RU2167470C2 - Способ контроля дефектности диэлектрических пленок - Google Patents

Способ контроля дефектности диэлектрических пленок Download PDF

Info

Publication number
RU2167470C2
RU2167470C2 RU99108270A RU99108270A RU2167470C2 RU 2167470 C2 RU2167470 C2 RU 2167470C2 RU 99108270 A RU99108270 A RU 99108270A RU 99108270 A RU99108270 A RU 99108270A RU 2167470 C2 RU2167470 C2 RU 2167470C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
film
refractive index
films
measurements
deformation
Prior art date
Application number
RU99108270A
Other languages
English (en)
Other versions
RU99108270A (ru
Inventor
В.Д. Скупов
В.К. Смолин
Original Assignee
Научно-исследовательский институт измерительных систем
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Научно-исследовательский институт измерительных систем filed Critical Научно-исследовательский институт измерительных систем
Priority to RU99108270A priority Critical patent/RU2167470C2/ru
Publication of RU99108270A publication Critical patent/RU99108270A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2167470C2 publication Critical patent/RU2167470C2/ru

Links

Images

Landscapes

  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

Использование: в неразрушающих способах диагностики структурного совершенства диэлектрических слоев, осажденных на полупроводниковую подложку. Сущность изобретения: в способе контроля дефектности диэлектрических пленок, включающем эллипсометрические измерения показателя преломления пленки, при измерении пленку упруго деформируют, создают в ней растягивающие напряжения и по изменению показателя преломления при деформации судят о дефектности пленки. Технический результат: повышение чувствительности эллипсометрического контроля дефектности диэлектрических пленок за счет уменьшения деформации пленок. 1 табл.

Description

Предлагаемое изобретение относится к неразрушающим способам диагностики структурного совершенства диэлектрических слоев, осажденных на полупроводниковую подложку, и может использоваться в технологии микроэлектроники для контроля качества подзатворных диэлектриков, маскирующих и защитных покрытий.
Известен способ электрографического контроля дефектности, прежде всего, сквозной пористости диэлектрических пленок путем получения изображения на фотобумаге картины распределения пор по поверхности пленки при пропускании электрического тока через систему полупроводник (кремний)-диэлектрик-смоченная в водном растворе гидрохинона фотобумага [1].
Недостаток известного способа в том, что он позволяет контролировать только наличие в диэлектрике пор с диаметром более 0,1 мкм.
Наиболее близким техническим решением к заявляемому является способ контроля дефектности диэлектрических пленок путем эллипсометрических измерений их показателя преломления, по величине которого можно судить о плотности материала пленки и о наличии в ней микро- и макроскопических пор [2].
Недостаток способа [2] в низкой чувствительности обычных эллипсометрических измерений к пористости пленок, особенно в случае, когда пленка находится в упруго-напряженном состоянии из-за различий структуры и коэффициентов термического расширения пленки и подложки. Напряжения в пленках обычно являются сжимающими и деформирующими форму пор с уменьшением их геометрических размеров и, как следствие, с увеличением эффективных значений плотности и показателя преломления материала. Последнее искажает объективную информацию об истинной степени пористости пленки и при вариациях величины механических напряжений, например, вследствие изменений температуры во время измерений, вносит погрешность в результаты контроля дефектности диэлектрика.
Техническим результатом заявляемого способа является повышение чувствительности эллипсометрического контроля дефектности диэлектрических пленок за счет уменьшения деформации пленок.
Технический результат достигается тем, что в способе контроля дефектности диэлектрических пленок, включающем эллипсометрические измерения показателя преломления пленки, при измерениях пленку упруго деформируют, создавая в ней растягивающие напряжения, и по изменению показателя преломления при деформации судят о дефектности пленки.
Новым, не обнаруженным при анализе научно-технической и патентной литературы в заявляемом способе является то, что при измерениях пленку упруго деформируют, создавая в ней растягивающие напряжения, и по изменению показателя преломления при деформации судят о дефектности пленки.
Технический результат в заявляемом способе достигается благодаря тому, что упругая деформация, создающая растягивающие напряжения в пленке во время эллипсометрических измерений, приводит к компенсации сжимающих напряжений, обусловленных структурным несоответствием и различием коэффициентов термического расширения пленки и подложки, и восстановлению формы и размеров пор, т. е. к восстановлению истинных значений плотности и показателя преломления контролируемого материала.
Заявляемый способ осуществляют следующим образом. По стандартной методике [2] на эллипсометре измеряют показатель преломления диэлектрической пленки в исходном состоянии. Затем структуру с пленкой деформируют таким образом, чтобы в пленке возникли растягивающие напряжения. Наиболее удобным способом такой деформации служит упругий изгиб, при котором пленка оказывается на выпуклой стороне структуры. Для этого используют любой из известных методов осесимметричного изгиба пластин, например, четырехточечный или на кольцевой матрице с помощью кольцевого пуансона с микрометрическим перемещением. На деформируемой структуре вновь измеряют показатель преломления диэлектрической пленки в условиях действия в ней растягивающих напряжений. Разновидность показателей преломления пленки в исходном состоянии характеризует степень пористости диэлектрика. Увеличение пористости приводит к разности показателей преломления. Если разность показателей преломления исходной и деформированный пленки равна нулю, то пленка считается бездефектной. Для определения численного значения пористости пленок по разности показателей преломления строят градуировочные зависимости этой разности от пористости (объемной концентрации пор или плотности материала пленки), которую определяют любым из известных независимых методов, например электронно-микроскопией, рентгеновским, параметрическим и др. Такую градуировку для данного вида материала пленки при вариациях способов и режимов ее получения проводят однократно и затем при эллипсометрическом контроле используют только графические, табличные или корреляционные зависимости. Это связано с тем, что практически все методы определения являются абсолютно разрушающими и поэтому не применимы для производственного контроля дефектности электрических пленок.
Пример практической апробации заявляемого способа
Пластины кремния марки КДБ-12 (001) толщиной 460 мкм окисляли в потоке влажного кислорода при 1420 K и выращивали на поверхности пленку диоксида кремния толщиной 0,9-1,0 мкм. Затем структуры отличали в потоке сухого азота при 1170 К в течение различной длительности и фиксировали время отжига, при котором становится снижение пористости пленок, регистрируемой известными и заявляемым способами. В качестве известных способов использовали электрографический [1] и способ-прототип [2]. Эллипсометрические измерения показателя преломления на длине волны 632,8 нм выполняли на автоматизированном цифровом эллипсометре ЛЭФ-601 с точностью 0,001. При измерении по заявляемому способу показатель преломления пленок регистрировали до и после упругой деформации пленок четырехточечным изгибом, создававшей в них растягивающие напряжения. Напряжения в пленках измеряли на рентгеновском двухкристальном спектрометре по радиусу кривизны структур с точностью не хуже 1,1 МПа и варьировали в диапазоне 0-70 МПа. Минимальное значение напряжений соответствовало исходному состоянию структуры, когда в пленке диоксида кремния действовали снижающие напряжения для данной толщины и условий выращивания пленки. Максимальная величина напряжений соответствовала растягивающей деформации, при которой начиналось микроразрушение (трещинообразование и обслуживание) пленки диоксида кремния.
Результаты определения времени начала отжига пор, зафиксированного различными способами, приведены в таблице. Интервал значений длительности отжига соответствует границам доверительного интервала измерений регистрируемого параметра, т.е. плотности пор или показателя преломления, вычисленных с надежностью 0,95 по данным измерений в 10-12 областях поверхности пленок.
Как видно из данных таблицы, заявляемый способ позволяет на более ранних стадиях термообработки зафиксировать начало отжига пор в пленках диоксида кремния по сравнению с известными, т.е. его чувствительность к изменению дефектности пленок выше, чем в известных методах.
Литература
1. Курносов А. И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов и интегральных микросхем. М.: Высш.шк., 1986, с. 134-135.
2. Палатник Л.С., Черемской П.Г., Фукс М.Я. Поры в пленках. М.: Энергоиздат, 1982, с. 180-190.

Claims (1)

  1. Способ контроля дефектности диэлектрических пленок, включающий эллипсометрические измерения показателя преломления пленки, отличающийся тем, что при измерениях пленку упруго деформируют, создавая в ней растягивающие напряжения, и по изменению показателя преломления при деформации судят о дефектности пленки.
RU99108270A 1999-04-13 1999-04-13 Способ контроля дефектности диэлектрических пленок RU2167470C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99108270A RU2167470C2 (ru) 1999-04-13 1999-04-13 Способ контроля дефектности диэлектрических пленок

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99108270A RU2167470C2 (ru) 1999-04-13 1999-04-13 Способ контроля дефектности диэлектрических пленок

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU99108270A RU99108270A (ru) 2001-01-27
RU2167470C2 true RU2167470C2 (ru) 2001-05-20

Family

ID=20218837

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99108270A RU2167470C2 (ru) 1999-04-13 1999-04-13 Способ контроля дефектности диэлектрических пленок

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2167470C2 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2683156C2 (ru) * 2015-12-30 2019-03-26 Общество с ограниченной ответственностью "Инновационно-технологический центр "НАНОМЕР" Устройство для диагностики и прогнозирования параметров качества покрытий, получаемых методом микродугового оксидирования
RU196221U1 (ru) * 2019-10-31 2020-02-19 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" Устройство для контроля дефектов в диэлектрических пленках
RU2744821C1 (ru) * 2020-06-25 2021-03-16 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Способ эллипсометрического контроля топографического рельефа, механических напряжений и дефектности пленок на подложках

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2683156C2 (ru) * 2015-12-30 2019-03-26 Общество с ограниченной ответственностью "Инновационно-технологический центр "НАНОМЕР" Устройство для диагностики и прогнозирования параметров качества покрытий, получаемых методом микродугового оксидирования
RU196221U1 (ru) * 2019-10-31 2020-02-19 Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар" Устройство для контроля дефектов в диэлектрических пленках
RU2744821C1 (ru) * 2020-06-25 2021-03-16 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" Способ эллипсометрического контроля топографического рельефа, механических напряжений и дефектности пленок на подложках

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08339074A (ja) 露光マスクの製造方法
US8847335B2 (en) Membrane structure for electrochemical sensor
RU2167470C2 (ru) Способ контроля дефектности диэлектрических пленок
JPH04282870A (ja) 半導体加速度センサの製造方法
JP2000097648A (ja) 段差測定装置および段差測定方法
US6457359B1 (en) Apparatus and methods for measuring stress in a specimen including a thin membrane
US6333785B1 (en) Standard for calibrating and checking a surface inspection device and method for the production thereof
KR970022533A (ko) 반도체소자의 공정결함 검사방법
RU2179351C2 (ru) Способ контроля дефектности диэлектрических пленок
TWI589855B (zh) 用於監測物質傳輸行爲之感測晶片和方法
KR0154164B1 (ko) 반도체소자의 제조방법
RU2744821C1 (ru) Способ эллипсометрического контроля топографического рельефа, механических напряжений и дефектности пленок на подложках
US7573568B2 (en) Method and apparatus for detecting a photolithography processing error, and method and apparatus for monitoring a photolithography process
US6797981B2 (en) Test wafer and method for producing the test wafer
KR100188022B1 (ko) 반도체 구성 막질의 식각률 측정 방법
KR20100066820A (ko) 서로 다른 계면들을 갖도록 표면처리된 마스크결함 검출방법
JP2003059995A (ja) 陽極接合基板の評価方法
JP2807679B2 (ja) シリコン基板の絶縁膜欠陥検出方法
JPH0318744A (ja) 半導体装置の結晶歪み測定方法
RU2033660C1 (ru) Способ контроля дефектности пленок диоксида кремния на кремниевых подложках
JPH0471457B2 (ru)
JPH06140488A (ja) 結晶欠陥検出装置
JP2000055642A (ja) ペリクル膜高さの変動量の測定方法及びその測定装置
KR19990011939A (ko) 반도체장치의 식각공정의 평가방법
CN110690196A (zh) 探测器芯片、其密集线条制备方法及其的应力监测方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20100414