RU2057712C1 - Купрат лантана как материал, обладающий переходом металл - полупроводник - Google Patents
Купрат лантана как материал, обладающий переходом металл - полупроводник Download PDFInfo
- Publication number
- RU2057712C1 RU2057712C1 RU9393048719A RU93048719A RU2057712C1 RU 2057712 C1 RU2057712 C1 RU 2057712C1 RU 9393048719 A RU9393048719 A RU 9393048719A RU 93048719 A RU93048719 A RU 93048719A RU 2057712 C1 RU2057712 C1 RU 2057712C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cuprate
- lanthanum
- metal
- transition
- composition
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
Изобретение относится к новым химическим соединениям на основе купратов лантана, а именно: к купарату лантана состава
LaCu1-xNixO3-δ
где
0,15 ≅ x ≅ 0,40 0,25 ≅ δ ≅ 0,35
Материал обладает переходом "металл-полупроводник" при 273K со скачкообразным изменением электросопротивления в 44 - 51 раз. 1 ил.
LaCu1-xNixO3-δ
где
0,15 ≅ x ≅ 0,40 0,25 ≅ δ ≅ 0,35
Материал обладает переходом "металл-полупроводник" при 273K со скачкообразным изменением электросопротивления в 44 - 51 раз. 1 ил.
Description
Изобретение относится к новым химическим соединениям на основе оксидов меди со структурой перовскита, конкретно, к купрату лантана состава LaCu1-x NixO3 - δ где 0,15 ≅ x ≅ 0,40; 0,25 ≅ δ ≅0,35, как материалу, обладающему переходом "металл-полупроводник".
Изобретение может быть использовано в электронике и СВЧ-технике.
Известен купрат лантана состава LaCuO3 - δ где 0 ≅ δ ≅ 0,5, со структурой типа перовскита.
Указанный купрат обладает широкой областью гомогенности по кислороду и может быть получен при давлении кислорода 0,2-1,0 кбар с использованием в качестве исходных компонентов гидрооксидов лантана и меди. Смесь гидрооксидов медленно нагревают до 650оС в кислороде, затем выдерживают при высоком давлении кислорода.
Недостатком купрата лантана известного состава является невозможность его практического использования, вследствие неустойчивости при нагревании в обычных условиях (в отсутствие атмосферы кислорода и высокого давления), в результате чего он распадается на ряд простых оксидов.
Задача изобретения расширить диапазон рабочих температур при использовании материалов, обладающих переходом "металл-проводник".
Поставленная задача решена путем получения нового химического соединения купрата лантана состава LaCu1-x NixO3 - δ где 0,15 ≅ x ≅ 0,40; 0,25 ≅ δ ≅ 0,35, обладающего переходом "металл-полупроводник" при температуре 773К.
Купрат лантана состава LaCu1-xNixO3 - δ где 0,15 ≅ x ≅ 0,40; 0,25 ≅ δ ≅ 0,35 и его свойства в литературе не описаны.
Предлагаемый материал состава LaCu1-x Nix O3 - δ где 0,15 ≅ x ≅ 0,40; 0,25 ≅ δ ≅ 0,35, получают по обычной керамической технологии. Исходную смесь, состоящую из La2O3, CuO и NiО, тщательно перетирают, спрессовывают и прокаливают на воздухе при 950-1000оС в течение 18 ч. Полученный продукт измельчают, снова спрессовывают и дополнительно отжигают при 950-1000оС в течение 12 ч. После отжига образцы охлаждают вместе с печью до комнатной температуры. Получают купрат лантана состава LaCu1-xNixO3 - δ где 0,15 ≅ x ≅ 0,40; 0,25 ≅ δ ≅ 0,35, обладающий фазовым превращением со скачкообразным переходом от металлической проводимости к полупроводниковой при температуре 773К.
Состав конечного продукта контролируют методами рентгенографического и химического анализов. Электрические свойства исследуют путем измерения удельного электросопротивления в интервале 290-1173 К.
На чертеже изображена зависимость удельного электросопротивления спеченных образцов состава LaCu1-xNixO3 - δ где 0,15 ≅ x ≅ 0,40, 0,25 ≅ δ ≅ 0,35 от температуры на воздухе.
П р и м е р 1. 6,64 г La2O3; 2,43 г CuO и 0,76 г NiO перетирают, спрессовывают и прокаливают на воздухе при 950оС в течение 18 ч. Полученный продукт перетирают, спрессовывают, а затем дополнительно прокаливают при той же температуре в течение 12 ч. Конечный продукт охлаждают с печью до комнатной температуры. Получают 10 г купрата лантана состава LaCu0,75Ni0,25O2,75, имеющего кристаллическую структуру типа перовскита с параметрами ячейки при 290К: а 8,61 ± 0,01оА, b8,44 ± 0,01оА, С 7,87 ± 0,01оА.
По данным измерений удельного электросопротивления (см. чертеж), при 773 К резко увеличивается электросопротивление материала, что подтверждает наличие перехода от металлической проводимости при температуре ниже 773К к полупроводниковой выше 773К. В момент перехода сопротивление возрастает в 44 раза. В процессе охлаждения материала электросопротивление скачкообразно снижается.
П р и м е р 2. 6,63 г La2O3; 2,75 г СuO и 0,46 г NiO готовят и обрабатывают согласно примеру 1. Получают 10 г купрата лантана состава LaCu0,85Ni0,15О2,65, имеющего кристаллическую структуру типа перовскита с параметрами ячейки при 290К: а 8,63 ± 0,01оА, b8,45 ± 0,01оА, b 8,45 ± 0,01оА, С7,88 ± 0,01оА. По данным измерений удельного электросопротивления (см. чертеж) при 773 К оно увеличивается в 51 раз, что подтверждает наличие перехода от металлической проводимости к полупроводниковой.
П р и м е р 3. 6,66 г оксида La2O3, 1,95 г оксида CuO и 1,22 г оксида NiO перетирают, спрессовывают и прокаливают на воздухе при 1000оС, в течение 18 ч. Полученный продукт перетирают, спрессовывают, а затем дополнительно прокаливают при этой же температуре в течение 12 ч. Образцы охлаждают с печью до комнатной температуры. Получают 10 г купрата лантана, LaCu0,60Ni0,40O2,75 имеющего кристаллическую структуру типа перовскита с параметрами ячейки при 290К: а 8,60 ± 0,01оА, b 8,40 ± 0,01оА. По данным изменений удельного электросопротивления (см. чертеж) при 773 К оно увеличивается в 45 раз, что подтверждает наличие перехода "металл-полупроводник".
П р и м е р 4. 6,62 г оксида La2O3, 2,91 г оксида CuO и 0,30 г оксида NiO обрабатывают по примеру 1. Получают фазу номинального состава LaCu0,9Ni0,1O3 - δ состоящую из La2CuO4:СuO и NiO. Полученный состав не обладает переходом "металл-полупроводник".
П р и м е р 5. 6,68 г оксида, Na2O3, 1,63 г оксида СuO и 1,53 г оксида NiO обрабатывают по п.1. Получают фазу номинального состава LaCu0,5Ni0,5O3 - δ Испытания показывают, что материал данного состава не обладает переходом "металл-полупроводник".
Таким образом, предлагаемый материал состава LaCu1-xNixO3 - δ(0,15 ч 0,40) обладает обратимым фазовым переходом при 773К со скачкообразным изменением электросопротивления (в 44-51 раз), обусловливающим переход от металлического типа электропроводности к полупроводниковому. Наличие перехода "металл-полупроводник" при 773К позволяет расширить диапазон рабочих температур при использовании предлагаемого материала для изготовления датчиков и переключателей, применяемых в электронной технике.
Claims (1)
- Купрат лантана состава LaCu1-xNixO3-δ, где 0,15 ≅ x ≅ 0,40, 0,25 ≅ δ ≅ 0,35, как материал, обладающий переходом металл полупроводник.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU9393048719A RU2057712C1 (ru) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Купрат лантана как материал, обладающий переходом металл - полупроводник |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU9393048719A RU2057712C1 (ru) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Купрат лантана как материал, обладающий переходом металл - полупроводник |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU93048719A RU93048719A (ru) | 1996-03-10 |
RU2057712C1 true RU2057712C1 (ru) | 1996-04-10 |
Family
ID=20148462
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU9393048719A RU2057712C1 (ru) | 1993-10-21 | 1993-10-21 | Купрат лантана как материал, обладающий переходом металл - полупроводник |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2057712C1 (ru) |
-
1993
- 1993-10-21 RU RU9393048719A patent/RU2057712C1/ru active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Bringley J.F. et al "Syntheses of the defect perovskite series LaCu 1-x Ni x O 3-δ with copper ualence uarying from 2 + to 3 + " Nature, 1990, v 347, No 6290, p 263. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Zhu et al. | Effects of chemical modification on the electrical properties of 0.67 BiFeO3− 0.33 PbTiO3 ferroelectric ceramics | |
Shulman et al. | Niobium doping and dielectric anomalies in bismuth titanate | |
Yan et al. | Preparation and properties of PbO–MgO–Nb2O5 ceramics near the Pb (Mg⅓Nb⅔) O3 composition | |
JPH082962A (ja) | 高安定性サーミスタ用焼結セラミックス及びその製造方法 | |
Kurek et al. | Impedance measurements on single crystals of the oxygen ion conductor BICUVOX | |
RU2057712C1 (ru) | Купрат лантана как материал, обладающий переходом металл - полупроводник | |
JPH07247165A (ja) | 導電性セラミックス | |
Kothari et al. | Electrical conduction and dielectric behaviour of the oxidic spinel Li 0.5+ 0.5 x Cr 0.3 Ti x Fe 2.2− 1.5 XO 4 | |
CA1251037A (en) | Dielectric ceramic composition | |
Feng et al. | Improving stabilized zirconia with strontium gallate | |
Duverger et al. | Electrical transport properties of Mn-and Ni-doped barium titanate at high temperature | |
RU2043981C1 (ru) | Керамический материал | |
Kurek et al. | Impedance study of BIMGVOX ceramics | |
EP0446552B1 (en) | Superconductive compounds and process for producing said compounds | |
Cai et al. | Bismuth nickel niobate with small negative temperature coefficients of dielectric constant | |
Molokhia et al. | Dielectric properties of BaTiO 3 modified with ZrO 2 | |
JPH05218511A (ja) | 熱電半導体素子 | |
Giniewicz et al. | Lead scandium tantalate-lead titanate materials for field-stabilized pyroelectric device applications | |
WO1991003426A1 (en) | Superconducting material and production thereof | |
Koshy et al. | Superconducting Bi‐cuprate thick film Tc (0)= 110 K on DyBa2SnO5. 5: A newly developed perovskite substrate | |
RU2281927C1 (ru) | Керамический материал | |
Peng et al. | Superconductivity and magnetic scattering in the Nd2− xCexCuO4− δ compounds | |
Weber et al. | Electrical Conductivity and Seebeck Coefficient of Divalent-Metal-Doped YCrO3 | |
Khatri et al. | Complex impedance analysis and magnetoelectric effect incomposite BaSrTiO3–NiZnFe2O4 ceramics | |
JPS643045A (en) | Dielectric porcelain composition |