметизации из реактора откачивают воздух до давления 10-3-10-4 Па, после чего подают напряжение на катушку 18 индукционного нагрева. Высокочастотный ток, протекающий в катушке 18, вызывает нагрев подложкодержателей 12, и соответственно, размещенных на них (и/или под ними) подложек 14, до температуры 950-1400°С, которая может контролироваться с помощью термопары 10. Нижняя граница температурного интервала выбирается из условий роста эпитаксиальной пленки с требуемыми характеристиками, верхняя - из условия не превышения температуры плавления кремния. Затем выполняют прокачку через реакционную камеру углерод-содержащего газа, содержащего оксид углерода или диоксид углерода или их смесь, аргон и силан в выбранном соотношении, давление в реакционной зоне поддерживают в пределах 20-600 Па, а температуру - в указанном интервале. Газовая смесь поступает в реакционную камеру через патрубок 5 (в альтернативном примере исполнения - через парубок 6). В случае применения дистанционных втулок газ свободно проходит между ними. В случае применения дистанционных уплощенных колец реакционная газовая смесь поступает в зону расположения подложек через радиальные отверстия. Время предварительных операций нагрева зависит от задаваемой конечной температуры и составляет 2-5 мин. В процессе работы реактора осуществляется синтез эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремнии методом согласованного замещения атомов как это описано в [1]. Время проведение процесса определяется требованиями к эпитаксиальной пленке (ее толщине, гладкости, степени кристалличности), зависит от многих факторов и составляет 1-60 мин.
Таким образом, как и прототип заявляемый реактор позволяет получать эпитаксиальные слои карбида кремния одновременно на нескольких кремниевых подложках при этом для нагрева используется индукционная катушка, обеспечивающая быстрый и равномерный нагрев. Однако по сравнению с прототипом заявляемый реактор обладает существенно более простой конструкцией, при этом подложкодержатели имеют форму плоских дисков с отверстиями, поэтому их изготовление не требует сложных технологических операций, В отличии от прототипа реактор работает с применением невзрывоопасных газов. При этом слой карбида кремния на кремниевой подложке не осаждается из газовой фазы, а синтезируется на кремниевой подложке методом согласованного замещения атомов, что позволяет получать более качественные эпитаксиальные пленки. Конструкция позволяет осуществлять выращивание эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевых подложках расположенных как над, так и под подложкодержателями, что еще больше увеличивает производительность реактора.
Claims (3)
1. Реактор для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевой подложке, имеющий цилиндрический вертикально ориентированный корпус, выполненный из кварцевого стекла с верхним и нижним уплотняющими фланцами, снабженными патрубками для ввода газа реагента и вывода реакционной смеси, внутри корпуса по оси размещена сборка подложкодержателей, реактор также содержит цилиндрическую катушку индукционного нагрева, концентрично охватывающую сборку подложкодержателей, отличающийся тем, что сборка подложкодержателей размещена на осевом стержне, соединенном с нижним фланцем, и состоит из подложкодержателей, выполненных в виде дисков, размещенных друг над другом и разделенных между собой дистанционными элементами, при этом в подложкодержателях вдоль края выполнены отверстия, распределенные по окружности и предназначенные для прохождения центрирующих вертикально ориентированных стержней, нижние торцы которых закреплены на нижнем подложкодержателе.
2. Реактор по п. 1, отличающийся тем, что дистанционные элементы выполнены в виде втулок, надетых на центрирующие стержни.
3. Реактор по п. 1, отличающийся тем, что дистанционные элементы выполнены в виде цилиндрических колец, расположенных между центрирующими стержнями и снабженных радиальными сквозными отверстиями.
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU222432U1 true RU222432U1 (ru) | 2023-12-25 |
Family
ID=
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU86351U1 (ru) * | 2008-12-05 | 2009-08-27 | Фонд поддержки науки и образования | Устройство для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевой подложке |
RU2522812C1 (ru) * | 2013-02-18 | 2014-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" | Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности и реактор для осуществления способа |
RU2767098C2 (ru) * | 2021-07-29 | 2022-03-16 | Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код" | Cvd-реактор синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевых подложках |
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU86351U1 (ru) * | 2008-12-05 | 2009-08-27 | Фонд поддержки науки и образования | Устройство для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевой подложке |
RU2522812C1 (ru) * | 2013-02-18 | 2014-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Новые Кремневые Технологии" | Способ изготовления изделий, содержащих кремниевую подложку с пленкой из карбида кремния на ее поверхности и реактор для осуществления способа |
RU2767098C2 (ru) * | 2021-07-29 | 2022-03-16 | Общество с ограниченной ответственностью "Открытый код" | Cvd-реактор синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремниевых подложках |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0712150B1 (en) | Sublimation growth of silicon carbide single crystals | |
JPH08231298A (ja) | 熱伝導率の高いダイヤモンド薄膜構造体 | |
TWI606135B (zh) | 用於製造獨立式cvd多晶鑽石膜的設備及方法 | |
US20120148760A1 (en) | Induction Heating for Substrate Processing | |
EP0348026B1 (en) | Diamond growth on a substrate using microwave energy | |
WO1997013011A1 (en) | A device for heat treatment of objects and a method for producing a susceptor | |
JPH0472798B2 (ru) | ||
JP5179690B2 (ja) | 炭化ケイ素の大型単結晶を作るための軸芯勾配輸送装置及び方法 | |
RU222432U1 (ru) | Реактор для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевой подложке | |
RU2394117C2 (ru) | Cvd-реактор и способ синтеза гетероэпитаксиальных пленок карбида кремния на кремнии | |
JPH10324599A (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法 | |
JPH11209198A (ja) | SiC単結晶の合成方法 | |
CN113512758B (zh) | 碳化硅晶锭及其制造方法和用于制造碳化硅晶锭的系统 | |
CN116397320A (zh) | 一种掺杂碳化硅晶体的生长方法 | |
TWI767309B (zh) | 碳化矽晶錠之製造方法以及製造碳化矽晶錠之系統 | |
JP4216491B2 (ja) | α−SiCウェハの製造方法 | |
JP2003086516A (ja) | サセプタ、cvd装置、成膜方法、および半導体装置 | |
JP4309509B2 (ja) | 熱分解黒鉛からなる単結晶成長用のルツボの製造方法 | |
RU86351U1 (ru) | Устройство для получения эпитаксиальных слоев карбида кремния на кремниевой подложке | |
JPS63252997A (ja) | ダイヤモンド単結晶の製造方法 | |
JP2570873B2 (ja) | 気相成長装置 | |
KR101916226B1 (ko) | 증착 장치 및 증착 방법 | |
RU2578104C1 (ru) | Способ газофазной карбидизации поверхности монокристаллического кремния ориентации (111), (100) | |
JP2004315930A (ja) | Cvd装置 | |
US4034705A (en) | Shaped bodies and production of semiconductor material |