RU2102835C1 - ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ДИЗЪЮНКЦИЯ FcT (F + T) / ЗАПРЕТ F ПО T (F•) - Google Patents

ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ДИЗЪЮНКЦИЯ FcT (F + T) / ЗАПРЕТ F ПО T (F•) Download PDF

Info

Publication number
RU2102835C1
RU2102835C1 RU95103858A RU95103858A RU2102835C1 RU 2102835 C1 RU2102835 C1 RU 2102835C1 RU 95103858 A RU95103858 A RU 95103858A RU 95103858 A RU95103858 A RU 95103858A RU 2102835 C1 RU2102835 C1 RU 2102835C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
channel
transistor
mos
key
transistors
Prior art date
Application number
RU95103858A
Other languages
English (en)
Other versions
RU95103858A (ru
Inventor
С.М. Игнатьев
Original Assignee
Акционерное общество открытого типа Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Акционерное общество открытого типа Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон" filed Critical Акционерное общество открытого типа Научно-исследовательский институт молекулярной электроники и завод "Микрон"
Priority to RU95103858A priority Critical patent/RU2102835C1/ru
Publication of RU95103858A publication Critical patent/RU95103858A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2102835C1 publication Critical patent/RU2102835C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в логических устройствах на комплементарных МДП транзисторах, его задачей является упрощение логического элемента, решаемой за счет изменения связей истоков первого n-МДП и второго p-МДП транзисторов 3 и 2, позволившего использовать общие p-канальный и n-канальный МДП ключи 5 и 6 для формирования логических состояний функции F по обоим выходам 10 ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t) и 12 ЗАПРЕТ F по t (F•
Figure 00000002
). Кроме названных компонентов, на схеме устройства обозначены первый p-канальный МДП транзистор 1, второй n-канальный МДП транзистор 4, инверсный и прямой входы 7 и 8 сигнала t, шины 9 и 11 положительного и отрицательного напряжения питания. 3 ил.

Description

Изобретение относится к электронике и предназначено для использования в логических устройствах на комплементарных транзисторах структуры металл-диэлектрик-полупроводник (МДП).
Известно выполнение сопряженных логических операций вида ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t) и ЗАПРЕТ F по t (F•
Figure 00000005
), где F и t произвольная булева функция и булева переменная соответственно, с помощью пары КМДП вентилей 2И-НЕ и 2ИЛИ-НЕ, на первые входы которых поступают соответственно инверсный и прямой сигналы t, а на вторые входы инверсия функции F с выхода дополнительного элемента [1] Подобные устройства имеют низкое быстродействие в силу двухкаскадности тракта распространения сигнала F.
Названный недостаток можно исправить введением p- и n-канальных МДП ключей формирователей единиц и нулей функции F непосредственно в электрическую схему КМДП вентилей [2] Такое устройство по технической сущности наиболее близко к изобретению.
Наиболее близкий аналог содержит первый и второй p-канальные МДП транзисторы 1 и 2 обогащенного типа, первый и второй n-канальные МДП транзисторы 3 и 4 обогащенного типа, первый и второй p-канальные МДП ключи 5-1 и 5-2 формирователи единиц функции F, первый и второй n-канальные МДП ключи 6-1 и 6-2 формирователи нулей функции F. Затворы транзисторов 1 и 3 соединены и являются инверсным входом 7 сигнала t, а затворы транзисторов 2 и 4 соединены и являются прямым входом 8 сигнала t. Истоки транзистора 1, ключей 5-1 и 5-2 подключены к шине 9 положительного напряжения питания, стоки транзистора 1 и ключа 5-1 соединены со стоком транзистора 3 и являются выходом 10 ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t), сток ключа 5-2 соединен с истоком транзистора 2. Истоки транзистора 4, ключей 6-1 и 6-2 подключены к шине 11 отрицательного напряжения питания, сток ключа 6-1 соединен с истоком транзистора 3, а стоки транзистора 4 и ключа 6-2 соединены со стоком транзистора 2 и являются выходом 12 ЗАПРЕТ F по t (F•
Figure 00000006
).
Устройство работает следующим образом.
При единичных состояниях функции F у ключей 5-1 и 5-2 образуются каналы, соединяющие их стоки с шиной 9 положительного напряжения питания, в то время как у ключей 6-1 и 6-2 каналы отсутствуют. В результате этого на выходе 10 независимо от напряжения на входе 7 формируется высокий логический уровень. Такой же логический уровень на выходе 12 может быть сформирован при наличии низкого логического напряжения на входе 8, открывающего канал у транзистора 2 и закрывающего транзистор 4. Если на входе 8 высокий логический уровень напряжения, транзистор 2 закрыт, а транзистор 4 имеет канал, соединяющий выход 12 с шиной 11 отрицательного напряжения питания, что обусловливает низкий уровень на выходе 12. То же самое происходит с выходом 12 при нулевых состояниях функции F, когда каналы образуются у ключей 6-1 и 6-2 и исчезают у ключей 5-1 и 5-2. В этих случаях низкой логический уровень формируется на выходе 10 только при отсутствии канала у транзистора 1 и его наличии у транзистора 3, то есть когда на входе 7 установлен высокий уровень. Описанная логика работы элемента соответствует выполнению логических операций ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t) по выходу 10 и ЗАПРЕТ F по t (F•
Figure 00000007
) по выходу 12.
Недостатком этого устройства является его избыточность, обусловленная наличием пар, дублирующих друг друга по выполняемым функциям p- и n-канальных МДП ключей, приводящая к значительному увеличению числа транзисторов в схеме при усложении функции F.
Задачей изобретения является упрощение логического элемента.
Поставленная задача решается за счет того, что в логическом элементе ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t)/ЗАПРЕТ F по t (F•
Figure 00000008
), содержащем первый и второй p-канальные МДП транзисторы обогащенного типа, первый и второй n-канальные МДП транзисторы обогащенного типа, p-канальный МДП ключ формирователь единиц функции F и n-канальный МДП ключ формирователь нулей функции F, затворы первого p-МДП и первого n-МДП транзисторов соединены и являются инверсным входом сигнала t, а затворы второго p-МДП и второго n-МДП транзисторов соединены и являются прямым входом сигнала t, истоки первого p-МДП транзистора и p-канального МДП ключа подключены к шине положительного напряжения питания, а их стоки соединены со стоком первого n-МДП транзистора и являются выходом ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t), истоки второго n-МДП транзистора и n-канального МДП ключа подключены к шине отрицательного напряжения питания, стоки их соединены со стоком второго p-МДП транзистора и являются выходом ЗАПРЕТ F по t (F•
Figure 00000009
), истоки первого n-МДП и второго p-МДП транзисторов подключены соответственно к выходам ЗАПРЕТ F по t (F•
Figure 00000010
) и ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t).
Указанное выполнение логического элемента позволяет выполнять две сопряженные логические операции ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t) и ЗАПРЕТ F по t (F•
Figure 00000011
) по двум независимым выходам, используя общие цепи формирования логических состояний функции F.
Отличительными признаками изобретения, позволившими получить новый технический результат, являются связи истоков первого p-МДП и второго n-МДП транзисторов.
Проведенные патентные исследования подтвердили новизну изобретения, а также показали, что в литературе отсутствуют данные, указывающие на влияние отличий патентуемого изобретения на достижение технического результата. Поэтому следует считать, что патентуемое изобретение соответствует критериям новизны и изобретательского уровня.
Изобретение поясняется чертежами, на которых изображены принципиальные электрические схемы устройства-аналога фиг. 1, патентуемого логического элемента фиг. 2 и вариант выполнения n- и p-канальных МДП ключей при реализации функции
Figure 00000012
фиг. 3.
Логический элемент ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t)/ЗАПРЕТ F по t (F•
Figure 00000013
) содержит первый и второй p-канальные МДП транзисторы 1 и 2 обогащенного типа, первый и второй n-канальные МДП транзисторы 3 и 4 обогащенного типа, p-канальный МДП ключ 5 формирователь единиц функции F и n-канальный МДП ключ 6 формирователь нулей функции F. Затворы транзисторов 1 и 3 соединены и являются инверсным входом 7 сигнала t, а затворы транзисторов 2 и 4 соединены и являются прямым входом 8 сигнала t. Истоки транзистора 1 и ключа 5 подключены к шине 9 положительного напряжения питания, а их стоки соединены с истоком транзистора 2, стоком транзистора 3 и являются выходом 10 ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t), истоки транзистора 4 и ключа 6 подключены к шине 11 отрицательного напряжения питания, стоки их соединены со стоком транзистора 2, истоком транзистора 3 и являются выходом 12 ЗАПРЕТ F по t (F•
Figure 00000014
).
Устройство работает следующим образом.
При единичных состояниях функции F у ключа 5 образуется канал, соединяющий его сток с шиной 9 положительного напряжения питания, в то время как у ключа 6 канал отсутствует. В результате этого на выходе 10 независимо от напряжения на входе 7 формируется высокий логический уровень. Такой же логический уровень на выходе 12 может быть сформирован при наличии низкого логического напряжения на входе 8, открывающего канал у транзистора 2 и закрывающего транзистор 4. Если на входе 8 высокий логический уровень напряжения, транзистор 2 закрыт, а транзистор 4 имеет канал, соединяющий выход 12 с шиной 11 отрицательного напряжения питания, что обусловливает низкий уровень на выходе 12. То же самое происходит с выходом 12 при нулевых состояниях функции F, когда канал образуется у ключа 6 и исчезают у ключа 5. В этих случаях низкий логический уровень формируется на выходе 10 только при отсутствии канала у транзистора 1 и его наличия у транзистора 3, то есть когда на входе 7 установлен высокий уровень. Описанная логика работы элемента соответствует выполнению логических операций ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F+t) по выходу 10 и ЗАПРЕТ F по t (F•
Figure 00000015
) по выходу 12.
Необходимо отметить, что взаимоинверсия сигналов на входах 7 и 8 имеет для данного устройства принципиальное значение, так как позволяет исключить образование каналов в парах транзисторов 1, 2 и 3, 4, способных совместно с каналами ключей 5 или 6 замкнуть шины 9 и 11 питания.
В качестве p- и n-канальных МДП ключей в логическом элементе могут быть использованы произвольные ключевые цепи соответственно из p-МДП и n-МДП транзисторов, исключающие образование сквозных каналов между шинами 9 и 11 питания на полном наборе предусмотренных комбинаций управляющих сигналов.
Возможна, например, реализация функции
Figure 00000016
посредством применения в качестве p- и n-канальных ключей соответственно p-МДП и n-МДП половин известного КМОП вентиля И-ИЛИ-НЕ (см. Алексенко А.Г. Шагурин И.И. Микросхемотехника: Учеб. пособие для вузов. / Под ред. И.П. Степаненко. М. Радио и связь, 1982, с. 87, рис. 2.29.в). В данном примере p-канальный МДП ключ 5 состоит из трех p-МДП транзисторов 13-15, а n-канальный МДП ключ 6 из трех n-МДП транзисторов 16-18. Затворы транзисторов 13 и 16 являются входом 19 сигнала A, затворы транзисторов 14 и 17 являются входом 20 сигнала B, а затвором транзисторов 15, 18 входом 21 сигнала C. Истоки транзисторов 13 и 14 являются истоком p-канального МДП ключа 5, они подключены к шине 9 положительного напряжения питания, исток транзистора 15 соединен со стоком транзистора 14, а стоки транзисторов 13 и 15 являются стоком ключа 6 и подключены к выходу 10, соответствующему функции
Figure 00000017
Истоки транзисторов 17 и 18 являются истоком n-канального МДП ключа 6, они подключены к шине 11 отрицательного напряжения питания, а их стоки соединены с истоком транзистора 16, сток которого является стоком ключа 6 и подключен к выходу 12, соответствующему функции
Figure 00000018

Данный пример наглядно иллюстрирует достигаемое упрощение логического элемента за счет использования общих цепей формирования логических состояний функции F при формировании выходных уровней по обоим выходам элемента. Упрощение заключается в уменьшении количества транзисторов и тем существеннее, чем сложнее функция F.

Claims (1)

  1. Логический элемент ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t(F + t)/ЗАПРЕТ F по t
    Figure 00000019
    содержащий первый и второй p-канальные МДП транзисторы обогащенного типа, первый и второй n-канальные МДП транзисторы обогащенного типа, p-канальный МДП ключ
    формирователь единиц функци F и n-канальный МДП ключ формирователь нулей функции F, затворы первого и p-МДП и первого n-МДП транзисторов соединены и являются инверсным входом сигнала t, а затворы второго p-МДП и второго n-МДП транзисторов соединены и являются прямым входом сигнала t, истоки первого p-МДП транзистора и p-канального МДП ключа подключены к шине положительного напряжения питания, а их стоки соединены со стоком первого n-МДП транзистора и являются выходом ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F + t), истоки второго n-МДП транзистора и n-канального МДП ключа подключены к шине отрицательного напряжения питания, стоки их соединены со стоком второго p-МДП транзистора и являются выходом ЗАПРЕТ F по t
    Figure 00000020
    отличающийся тем, что истоки первого n-МДП и второго p-МДП транзисторов подключены соответственно к выходам ЗАПРЕТ F по t
    Figure 00000021
    и ДИЗЪЮНКЦИЯ F с t (F + t).
RU95103858A 1995-03-16 1995-03-16 ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ДИЗЪЮНКЦИЯ FcT (F + T) / ЗАПРЕТ F ПО T (F•) RU2102835C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95103858A RU2102835C1 (ru) 1995-03-16 1995-03-16 ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ДИЗЪЮНКЦИЯ FcT (F + T) / ЗАПРЕТ F ПО T (F•)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU95103858A RU2102835C1 (ru) 1995-03-16 1995-03-16 ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ДИЗЪЮНКЦИЯ FcT (F + T) / ЗАПРЕТ F ПО T (F•)

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU95103858A RU95103858A (ru) 1996-12-27
RU2102835C1 true RU2102835C1 (ru) 1998-01-20

Family

ID=20165724

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU95103858A RU2102835C1 (ru) 1995-03-16 1995-03-16 ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ДИЗЪЮНКЦИЯ FcT (F + T) / ЗАПРЕТ F ПО T (F•)

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2102835C1 (ru)

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Хоровиц П. и Хилл У. Искусство схемотехники. В 3-х томах. Т.2 - 4-е изд. - М.: Мир, 1993, с. 105, рис. 8.19. 2. Букреев И.Н. и др. Микроэлектронные схемы цифровых устройств. 3-е изд. - М.: Радио и связь, 1990, с. 52, рис. 8.19. *

Also Published As

Publication number Publication date
RU95103858A (ru) 1996-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US4978870A (en) CMOS digital level shifter circuit
KR950027822A (ko) 전압레벨변환회로
KR960006285A (ko) 용량성 부하 구동용 로우에서 하이로의 전압 cmos 구동 회로
KR870004578A (ko) 단일 클록 동적논리를 갖는 프로그램 가능한 논리배열
KR19980024776A (ko) 동기형 반도체논리회로
KR910002127A (ko) 전원절환회로
US5773995A (en) Digital multiplexer circuit
KR950007287A (ko) 디지탈 신호 처리용 지연 회로
KR970055474A (ko) 프리차지회로를 내장한 씨모스(cmos) 출력회로
US6060909A (en) Compound domino logic circuit including an output driver section with a latch
EP1087529B1 (en) Latching domino logic circuit with hold time
US5831458A (en) Output circuit having BiNMOS inverters
JP3502116B2 (ja) 単一ワイヤクロックを有する2段cmosラッチ回路
US6724225B2 (en) Logic circuit for true and complement signal generator
RU2102835C1 (ru) ЛОГИЧЕСКИЙ ЭЛЕМЕНТ ДИЗЪЮНКЦИЯ FcT (F + T) / ЗАПРЕТ F ПО T (F•)
KR960009408A (ko) 노이즈 감소 출력 버퍼
TW367653B (en) Division circuit of 4/5
KR950013116A (ko) 디지털신호 전송회로
KR940020690A (ko) 저전력소모 및 고속 노아게이트 집적회로
US5898320A (en) Programmable interconnect point having reduced crowbar current
KR970067354A (ko) 어드레스 천이 검출 회로
Nirmala et al. Design of Low Power, High Performance 2-4 and 4-16 Decoders by using GDI methodology
KR100218315B1 (ko) 레벨시프트 회로
KR100278992B1 (ko) 전가산기
US5532622A (en) Multi-input transition detector with a single delay