RU2078850C1 - Электролитически регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных изделий из меди и ее сплавов - Google Patents
Электролитически регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных изделий из меди и ее сплавов Download PDFInfo
- Publication number
- RU2078850C1 RU2078850C1 SU915011717A SU5011717A RU2078850C1 RU 2078850 C1 RU2078850 C1 RU 2078850C1 SU 915011717 A SU915011717 A SU 915011717A SU 5011717 A SU5011717 A SU 5011717A RU 2078850 C1 RU2078850 C1 RU 2078850C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- copper
- etching
- ammonium
- sulfate
- vanadium
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/32—Alkaline compositions
- C23F1/34—Alkaline compositions for etching copper or alloys thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/46—Regeneration of etching compositions
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/02—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
- H05K3/06—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
- H05K3/067—Etchants
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Weting (AREA)
- Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
- Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
Изобретение относится к травлению меди и ее сплавов и может быть использовано при изготовлении печатных плат и фасонных изделий. Электролитически регенерируемый раствор для травления изделий из меди и ее сплавов содержит тетрааминсульфат меди, аммиак, сульфат аммония, хлорид аммония и катализатор - 0,001-0,099 г/л ванадия или его соединения в пересчете на ванадий. Раствор дополнительно содержит нитрат аммония. 4 з.п. ф-лы.
Description
Изобретение предназначено для ускорения скорости травления при растворении меди и медных сплавов. В частности, изобретение относится к ускорению травления щелочными средствами применяемыми при изготовлении печатных плат.
При изготовлении печатных плат, как правило, исходят из кашированного медью материала основы. Требуемые траектории печатной платы изготовляют таким образом, что изобретение траектории печатной платы при помощи трафаретной печати или фотопроцесса наносят на поверхность меди как резистизображение. Непокрытую резистом поверхность меди растворяют подходящими средствами для травления.
В другом способе, применяемом для двухсторонних печатных плат, печатают поверхность, с которой позднее следует удалить травление, таким образом, оставляют свободными траектории печатной платы и пропускающие контакты. В результате траектории печатной платы гальванически упрочняются, отверстия гальванически покрываются медью и благодаря этим двум мерам гальванически осаждают металлический резист (Sn, Sn/Pb-металлические резисты). Затем нанесенный вначале органический резист отпаривают и лежащую под ним медь растворяют подходящим средством для травления. Траектории печатной платы и пропускающие контакты защищены металлическим резистом от растворения.
Если изготовления односторонних печатных плат применяют кислые средства для травления, то использованная техника металлического резиста при изготовлении печатных плат с пропускающими контактами делает необходимым применение щелочных средств для травления. В качестве оптимального средства для травления применяется тетрамминхлорид меди, который наряду с достаточной скоростью травления создает очень слабое фоновое травление, несущественно воздействует на металлический резист и имеет высокую способность поглощения меди.
Недостатки этого известного способа травления заключаются в том, что вытравленную медь можно восстанавливать только очень дорогостоящим способом, чего потребитель практически не может осуществлять и, таким образом, он должен регенерировать израсходованный раствор. Это можно осуществлять дорогостоящим обеззараживанием комплексного тетрамминхлорида меди или для потребителя проще возвратить израсходованный раствор изготовителю. В регионе Египта более 6 миллионов литров средства для травления ежегодно транспортируют по улицам. Угроза опасности очевидна.
Проблему можно было решить лишь с разработкой средства для травления на основе сульфата, из которого растворенную медь можно осаждать методом электроники, следовательно, рекуперировать. При этом средство для травления может циркулировать между установкой для травления и установкой рециркулирования и нет необходимости, независимо от потерь, регенерировать его. Восстановленную медь можно с выгодой продавать.
Этому противопоставлен недостаток средства для травления на основе тетрамминсульфата меди, которое по сравнению с тетрамминхлоридом меди имеет приблизительно на 30% меньшую скорость травления, что означает более продолжительные времена травления и тем самым меньший выпуск продукции. Этот недостаток можно компенсировать более продолжительными модулями травления или применением ускорителя, который заметно повышает скорости травления.
Целью настоящего изобретения является ускорение процесса травления.
Примененные при этом растворы для травления состоят обычно из сульфата тетрамминмеди (II), аммиака, сульфата аммония и хлорида аммония или из солей соответствующих ионов. Растворы для травления без галогенидов также соответствуют описанному способу. Другой добавкой для предотвращения окисления Pb/Sn Sn резиста травления и для пассивирования анодной стороны биполярных электродов является фосфорная кислота или растворимый фосфат. Составы, которые заменяют часть сульфата нитратом, могут быть ускорителями по изобретению.
Вышеописанные известные составы достигают скорости травления около 30 - 35 μм меди/мин.
Согласно изобретению скорость травления подобных растворов для травления можно катализировать точно дозированной добавкой ванадия, ванадатов или других солей ванадия, так что можно достигать существенного ускорения скорости травления приблизительно до 40-50 μл медин/мин.
Предметом настоящего изобретения является, следовательно, электрический регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных деталей из меди и сплавов меди, с содержанием тетрамминсульфата меди, аммиака, сульфата аммония, хлорида аммония, в случае необходимости нитрата аммония, а также повышающего скорость травления катализатора. По изобретению подобный раствор для травления отличается содержанием ванадия или соединения ванадия в качестве катализатора в количестве от 1 мг до 99 мг/л раствора для травления, в пересчете на ванадий.
Примеры для растворов для травления по изобретению:
1-й раствор: 60-120 г Cu/л
150 200 г SO4/л
0,5 5 Cl/л
1 99 мг V/л
2-й раствор: 60 20 г Cu/л
120 170 г SO4/л
10 100 г NO3/л
0,5 5 г Cl/л
1 99 мг V/л
3-й раствор: 60 120 г Cu/л
120 170 г SO4/л
10 100 г NO3/л
0,5 5 г Cl/л
0,5 20 г PO4/л
1 99 мг V/л
Растворы 1-3 содержат дополнительно аммиак для регулирования щелочной величины pH.
1-й раствор: 60-120 г Cu/л
150 200 г SO4/л
0,5 5 Cl/л
1 99 мг V/л
2-й раствор: 60 20 г Cu/л
120 170 г SO4/л
10 100 г NO3/л
0,5 5 г Cl/л
1 99 мг V/л
3-й раствор: 60 120 г Cu/л
120 170 г SO4/л
10 100 г NO3/л
0,5 5 г Cl/л
0,5 20 г PO4/л
1 99 мг V/л
Растворы 1-3 содержат дополнительно аммиак для регулирования щелочной величины pH.
Известно, что скорость травления от температуры и от величины pH. Как оптимальные для раствора для травления по изобретению были определены температуры от 35oC до 60oC, при величине pH от 8,1 до 8,8.
Ванадий или соединения ванадия в качестве катализаторов для растворов для травления на основе тетрамминсульфата меди сами по себе уже известны (заявка на патент ФРГ N 13305319).
Но описанные в ней составы не нашли распространения на практике, так как этим растворам для травления были присущи недостатки.
Так, заявка на патент ФРГ N 13305319 требует абсолютного отсутствия галогена, если для примененного раствора для травления отмечено в качестве характеристики, что он содержит SO4 ионы и не содержит Cl.
Подобное, признанное нерациональным требование настоящим изобретением не ставится.
Однако особенно неудовлетворительными являются достигнутые по заявке на патент ФРГ N 13305319 осаждения меди в установках рециркулирования. Во-первых, так как осаждения меди были хрупкими, во-вторых, так как они не были прочно связаны, быстро раскрашиваются и, в конце концов, их трудно убирать с катода (см. заявку на патент ФРГ N 13429902 и нижеследующий пример для сравнения).
Этот недостаток устраняется в данном изобретении за счет того, что поддерживают концентрацию ванадия только в области от 1 мг/л до 99 мг/л, так что осажденный с медью ванадий существует только в самой незначительной концентрации (10 μм /г) и поэтому не вызывает ни охрупчивания, ни раскрашивания медных катодов.
Процесс травления упрощенно может быть представлен следующим уравнением:
Cu + Cu++ 2Cu+
Повторное окисление Cu+ до Cu++ происходит под действием кислорода воздуха. Так как скорость травления зависит от концентрации Cu++ ионов, последняя определяется совместно скоростью поворотного окисления, которая опять в зависимости от травления машины может быть сильно изменяться (подача воздуха, давление распыления и т.д.).
Cu + Cu++ 2Cu+
Повторное окисление Cu+ до Cu++ происходит под действием кислорода воздуха. Так как скорость травления зависит от концентрации Cu++ ионов, последняя определяется совместно скоростью поворотного окисления, которая опять в зависимости от травления машины может быть сильно изменяться (подача воздуха, давление распыления и т.д.).
Изобретение поясняется подробнее в нижеследующем примере:
Пример:
Раствор для травления с содержанием 330 г CuSO4 • 5H2O, 80 г сульфата аммония, 4 г хлорида аммония, 90 мг Y2O5 и 4 г (NH4)2HPO4, соответственно на литр, величина pH которого была установлена при помощи аммиака до 8,4, применяли в модуле травления при рабочей температуре 50oC для вытравливания Cu кашированных с одной стороны печатных плат и пропускающих контактов печатных плат. При непрерывном производстве достигают скорости травления около 40 μм меди/мин.
Пример:
Раствор для травления с содержанием 330 г CuSO4 • 5H2O, 80 г сульфата аммония, 4 г хлорида аммония, 90 мг Y2O5 и 4 г (NH4)2HPO4, соответственно на литр, величина pH которого была установлена при помощи аммиака до 8,4, применяли в модуле травления при рабочей температуре 50oC для вытравливания Cu кашированных с одной стороны печатных плат и пропускающих контактов печатных плат. При непрерывном производстве достигают скорости травления около 40 μм меди/мин.
При электролитическом регенерировании медь может осаждаться на катоде и может легко удаляться с катода как связывающая пленка.
Пример для сравнения (в соответствии с заявкой на патент ФРГ N 13305319)
Техническое решение заявки на патент ФРГ N 13305319 быдл усовершенствовано на основании раскрытого в ней "оптимального состава". Этот раствор для травления содержит на литр 0,787 мол. тетрамминсульфата меди, 0,45 мол. сульфата аммония, 0,45 мол. аммиака и 1 кг монованадата аммония. Величина pH составляла 9,65. При опыте с травлением на кашированных медью печатных платах можно было, в основном, достичь приведенных в заявке на патент ФРГ N 13305319 скоростей травления. В последующем электролитическом регенерировании раствора для травления, напротив, нельзя было получить никаких связывающих медных осадков; осажденная медь прочно и не связывается, подвержена раскрашиванию и только с большим трудом может отделяться от примененного для осаждения электрода.
Техническое решение заявки на патент ФРГ N 13305319 быдл усовершенствовано на основании раскрытого в ней "оптимального состава". Этот раствор для травления содержит на литр 0,787 мол. тетрамминсульфата меди, 0,45 мол. сульфата аммония, 0,45 мол. аммиака и 1 кг монованадата аммония. Величина pH составляла 9,65. При опыте с травлением на кашированных медью печатных платах можно было, в основном, достичь приведенных в заявке на патент ФРГ N 13305319 скоростей травления. В последующем электролитическом регенерировании раствора для травления, напротив, нельзя было получить никаких связывающих медных осадков; осажденная медь прочно и не связывается, подвержена раскрашиванию и только с большим трудом может отделяться от примененного для осаждения электрода.
Claims (5)
1. Электролитически регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных изделий из меди и ее сплавов, содержащий тетрааминсульфат меди, аммиак, сульфат аммония и катализатор ванадий или его соединения, отличающийся тем, что он дополнительно содержит хлорид аммония, а в качестве катализатора 0,001 0,099 г/л ванадия или его соединения в пересчете на ванадий.
2. Раствор по п. 1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит нитрат аммония.
3. Раствор по п.2, отличающийся тем, что он содержит 60 120 г/л тетрааминсульфата меди, 0,5 5,0 г/л хлорида аммония, 8 100 г/л нитрата аммония, 238 278 г/л сульфата аммония и аммиак до величины pH 8,1 8,8.
4. Раствор по п.3, отличающийся тем, что он дополнительно содержит 0,1 - 20,0 г/л фосфорной кислоты или ее соли.
5. Раствор по п. 4, отличающийся тем, что он содержит 80 г/л сульфата аммония, 4 г/л хлорида аммония, 4 г/л вторичного фосфорнокислого аммония, 0,09 г/л пятиокиси ванадия, аммиак до pH 8,4, а в качестве компонента для образования тетрааминсульфата меди 330 г/л сульфата меди пятиводного.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AT0143390A AT395177B (de) | 1990-07-05 | 1990-07-05 | Aetzloesung |
ATA1433/90 | 1990-07-05 | ||
US07/562,745 US6129858A (en) | 1990-07-05 | 1990-08-06 | Etching solution |
PCT/EP1991/001159 WO1992001086A1 (de) | 1990-07-05 | 1991-06-22 | Ätzlösung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2078850C1 true RU2078850C1 (ru) | 1997-05-10 |
Family
ID=25595841
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU915011717A RU2078850C1 (ru) | 1990-07-05 | 1991-06-22 | Электролитически регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных изделий из меди и ее сплавов |
Country Status (15)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6129858A (ru) |
EP (1) | EP0491020B1 (ru) |
AT (2) | AT395177B (ru) |
CA (1) | CA2069933C (ru) |
CZ (1) | CZ281606B6 (ru) |
DE (1) | DE59100461D1 (ru) |
DK (1) | DK0491020T3 (ru) |
ES (1) | ES2046055T3 (ru) |
HK (1) | HK115195A (ru) |
HU (1) | HU210320B (ru) |
IL (1) | IL98645A (ru) |
LT (1) | LTIP1580A (ru) |
RU (1) | RU2078850C1 (ru) |
SK (1) | SK281643B6 (ru) |
WO (1) | WO1992001086A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2773180C1 (ru) * | 2021-12-07 | 2022-05-31 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Раствор для травления меди и ее сплавов (варианты) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DK0705327T3 (da) * | 1993-06-16 | 2000-08-28 | Call Hans Peter | Flerkomponentblegesystem |
DE4339320A1 (de) * | 1993-11-18 | 1995-05-24 | Elochem Aetztechnik Gmbh | Verfahren zum beschleunigten Ätzen und Abscheiden von Metallen in ammoniakalischen Ätzanlagen |
DE102004030924A1 (de) * | 2004-06-25 | 2006-01-19 | Elo-Chem-Csm Gmbh | Elektrolytisch regenerierbare Ätzlösung |
DE102006036888A1 (de) * | 2005-11-10 | 2007-05-16 | Eve Recycling Sarl | Regenerierbare Ätzlösung |
CN103602986B (zh) * | 2011-03-04 | 2015-07-29 | 侯延辉 | 一种酸性蚀刻液 |
CN114752940B (zh) * | 2022-04-21 | 2024-02-06 | 盛隆资源再生(无锡)有限公司 | 一种碱性含铜蚀刻废液的回收方法 |
WO2024114054A1 (zh) * | 2022-11-30 | 2024-06-06 | 叶涛 | 一种线路板氨碱性硫酸四氨合铜蚀刻工艺及其装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1294804A (en) * | 1970-07-24 | 1972-11-01 | Shipley Co | Etchant for cupreous metals |
DE2625869A1 (de) * | 1976-06-09 | 1977-12-22 | Siemens Ag | Waessrige ammoniakalische aetzloesung zum aetzen von kupfer und kupferlegierungen |
JPS5355474A (en) * | 1976-10-29 | 1978-05-19 | Kyoritsu Kogyo | Method of treating ammonium peroxysulfate waste liquid |
US4319955A (en) * | 1980-11-05 | 1982-03-16 | Philip A. Hunt Chemical Corp. | Ammoniacal alkaline cupric etchant solution for and method of reducing etchant undercut |
DE3305319A1 (de) * | 1983-02-16 | 1984-08-16 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Elektrolytisches vollregenerierverfahren einer ammoniakalischen aetzloesung |
DE3429902A1 (de) * | 1984-08-14 | 1986-02-27 | Hans Höllmüller Maschinenbau GmbH & Co, 7033 Herrenberg | Verfahren zum aetzen von kupferfilmen auf leiterplatten unter elektrolytischer rueckgewinnung von kupfer aus der aetzloesung |
-
1990
- 1990-07-05 AT AT0143390A patent/AT395177B/de active
- 1990-08-06 US US07/562,745 patent/US6129858A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-06-22 ES ES91912126T patent/ES2046055T3/es not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-22 EP EP91912126A patent/EP0491020B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-06-22 DK DK91912126.9T patent/DK0491020T3/da active
- 1991-06-22 AT AT91912126T patent/ATE95578T1/de active
- 1991-06-22 CZ CS921020A patent/CZ281606B6/cs not_active IP Right Cessation
- 1991-06-22 SK SK1020-92A patent/SK281643B6/sk unknown
- 1991-06-22 RU SU915011717A patent/RU2078850C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1991-06-22 CA CA002069933A patent/CA2069933C/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-22 WO PCT/EP1991/001159 patent/WO1992001086A1/de active IP Right Grant
- 1991-06-22 HU HU9201131A patent/HU210320B/hu not_active IP Right Cessation
- 1991-06-22 DE DE91912126T patent/DE59100461D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-06-27 IL IL9864591A patent/IL98645A/en not_active IP Right Cessation
-
1993
- 1993-12-10 LT LTIP1580A patent/LTIP1580A/xx not_active Application Discontinuation
-
1995
- 1995-07-13 HK HK115195A patent/HK115195A/xx not_active IP Right Cessation
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Патент ФРГ N 3305319, кл. С 23 F 1/00, 1984. * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2773180C1 (ru) * | 2021-12-07 | 2022-05-31 | Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") | Раствор для травления меди и ее сплавов (варианты) |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CZ281606B6 (cs) | 1996-11-13 |
EP0491020B1 (de) | 1993-10-06 |
ATA143390A (de) | 1992-02-15 |
CA2069933C (en) | 2000-06-20 |
HUT64109A (en) | 1993-11-29 |
ES2046055T3 (es) | 1994-01-16 |
WO1992001086A1 (de) | 1992-01-23 |
EP0491020A1 (de) | 1992-06-24 |
US6129858A (en) | 2000-10-10 |
SK102092A3 (en) | 1996-06-05 |
CA2069933A1 (en) | 1992-01-06 |
CZ102092A3 (en) | 1993-01-13 |
HU210320B (en) | 1995-03-28 |
SK281643B6 (sk) | 2001-06-11 |
HK115195A (en) | 1995-07-21 |
AT395177B (de) | 1992-10-12 |
IL98645A (en) | 1994-11-11 |
IL98645A0 (en) | 1992-07-15 |
DK0491020T3 (da) | 1994-03-21 |
LTIP1580A (en) | 1995-06-26 |
ATE95578T1 (de) | 1993-10-15 |
DE59100461D1 (de) | 1993-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5454930A (en) | Electrolytic copper plating using a reducing agent | |
US4144119A (en) | Etchant and process | |
US6129830A (en) | Process for the electrolytic deposition of copper layers | |
US4378270A (en) | Method of etching circuit boards and recovering copper from the spent etch solutions | |
US6521328B1 (en) | Copper etching compositions and products derived therefrom | |
WO1982001015A1 (en) | Electroless alloy plating | |
CN103787400B (zh) | 一种微蚀刻废液和硫酸铜废液的处理方法 | |
SE446348B (sv) | Sett att pa en berare elektropletera en tunn kopparfolie till anvendning i tryckta kretsar | |
RU2078850C1 (ru) | Электролитически регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных изделий из меди и ее сплавов | |
JPS6219508B2 (ru) | ||
KR20040057979A (ko) | 무연 주석합금을 피복하는 방법 | |
US5328561A (en) | Microetchant for copper surfaces and processes for using same | |
US20040112869A1 (en) | Cleaning composition | |
US6054037A (en) | Halogen additives for alkaline copper use for plating zinc die castings | |
US4511403A (en) | Immersion tin composition and process for using | |
CN105209573A (zh) | 包含酸介质中的三价锰的蚀刻溶液的再生 | |
JPH0138879B2 (ru) | ||
US6726827B2 (en) | Electroplating solution for high speed plating of tin-bismuth solder | |
CN101443480A (zh) | 可再循环利用的蚀刻溶液 | |
JPH05295567A (ja) | 腐食性溶液 | |
KR100272318B1 (ko) | 부식액 | |
JP2943296B2 (ja) | 銅又は銅合金の黒化処理方法及び黒化処理液 | |
CN111118482A (zh) | 一种化学镀银液及应用 | |
US4240888A (en) | Method of electrochemically processing metallic surfaces of workpieces | |
DE4412463A1 (de) | Palladiumkolloid-Lösung und deren Verwendung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20040623 |