RU2043981C1 - Керамический материал - Google Patents

Керамический материал Download PDF

Info

Publication number
RU2043981C1
RU2043981C1 RU9292002295A RU92002295A RU2043981C1 RU 2043981 C1 RU2043981 C1 RU 2043981C1 RU 9292002295 A RU9292002295 A RU 9292002295A RU 92002295 A RU92002295 A RU 92002295A RU 2043981 C1 RU2043981 C1 RU 2043981C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
ceramic material
jba
insulator
lattice
iba
Prior art date
Application number
RU9292002295A
Other languages
English (en)
Other versions
RU92002295A (ru
Inventor
И.В. Грехов
О.К. Семчинова
Original Assignee
Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН filed Critical Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН
Priority to RU9292002295A priority Critical patent/RU2043981C1/ru
Publication of RU92002295A publication Critical patent/RU92002295A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2043981C1 publication Critical patent/RU2043981C1/ru

Links

Classifications

    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

Изобретение относится к криоэлектронике и может быть использовано при создании активных и пассивных элементов криоэлектронных схем, в особенности элементов на основе многослойных структур сверхпроводник-изолятор. Задачей изобретения является получение керамического материала, имеющего кристаллическую решетку, совпадающую с решеткой IBa2Cu3O7-y и удельное сопротивление, плавно изменяющееся при температуре жидкого азота от соответствующего нормальному проводнику до изолятора. Это решается в керамическом материале на основе оксидов иттрия, меди и бария, отличающегося тем, что он дополнительно содержит оксид ниобия при следующих соотношениях компонентов IBa2Cu3-xNbxO7 где 1≅x≅3.

Description

Изобретение относится к области криоэлектроники и может быть использовано при создании активных и пассивных элементов криоэлектронных схем, в особенности элементов на основе многослойных структур сверхпроводник-изолятор.
Для многих активных и пассивных элементов криоэлектронных схем (переключателей, волноводов, ответвителей и т.п.) необходимо использовать многослойные структуры сверхпроводник-изолятор и сверхпроводник нормальный проводник, в которых сверхпроводником является материал JBa2Cu3O7, а в качестве изолятора или нормального проводника должен быть использован материал, имеющий кристаллическую решетку, по своим параметрам совпадающую с решеткой JBa2Cu3O7. Это дает возможность бездефектного выращивания тонких эпитаксиальных пленок этих материалов друг на друге.
Известен керамический материал на основе оксидов иттрия, меди, и бария при следующих соотношениях компонент
JBa2Cu3O7-y При 0 ≅ у ≅ 0,5 этот материал имеет металлический характер проводимости при комнатной температуре и становится сверхпроводником при Т < 92 К; он широко используется в качестве проводящих слоев в криоэлектронных схемах [1]
При у < 0,5 этот материал является изолятором. Однако, он не может быть использован для изолирующих слоев в многослойных структурах, поскольку содержание кислорода и следовательно сопротивление легко меняется при термообработках в технологическом цикле.
Наиболее близким техническим решением к изобретению является высокотемпературный сверхпроводящий материал состава JBa2Cu3O9-δ в котором атомы меди частично замещены на ниобий [2] Замещение до 33% меди на ниобий не приводит к разрушению сверхпроводимости.
Задачей изобретения является получение керамического материала, имеющего кристаллическую решетку, совпадающую с решеткой JBa2Cu3O7-y, и удельное сопротивление, плавно изменяющееся при температуре жидкого азота от соответствующего нормальному проводнику до изолятора.
Указанная задача решается в керамическом материале на основе оксидов иттрия, меди, бария и ниобия, отличающегося тем, что он имеет состав, соответствующий формуле IBa2Cu(3-x)NbxO7, где 1 ≅ Х ≅ 3.
Такая смесь окислов после двухстадийной термической обработки на воздухе 940оС в течение 15-20 ч и 970оС в течение 3-5 ч, последующем размоле, прессовки, термообработки при 970оС на воздухе в течение 3-5 ч и затем при 450оС в течение 3-10 ч образует керамический материал, удельное сопротивление которого может меняться в широких пределах в зависимости от количества введенного ниобия и не зависит от дальнейших технологических термообработок.
При Х ≥ 1,0 керамический материал становится изолятором с ρ≈ 1-2 МОм.см, а при 0,1 ≅ Х ≅ 0,5 имеет при азотных температурах металлический характер проводимости, причем удельное сопротивление в зависимости от содержания ниобия меняется от ≈ 0,1 Ом˙ см при Х 0, 1 до ρ≈ 1 МОм при Х 1.
Особенностью материала является то, что параметры кристаллической решетки практически не зависят от Х при Х ≅ 1,5 и равны: a ≃ b 0,395 нм, С 1,178 нм, что менее чем на 2% отличается от параметров решетки сверхпроводящей керамики JBa2Cu3O7 (а 0,384 нм, b 0,388 нм, с 1,165 нм).
Такое малое расхождение делает новый материал очень перспективным для изготовления многослойных структур типа JBa2Cu3O7 JBa2Cu3-xNbxO7(сверхпроводник-изолятор, сверхпроводник-нормальный проводник). При дальнейшем увеличении содержания ниобия продолжается увеличение удельного сопротивления до ρ≈ 5 МОм при Х 2,9, а рассогласование параметров решетки достигает 5%
Согласно изобретению были изготовлены три партии диэлектрического керамического материала с Х 0,1 N1; X 1,0 N2; X 1,5 N3 по следующей технологии:
Исходные компоненты J2O3, Nb2O5, CuO и BaCO3 в соотношениях, соответствующих составам
N1 JBa2Cu2,9Nb0,1O7 (I2O3 2,8 г;
Ba2CO3 8,70 г; CuO 5,8 г;
Nb2O5 0,1 г)
N2 JBa2Cu2Nb1 O7 (J2O3 2,8 г;
Ba2CO3 8,70 г; СuO 5,5 г;
Nb2O5 0,5 г)
N3 JBa2Cu1,5Nb1,5O7 (J2O3 2,8 г;
Ba2CO3 8,70 г; СuO 5,0 г;
Nb2O5 1,0 г) смешивались в агатовой вибромельнице и выдерживались при 940оС в течение 18 ч на воздухе для синтеза соединения и затем при 970оС в течение 4 ч для введения Nb. Эта температура должна выдерживаться с высокой точностью, поскольку, как показали эксперименты, при 960оС в шихте остается много непрореагировавших частиц Nb2O5, температура 980оС является верхним пределом устойчивости фазы JBa2Cu3O7 на воздухе.
Полученный таким образом синтезированный материал снова размалывается в вибромельнице, прессовался в прямоугольные бруски размером 3 х 5 х 10 мм и отжигался на воздухе при 970оС в течение 4 ч (спекание), а затем при 450оС в течение 4-х ч (накислораживание).
Измерение методом рентгеновской дифрактометрии параметры решетки были практически одинаковы для всех трех составов: a ≃ 0,395 нм ± 0,01 нм; с 1,178 нм ± 0,01 нм. Эти параметры менее чем на 2% отличаются от соответствующих параметров решетки ВТСП-керамики JBa2Cu3O7.
Измерения удельного сопротивления четырехзондовым методом при температуре 77 К дали для партии N1 ρ 0,1 Ом ˙ см; N2 ρ 1,1 МОм˙ см; N3 ρ 3,5 МОм˙ см.
Это сопротивление практически не изменялось при последующих термообработках в диапазоне температур 450-970оС.
Изобретение позволило получить керамический материал JBa2Cu3-xNbxO7, имеющий кристаллическую решетку, совпадающую с кристаллической решеткой сверхпроводника JBa2Cu3O7-y c плавно меняющимся удельным сопротивлением при температуре жидкого азота от соответствующей нормальному до изолятора в зависимости от содержания ниобия и не меняющимся при технологических термообработках.

Claims (1)

  1. КЕРАМИЧЕСКИЙ МАТЕРИАЛ, содержащий итрий, барий, медь, ниобий и кислород, отличающийся тем, что он содержит указанные компоненты в следующем соотношении JBa2 Cu3 - x Nbx O7, где 1 ≅ x ≅ 3.
RU9292002295A 1992-10-19 1992-10-19 Керамический материал RU2043981C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU9292002295A RU2043981C1 (ru) 1992-10-19 1992-10-19 Керамический материал

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU9292002295A RU2043981C1 (ru) 1992-10-19 1992-10-19 Керамический материал

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU92002295A RU92002295A (ru) 1995-01-20
RU2043981C1 true RU2043981C1 (ru) 1995-09-20

Family

ID=20131070

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU9292002295A RU2043981C1 (ru) 1992-10-19 1992-10-19 Керамический материал

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2043981C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8216979B2 (en) 2006-02-16 2012-07-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing superconducting thin film material, superconducting device and superconducting thin film material

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
1. Wu M., Ashburn J., Torng G. et al Phus. Rev. Lett. vol. 58 (1987), рр.908-911. *
2. Физика и химия твердого тела: Тез. докл. 2 Дальневост. шк. - семинар. Николаевск - Благовещенск, [1988], т.2 - Благовещенск, 1988, с.40-41. *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8216979B2 (en) 2006-02-16 2012-07-10 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method of manufacturing superconducting thin film material, superconducting device and superconducting thin film material

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Cho et al. Microwave dielectric properties and applications of rare-earth aluminates
EP0336621B1 (en) Metal oxide material
RU2043981C1 (ru) Керамический материал
EP0321184B1 (en) Metal oxide material
US5583093A (en) Metal oxide material with Ln, Sr, Cu, O, optionally Ca, and at least one of Fe, Co, Ti, V, Ge, Mo, and W
US6855670B1 (en) Superconducting bismuth-strontium-calcium-copper oxide compositions and process for manufacture
JP2950422B2 (ja) 金属酸化物材料
Babu et al. Ba2RETaO6 (RE= Pr, Nd, Eu, and Dy), A Group of Chemically Stable Substrates for YBa2Cu3O7− δFilms
JP2817048B2 (ja) スクリーン印刷によるBi−Sr−Ca−Cu−O系超伝導膜の製造方法
US5840659A (en) Method of preparing oxide superconductive material
EP0445307A1 (en) Single crystal oxide substrate, superconductor device produced therefrom, and producing thereof
US5169830A (en) Superconducting material
RU2029751C1 (ru) Способ получения высокотемпературной сверхпроводящей керамики на основе висмут-стронций-кальциевого купрата
KR0119192B1 (ko) 신규의 고온 초전도체 및 그의 제조 방법
US5536705A (en) Superconductor with 1212 phase of Hg,Pb,Sr,Ba,Ca,Y,Cu oxide
Koshy et al. Superconducting Bi‐cuprate thick film T c (0)= 110 K on DyBa2SnO5. 5: A newly developed perovskite substrate
JPH01215712A (ja) 超電導体薄膜の製造方法
KR930002579B1 (ko) 후막초전도체와 그 제조방법
JPH07100610B2 (ja) 超電導材料の製造方法
RU2057712C1 (ru) Купрат лантана как материал, обладающий переходом металл - полупроводник
JP2971504B2 (ja) Bi基酸化物超電導体の製造方法
EP0440411A2 (en) Oxide superconductor
JPH01238190A (ja) 超伝導体厚膜の製造方法
JPH01164728A (ja) 酸化物超伝導材料
JPH01157009A (ja) 超電導体薄膜