RU2199447C2 - Маркирование алмаза - Google Patents
Маркирование алмаза Download PDFInfo
- Publication number
- RU2199447C2 RU2199447C2 RU99128055/12A RU99128055A RU2199447C2 RU 2199447 C2 RU2199447 C2 RU 2199447C2 RU 99128055/12 A RU99128055/12 A RU 99128055/12A RU 99128055 A RU99128055 A RU 99128055A RU 2199447 C2 RU2199447 C2 RU 2199447C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- marking
- diamond
- preceding paragraphs
- ion beam
- gemstone
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract description 45
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 45
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 56
- 239000010437 gem Substances 0.000 claims description 36
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 claims description 36
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical group [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 9
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims description 7
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 3
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 4
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N gallium(3+) Chemical compound [Ga+3] CKHJYUSOUQDYEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002372 labelling Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 gallium ions Chemical class 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010306 acid treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000003517 fume Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000003472 neutralizing effect Effects 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B44—DECORATIVE ARTS
- B44B—MACHINES, APPARATUS OR TOOLS FOR ARTISTIC WORK, e.g. FOR SCULPTURING, GUILLOCHING, CARVING, BRANDING, INLAYING
- B44B7/00—Machines, apparatus or hand tools for branding, e.g. using radiant energy such as laser beams
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Adornments (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Peptides Or Proteins (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
Abstract
Маркирование алмаза для повышения качества алмаза осуществляют посредством сфокусированного ионного пучка, в котором маркировка невидима невооруженным глазом. 7 с. и 37 з.п. ф-лы.
Description
Предыдущий уровень техники
Настоящее изобретение относится к способу маркирования поверхности алмаза или драгоценного камня. Маркировка может представлять собой любой маркировочный знак, но изобретение конкретно направлено на нанесение на алмаз или драгоценный камень информационного маркировочного знака, хотя изобретение не ограничивается такой маркировкой. Алмаз может быть, например, промышленно изготовленным алмазом, таким как в форме вытянутой проволоки или алмазного оптического элемента, хотя изобретение представляет особый интерес для маркирования ювелирных алмазов, например для нанесения маркировки, которая невидима невооруженным глазом или невидима глазом с помощью лупы с 10-кратным увеличением, когда маркировка может наноситься на отшлифованную грань драгоценного камня, не нарушая степень его чистоты или цвета. Когда используется лупа, то внешний вид оценивается по международным принятым параметрам для классификации чистоты, т. е. при использовании 10-кратной ахроматической, апланатической лупы при нормальном свете, причем белом диффузном свете, а не свете в виде пятна. Маркировка может использоваться для индивидуальной идентификации драгоценного камня с помощью порядкового номера или в виде знака сорта или качества. Обычно маркировка должна быть видна при подходящих увеличении и условиях обзора, и, будучи нанесенной на драгоценный камень, она не должна умалять стоимость или внешний вид камня и предпочтительно не должна давать чернение.
Настоящее изобретение относится к способу маркирования поверхности алмаза или драгоценного камня. Маркировка может представлять собой любой маркировочный знак, но изобретение конкретно направлено на нанесение на алмаз или драгоценный камень информационного маркировочного знака, хотя изобретение не ограничивается такой маркировкой. Алмаз может быть, например, промышленно изготовленным алмазом, таким как в форме вытянутой проволоки или алмазного оптического элемента, хотя изобретение представляет особый интерес для маркирования ювелирных алмазов, например для нанесения маркировки, которая невидима невооруженным глазом или невидима глазом с помощью лупы с 10-кратным увеличением, когда маркировка может наноситься на отшлифованную грань драгоценного камня, не нарушая степень его чистоты или цвета. Когда используется лупа, то внешний вид оценивается по международным принятым параметрам для классификации чистоты, т. е. при использовании 10-кратной ахроматической, апланатической лупы при нормальном свете, причем белом диффузном свете, а не свете в виде пятна. Маркировка может использоваться для индивидуальной идентификации драгоценного камня с помощью порядкового номера или в виде знака сорта или качества. Обычно маркировка должна быть видна при подходящих увеличении и условиях обзора, и, будучи нанесенной на драгоценный камень, она не должна умалять стоимость или внешний вид камня и предпочтительно не должна давать чернение.
В W097/03846 дано подробное описание характера маркировок, которые могут быть нанесены, и описано нанесение маркировок путем облучения ювелирного алмаза излучением ультрафиолетового лазера с использованием проекционного шаблона. В патенте США 4 425 769 описано выполнение идентифицирующей маркировки на алмазе или другом драгоценном камне путем нанесения фоторезиста на поверхность, формирования контактной маски с помощью фотографического метода и травления драгоценного камня через эту маску путем катодной бомбардировки ионизированным газом, для обеспечения травления распылением. При травлении распылением плохо регулируется глубина нанесения маркировки и получается низкое разрешение.
Обычно желательно выполнять маркировку с улучшенным разрешением и при меньшем времени, требующемся для нанесения этой маркировки, так чтобы, например, можно было наносить порядковые номера.
Изобретение
Согласно первому объекту настоящего изобретения поверхность алмаза или драгоценного камня маркируется с помощью сфокусированного ионного пучка, причем маркировка невидима невооруженным глазом. Изобретение распространяется на алмаз или драгоценный камень, на который нанесена маркировка предложенным в изобретении способом, и на устройство для осуществления этого способа.
Согласно первому объекту настоящего изобретения поверхность алмаза или драгоценного камня маркируется с помощью сфокусированного ионного пучка, причем маркировка невидима невооруженным глазом. Изобретение распространяется на алмаз или драгоценный камень, на который нанесена маркировка предложенным в изобретении способом, и на устройство для осуществления этого способа.
Маркирование может быть выполнено путем непосредственного "письма" на поверхности алмаза или драгоценного камня сфокусированным ионным пучком, т. е. в обычной терминологии - путем перемещения сфокусированного ионного пучка относительно драгоценного камня. Как правило, используются ионы галлия, но в альтернативных вариантах могут использоваться и другие подходящие ионы. За счет ограничения дозы облучения можно, по существу, исключить распыление атомов углерода, распыление, которое вызывает непосредственное удаление материала; это позволяет наносить маркировку с регулируемой глубиной и хорошим разрешением. При ограничении дозы облучения, но обеспечивая достаточную дозу, падающие ионы вызывают разупорядочение кристаллической решетки. В случае алмаза это приводит к превращению алмаза в графитовую структуру или другую неалмазную структуру, которая затем может быть очищена, например, используя кислоту или нитрат калия, растворенный в кислоте, для того чтобы оставить теневой маркировочный знак глубиной не менее 10 нм и/или не более 70 нм, более предпочтительно глубиной не менее 20 нм, и/или не более чем примерно 50 нм, обычно глубиной примерно 30 нм, без заметного почернения. В качестве альтернативы для кислотной очистки может быть использовано плазменное травление.
Однако в предпочтительном варианте разупорядоченный слой, полученный на алмазе или драгоценном камне с помощью ионного пучка, удаляется с помощью сильно окисляющего реагента, такого как расплавленный нитрат калия. Этот способ позволяет получать маркировку при более низких дозах облучения и поэтому - за меньшее время при заданном токе пучка. В альтернативном варианте для получения маркировочных знаков, которые имеют характерные особенности с более высоким разрешением, такие как дифракционные решетки, может использоваться пучок более слабой интенсивности, дающий меньший размер пятна.
Глубина разупорядочения решетки определяется пределом (проникновения) ионов. Для галлия с энергией 50 кэВ этот предел составляет приблизительно 30 нм. Минимальная доза облучения может быть 1013/см2, но предпочтительно приблизительно 1014/см2 - 1015/см2. Однако хорошая маркировка может быть нанесена и при довольно умеренных дозах, предпочтительная максимальная доза составляет приблизительно 1016/см2 или даже вплоть до приблизительно 1017/см2. Однако доза зависит от того, какие ионы используются и от их энергии (измеряемой в кэВ). Доза ионного пучка представляет собой полное число падающих ионов на единицу площади на поверхность образца во время выполнения маркирования. Ток пучка может быть приблизительно 1 нА, а энергия пучка не менее чем приблизительно 10 кэВ, или приблизительно 30 кэВ, и/или не более чем приблизительно 100 кэВ, или приблизительно 50 кэВ. Возможны и другие величины тока пучка - приблизительно 0,5 нА или приблизительно 0,1 нА.
Обнаружено, что, если глубину маркировки представить на графике в виде зависимости от дозы ионного пучка для серий с различными энергиями пучка, то наблюдается увеличение глубины маркировки при увеличении энергии пучка. Параметры маркировки могут быть оптимизированы путем выбора из комбинаций доза/энергия значений, которые приводят к получению требующейся глубины маркировки.
Область, на которую наносится маркировка и/или окружающая ее область, может быть покрыта электропроводящим слоем, например золотом, до формирования маркировочного знака, так чтобы перед маркированием с помощью ионного пучка было обеспечено электрическое соединение для предотвращения накопления заряда. Толщина золота или другого покрытия изменяет зависимость глубины маркировки от энергии пучка и дозы, и, следовательно, она может выбираться так, чтобы оптимизировать выполняемую маркировку.
Могут быть использованы и другие подходящие способы для уменьшения накопления заряда. Один из способов заключается в том, что до формирования маркировочного знака маркируемую область облучают ионным пучком с низкой энергией, например, приблизительно от 3 до приблизительно до 10 кэВ, для того чтобы модифицировать поверхность алмаза и превратить ее в электропроводящую, причем обеспечивается электрическое соединение с этой областью. В предпочтительном варианте ионный пучок, используемый для маркирования, может быть использован вместе с устройством для нейтрализации заряда, таким как электронная пушка с широким пучком, такая, как описана в патенте США 4 639 301, для предотвращения накопления заряда на поверхности алмаза.
В соответствии со вторым объектом настоящего изобретения предлагается способ маркирования поверхности алмаза или драгоценного камня, включающий этапы: облучения, по меньшей мере, части упомянутого алмаза или драгоценного камня для формирования на нем поврежденного разупорядоченного слоя или разупорядоченного слоя кристаллической решетки и удаления упомянутого разупорядоченного слоя, используя окисляющий реагент.
Дополнительное преимущество второго объекта настоящего изобретения по сравнению с кислотной очисткой состоит в том, что не образуется никаких кислотных паров и, кроме того, не требуется избавляться от использованной кислоты, благодаря чему улучшается безопасность процесса, а также появляются выгоды экономические и экологические.
Окисляющий реагент предпочтительно представляет собой расплавленный нитрат калия. Алмаз или драгоценный камень предпочтительно покрывается нитратом калия и нагревается до температуры приблизительно 380-550oС в течение от нескольких минут до нескольких часов, предпочтительно приблизительно в течение одного часа.
Однако другие подходящие сильные окисляющие реагенты включают расплавленные соединения, такие как соли щелочных металлов. Подходящие соединения могут быть в виде XnYm, где в качестве группы Х может быть Li+ Na+, K+, Rb+, Cs+ или другие катионы, а в качестве группы Y может быть ОН-, NО3 -, O2 2-, О2-, СО3 2- или другой анион; для сохранения баланса по электрическим зарядам могут быть использованы целые числа n и m. Могут использоваться смеси соединений. Также могут присутствовать воздух или другие кислородсодержащие соединения.
Использование таких окисляющих реагентов для удаления разупорядоченного слоя позволяет выполнять маркировку с требующейся глубиной при использовании относительно низких доз ионов.
В предпочтительном варианте алмаз или драгоценный камень облучается ионным пучком, как в первом объекте настоящего изобретения, а наиболее предпочтительно облучается пучком ионов галлия. Предпочтительный вариант способа по второму объекту приводит к тому, что процесс осуществляется очень эффективно, причем каждый падающий ион галлия в конечном счете приводит к удалению приблизительно 2,700 атомов углерода. В большинстве других материалов, отличных от алмаза, эта цифра будет приблизительно 1-10.
Именно это свойство алмаза позволяет получать относительно большие структуры, такие как буквенно-цифровые знаки, покрывающие площадь 0,43 мм на 0,16 мм за довольно небольшое время, приблизительно 10 секунд.
Способы, предложенные в настоящем изобретении, также могут использоваться для маркирования поверхности искусственных драгоценных камней, таких как драгоценные камни из карбида кремния, описанные в W097/09470.
Пример
Ювелирный алмаз устанавливается на подходящем держателе, и его грань покрывается слоем золота. Образец помещается в вакуумированную камеру, оснащенную источником сфокусированного ионного пучка, таким как источник, изготавливаемый FEI или Micrion, причем держатель обеспечивает электрическое соединение со слоем золота для предотвращения накопления заряда на поверхности алмаза. Используя сфокусированный пучок при растровой развертке или аналогичной развертке пучка, например, с помощью электростатического отклонения пучка (в альтернативном варианте может перемещаться алмаз, но это менее практично), маркировочный знак "прописывается" на алмазной грани, доза ионного облучения 1015-1016/см2, при этом используется галлиевый ионный источник с током пучка 1 нА и энергией пучка 30-50 кэВ. Образец вынимается из вакуумной камеры и подвергается кислотной очистке для удаления разупорядоченного слоя и слоя золота. Получается теневая маркировка обычно глубиной примерно 30 нм без заметного почернения.
Ювелирный алмаз устанавливается на подходящем держателе, и его грань покрывается слоем золота. Образец помещается в вакуумированную камеру, оснащенную источником сфокусированного ионного пучка, таким как источник, изготавливаемый FEI или Micrion, причем держатель обеспечивает электрическое соединение со слоем золота для предотвращения накопления заряда на поверхности алмаза. Используя сфокусированный пучок при растровой развертке или аналогичной развертке пучка, например, с помощью электростатического отклонения пучка (в альтернативном варианте может перемещаться алмаз, но это менее практично), маркировочный знак "прописывается" на алмазной грани, доза ионного облучения 1015-1016/см2, при этом используется галлиевый ионный источник с током пучка 1 нА и энергией пучка 30-50 кэВ. Образец вынимается из вакуумной камеры и подвергается кислотной очистке для удаления разупорядоченного слоя и слоя золота. Получается теневая маркировка обычно глубиной примерно 30 нм без заметного почернения.
Настоящее изобретение описано на конкретном примере, но в рамках изобретения могут быть выполнены различные модификации, которые являются эквивалентными описанным признакам.
Claims (44)
1. Способ маркирования поверхности драгоценного камня, включающий формирование маркировочного знака с помощью сфокусированного ионного пучка, в котором маркировка невидима невооруженным глазом.
2. Способ маркирования поверхности драгоценного камня, включающий формирование маркировочного знака с помощью сфокусированного ионного пучка, причем, по существу, без распыления, в котором маркировка невидима невооруженным глазом.
3. Способ маркирования поверхности алмаза, включающий формирование маркировочного знака с помощью сфокусированного ионного пучка, в котором маркировка невидима невооруженным глазом.
4. Способ маркирования поверхности алмаза, включающий формирование маркировочного знака с помощью сфокусированного ионного пучка, причем, по существу, без распыления, в котором маркировка невидима невооруженным глазом.
5. Способ по п.1 или 2, в котором драгоценный камень представляет собой драгоценный камень из карбида кремния.
6. Способ маркирования поверхности драгоценного камня, включающий этапы облучения, по меньшей мере, части упомянутого драгоценного камня для образования на нем разупорядоченного слоя и удаления упомянутого разупорядоченного слоя, используя окисляющий реагент.
7. Способ по п.6, в котором драгоценный камень представляет собой драгоценный камень из карбида кремния.
8. Способ маркирования поверхности алмаза, включающий этапы облучения, по меньшей мере, части алмаза для образования на нем разупорядоченного слоя и удаления упомянутого разупорядоченного слоя, используя окисляющий реагент.
9. Способ по любому из пп.6-8, в котором драгоценный камень или алмаз облучают, используя ионный пучок.
10. Способ по п.9, в котором драгоценный камень или алмаз облучают, используя сфокусированный ионный пучок.
11. Способ по п.9, в котором драгоценный камень или алмаз облучают, используя сфокусированный ионный пучок, причем, по существу, без распыления.
12. Способ по любому из пп.1-5, в котором поверхности драгоценного камня или алмаза облучают с помощью упомянутого сфокусированного ионного пучка для образования на нем разупорядоченного слоя, а упомянутый разупорядоченный слой удаляют, используя окисляющий реагент.
13. Способ по любому из пп.6-12, в котором окисляющий реагент представляет собой, по меньшей мере, одно соединение формулы XnYm, где группа Х - Li+, Ma+, K+, Rb+, Cs+ или другой катион, а группа Y - ОН-, NO3 -, O2 2-, О2-, СО3 2- или другой анион; целые числа n и m используются для поддержания баланса зарядов.
14. Способ по любому из пп.6-12, в котором окисляющий реагент представляет собой нитрат калия.
15. Способ по любому из предыдущих пунктов, включающий этапы облучения, по меньшей мере, части драгоценного камня или алмаза ионным пучком для образования на нем разупорядоченного слоя и удаления упомянутого разупорядоченного слоя, по существу, покрывая разупорядоченный слой расплавленным нитратом калия.
16. Способ по любому из пп.1-5, в котором поверхность драгоценного камня или алмаза облучают с помощью упомянутого сфокусированного ионного пучка для образования на нем разупорядоченного слоя, а упомянутый разупорядоченный слой удаляют, используя кислоту.
17. Способ по любому из пп.6-12, в котором упомянутый разупорядоченный слой удаляют, используя окисляющий реагент, растворенный в кислоте.
18. Способ по п.17, в котором упомянутый разупорядоченный слой удаляют, используя нитрат калия, растворенный в кислоте.
19. Способ по любому из пп.1-5, 9-18, включающий покрытие упомянутой поверхности электропроводящим слоем до операции формирования маркировочного знака.
20. Способ по п.19, в котором слой представляет собой слой золота.
21. Способ по любому из пп.1-5, 9-18, в котором область, на которую наносится маркировка, облучают пучком ионов с низкой энергией до формирования маркировочного знака для того, чтобы модифицировать поверхность алмаза так, чтобы она стала электропроводящей.
22. Способ по пп.1-5, 9-18, в котором маркируемая область одновременно облучается с использованием устройства для нейтрализации электрического заряда.
23. Способ по любому из пп. 1-5, 9-22, в котором маркировочный знак формируется при дозе облучения не более чем примерно 1017/см2.
24. Способ по п.23, в котором маркировка формируется при дозе облучения не более чем примерно 1016/см2.
25. Способ по п.23, в котором маркировка формируется при дозе облучения не более чем примерно 1015/см2.
26. Способ по п.23, в котором маркировка формируется при дозе облучения не менее чем примерно 1014/см2.
27. Способ по п.23, в котором маркировка формируется при дозе облучения не менее чем примерно 1013/см2.
28. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка формируется при дозе облучения не менее чем примерно 1015/см2.
29. Способ по п.28, в котором глубина маркировки составляет не менее чем 10 нм.
30. Способ по п.28, в котором глубина маркировки составляет не менее чем примерно 20 нм.
31. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором глубина маркировки составляет не более чем примерно 100 нм.
32. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором глубина маркировки составляет не более чем около 70 нм.
33. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором глубина маркировки составляет не более чем примерно 50 нм.
34. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором глубина маркировки составляет не более чем примерно 30 нм.
35. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка содержит знаки, высота которых составляет примерно 50 мкм.
36. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка содержит линии шириной примерно 2 - 3 мкм.
37. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка содержит линии, для которых соотношение ширины и глубины больше, чем примерно 20:1.
38. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка представляет собой информационную маркировку.
39. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка невидима глазом при использовании лупы с 10-кратным увеличением.
40. Способ по любому из пп. 6-11, 12, 14, 17 и 18, в котором маркировка невидима невооруженным глазом.
41. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором сфокусированный полный пучок перемещается относительно драгоценного камня, тем самым осуществляя запись на драгоценном камне.
42. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором маркировка наносится на отшлифованную грань драгоценного камня или алмаза.
43. Способ по одному из пп.3, 4, 8-12, отличающийся тем, что алмаз является ювелирным алмазом.
44. Драгоценный камень или алмаз, на который нанесена маркировка с помощью способа по любому из предыдущих пунктов.
Приоритеты по пунктам:
23.05.1997 по пп.1-4, 9-11, 16, 19-24, 28-31, 33-44;
24.12.1997 по пп.6, 8, 12-15, 17, 18, 25-27;
22.05.1998 по пп.5, 7, 32.
23.05.1997 по пп.1-4, 9-11, 16, 19-24, 28-31, 33-44;
24.12.1997 по пп.6, 8, 12-15, 17, 18, 25-27;
22.05.1998 по пп.5, 7, 32.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GBGB9710738.7A GB9710738D0 (en) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | Diamond marking |
| GB9727365A GB2325392A (en) | 1997-05-23 | 1997-12-24 | Diamond marking |
| GB9727365.0 | 1997-12-24 | ||
| GB9710738.7 | 1997-12-24 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU99128055A RU99128055A (ru) | 2002-08-20 |
| RU2199447C2 true RU2199447C2 (ru) | 2003-02-27 |
Family
ID=26311589
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU99128055/12A RU2199447C2 (ru) | 1997-05-23 | 1998-05-22 | Маркирование алмаза |
Country Status (15)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6391215B1 (ru) |
| EP (1) | EP0984865B1 (ru) |
| JP (1) | JP2001527477A (ru) |
| CN (1) | CN1138648C (ru) |
| AT (1) | ATE232476T1 (ru) |
| AU (1) | AU732638B2 (ru) |
| CA (1) | CA2291041C (ru) |
| DE (1) | DE69811362T2 (ru) |
| ES (1) | ES2190079T3 (ru) |
| GB (1) | GB2339727B (ru) |
| HK (1) | HK1024211A1 (ru) |
| IL (1) | IL124592A (ru) |
| RU (1) | RU2199447C2 (ru) |
| TW (1) | TW495422B (ru) |
| WO (1) | WO1998052774A1 (ru) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2644121C2 (ru) * | 2016-06-22 | 2018-02-07 | Общество с ограниченной ответственностью "Специальное конструкторское бюро "Инновационно-аналитические разработки" | Способ скрытого малоинвазивного маркирования объекта с целью его идентификации |
| RU2698168C1 (ru) * | 2018-12-28 | 2019-08-22 | Общество с ограниченной ответственностью "Специальное конструкторское бюро "Инновационно-аналитические разработки" | Способ малоинвазивной низкоэнергетической многолучевой записи информации на поверхности объекта с целью длительного хранения, считывания, диагностики и его реализующее устройство - пучковая система записи-считывания и хранения данных |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9727364D0 (en) * | 1997-12-24 | 1998-02-25 | Gersan Ets | Watermark |
| GB0103881D0 (en) * | 2001-02-16 | 2001-04-04 | Gersan Ets | E-beam marking |
| US6624385B2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-09-23 | Eastman Kodak Company | Method for marking gemstones with a unique micro discrete indicia |
| GB0302216D0 (en) * | 2003-01-30 | 2003-03-05 | Element Six Ltd | Marking of diamond |
| GB2424903B (en) * | 2003-12-12 | 2008-06-25 | Element Six Ltd | Method of incorporating a mark in cvd diamond |
| CN1318156C (zh) * | 2004-12-23 | 2007-05-30 | 彭彤 | 金刚石拉丝模具的制造方法 |
| US20060144821A1 (en) * | 2005-01-04 | 2006-07-06 | Academia Sinica | Method for engraving irreproducible pattern on the surface of a diamond |
| JP4245026B2 (ja) * | 2006-09-20 | 2009-03-25 | 株式会社豊田中央研究所 | 被覆膜の除膜方法および被覆部材の再生方法 |
| EP2186649A4 (en) * | 2007-07-27 | 2011-04-06 | Valinmark Inc | METHOD FOR MARKING VALUE ARTICLES |
| EP2144117A1 (en) | 2008-07-11 | 2010-01-13 | The Provost, Fellows and Scholars of the College of the Holy and Undivided Trinity of Queen Elizabeth near Dublin | Process and system for fabrication of patterns on a surface |
| RU2427041C2 (ru) * | 2009-05-08 | 2011-08-20 | Юрий Константинович Низиенко | Способ формирования идентификационной метки для маркировки ценных изделий и ценное изделие с ее использованием |
| RU2427908C1 (ru) | 2010-03-29 | 2011-08-27 | Юрий Константинович Низиенко | Способ детектирования визуально невидимой идентификационной метки на поверхности ценного изделия, способ его позиционирования в процессе детектирования и детектор для реализации процесса |
| WO2014190801A1 (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-04 | Goldway Technology Limited | Method of marking material and system therefore, and material marked according to same method |
| MY175647A (en) * | 2013-10-11 | 2020-07-03 | Chow Tai Fook Jewellery Co Ltd | Method of providing markings to precious stones including gemstones and diamonds, and markings and marked precious stones marked according to such a method |
| JP6422157B2 (ja) * | 2014-12-24 | 2018-11-14 | 一般財団法人ファインセラミックスセンター | ダイヤモンドのエッチング方法、ダイヤモンドの結晶欠陥の検出方法、およびダイヤモンド結晶の結晶成長方法 |
| CH713538B1 (de) * | 2017-03-02 | 2020-12-30 | Guebelin Gem Lab Ltd | Verfahren zum Rückverfolgbarmachen eines Schmucksteins. |
| CN114341953A (zh) * | 2019-07-02 | 2022-04-12 | 动力专家有限公司 | 标记钻石的方法、由该方法形成的标记以及根据该方法标记的钻石 |
Family Cites Families (37)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4117301A (en) | 1975-07-21 | 1978-09-26 | Rca Corporation | Method of making a submicrometer aperture in a substrate |
| US4085330A (en) | 1976-07-08 | 1978-04-18 | Burroughs Corporation | Focused ion beam mask maker |
| JPS5812234B2 (ja) | 1976-12-24 | 1983-03-07 | 一實 奥田 | 表示入りダイヤモンドの製造方法 |
| GB1588445A (en) * | 1977-05-26 | 1981-04-23 | Nat Res Dev | Toughening diamond |
| US4200506A (en) | 1977-11-08 | 1980-04-29 | Dreschhoff Gisela A M | Process for providing identification markings for gemstones |
| JPS5827663B2 (ja) * | 1979-06-04 | 1983-06-10 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| US4392476A (en) | 1980-12-23 | 1983-07-12 | Lazare Kaplan & Sons, Inc. | Method and apparatus for placing identifying indicia on the surface of precious stones including diamonds |
| EP0064780A1 (fr) * | 1981-05-07 | 1982-11-17 | Maurice Hakoune | Procédé de traitement d'une pierre précieuse et pierre précieuse ainsi traitée |
| JPS58106750A (ja) | 1981-12-18 | 1983-06-25 | Toshiba Corp | フオ−カスイオンビ−ム加工方法 |
| US4450041A (en) | 1982-06-21 | 1984-05-22 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Chemical etching of transformed structures |
| US4467172A (en) | 1983-01-03 | 1984-08-21 | Jerry Ehrenwald | Method and apparatus for laser engraving diamonds with permanent identification markings |
| US4639301B2 (en) | 1985-04-24 | 1999-05-04 | Micrion Corp | Focused ion beam processing |
| DE3524176A1 (de) | 1985-07-05 | 1987-01-15 | Max Planck Gesellschaft | Lichtmaske und verfahren fuer ihre herstellung |
| US4698129A (en) | 1986-05-01 | 1987-10-06 | Oregon Graduate Center | Focused ion beam micromachining of optical surfaces in materials |
| ZA874362B (en) | 1986-06-20 | 1988-02-24 | De Beers Ind Diamond | Forming contacts on diamonds |
| AT393925B (de) | 1987-06-02 | 1992-01-10 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Anordnung zur durchfuehrung eines verfahrens zum positionieren der abbildung der auf einer maske befindlichen struktur auf ein substrat, und verfahren zum ausrichten von auf einer maske angeordneten markierungen auf markierungen, die auf einem traeger angeordnet sind |
| DE68925774T2 (de) | 1988-10-02 | 1996-08-08 | Canon Kk | Feinbearbeitungsmethode für kristallines Material |
| DE69016240T3 (de) | 1989-04-06 | 1999-03-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd., Osaka | Diamant für Abrichtungsvorrichtung |
| JPH03261953A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Fujitsu Ltd | 微細パターンの形成方法 |
| JP2763172B2 (ja) | 1990-03-19 | 1998-06-11 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド薄膜のエッチング方法 |
| US5178645A (en) | 1990-10-08 | 1993-01-12 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Cutting tool of polycrystalline diamond and method of manufacturing the same |
| US5410125A (en) | 1990-10-11 | 1995-04-25 | Harry Winston, S.A. | Methods for producing indicia on diamonds |
| US5149938A (en) | 1990-10-11 | 1992-09-22 | Harry Winston, S.A. | Methods for producing indicia on diamonds |
| GB9102891D0 (en) | 1991-02-12 | 1991-03-27 | Ici America Inc | Cementitious composition |
| SG49673A1 (en) * | 1991-03-22 | 1998-06-15 | Shimadzu Corp | Dry etching method and its application |
| US5334283A (en) | 1992-08-31 | 1994-08-02 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Process for selectively etching diamond |
| US5702586A (en) | 1994-06-28 | 1997-12-30 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Polishing diamond surface |
| US5721687A (en) | 1995-02-01 | 1998-02-24 | The Regents Of The University Of California Office Of Technology Transfer | Ultrahigh vacuum focused ion beam micromill and articles therefrom |
| US5958799A (en) | 1995-04-13 | 1999-09-28 | North Carolina State University | Method for water vapor enhanced charged-particle-beam machining |
| GB9514558D0 (en) | 1995-07-17 | 1995-09-13 | Gersan Ets | Marking diamond |
| US5762896A (en) | 1995-08-31 | 1998-06-09 | C3, Inc. | Silicon carbide gemstones |
| US5932119A (en) | 1996-01-05 | 1999-08-03 | Lazare Kaplan International, Inc. | Laser marking system |
| US5890481A (en) | 1996-04-01 | 1999-04-06 | Saint-Gobain/Norton Industrial Ceramics Corporation | Method and apparatus for cutting diamond |
| US6230071B1 (en) | 1996-05-24 | 2001-05-08 | The Regents Of The University Of California | Depth enhancement of ion sensitized data |
| US6140148A (en) | 1996-06-10 | 2000-10-31 | Prins; Johan Frans | Method of making a contact to a diamond |
| US5773116A (en) | 1996-08-01 | 1998-06-30 | The Regents Of The University Of California, Ofc. Of Technology Transfer | Focused ion beam micromilling and articles therefrom |
| TW329553B (en) | 1997-02-04 | 1998-04-11 | Winbond Electronics Corp | The semiconductor manufacturing process for two-step salicide |
-
1998
- 1998-05-21 IL IL12459298A patent/IL124592A/en not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 JP JP55014598A patent/JP2001527477A/ja not_active Ceased
- 1998-05-22 US US09/424,286 patent/US6391215B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-22 AU AU75412/98A patent/AU732638B2/en not_active Ceased
- 1998-05-22 ES ES98922952T patent/ES2190079T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-22 TW TW087107951A patent/TW495422B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 AT AT98922952T patent/ATE232476T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 WO PCT/GB1998/001497 patent/WO1998052774A1/en active IP Right Grant
- 1998-05-22 RU RU99128055/12A patent/RU2199447C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 EP EP98922952A patent/EP0984865B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-22 DE DE69811362T patent/DE69811362T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-22 CA CA002291041A patent/CA2291041C/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-22 GB GB9927680A patent/GB2339727B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-22 CN CNB988074680A patent/CN1138648C/zh not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-12 HK HK00103497A patent/HK1024211A1/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2644121C2 (ru) * | 2016-06-22 | 2018-02-07 | Общество с ограниченной ответственностью "Специальное конструкторское бюро "Инновационно-аналитические разработки" | Способ скрытого малоинвазивного маркирования объекта с целью его идентификации |
| RU2698168C1 (ru) * | 2018-12-28 | 2019-08-22 | Общество с ограниченной ответственностью "Специальное конструкторское бюро "Инновационно-аналитические разработки" | Способ малоинвазивной низкоэнергетической многолучевой записи информации на поверхности объекта с целью длительного хранения, считывания, диагностики и его реализующее устройство - пучковая система записи-считывания и хранения данных |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ES2190079T3 (es) | 2003-07-16 |
| IL124592A0 (en) | 1998-12-06 |
| GB9927680D0 (en) | 2000-01-19 |
| ATE232476T1 (de) | 2003-02-15 |
| GB2339727A (en) | 2000-02-09 |
| CN1138648C (zh) | 2004-02-18 |
| DE69811362T2 (de) | 2003-10-16 |
| AU732638B2 (en) | 2001-04-26 |
| DE69811362D1 (de) | 2003-03-20 |
| US6391215B1 (en) | 2002-05-21 |
| WO1998052774A1 (en) | 1998-11-26 |
| CN1265066A (zh) | 2000-08-30 |
| IL124592A (en) | 2002-07-25 |
| GB2339727B (en) | 2001-10-17 |
| CA2291041A1 (en) | 1998-11-26 |
| TW495422B (en) | 2002-07-21 |
| AU7541298A (en) | 1998-12-11 |
| CA2291041C (en) | 2007-03-06 |
| EP0984865A1 (en) | 2000-03-15 |
| EP0984865B1 (en) | 2003-02-12 |
| HK1024211A1 (en) | 2000-10-05 |
| JP2001527477A (ja) | 2001-12-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2199447C2 (ru) | Маркирование алмаза | |
| CA2316957C (en) | Diamond or gemstone marking by plurality of grooves | |
| RU2198099C2 (ru) | Маркирование алмаза | |
| WO1998052774B1 (en) | Diamond marking | |
| EP2566653A1 (de) | Verfahren zur aufbringung einer datenmarke auf die oberfläche eines diamanten oder brillianten und zur feststellung ihrer echtheit | |
| RU99128055A (ru) | Маркирование алмаза | |
| KR100509546B1 (ko) | 다이아몬드에 마크를 표시하는 방법 | |
| GB2361671A (en) | Diamond marking | |
| GB1561784A (en) | Optical components | |
| Poole | Improvements in or relating to optical components |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC41 | Official registration of the transfer of exclusive right |
Effective date: 20110124 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150523 |