RU2078850C1 - Электролитически регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных изделий из меди и ее сплавов - Google Patents

Электролитически регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных изделий из меди и ее сплавов Download PDF

Info

Publication number
RU2078850C1
RU2078850C1 SU915011717A SU5011717A RU2078850C1 RU 2078850 C1 RU2078850 C1 RU 2078850C1 SU 915011717 A SU915011717 A SU 915011717A SU 5011717 A SU5011717 A SU 5011717A RU 2078850 C1 RU2078850 C1 RU 2078850C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
copper
etching
ammonium
sulfate
vanadium
Prior art date
Application number
SU915011717A
Other languages
English (en)
Inventor
Линдингер Бернд
Original Assignee
Эло-Хем Этцтехник ГмбХ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Эло-Хем Этцтехник ГмбХ filed Critical Эло-Хем Этцтехник ГмбХ
Application granted granted Critical
Publication of RU2078850C1 publication Critical patent/RU2078850C1/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/10Etching compositions
    • C23F1/14Aqueous compositions
    • C23F1/32Alkaline compositions
    • C23F1/34Alkaline compositions for etching copper or alloys thereof
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23FNON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
    • C23F1/00Etching metallic material by chemical means
    • C23F1/46Regeneration of etching compositions
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/02Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding
    • H05K3/06Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which the conductive material is applied to the surface of the insulating support and is thereafter removed from such areas of the surface which are not intended for current conducting or shielding the conductive material being removed chemically or electrolytically, e.g. by photo-etch process
    • H05K3/067Etchants

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Printing Plates And Materials Therefor (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
  • Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
  • Manufacture Or Reproduction Of Printing Formes (AREA)
  • Preventing Corrosion Or Incrustation Of Metals (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)

Abstract

Изобретение относится к травлению меди и ее сплавов и может быть использовано при изготовлении печатных плат и фасонных изделий. Электролитически регенерируемый раствор для травления изделий из меди и ее сплавов содержит тетрааминсульфат меди, аммиак, сульфат аммония, хлорид аммония и катализатор - 0,001-0,099 г/л ванадия или его соединения в пересчете на ванадий. Раствор дополнительно содержит нитрат аммония. 4 з.п. ф-лы.

Description

Изобретение предназначено для ускорения скорости травления при растворении меди и медных сплавов. В частности, изобретение относится к ускорению травления щелочными средствами применяемыми при изготовлении печатных плат.
При изготовлении печатных плат, как правило, исходят из кашированного медью материала основы. Требуемые траектории печатной платы изготовляют таким образом, что изобретение траектории печатной платы при помощи трафаретной печати или фотопроцесса наносят на поверхность меди как резистизображение. Непокрытую резистом поверхность меди растворяют подходящими средствами для травления.
В другом способе, применяемом для двухсторонних печатных плат, печатают поверхность, с которой позднее следует удалить травление, таким образом, оставляют свободными траектории печатной платы и пропускающие контакты. В результате траектории печатной платы гальванически упрочняются, отверстия гальванически покрываются медью и благодаря этим двум мерам гальванически осаждают металлический резист (Sn, Sn/Pb-металлические резисты). Затем нанесенный вначале органический резист отпаривают и лежащую под ним медь растворяют подходящим средством для травления. Траектории печатной платы и пропускающие контакты защищены металлическим резистом от растворения.
Если изготовления односторонних печатных плат применяют кислые средства для травления, то использованная техника металлического резиста при изготовлении печатных плат с пропускающими контактами делает необходимым применение щелочных средств для травления. В качестве оптимального средства для травления применяется тетрамминхлорид меди, который наряду с достаточной скоростью травления создает очень слабое фоновое травление, несущественно воздействует на металлический резист и имеет высокую способность поглощения меди.
Недостатки этого известного способа травления заключаются в том, что вытравленную медь можно восстанавливать только очень дорогостоящим способом, чего потребитель практически не может осуществлять и, таким образом, он должен регенерировать израсходованный раствор. Это можно осуществлять дорогостоящим обеззараживанием комплексного тетрамминхлорида меди или для потребителя проще возвратить израсходованный раствор изготовителю. В регионе Египта более 6 миллионов литров средства для травления ежегодно транспортируют по улицам. Угроза опасности очевидна.
Проблему можно было решить лишь с разработкой средства для травления на основе сульфата, из которого растворенную медь можно осаждать методом электроники, следовательно, рекуперировать. При этом средство для травления может циркулировать между установкой для травления и установкой рециркулирования и нет необходимости, независимо от потерь, регенерировать его. Восстановленную медь можно с выгодой продавать.
Этому противопоставлен недостаток средства для травления на основе тетрамминсульфата меди, которое по сравнению с тетрамминхлоридом меди имеет приблизительно на 30% меньшую скорость травления, что означает более продолжительные времена травления и тем самым меньший выпуск продукции. Этот недостаток можно компенсировать более продолжительными модулями травления или применением ускорителя, который заметно повышает скорости травления.
Целью настоящего изобретения является ускорение процесса травления.
Примененные при этом растворы для травления состоят обычно из сульфата тетрамминмеди (II), аммиака, сульфата аммония и хлорида аммония или из солей соответствующих ионов. Растворы для травления без галогенидов также соответствуют описанному способу. Другой добавкой для предотвращения окисления Pb/Sn Sn резиста травления и для пассивирования анодной стороны биполярных электродов является фосфорная кислота или растворимый фосфат. Составы, которые заменяют часть сульфата нитратом, могут быть ускорителями по изобретению.
Вышеописанные известные составы достигают скорости травления около 30 - 35 μм меди/мин.
Согласно изобретению скорость травления подобных растворов для травления можно катализировать точно дозированной добавкой ванадия, ванадатов или других солей ванадия, так что можно достигать существенного ускорения скорости травления приблизительно до 40-50 μл медин/мин.
Предметом настоящего изобретения является, следовательно, электрический регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных деталей из меди и сплавов меди, с содержанием тетрамминсульфата меди, аммиака, сульфата аммония, хлорида аммония, в случае необходимости нитрата аммония, а также повышающего скорость травления катализатора. По изобретению подобный раствор для травления отличается содержанием ванадия или соединения ванадия в качестве катализатора в количестве от 1 мг до 99 мг/л раствора для травления, в пересчете на ванадий.
Примеры для растворов для травления по изобретению:
1-й раствор: 60-120 г Cu/л
150 200 г SO4
0,5 5 Cl/л
1 99 мг V/л
2-й раствор: 60 20 г Cu/л
120 170 г SO4
10 100 г NO3
0,5 5 г Cl/л
1 99 мг V/л
3-й раствор: 60 120 г Cu/л
120 170 г SO4
10 100 г NO3
0,5 5 г Cl/л
0,5 20 г PO4
1 99 мг V/л
Растворы 1-3 содержат дополнительно аммиак для регулирования щелочной величины pH.
Известно, что скорость травления от температуры и от величины pH. Как оптимальные для раствора для травления по изобретению были определены температуры от 35oC до 60oC, при величине pH от 8,1 до 8,8.
Ванадий или соединения ванадия в качестве катализаторов для растворов для травления на основе тетрамминсульфата меди сами по себе уже известны (заявка на патент ФРГ N 13305319).
Но описанные в ней составы не нашли распространения на практике, так как этим растворам для травления были присущи недостатки.
Так, заявка на патент ФРГ N 13305319 требует абсолютного отсутствия галогена, если для примененного раствора для травления отмечено в качестве характеристики, что он содержит SO4 ионы и не содержит Cl.
Подобное, признанное нерациональным требование настоящим изобретением не ставится.
Однако особенно неудовлетворительными являются достигнутые по заявке на патент ФРГ N 13305319 осаждения меди в установках рециркулирования. Во-первых, так как осаждения меди были хрупкими, во-вторых, так как они не были прочно связаны, быстро раскрашиваются и, в конце концов, их трудно убирать с катода (см. заявку на патент ФРГ N 13429902 и нижеследующий пример для сравнения).
Этот недостаток устраняется в данном изобретении за счет того, что поддерживают концентрацию ванадия только в области от 1 мг/л до 99 мг/л, так что осажденный с медью ванадий существует только в самой незначительной концентрации (10 μм /г) и поэтому не вызывает ни охрупчивания, ни раскрашивания медных катодов.
Процесс травления упрощенно может быть представлен следующим уравнением:
Cu + Cu++ 2Cu+
Повторное окисление Cu+ до Cu++ происходит под действием кислорода воздуха. Так как скорость травления зависит от концентрации Cu++ ионов, последняя определяется совместно скоростью поворотного окисления, которая опять в зависимости от травления машины может быть сильно изменяться (подача воздуха, давление распыления и т.д.).
Изобретение поясняется подробнее в нижеследующем примере:
Пример:
Раствор для травления с содержанием 330 г CuSO4 • 5H2O, 80 г сульфата аммония, 4 г хлорида аммония, 90 мг Y2O5 и 4 г (NH4)2HPO4, соответственно на литр, величина pH которого была установлена при помощи аммиака до 8,4, применяли в модуле травления при рабочей температуре 50oC для вытравливания Cu кашированных с одной стороны печатных плат и пропускающих контактов печатных плат. При непрерывном производстве достигают скорости травления около 40 μм меди/мин.
При электролитическом регенерировании медь может осаждаться на катоде и может легко удаляться с катода как связывающая пленка.
Пример для сравнения (в соответствии с заявкой на патент ФРГ N 13305319)
Техническое решение заявки на патент ФРГ N 13305319 быдл усовершенствовано на основании раскрытого в ней "оптимального состава". Этот раствор для травления содержит на литр 0,787 мол. тетрамминсульфата меди, 0,45 мол. сульфата аммония, 0,45 мол. аммиака и 1 кг монованадата аммония. Величина pH составляла 9,65. При опыте с травлением на кашированных медью печатных платах можно было, в основном, достичь приведенных в заявке на патент ФРГ N 13305319 скоростей травления. В последующем электролитическом регенерировании раствора для травления, напротив, нельзя было получить никаких связывающих медных осадков; осажденная медь прочно и не связывается, подвержена раскрашиванию и только с большим трудом может отделяться от примененного для осаждения электрода.

Claims (5)

1. Электролитически регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных изделий из меди и ее сплавов, содержащий тетрааминсульфат меди, аммиак, сульфат аммония и катализатор ванадий или его соединения, отличающийся тем, что он дополнительно содержит хлорид аммония, а в качестве катализатора 0,001 0,099 г/л ванадия или его соединения в пересчете на ванадий.
2. Раствор по п. 1, отличающийся тем, что он дополнительно содержит нитрат аммония.
3. Раствор по п.2, отличающийся тем, что он содержит 60 120 г/л тетрааминсульфата меди, 0,5 5,0 г/л хлорида аммония, 8 100 г/л нитрата аммония, 238 278 г/л сульфата аммония и аммиак до величины pH 8,1 8,8.
4. Раствор по п.3, отличающийся тем, что он дополнительно содержит 0,1 - 20,0 г/л фосфорной кислоты или ее соли.
5. Раствор по п. 4, отличающийся тем, что он содержит 80 г/л сульфата аммония, 4 г/л хлорида аммония, 4 г/л вторичного фосфорнокислого аммония, 0,09 г/л пятиокиси ванадия, аммиак до pH 8,4, а в качестве компонента для образования тетрааминсульфата меди 330 г/л сульфата меди пятиводного.
SU915011717A 1990-07-05 1991-06-22 Электролитически регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных изделий из меди и ее сплавов RU2078850C1 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
AT0143390A AT395177B (de) 1990-07-05 1990-07-05 Aetzloesung
ATA1433/90 1990-07-05
US07/562,745 US6129858A (en) 1990-07-05 1990-08-06 Etching solution
PCT/EP1991/001159 WO1992001086A1 (de) 1990-07-05 1991-06-22 Ätzlösung

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2078850C1 true RU2078850C1 (ru) 1997-05-10

Family

ID=25595841

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SU915011717A RU2078850C1 (ru) 1990-07-05 1991-06-22 Электролитически регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных изделий из меди и ее сплавов

Country Status (15)

Country Link
US (1) US6129858A (ru)
EP (1) EP0491020B1 (ru)
AT (2) AT395177B (ru)
CA (1) CA2069933C (ru)
CZ (1) CZ281606B6 (ru)
DE (1) DE59100461D1 (ru)
DK (1) DK0491020T3 (ru)
ES (1) ES2046055T3 (ru)
HK (1) HK115195A (ru)
HU (1) HU210320B (ru)
IL (1) IL98645A (ru)
LT (1) LTIP1580A (ru)
RU (1) RU2078850C1 (ru)
SK (1) SK281643B6 (ru)
WO (1) WO1992001086A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2773180C1 (ru) * 2021-12-07 2022-05-31 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Раствор для травления меди и ее сплавов (варианты)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DK0705327T3 (da) * 1993-06-16 2000-08-28 Call Hans Peter Flerkomponentblegesystem
DE4339320A1 (de) * 1993-11-18 1995-05-24 Elochem Aetztechnik Gmbh Verfahren zum beschleunigten Ätzen und Abscheiden von Metallen in ammoniakalischen Ätzanlagen
DE102004030924A1 (de) * 2004-06-25 2006-01-19 Elo-Chem-Csm Gmbh Elektrolytisch regenerierbare Ätzlösung
DE102006036888A1 (de) * 2005-11-10 2007-05-16 Eve Recycling Sarl Regenerierbare Ätzlösung
CN103602986B (zh) * 2011-03-04 2015-07-29 侯延辉 一种酸性蚀刻液
CN114752940B (zh) * 2022-04-21 2024-02-06 盛隆资源再生(无锡)有限公司 一种碱性含铜蚀刻废液的回收方法
WO2024114054A1 (zh) * 2022-11-30 2024-06-06 叶涛 一种线路板氨碱性硫酸四氨合铜蚀刻工艺及其装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1294804A (en) * 1970-07-24 1972-11-01 Shipley Co Etchant for cupreous metals
DE2625869A1 (de) * 1976-06-09 1977-12-22 Siemens Ag Waessrige ammoniakalische aetzloesung zum aetzen von kupfer und kupferlegierungen
JPS5355474A (en) * 1976-10-29 1978-05-19 Kyoritsu Kogyo Method of treating ammonium peroxysulfate waste liquid
US4319955A (en) * 1980-11-05 1982-03-16 Philip A. Hunt Chemical Corp. Ammoniacal alkaline cupric etchant solution for and method of reducing etchant undercut
DE3305319A1 (de) * 1983-02-16 1984-08-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Elektrolytisches vollregenerierverfahren einer ammoniakalischen aetzloesung
DE3429902A1 (de) * 1984-08-14 1986-02-27 Hans Höllmüller Maschinenbau GmbH & Co, 7033 Herrenberg Verfahren zum aetzen von kupferfilmen auf leiterplatten unter elektrolytischer rueckgewinnung von kupfer aus der aetzloesung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Патент ФРГ N 3305319, кл. С 23 F 1/00, 1984. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2773180C1 (ru) * 2021-12-07 2022-05-31 Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом") Раствор для травления меди и ее сплавов (варианты)

Also Published As

Publication number Publication date
CZ281606B6 (cs) 1996-11-13
EP0491020B1 (de) 1993-10-06
ATA143390A (de) 1992-02-15
CA2069933C (en) 2000-06-20
HUT64109A (en) 1993-11-29
ES2046055T3 (es) 1994-01-16
WO1992001086A1 (de) 1992-01-23
EP0491020A1 (de) 1992-06-24
US6129858A (en) 2000-10-10
SK102092A3 (en) 1996-06-05
CA2069933A1 (en) 1992-01-06
CZ102092A3 (en) 1993-01-13
HU210320B (en) 1995-03-28
SK281643B6 (sk) 2001-06-11
HK115195A (en) 1995-07-21
AT395177B (de) 1992-10-12
IL98645A (en) 1994-11-11
IL98645A0 (en) 1992-07-15
DK0491020T3 (da) 1994-03-21
LTIP1580A (en) 1995-06-26
ATE95578T1 (de) 1993-10-15
DE59100461D1 (de) 1993-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5454930A (en) Electrolytic copper plating using a reducing agent
US4144119A (en) Etchant and process
US6129830A (en) Process for the electrolytic deposition of copper layers
US4378270A (en) Method of etching circuit boards and recovering copper from the spent etch solutions
US6521328B1 (en) Copper etching compositions and products derived therefrom
WO1982001015A1 (en) Electroless alloy plating
CN103787400B (zh) 一种微蚀刻废液和硫酸铜废液的处理方法
SE446348B (sv) Sett att pa en berare elektropletera en tunn kopparfolie till anvendning i tryckta kretsar
RU2078850C1 (ru) Электролитически регенерируемый раствор для травления печатных плат и фасонных изделий из меди и ее сплавов
JPS6219508B2 (ru)
KR20040057979A (ko) 무연 주석합금을 피복하는 방법
US5328561A (en) Microetchant for copper surfaces and processes for using same
US20040112869A1 (en) Cleaning composition
US6054037A (en) Halogen additives for alkaline copper use for plating zinc die castings
US4511403A (en) Immersion tin composition and process for using
CN105209573A (zh) 包含酸介质中的三价锰的蚀刻溶液的再生
JPH0138879B2 (ru)
US6726827B2 (en) Electroplating solution for high speed plating of tin-bismuth solder
CN101443480A (zh) 可再循环利用的蚀刻溶液
JPH05295567A (ja) 腐食性溶液
KR100272318B1 (ko) 부식액
JP2943296B2 (ja) 銅又は銅合金の黒化処理方法及び黒化処理液
CN111118482A (zh) 一种化学镀银液及应用
US4240888A (en) Method of electrochemically processing metallic surfaces of workpieces
DE4412463A1 (de) Palladiumkolloid-Lösung und deren Verwendung

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20040623