RU2198099C2 - Маркирование алмаза - Google Patents
Маркирование алмаза Download PDFInfo
- Publication number
- RU2198099C2 RU2198099C2 RU99127463/12A RU99127463A RU2198099C2 RU 2198099 C2 RU2198099 C2 RU 2198099C2 RU 99127463/12 A RU99127463/12 A RU 99127463/12A RU 99127463 A RU99127463 A RU 99127463A RU 2198099 C2 RU2198099 C2 RU 2198099C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond
- marking
- resist
- layer
- ablation
- Prior art date
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B44—DECORATIVE ARTS
- B44B—MACHINES, APPARATUS OR TOOLS FOR ARTISTIC WORK, e.g. FOR SCULPTURING, GUILLOCHING, CARVING, BRANDING, INLAYING
- B44B7/00—Machines, apparatus or hand tools for branding, e.g. using radiant energy such as laser beams
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B44—DECORATIVE ARTS
- B44C—PRODUCING DECORATIVE EFFECTS; MOSAICS; TARSIA WORK; PAPERHANGING
- B44C1/00—Processes, not specifically provided for elsewhere, for producing decorative surface effects
- B44C1/22—Removing surface-material, e.g. by engraving, by etching
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A44—HABERDASHERY; JEWELLERY
- A44C—PERSONAL ADORNMENTS, e.g. JEWELLERY; COINS
- A44C15/00—Other forms of jewellery
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
Landscapes
- Mechanical Engineering (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Transition And Organic Metals Composition Catalysts For Addition Polymerization (AREA)
- Peptides Or Proteins (AREA)
- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Изобретение относится к области нанесения маркировок и касается способа маркирования поверхности алмаза для получения на ней маркировки, которая невидима невооруженным глазом, включающего нанесение на упомянутую поверхность слоя резиста, осуществление абляции выбранной зоны слоя резиста для формирования маски на поверхности алмаза и травление поверхности алмаза через маску для маркирования поверхности алмаза, при этом перед абляцией выбранной зоны резиста на упомянутый слой резиста наносят электропроводящий слой и обеспечивают электрическое соединение с электропроводящим слоем во время травления для предотвращения накопления заряда во время травления. Данный способ позволяет повысить разрешение маркировки. 2 с. и 14 з.п. ф-лы.
Description
Предыдущий уровень техники
Настоящее изобретение относится к способу маркирования поверхности алмаза для получения маркировки, которая невидима невооруженным глазом. Маркировка может представлять собой любой знак, но изобретение конкретно направлено на нанесение на алмаз информационной маркировки, хотя изобретение не ограничивается такой маркировкой. Алмаз может быть, например, промышленно изготовленным алмазом, таким как в форме вытянутой проволоки, хотя изобретение представляет особый интерес для маркирования ювелирных алмазов, например, для нанесения маркировки, которая невидима невооруженным глазом или невидима глазом с помощью лупы с 10-кратным увеличением, когда маркировка может наноситься на отшлифованную грань драгоценного камня, не нарушая его чистоты или цвета. Когда используется лупа, то внешний вид оценивается по международным принятым параметрам для классификации чистоты, т.е. при использовании 10-кратной ахроматической, апланатической лупы при нормальном свете, являющемся белым диффузным светом, а не светом в виде пятна. Маркировка может использоваться для индивидуальной идентификации драгоценного камня с помощью порядкового номера или в виде знака сорта или качества. Обычно маркировка должна быть видна при соответствующем увеличении и условиях обзора, и будучи нанесенной на драгоценный камень, она не должна умалять стоимость или внешний вид камня и предпочтительно не должна давать чернение.
Настоящее изобретение относится к способу маркирования поверхности алмаза для получения маркировки, которая невидима невооруженным глазом. Маркировка может представлять собой любой знак, но изобретение конкретно направлено на нанесение на алмаз информационной маркировки, хотя изобретение не ограничивается такой маркировкой. Алмаз может быть, например, промышленно изготовленным алмазом, таким как в форме вытянутой проволоки, хотя изобретение представляет особый интерес для маркирования ювелирных алмазов, например, для нанесения маркировки, которая невидима невооруженным глазом или невидима глазом с помощью лупы с 10-кратным увеличением, когда маркировка может наноситься на отшлифованную грань драгоценного камня, не нарушая его чистоты или цвета. Когда используется лупа, то внешний вид оценивается по международным принятым параметрам для классификации чистоты, т.е. при использовании 10-кратной ахроматической, апланатической лупы при нормальном свете, являющемся белым диффузным светом, а не светом в виде пятна. Маркировка может использоваться для индивидуальной идентификации драгоценного камня с помощью порядкового номера или в виде знака сорта или качества. Обычно маркировка должна быть видна при соответствующем увеличении и условиях обзора, и будучи нанесенной на драгоценный камень, она не должна умалять стоимость или внешний вид камня и предпочтительно не должна давать чернение.
В патенте США 4 425 769 описано маркирование поверхности драгоценного камня путем нанесения на поверхность драгоценного камня фоторезистивной смолы, нанесения фотографической пленки на фоторезистивный слой, экспонирования фоторезиста через фотографическую пленку, обработки фоторезиста путем травления и затем травления поверхности драгоценного камня в вакуумной камере с помощью катодной бомбардировки ионизированным газом. Нанесенные маркировочные знаки обычно имеют довольно плохое разрешение, и на нанесение этих знаков (маркировки) требуется значительное количество времени.
В WО 97/03846 дано подробное описание характера маркировок, которые могут быть нанесены, и описано нанесение маркировок путем облучения ювелирного алмаза излучением ультрафиолетового лазера с использованием проекционного шаблона.
Обычно желательно выполнять маркировку с улучшенным разрешением и уменьшенным временем, требующимся для нанесения этой маркировки, так чтобы, например, порядковые номера можно было наносить, используя совокупность или последовательность шаблонов.
Согласно изобретению на поверхность алмаза наносится слой резиста, выбранная зона слоя резиста подвергается абляции для формирования маски на поверхности алмаза, и поверхность алмаза протравливается через эту маску, причем на слой резиста наносится электропроводящий слой и обеспечивается электрическое соединение с этим электропроводящим слоем для препятствования накопления заряда во время травления. Изобретение распространяется на алмаз, поверхность которого маркируется с помощью этого способа, и на устройство для осуществления этого способа.
Предпочтительным видом травления является плазменное травление. Для плазменного травления предпочтительно иметь электропроводящий слой, например металлический, и обеспечивать электрическое соединение с этим слоем для препятствования накоплению заряда на алмазе, тогда резист может быть не электропроводящим. Слой металла может быть, например, слоем золота, например, толщиной приблизительно 0,1 микрона. Не требуется наносить его на весь слой резиста, он может наноситься только на область, достаточно большую для того, чтобы препятствовать накоплению заряда во время плазменного травления. Если имеется сформированная таким образом двухслойная маска, то для абляции ее отдельных слоев могут потребоваться различные условия, но обычно оба слоя подвергаются абляции по существу одновременно. Обнаружено, что электропроводящий слой эффективно сохраняется на резисте вокруг зоны, подвергаемой абляции, и, следовательно, он препятствует накоплению заряда во время плазменного травления, несмотря на то, что абляционная зона остается свободной от металла. Металл должен иметь порог абляции, не превышающий порог абляции для резиста. Металл, такой как золото, не может использоваться на самом себе в качестве резиста, потому что он не дает достаточно высокого разрешения, абляция происходит слишком легко и остаются плохо определенные края (размытый контур). Более того, если используется более толстый слой металла, такого как, например, золото, то существует опасность, что металл будет распыляться и повторно осаждаться в абляционной зоне.
Может быть использована полностью сухая технология (без этапов химического травления или стравливания (снятия покрытия)), хотя может потребоваться мокрая очистка после плазменного травления для того, чтобы удалить маску, но это не критический этап, требующий регулируемых условий. Двухслойная маска может обеспечить значительно улучшенное разрешение (особенно в отношении технологии лазерного травления, описанной в WO 97/03846), и по сравнению с WO 97/03846 требуется меньшее число импульсов при применении лазерной абляции, например, используя примерно 20 импульсов или менее, скажем, 10 импульсов вместо 500 импульсов, что делает ее практичной для получения последовательных номеров, используя последовательность масок (шаблонов), по одной для каждого номера, на этапе абляции резиста. Абляция может быть выполнена, используя технологию проецирования через шаблон, а может быть выполнена путем прямого "письма" лучом.
Резист может быть любым подходящим резистом, например пластиковый (полимерный) резист. Толщина слоя резиста может быть, например, не меньше чем примерно 0,5 микрона и/или не более чем примерно 1 микрон.
Обычно предпочтительно, чтобы плазменное травление было на глубину не менее чем примерно 10 нм и/или не более чем примерно 70 нм, более предпочтительно не менее чем примерно 20 нм и/или не более чем примерно 50 нм, подходящее значение составляет примерно 30 нм.
В качестве альтернативы плазменному травлению алмаз, экспонированный с помощью маски, может протравливаться с использованием широкого ионного пучка для превращения его в графит или другую форму углерода, не являющуюся алмазом, который затем может удаляться путем, например, очистки с помощью кислоты.
Изобретение особенно полезно при способах травления, которые приводят к зарядке (поверхности).
Пример
Ювелирный алмаз устанавливается в держателе (или несколько ювелирных алмазов могут быть установлены таким образом). На открытую поверхность алмаза наносится слой непроводящего полимерного резиста, который может травиться с помощью плазмы, наносится слой резиста, например, путем центрифугирования с использованием, например, фоторезиста Novalac или путем испарения. Толщина слоя резиста составляет 0,5-1 микрон.
Ювелирный алмаз устанавливается в держателе (или несколько ювелирных алмазов могут быть установлены таким образом). На открытую поверхность алмаза наносится слой непроводящего полимерного резиста, который может травиться с помощью плазмы, наносится слой резиста, например, путем центрифугирования с использованием, например, фоторезиста Novalac или путем испарения. Толщина слоя резиста составляет 0,5-1 микрон.
Слой золота толщиной примерно 0,1 микрона наносится на слой резиста, по меньшей мере, на часть маркируемой грани.
На слоях резиста и золота путем лазерной абляции формируется рисунок с помощью примерно 10 импульсов, в результате остается чистая поверхность алмаза. Длина волны лазерного излучения выбирается так, чтобы получить наилучшие результаты для выбранного резиста, причем более короткие длины волн позволяют получить лучшее разрешение, чем при более длинных длинах волн. Могут использоваться длины волн 248 нм или другие, но предпочтительная длина волны 193 нм.
При использовании держателя обеспечивается электрическое соединение с металлическим слоем и алмаз подвергается плазменному травлению стандартным способом, предпочтительно при парциальном давлении кислорода. Зоны грани, не защищенные резистом, протравливаются на глубину примерно 30 нм, обеспечивая чистое травление без видимого зачернения. Электрическое соединение с металлическим слоем препятствует накоплению заряда на поверхности.
Камень или камни снимаются с держателя. Маска удаляется с помощью мокрой очистки.
Устройство, используемое для лазерной абляции, может быть аналогичным устройству, которое показано на фиг.2 WO 97/03846.
Настоящее изобретение было описано с помощью примера, но в рамках изобретения могут быть выполнены различные модификации.
Claims (16)
1. Способ маркирования поверхности алмаза для получения на ней маркировки, которая невидима невооруженным глазом, включающий нанесение на упомянутую поверхность слоя резиста, осуществление абляции выбранной зоны слоя резиста для формирования маски на поверхности алмаза и травление поверхности алмаза через маску для маркирования поверхности алмаза, отличающийся тем, что перед абляцией выбранной зоны резиста на упомянутый слой резиста наносят электропроводящий слой и обеспечивают электрическое соединение с электропроводящим слоем во время травления для предотвращения накопления заряда во время травления.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что толщина слоя резиста составляет примерно 0,5-1 мкм.
3. Способ по п.1 или 2, отличающийся тем, что электропроводящий слой выполнен из металла.
4. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что слой резиста является неэлектропроводящим.
5. Способ по любому из пп.1-4, отличающийся тем, что толщина электропроводящего слоя составляет примерно 0,1 мкм.
6. Способ по любому одному из пп.1-5, отличающийся тем, что выбранная зона слоя подвергается абляции, используя лазерную абляцию.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что для лазерной абляции используют примерно 20 импульсов или меньше.
8. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что поверхность алмаза травится на глубину примерно 15-70 нм.
9. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что поверхность алмаза травится на глубину примерно 20-50 нм.
10. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что поверхность алмаза травится путем плазменного травления.
11. Способ по любому из пп.1-9, отличающийся тем, что поверхность алмаза травится с использованием широкого ионного пучка.
12. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что на алмаз наносится информационная маркировка.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что нанесенная маркировка невидима для глаза при использовании лупы с 10-кратным увеличением.
14. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что алмаз представляет собой драгоценный камень.
15. Способ по п.14, отличающийся тем, что маркировка наносится на отшлифованную грань драгоценного камня.
16. Алмаз, на поверхности которого имеется маркировка, невидимая невооруженным глазом и которая нанесена с помощью способа по любому из предыдущих пунктов.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB9710736A GB2325439A (en) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | Marking diamond gemstone by plasma or ion beam etching through a laser ablated resist |
GB9710736.1 | 1997-05-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU99127463A RU99127463A (ru) | 2002-08-20 |
RU2198099C2 true RU2198099C2 (ru) | 2003-02-10 |
Family
ID=10812995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU99127463/12A RU2198099C2 (ru) | 1997-05-23 | 1998-05-22 | Маркирование алмаза |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6358427B1 (ru) |
EP (1) | EP0983152B1 (ru) |
JP (1) | JP2001526571A (ru) |
KR (1) | KR20010012915A (ru) |
CN (1) | CN1140421C (ru) |
AT (1) | ATE216322T1 (ru) |
AU (1) | AU728923B2 (ru) |
CA (1) | CA2291042A1 (ru) |
DE (1) | DE69804957T2 (ru) |
ES (1) | ES2174438T3 (ru) |
GB (2) | GB2325439A (ru) |
HK (1) | HK1025544A1 (ru) |
IL (1) | IL124591A (ru) |
RU (1) | RU2198099C2 (ru) |
TW (1) | TW388736B (ru) |
WO (1) | WO1998052773A1 (ru) |
ZA (1) | ZA984375B (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010128891A1 (ru) * | 2009-05-08 | 2010-11-11 | Nizienko Yuri Konstantinovich | Способ формирования идентификационной метки для маркировки ценных изделий и ценное изделие |
RU2557360C2 (ru) * | 2012-12-20 | 2015-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Си Эн Эл Девайсез" | Формирование маски для травления алмазных пленок |
RU2777226C2 (ru) * | 2018-02-23 | 2022-08-01 | Мастер Дайнэмик Лимитед | Способ маркировки твёрдого материала и твёрдые материалы, маркированные указанным способом |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080316171A1 (en) * | 2000-01-14 | 2008-12-25 | Immersion Corporation | Low-Cost Haptic Mouse Implementations |
US6593543B2 (en) * | 2000-07-20 | 2003-07-15 | David Benderly | Gemstone marking system and method |
GB0103881D0 (en) | 2001-02-16 | 2001-04-04 | Gersan Ets | E-beam marking |
US6624385B2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-09-23 | Eastman Kodak Company | Method for marking gemstones with a unique micro discrete indicia |
DE10310293A1 (de) * | 2003-03-10 | 2004-09-23 | Robert Bosch Gmbh | Vorrichtung zum Laserbohren |
US8192713B2 (en) * | 2003-12-12 | 2012-06-05 | Daniel James Twitchen | Method of incorporating a mark in CVD diamond |
US20060144821A1 (en) * | 2005-01-04 | 2006-07-06 | Academia Sinica | Method for engraving irreproducible pattern on the surface of a diamond |
CN101827713B (zh) * | 2007-07-27 | 2013-06-26 | 瓦林玛柯有限公司 | 用于标记贵重物品的方法 |
CN102569506B (zh) * | 2011-12-29 | 2014-06-18 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种采用硅烷掩膜制备太阳能电池金属电极的方法 |
SG11201509479WA (en) * | 2013-05-30 | 2015-12-30 | Goldway Technology Ltd | Method of marking material and system therefore, and material marked according to same method |
HK1198858A2 (en) * | 2014-04-16 | 2015-06-12 | Master Dynamic Ltd | Method of marking a solid state material, and solid state materials marked according to such a method |
TWI814173B (zh) * | 2020-12-14 | 2023-09-01 | 香港商金展科技有限公司 | 在多個寶石的外表面形成可識別標記的方法和系統,以及根據這種方法標記的寶石 |
US11886122B2 (en) * | 2021-06-24 | 2024-01-30 | Fraunhofer Usa, Inc. | Deep etching substrates using a bi-layer etch mask |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4018938A (en) | 1975-06-30 | 1977-04-19 | International Business Machines Corporation | Fabrication of high aspect ratio masks |
US4117301A (en) * | 1975-07-21 | 1978-09-26 | Rca Corporation | Method of making a submicrometer aperture in a substrate |
JPS5290372A (en) * | 1976-01-23 | 1977-07-29 | Okuda Kazumi | Patter embossed diamond |
JPS5812234B2 (ja) | 1976-12-24 | 1983-03-07 | 一實 奥田 | 表示入りダイヤモンドの製造方法 |
EP0064780A1 (fr) * | 1981-05-07 | 1982-11-17 | Maurice Hakoune | Procédé de traitement d'une pierre précieuse et pierre précieuse ainsi traitée |
US4632898A (en) | 1985-04-15 | 1986-12-30 | Eastman Kodak Company | Process for fabricating glass tooling |
US4675273A (en) | 1986-02-10 | 1987-06-23 | Loctite (Ireland) Limited | Resists formed by vapor deposition of anionically polymerizable monomer |
JPS6334927A (ja) | 1986-07-29 | 1988-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイヤモンドの加工方法 |
US4786358A (en) | 1986-08-08 | 1988-11-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for forming a pattern of a film on a substrate with a laser beam |
US5045150A (en) | 1986-09-11 | 1991-09-03 | National Semiconductor Corp. | Plasma etching using a bilayer mask |
JP2542608B2 (ja) | 1987-03-09 | 1996-10-09 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド半導体のエツチング方法 |
JPS63220525A (ja) | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | ダイヤモンド半導体のエツチング方法 |
JPS63237531A (ja) | 1987-03-26 | 1988-10-04 | Toshiba Corp | 微細加工方法 |
JPH07113774B2 (ja) | 1987-05-29 | 1995-12-06 | 株式会社日立製作所 | パタ−ンの形成方法 |
US4873176A (en) | 1987-08-28 | 1989-10-10 | Shipley Company Inc. | Reticulation resistant photoresist coating |
US4756794A (en) | 1987-08-31 | 1988-07-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Atomic layer etching |
US4780177A (en) | 1988-02-05 | 1988-10-25 | General Electric Company | Excimer laser patterning of a novel resist |
US4842677A (en) | 1988-02-05 | 1989-06-27 | General Electric Company | Excimer laser patterning of a novel resist using masked and maskless process steps |
DE3903421A1 (de) * | 1989-02-06 | 1990-08-09 | Hoechst Ag | Elektrisch leitfaehige resistmasse, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung |
JPH03261953A (ja) * | 1990-03-13 | 1991-11-21 | Fujitsu Ltd | 微細パターンの形成方法 |
JP2763172B2 (ja) * | 1990-03-19 | 1998-06-11 | 株式会社神戸製鋼所 | ダイヤモンド薄膜のエッチング方法 |
US5196376A (en) | 1991-03-01 | 1993-03-23 | Polycon Corporation | Laser lithography for integrated circuit and integrated circuit interconnect manufacture |
US5397428A (en) | 1991-12-20 | 1995-03-14 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Nucleation enhancement for chemical vapor deposition of diamond |
JP3104433B2 (ja) | 1992-10-16 | 2000-10-30 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンドのエッチング方法 |
US5269890A (en) | 1992-12-31 | 1993-12-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Electrochemical process and product therefrom |
JP3651025B2 (ja) | 1994-08-09 | 2005-05-25 | 住友電気工業株式会社 | マーク付きダイヤモンドおよびその形成方法 |
GB9514558D0 (en) * | 1995-07-17 | 1995-09-13 | Gersan Ets | Marking diamond |
US5591480A (en) | 1995-08-21 | 1997-01-07 | Motorola, Inc. | Method for fabricating metallization patterns on an electronic substrate |
-
1997
- 1997-05-23 GB GB9710736A patent/GB2325439A/en not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-05-21 IL IL12459198A patent/IL124591A/en not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 WO PCT/GB1998/001493 patent/WO1998052773A1/en not_active Application Discontinuation
- 1998-05-22 US US09/423,350 patent/US6358427B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-22 KR KR1019997010883A patent/KR20010012915A/ko not_active Application Discontinuation
- 1998-05-22 DE DE69804957T patent/DE69804957T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-22 AU AU75408/98A patent/AU728923B2/en not_active Ceased
- 1998-05-22 CA CA002291042A patent/CA2291042A1/en not_active Abandoned
- 1998-05-22 CN CNB988073641A patent/CN1140421C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-22 JP JP55014198A patent/JP2001526571A/ja not_active Withdrawn
- 1998-05-22 AT AT98922948T patent/ATE216322T1/de not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 GB GB9927676A patent/GB2339726B/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-22 ZA ZA9804375A patent/ZA984375B/xx unknown
- 1998-05-22 TW TW087107949A patent/TW388736B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 ES ES98922948T patent/ES2174438T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-22 RU RU99127463/12A patent/RU2198099C2/ru not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 EP EP98922948A patent/EP0983152B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-07-31 HK HK00104772A patent/HK1025544A1/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2010128891A1 (ru) * | 2009-05-08 | 2010-11-11 | Nizienko Yuri Konstantinovich | Способ формирования идентификационной метки для маркировки ценных изделий и ценное изделие |
RU2557360C2 (ru) * | 2012-12-20 | 2015-07-20 | Общество с ограниченной ответственностью "Си Эн Эл Девайсез" | Формирование маски для травления алмазных пленок |
RU2777226C2 (ru) * | 2018-02-23 | 2022-08-01 | Мастер Дайнэмик Лимитед | Способ маркировки твёрдого материала и твёрдые материалы, маркированные указанным способом |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
ES2174438T3 (es) | 2002-11-01 |
GB2325439A (en) | 1998-11-25 |
EP0983152A1 (en) | 2000-03-08 |
EP0983152B1 (en) | 2002-04-17 |
IL124591A (en) | 2001-10-31 |
US6358427B1 (en) | 2002-03-19 |
TW388736B (en) | 2000-05-01 |
GB2339726A (en) | 2000-02-09 |
WO1998052773A1 (en) | 1998-11-26 |
ZA984375B (en) | 1999-11-22 |
CA2291042A1 (en) | 1998-11-26 |
CN1264341A (zh) | 2000-08-23 |
GB9710736D0 (en) | 1997-07-16 |
IL124591A0 (en) | 1998-12-06 |
GB2339726B (en) | 2001-09-12 |
AU7540898A (en) | 1998-12-11 |
JP2001526571A (ja) | 2001-12-18 |
HK1025544A1 (en) | 2000-11-17 |
AU728923B2 (en) | 2001-01-18 |
KR20010012915A (ko) | 2001-02-26 |
ATE216322T1 (de) | 2002-05-15 |
DE69804957D1 (de) | 2002-05-23 |
CN1140421C (zh) | 2004-03-03 |
GB9927676D0 (en) | 2000-01-19 |
DE69804957T2 (de) | 2002-10-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2198099C2 (ru) | Маркирование алмаза | |
RU2199447C2 (ru) | Маркирование алмаза | |
US6281468B1 (en) | Method and apparatus for producing a marking on an ophthalmic lens having a low surface energy | |
AU746557B2 (en) | Diamond or gemstone marking by plurality of grooves | |
US7939127B2 (en) | Method for obtaining a mark on a low surface energy ophthalmic lens | |
RU99127463A (ru) | Маркирование алмаза | |
US20040224237A1 (en) | Whole new mask repair method | |
KR100509546B1 (ko) | 다이아몬드에 마크를 표시하는 방법 | |
GB2361671A (en) | Diamond marking | |
JPH08176801A (ja) | 装飾部品及びその製造方法 | |
JPH01245257A (ja) | マスク及びその製造方法 | |
JPS60195036A (ja) | ガラス基板のマ−キング方法 | |
KR960042197A (ko) | 마스크의 리페어(repair) 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20060523 |