RU2121731C1 - Способ монтажа интегральной схемы с многоэлементным фотоприемником - Google Patents
Способ монтажа интегральной схемы с многоэлементным фотоприемником Download PDFInfo
- Publication number
- RU2121731C1 RU2121731C1 RU96101832A RU96101832A RU2121731C1 RU 2121731 C1 RU2121731 C1 RU 2121731C1 RU 96101832 A RU96101832 A RU 96101832A RU 96101832 A RU96101832 A RU 96101832A RU 2121731 C1 RU2121731 C1 RU 2121731C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- relief
- circuit
- alignment marks
- photodetector
- signs
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
Abstract
Использование: технология сборки полупроводниковых приборов. Сущность: способ решает задачу повышения качества монтажа интегральной схемы (ИС) с многоэлементным фотоприемником (ФП) за счет улучшения контрастности наблюдаемых оператором в системе визуализации знаков совмещенная ФП и ИС. Для этого используются рельефные знаки совмещения, причем знаки совмещения ИС прозрачны для излучения подсветки λ и на рельефную поверхность знаков нанесено отражающее покрытие, глубина рельефа α ≥ λ/4, a линейные размеры элементов рельефа превышают длину волны излучения подсветки, которая направляется на подложку ИС под углом α ≥ arctg a/2f, где f - фокусное расстояние системы визуализации, а - диаметр объектива системы визуализации. 3 ил.
Description
Изобретение относится к технологии сборки полупроводниковых приоров, а точнее к способам присоединения токоведущих элементов к полупроводниковому приору, и может использоваться для монтажа интегральной схемы (ИС) с многоэлементным фотоприемником (ФП).
Известно, что при монтаже ИС с многоэлементным ФП решающее значение имеет операция совмещения (перед сваркой давлением) контактных площадок ИС с выводами чувствительных элементов ФП. Для осуществления такого совмещения ИС и ФП, как правило, снабжаются специальными знаками совмещения. Обычно в процессе монтажа знаки совмещения освещают и наблюдают их в отраженном свете через микроскоп, добиваясь их совпадения. При этом точность совмещения определяется контрастностью наблюдаемого в микроскопе изображения.
Известен способ монтажа полупроводникового кристалла на монтажную плату, в котором для повышения контрастности вокруг знаков совмещения формируют области, контрастирующие по цвету с остальной платой, что достигается нанесением слоя соответствующего диэлектрика (см. заявка Японии N 60-207341, H 01 L 21/60, опубл. 18.10.85).
Однако данный способ непригоден для монтажа ИС с ФП, так как монтаж осуществляется методом "перевернутого кристалла", при котором к оператору обращена тыльная сторона подложки ИС без элементов топологии. Высокие требования к точности совмещения (единицы микрон) не позволяют использовать для совмещения боковые грани кристалла ИС и возникает необходимость визуализации знаков совмещения сквозь подложку ИС. Эта задача решается средствами инфракрасного (ИК) видения, например, с помощью ИК-видикона, не располагающими возможностью цветопередачи.
Известен способ, позволяющий осуществить монтаж ИС с многоэлементным ФП, в котором для совмещения ИС с ФП используется ИК-микроскоп. Монтируемые элементы устанавливают параллельно друг над другом, затем осуществляют подсветку знаков совмещения ИК излучением, прошедшим через подложку ИС, и рассматривают их через ИК-микроскоп с помощью системы визуализации, добиваясь совпадения знаков совмещения ИС и ФП (см. , например, IEEE Transaction on electron devices, v. ED-25, n 2, 1978, pp. 213-232, Longo J.T. et al. Infpared focal planes in intrinsic semicondaction). Этот способ, как наиболее близкий к предлагаемому, принят за прототип.
Однако в данном способе при использовании обычных плоских знаков совмещения, наблюдаемых оператором в системе визуализации, является недостаточной. Это связано с тем, что часть излучения подсветки, отразившаяся от верхней поверхности кристалла ИС и не участвующая в построении изображения знаков совмещения, тем не менее попадает в объектив системы визуализации. В результате оператору трудно добиться совпадения знаков совмещения ИС и ФП с необходимой точностью, что снижает качество монтажа.
Настоящее изобретение решает задачу повышения качества монтажа ИС с многоэлементным ФП путем повышения контрастности наблюдаемых оператором в системе визуализации знаков совмещения ИС и ФП.
Для решения этой задачи в известном способе монтажа ИС с ФП, включающем установку ИС и ФП параллельно друг над другом, подсветку знаков совмещения ИС и ФП излучением, прошедшим через подложку ИС, и приведение их в положение совпадения путем совмещения знаков, наблюдаемых в системе визуализации, используют рельефные знаки совмещения, причем знаки совмещения ИС прозрачны для излучения подсветки λ и на рельефные поверхности знаков нанесено отражающее покрытие, глубина рельефа d≥1/4λ, а линейные размеры элементов рельефа превышают длину волны излучения подсветки, которое направляют на подложку ИС под углом α≥arctgA/2f, где f - фокусное расстояние объектива системы визуализации; A - диаметр объектива системы визуализации.
Изобретение поясняется чертежом, где на фиг. 1 представлена схема хода лучей в процессе совмещения ИС и ФП (показан рельеф знаков совмещения); на фиг. 2 - вид сверху на контуры знаков совмещения матрицы ФП и ИС (рельеф знаков не показан) а) до операции совмещения; б) после совмещения; на фиг. 3 представлена фотография наблюдаемых оператором при монтаже предлагаемым способом плоских и рельефных знаков совмещения.
Монтаж по предлагаемому способу осуществляется следующим образом. Кристалл ИС 1 установлен параллельно над ФП 2; на кристаллах ИС 1 и ФП 2 выполнены рельефные знаки совмещения 3 и 3' соответственно, содержащие элементы рельефа соответственно 4 и 4', на которые нанесено отражающее покрытие 5. Элементы рельефа 4 ИС 1 выполнены из прозрачного для излучения подсветки материала.
Излучение подсветки, направляемое на кристалл ИС 1 под углом α, частично проникает в кристалл ИС 1 и, пройдя через него и через прозрачный элемент рельефа 4, достигает отражающего покрытия 5. При этом лучи, зеркально отразившиеся от верхней грани кристалла ИС 1 и не участвующие в формировании изображения знаков совмещения 3, не попадают в объектив 6 системы визуализации. Часть лучей, отразившаяся от участков покрытия 5 элементов рельефа 4, не параллельных плоскости ИС 1 попадает в объектив 6, формируя в системе визуализации изображения знаков совмещения 3 ИС 1.
Часть лучей, прошедшая кристалл ИС 1, попадает на отражающее покрытие 5 элементов рельефа 4' ФП 2. Лучи, отразившиеся от участков покрытия 5 элементов рельефа 4', не параллельных плоскости ФП 2, попадают в объектив 6, формируя в системе визуализации изображения знаков совмещения 3' ФП 2. При этом геометрические размеры элементов рельефа 4 и 4' (их глубина и линейные размеры) должны быть достаточны для формирования их изображения в отраженном свете. Для этого, как следует из законов оптики, их линейные размеры должны превышать длину волны λ излучения подсветки, а глубина d≥1/4λ. Полученное при соблюдении этих условий в ИК лучах изображение знаков совмещения 3 и 3' преобразуется в системе визуализации в видимое и рассматривается оператором на телевизионном мониторе. Наблюдая изображение знаков совмещения 3 и 3' на экране монитора, оператор добивается требуемого взаимного расположения ИС 1 и ФП 2.
Предлагаемый способ был опробован в лаборатории при изготовлении гибридной схемы матричного ФП на основе CdxHg1-x Te с числом элементов 128х128. Система визуализации включала в себя последовательно расположенные: объектив, систему зеркал, ИК- видикон, телевизионный монитор. Для подсветки использовалась лампа накаливания с фильтром, выделяющим длину волны подсветки λ>1,1 мкм. Выбор длины волны излучения подсветки определяется прозрачностью кристалла ИС, которая выполнялась из кремния. В углах кристалла ИС 1 и ФП 2 располагались знаки совмещения в виде рядов комплементарных прямоугольников размером 40 х 40 мкм, при совмещении образующих прямую полосу (см. фиг. 2). Знаки на нижнем кристалле (ФП 2) формируются вытравливанием в слое диэлектрика квадратных окон размером 5 х 5 мкм с последующим напылением слоя индия толщиной 5 мкм в качестве отражающего покрытия. На поверхности индия проступает рельеф диэлектрика. Знаки совмещения на верхнем кристалле (ИС 1) формировались травлением квадратных окон размером 5 х 5 мкм в слое поликремния с последующим нанесением отражающего покрытия толщиной 0,1 мкм. При фокусном расстоянии объектива 6, равном 25 мм, и аппертуре - 20 мм излучение подсветки падает на образец под углом 41o. Глубина элементов рельефа знаков совмещения d составляет 0,6 мкм.
Как видно из фотографии, представленной на фиг. 3, где римской цифрой I - отмечены изображения рельефных знаков совмещения, наблюдаемых оператором в системе визуализации, а II - изображения плоских знаков, наблюдаемых в той же системе при той же подсветке, контрастность изображения рельефных знаков совмещения I значительно превосходит контрастность плоских знаков II. Это обеспечивает значительное повышение качества монтажа ИС с многоэлементным ФП при использовании предлагаемого способа.
Claims (1)
- Способ монтажа интегральной схемы с многоэлементным фотоприемником, включающий установку схемы и фотоприемника параллельно друг над другом, подсветку знаков совмещения схемы и фотоприемника излучением, прошедшим через подложку схемы, и приведение их в положение совпадения путем совмещения знаков с использованием системы визуализации, отличающийся тем, что используют рельефные знаки совмещения с нанесенным на поверхность рельефа отражающим покрытием, причем, знаки совмещения схемы прозрачны для длины волны излучения подсветки λ,, глубина рельефа α≥1/4λ, а линейные размеры элементов рельефа превышают длину волны излучения подсветки, которое направляют на подложку схемы под углом
α≥arctgA/2f,
где f - фокусное расстояние объектива системы визуализации;
A - диаметр объектива системы визуализации.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU96101832A RU2121731C1 (ru) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | Способ монтажа интегральной схемы с многоэлементным фотоприемником |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU96101832A RU2121731C1 (ru) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | Способ монтажа интегральной схемы с многоэлементным фотоприемником |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU96101832A RU96101832A (ru) | 1998-03-20 |
RU2121731C1 true RU2121731C1 (ru) | 1998-11-10 |
Family
ID=20176354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU96101832A RU2121731C1 (ru) | 1996-01-31 | 1996-01-31 | Способ монтажа интегральной схемы с многоэлементным фотоприемником |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2121731C1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018124945A1 (ru) * | 2016-12-29 | 2018-07-05 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Технический Центр "Мт" (Ооо "Нтц-Мт" ) | Способ монтажа многоэлементного матричного фотодетектора |
-
1996
- 1996-01-31 RU RU96101832A patent/RU2121731C1/ru not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
2. Longo J.T. et al. IEEE Transaction on electron devices. v.E D -25, п. 2, 1978, рр. 213-232. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2018124945A1 (ru) * | 2016-12-29 | 2018-07-05 | Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Технический Центр "Мт" (Ооо "Нтц-Мт" ) | Способ монтажа многоэлементного матричного фотодетектора |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP0465171B1 (en) | A colour liquid crystal display device | |
US5977535A (en) | Light sensing device having an array of photosensitive elements coincident with an array of lens formed on an optically transmissive material | |
DE68921496T2 (de) | Spektralbedingungsvorrichtung. | |
EP0162683A2 (en) | A method for observing an object in a small gap and an apparatus for the same | |
TW200806976A (en) | Apparatus for inspecting substrate and method of inspecting substrate using the same | |
EP2985643A1 (en) | Light guide plate and manufacturing method therefor, and display device comprising same | |
KR940002287B1 (ko) | 액정 투사형 칼라표시장치 | |
EP0518362B1 (en) | Image display device using liquid-crystal panel, liquid-crystal TV projector, and conical optical-element array used therein | |
KR100562683B1 (ko) | 액정장치 및 이것을 이용한 투사형 표시장치 | |
KR0185188B1 (ko) | 반사형 액정 표시 장치 및 그것을 이용한 표시 장치 | |
EP0609055A1 (en) | Light valve apparatus and display system using same | |
EP1797549A2 (en) | Microdisplay | |
RU2121731C1 (ru) | Способ монтажа интегральной схемы с многоэлементным фотоприемником | |
CN114038350B (zh) | 一种显示装置及其成像方法 | |
JPH06208112A (ja) | 直視型表示装置 | |
JPH0895042A (ja) | 液晶表示装置 | |
US7755720B2 (en) | Electro-optical filter | |
US6256122B1 (en) | Device for the elimination of the zero order beam emerging from a hologram illuminated in polarized light | |
JP3645629B2 (ja) | 液晶ディスプレイのスペーサ分布測定方法 | |
JPH1082622A (ja) | 基板の検査装置 | |
EP1012640B1 (en) | Device for the elimination of the zero order beam emerging from a hologram illuminated in polarized light | |
JPH11212002A (ja) | 空間光変調器および投写型表示装置 | |
JPH11118668A (ja) | 物体の欠陥の検査方法および検査装置 | |
JP3381893B2 (ja) | マイクロレンズ基板の製造方法および液晶表示装置 | |
JPH0882702A (ja) | マイクロレンズ基板の製造方法および製造装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20090201 |