RU2222845C1 - Полевой транзистор - Google Patents

Полевой транзистор Download PDF

Info

Publication number
RU2222845C1
RU2222845C1 RU2003109501/28A RU2003109501A RU2222845C1 RU 2222845 C1 RU2222845 C1 RU 2222845C1 RU 2003109501/28 A RU2003109501/28 A RU 2003109501/28A RU 2003109501 A RU2003109501 A RU 2003109501A RU 2222845 C1 RU2222845 C1 RU 2222845C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
channel
boundary
barrier
effect transistor
Prior art date
Application number
RU2003109501/28A
Other languages
English (en)
Inventor
В.П. Чалый
Ю.В. Погорельский
А.Н. Алексеев
Д.М. Красовицкий
И.А. Соколов
Original Assignee
Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование" filed Critical Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование"
Priority to RU2003109501/28A priority Critical patent/RU2222845C1/ru
Priority to DE10394190T priority patent/DE10394190B4/de
Priority to PCT/RU2003/000383 priority patent/WO2004088756A1/ru
Priority to AU2003271248A priority patent/AU2003271248A1/en
Application granted granted Critical
Publication of RU2222845C1 publication Critical patent/RU2222845C1/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
    • H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/201—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds including two or more compounds, e.g. alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/778—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface
    • H01L29/7782—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET
    • H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
    • H01L29/7785—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material with more than one donor layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
    • H01L29/2003—Nitride compounds

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Abstract

Использование: в радиотехнических, СВЧ-устройствах и т.д. Структура полевого транзистора на основе нитридов Ga и Аl последовательно включает подложку, изолирующий слой, выполненный из AlyGa1-yN, канальный слой и барьерный слой, выполненный из AlzGa1-zN. Канальный слой выполнен из AlxGa1-xN, где 0,12>х>0,03, при этом на границе канального и изолирующего слоев 1≥y≥x+0,1, на границе канального и барьерного слоев 1≥z≥x+0,1, а толщина канального слоя находится в пределах от 3 до 20 нм, причем х, у, z - молярные доли Аl в составе соединения AlGaN. Изолирующий слой может быть выполнен из двух подслоев, при этом нижний, смежный с подложкой подслой имеет на границе с ней значение у в пределах от 0,5 до 0,7, на границе с верхним подслоем имеет значение у от 0,7 до 1, верхний подслой имеет на границе с нижним значение у от 0,7 до 1, которое монотонно уменьшается к границе с канальным слоем до значения у≤0,4. В барьерном и/или изолирующем слоях может быть выполнен легирующий δ-слой кремния или кислорода. Структура полевого транзистора может дополнительно содержать защитный слой, расположенный поверх барьерного слоя, выполненный из AlGaON. Техническим результатом изобретения является увеличение деградационной стойкости прибора. 3 з. п.ф-лы, 4 ил.

Description

Изобретение относится к полупроводниковым приборам и может быть использовано в радиотехнических, СВЧ-устройствах и т.д.
Создание оптоэлектронных и микроэлектронных приборов на основе полупроводниковых соединений группы А3 с азотом (нитриды А3) весьма актуально ввиду значительного расширения функциональных возможностей этих приборов. В частности, возникла возможность изготовления СВЧ-полевых транзисторов, мощность которых в несколько раз больше, чем мощность таких транзисторов, выполненных на основе традиционных материалов (арсениды А3). Одновременно транзисторы на основе нитридов обладают уникальной термической стойкостью и могут работать в непрерывном режиме при температуре 300-500oС, что было абсолютно недоступно на традиционных приборах.
Однако существенной трудностью при промышленной реализации такого технического решения является склонность нитридных транзисторов к деградации, т. е. к быстрому изменению (ухудшению) характеристик прибора со временем. Эта деградация наблюдается во время работы прибора и, более того, зафиксировано ухудшение характеристик транзисторных полупроводниковых структур в отсутствие электрического тока. Показано, что подвижность и концентрация электронов в нитридной гетероструктуре произвольно меняются со временем, причем за несколько месяцев эти изменения достигают десятков процентов (S. Elhamri et al. Study of deleterious aging effects in GaN/AlGaN heterostructures. Journal of Applied Physics, vol. 93, 2, pp.1079-1082, 15 January 2003).
В условиях, соответствующих рабочим, т. е. с протеканием тока под действием приложенного напряжения, нитридные транзисторы изменяют свои характеристики за несколько часов, что недопустимо для реального применения.
Известен полевой транзистор на основе нитридов галлия и алюминия, структура которого последовательно включает: подложку, слой GaN, барьерный слой, выполненный из двух подслоев: Al0,2Ga0,8N, на нем GaN; второй вариант барьерного слоя - А10,3Gа0,7N, легированный Si, на нем нелегированный А10,3Gа0,7N. На структуре выполнены контакты: сток, исток и затвор с соответствующими промежутками между ними; далее было выполнено диэлектрическое покрытие
Figure 00000002
MgO, Sc2O3 или SiNx. Между контактами диэлектрическое покрытие находится на барьерном слое и служит для защиты открытых поверхностей барьерного слоя от внешних воздействий, см. B. Luo et al. The role of cleaning conditions and epitaxial layer structure on reliability of Sc2O3 and MgO passivation on AlGaN/GaN HEMTS, Solid-State Electronics, 46, pp.2185-2190, 2002.
Транзисторы, содержащие слои MgO и Sc2O3, проявляют значительно меньшую деградацию, чем аналогичные приборы без защитных слоев.
Недостатком такого технического решения является то, что полученный благодаря защитным слоям уровень деградации остается достаточно высоким. Под нагрузкой (напряжение исток - сток 8 В, напряжение на затворе 1 В) через 13 часов ток сток - исток составил 90% от первоначального при защите структуры слоем MgO и 80% от первоначального при защите Sс2O3.
Для реальных применений характеристики транзистора должны меняться не более чем на 10% за тысячи часов работы или, для некоторых применений, за сотни часов, поэтому изменение тока сток - исток на 10% за 13 часов не обеспечивает возможности практического использования транзистора.
Известен также полевой транзистор на основе нитридов галлия и алюминия, структура которого последовательно включает: подложку, выполненную из SiC, изолирующий слой переменного состава толщиной 1 мкм, легирующий слой Al0,09Ga0,91N толщиной
Figure 00000003
, легированный Si, канальный слой GaN толщиной
Figure 00000004
, барьерный слой из трех подслоев: нелегированного Al0,3Ga0,7N толщиной
Figure 00000005
, легированного Si Al0,3Ga0,7N толщиной
Figure 00000006
, нелегированного Al0,3Ga0,7N толщиной
Figure 00000007
, см. Narihiko Maeda et al. AlGaN/GaN Heterostructure Field - Effect Tronsistors with Back - Doping Design for High-Power Applicatios: High Current Density with High Transconductance Characteristics, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol. 743, 1931-1936, 2003.
В отличие от технического решения, описанного в статье B. Luo, данная конструкция транзистора сложнее (содержит большее число слоев) и имеет лучшие характеристики. В частности, транзистор имеет весьма высокие значения усиления и плотности электрического тока. Указанное устройство принято за прототип настоящего изобретения. Однако ему свойственны серьезные недостатки, которые обусловлены следующими обстоятельствами. Проводящий слой двумерного электронного газа образован в данной конструкции за счет эффекта, связанного с существованием поляризационных зарядов на границе AlGaN/GaN. Данный эффект наблюдается в нитридах А3 и не характерен для полупроводников А3В5. Поскольку поляризационные заряды не устойчивы во времени, особенно в рабочем режиме прибора, характеристики двумерного электронного газа меняются со временем вместе с перезарядкой встроенных заряженных поверхностей. Это приводит к быстрой деградации полевого транзистора.
В основу настоящего изобретения положено решение задачи увеличения деградационной стойкости прибора.
Согласно изобретению эта задача решается за счет того, что в полевом транзисторе на основе нитридов Ga и Аl, структура которого последовательно включает подложку, изолирующий слой, выполненный из AlyGa1-yN, канальный слой и барьерный слой, выполненный из AlzGa1-zN, канальный слой выполнен из AlxGa1-xN, где 0,12>х>0,03, при этом на границе канального и изолирующего слоев 1≥y≥x+0,1, на границе канального и барьерного слоев 1≥z≥x+0,1, а толщина канального слоя находится в пределах от 3 до 20 нм, причем х, у, z - молярные доли Аl в составе соединения AlGaN; изолирующий слой может быть выполнен из двух подслоев, при этом нижний, смежный с подложкой подслой имеет на границе с ней значение у в пределах от 0,5 до 0,7, на границе с верхним подслоем имеет значение y от 0,7 до 1, верхний подслой имеет на границе с нижним значение y от 0,7 до 1, которое монотонно уменьшается к границе с канальным слоем до значения у≤0,4; в барьерном и/или изолирующем слоях выполнен легирующий δ-слой кремния или кислорода; структура полевого транзистора дополнительно содержит защитный слой, расположенный поверх барьерного слоя, выполненный из AlGaON.
Заявителем не выявлены источники, содержащие информацию о технических решениях, идентичных настоящему изобретению, что позволяет сделать вывод о его соответствии критерию "новизна".
В отличие от известной конструкции, где двумерный электронный газ образуется за счет встроенных поверхностных зарядов, заявленное техническое решение обеспечивает устойчивость проводящего двумерного канала к возникающим по мере работы прибора изменениям встроенных зарядов. Данные изменения могут возникать как за счет внешних химических воздействий окружающей атмосферы, так и за счет флуктуационного дефектообразования со временем, причем оба эти процесса существенно активируются в режиме работы прибора; проводящий слой двумерного электронного газа образуется за счет примененного в конструкции слоя AlxGa1-xN, причем величина запрещенной зоны в прилегающих с двух сторон слоях превышает ширину зоны в данном слое; толщина этого слоя обеспечивает размерное квантование электронных состояний. Существенно, что материал этого слоя должен содержать не менее 0,03 молярной доли Аl, что обеспечивает особо высокую деградационную стойкость прибора.
Следует также отметить, что реализация дополнительных признаков (п.п.2-4 формулы изобретения) обеспечивает большее увеличение деградационной стойкости прибора в режиме непрерывного действия; ввиду увеличения электрического сопротивления нижней части гетероструктуры между подложкой и канальным слоем существует возможность использования не только изолирующих, но и проводящих подложек из карбида кремния, стоимость которых в несколько раз ниже, чем изолирующих, что может заметно понизить стоимость приборов.
Заявителем не выявлены какие-либо источники информации о влиянии указанных выше отличительных признаков изобретения на достигаемый технический результат. Это позволяет сделать вывод о соответствии заявленного технического решения критерию "изобретательский уровень".
Сущность изобретения поясняется чертежом, где изображены:
на фиг. 1 - схема эпитаксиальной полупроводниковой структуры полевого транзистора по п.1 формулы изобретения;
на фиг.2 - то же, по п.2 формулы изобретения;
на фиг.3 - то же, по п.3 формулы изобретения;
на фиг.4 - то же, по п.4 формулы изобретения.
Полевой транзистор на основе Ga и А1 в конкретном исполнении, соответствующем п.1 формулы изобретения, имеет структуру, которая включает последовательно: подложку 1, выполненную в конкретном примере из сапфира; изолирующий слой 2 из AlyGa1-yN, в конкретном примере y=0,5, толщина слоя 1 мкм; канальный слой 3, выполненный из AlxGa1-xN, где 0,12>х>0,03, толщина канального слоя от 3 до 20 нм, в конкретном примере х=0,04, толщина слоя 14 нм; барьерный слой 4 из AlzGa1-zN, в конкретном примере z=0,3, толщина слоя 20 нм; х, y, z - молярные доли Аl в составе соединения AlGaN; на границе канального и изолирующего слоев 1≥y≥х+0,1; на границе канального и барьерного слоев 1≥z≥x+0,1.
Согласно варианту по п.2 формулы изобретения изолирующий слой выполнен из двух подслоев: нижний, смежный с подложкой подслой 5 может иметь на границе с ней значение y в пределах от 0,5 до 0,7, а на границе с верхним подслоем 6 имеет значение y от 0,7 до 1; верхний подслой имеет на границе с нижним подслоем значение y от 0,7 до 1, которое монотонно уменьшается к границе с канальным слоем до значения y≤0,4.
Согласно варианту по п.3 формулы изобретения в барьерном и/или изолирующем слоях может быть выполнен легирующий δ-слой кремния или кислорода. В конкретном примере один легирующий δ-слой 7 выполнен в верхнем изолирующем подслое изолирующего слоя, а другой легирующий δ-слой 8 выполнен в барьерном слое.
Согласно варианту по п.4 формулы изобретения структура полевого транзистора дополнительно содержит защитный слой, расположенный поверх барьерного слоя, выполненный из AlGaON.
При выполнении полевого транзистора с использованием всех признаков, приведенных во всех пунктах формулы изобретения, он имеет в конкретном примере структуру, включающую подложку 1, выполненную из сапфира; нижний подслой 5 изолирующего слоя на границе с подложкой имеет значение y=0,5, на границе с верхним подслоем 6 имеет значение y=0,7; толщина нижнего подслоя составляет 0,7 мкм; верхний подслой на границе с нижним подслоем имеет значение y= 0,7, а на границе с канальным слоем значение y=0,3; толщина верхнего подслоя равна 0,4 мкм; в верхнем подслое выполнен легирующий δ-слой 7 кремния со слоевой концентрацией 1•1013 см-2; δ-слой 7 расположен на глубине 5 нм под границей изолирующего слоя с канальным; канальный слой 3 выполнен с х=0,04, толщина слоя составляет 14 нм; в барьерном слое 4 z=0,3, толщина слоя составляет 20 нм; в барьерном слое выполнен легирующий δ-слой 8 кремния со слоевой концентрацией 1•1013 см-2; δ-слой 8 расположен на глубине 10 нм под верхней границей барьерного слоя; защитный слой 9 AlGaON имеет толщину 8 нм, в этом слое отношение мольных концентраций Аl и Ga составляет 1:1, а отношение мольных долей кислорода и азота составляет 1:4.
Реализация признаков зависимых пунктов (2, 3, 4) обеспечивает дополнительное повышение деградационной стойкости транзистора.
Были изготовлены и испытаны два варианта полевого транзистора. В первом варианте были изготовлены 4 транзистора в соответствии с п.1 формулы изобретения, которые прошли деградационный тест в режиме постоянного электрического тока сток - исток при напряжениях исток - сток 7 В, смещение затвора 0,5 В, в течение 48 часов. Все транзисторы продемонстрировали уменьшение тока менее чем на 10%. Во втором варианте были изготовлены 14 транзисторов в соответствии со всеми пунктами формулы изобретения, транзисторы были подвергнуты деградационному тесту в режиме постоянного электрического тока, при этом напряжение исток - сток 9 В, смещение на затворе 1 В, в течение 240 часов. 8 транзисторов продемонстрировали изменение величины электрического тока менее чем на 7%, а 6 транзисторов - менее чем на 10%.
Вся структура, включая защитный слой, была в обоих вариантах выращена в едином процессе молекулярно-лучевой эпитаксии; контакт к базе выполнен поверх защитного слоя, а контакты сток и исток выполнены на предварительно протравленные области поверхности, глубина травления 10±2 нм.
Приведенные выше примеры подтверждают весьма малую скорость деградации транзисторов. Благодаря этому существенно увеличивается срок службы приборов.
Изобретение может быть реализовано как в заводских, так и в лабораторных условиях с использованием известных материалов и оборудования, обычно применяемого при изготовлении полупроводниковых приборов. Это подтверждает соответствие заявленного изобретения критерию "промышленная применимость".

Claims (4)

1. Полевой транзистор на основе нитридов Ga и Al, структура которого последовательно включает подложку, изолирующий слой, выполненный из AlyGa1-yN, канальный слой и барьерный слой, выполненный из AlzGa1-zN, отличающийся тем, что канальный слой выполнен из AlxGa1-хN, где 0,12>x>0,03, при этом на границе канального и изолирующего слоев 1≥y≥x+0,1, на границе канального и барьерного слоев 1≥z≥x+0,1, а толщина канального слоя находится в пределах от 3 до 20 нм, причем х, у, z – молярные доли Al в составе соединения AlGaN.
2. Полевой транзистор по п.1, отличающийся тем, что изолирующий слой выполнен из двух подслоев, при этом нижний, смежный с подложкой подслой имеет на границе с ней значение у в пределах от 0,5 до 0,7, на границе с верхним подслоем имеет значение у от 0,7 до 1, верхний подслой имеет на границе с нижним значение у от 0,7 до 1, которое монотонно уменьшается к границе с канальным слоем до значения у≥0,4.
3. Полевой транзистор по п.1 или 2, отличающийся тем, что в барьерном и/или изолирующем слоях выполнен легирующий δ-слой кремния или кислорода.
4. Полевой транзистор по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что его структура дополнительно содержит защитный слой, расположенный поверх барьерного слоя, выполненный из AlGaON.
RU2003109501/28A 2003-04-01 2003-04-01 Полевой транзистор RU2222845C1 (ru)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003109501/28A RU2222845C1 (ru) 2003-04-01 2003-04-01 Полевой транзистор
DE10394190T DE10394190B4 (de) 2003-04-01 2003-08-15 Feldeffekt-Transistor
PCT/RU2003/000383 WO2004088756A1 (fr) 2003-04-01 2003-08-15 Transistor a effet de champ
AU2003271248A AU2003271248A1 (en) 2003-04-01 2003-08-15 Field transistor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2003109501/28A RU2222845C1 (ru) 2003-04-01 2003-04-01 Полевой транзистор

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2222845C1 true RU2222845C1 (ru) 2004-01-27

Family

ID=32091949

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2003109501/28A RU2222845C1 (ru) 2003-04-01 2003-04-01 Полевой транзистор

Country Status (4)

Country Link
AU (1) AU2003271248A1 (ru)
DE (1) DE10394190B4 (ru)
RU (1) RU2222845C1 (ru)
WO (1) WO2004088756A1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008060184A1 (fr) * 2006-11-14 2008-05-22 'svetlana-Rost' Limited Hétérostructure semi-conductrice d'un transistor à effet de champ
RU2534002C1 (ru) * 2013-06-18 2014-11-27 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) Высоковольтный нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10335637A (ja) * 1997-05-30 1998-12-18 Sony Corp ヘテロ接合電界効果トランジスタ
RU2186447C2 (ru) * 1997-11-28 2002-07-27 Котелянский Иосиф Моисеевич Полупроводниковый прибор
US6316793B1 (en) * 1998-06-12 2001-11-13 Cree, Inc. Nitride based transistors on semi-insulating silicon carbide substrates
US6849882B2 (en) * 2001-05-11 2005-02-01 Cree Inc. Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008060184A1 (fr) * 2006-11-14 2008-05-22 'svetlana-Rost' Limited Hétérostructure semi-conductrice d'un transistor à effet de champ
DE112007002782T5 (de) 2006-11-14 2009-09-10 "Svetlana-Rost" Limited Halbleiterheterostruktur für einen Feldeffekttransistor
RU2534002C1 (ru) * 2013-06-18 2014-11-27 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) Высоковольтный нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов

Also Published As

Publication number Publication date
DE10394190T5 (de) 2006-04-27
DE10394190B4 (de) 2010-02-11
AU2003271248A1 (en) 2004-10-25
WO2004088756A1 (fr) 2004-10-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Kumar et al. AlGaN/GaN HEMTs on SiC with f T of over 120 GHz
Nanjo et al. AlGaN channel HEMT with extremely high breakdown voltage
Palacios et al. High-performance e-mode algan/gan hemts
Chowdhury et al. Enhancement and depletion mode AlGaN/GaN CAVET with Mg-ion-implanted GaN as current blocking layer
Simin et al. SiO/sub 2//AlGaN/InGaN/GaN MOSDHFETs
US8872233B2 (en) Semiconductor structure
JP5501618B2 (ja) 高電子移動トランジスタ（ｈｅｍｔ）、半導体デバイスおよびその製造方法
US6878593B2 (en) Metal oxide semiconductor heterostructure field effect transistor
US10964804B2 (en) Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same
Simin et al. Large periphery high-power AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field effect transistors on SiC with oxide-bridging
US20050133816A1 (en) III-nitride quantum-well field effect transistors
US6841809B2 (en) Heterostructure semiconductor device
US7973338B2 (en) Hetero junction field effect transistor and method of fabricating the same
Acurio et al. Reliability improvements in AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with a gated edge termination
Zheng et al. Suppression of current leakage along mesa surfaces in GaN-based pin diodes
KR101103774B1 (ko) 리세스 게이트 에지 구조의 질화물계 반도체 소자 및 그 제조 방법
RU2222845C1 (ru) Полевой транзистор
Marcon et al. High temperature on-and off-state stress of GaN-on-Si HEMTs with in-situ Si 3 N 4 cap layer
CN111316446A (zh) 凹入式固态设备
KR102521973B1 (ko) 반도체 구조 및 이의 제조 방법
Smith et al. GaN HEMT reliability through the decade
Kumar et al. High performance 0.15/spl mu/m recessed gate AlGaN/GaN HEMTs on sapphire
Zaidi Applications of GaN HFETs in UV detection and Power electronics
JP5697046B2 (ja) 高移動度電界効果トランジスタ
Kuzmik et al. Backgating, high-current and breakdown characterisation of AlGaN/GaN HEMTs on silicon substrates