RU2024120C1

RU2024120C1 - Микрополосковая линия передачи

Info

Publication number: RU2024120C1
Authority: RU
Inventors: А.И. Гулин; В.К. Майстренко; А.А. Радионов; С.Б. Раевский; Г.И. Шишков
Original assignee: Радионов Александр Алексеевич
Priority date: 1991-05-12
Filing date: 1991-05-12
Publication date: 1994-11-30

Abstract

Использование: в радиотехнике СВЧ при конструировании СВЧ-схем на микрополосковых линиях . Сущность изобретения: в отрезке микрополосковой линии диэлектрическая подложка выполнена двуслойной. На верхнем слое размещен центральный проводник микрополосковой линии. На нижнем слое на поверхности, обращенной к верхнему слою, нанесены резистивные полоски, размещенные перпендикулярно центральному проводнику микрополосковой линии. 2 ил.

Description

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ и может быть использовано при конструировании СВЧ-схем на микрополосковых линиях.

Известно устройство для подавления высших мод в микрополосковой линии, представляющее собой отрезок микрополосковой линии с резистивными включениями в виде тонких резистивных полосок, находящимися непосредственно на верхней грани диэлектрической подложки микрополосковой линии и имеющими электрический контакт с экраном микрополосковой линии.

Недостатком этого устройства является то, что при определенных размерах центрального проводника микрополосковой линии оно является узкополосным, так как эффективно подавляет только "экранные" моды экранированной микрополосковой линии (ЭМПЛ) и практически никакого влияния не оказывает на "подложечные" моды.

Целью изобретения является увеличение широкополосности ЭМПЛ.

Это достигается тем, что в микрополосковой линии передачи, содержащей элемент подавления высших типов волн в виде резистивных полосок, резистивные полости размещены внутри диэлектрической подложки в плоскости, параллельной ее основаниям, перпендикулярно центральному проводнику.

Это позволяет эффективно подавлять не только "экранные" моды в ЭМПЛ, то и моды "подложечного" типа, после которых в основном сконцентрировано в диэлектрической подложке.

На фиг. 1 и 2 изображена микрополосковая линия с элементом подавления высших типов волн. Диэлектрическая подложка отрезка микрополосковой линии является двуслойной и состоит из верхнего слоя 1 и нижнего слоя 2. На верхнем слое 1 размещен центральный проводник 3 микрополосковой линии. На нижний слой 2 нанесено резистивное покрытие 4, представляющее собой периодически резистивные полоски, размещенные перпендикулярно центральному проводнику микрополосковой линии.

Устройство работает следующим образом.

Волны высших типов имеют продольные составляющие магнитного поля, которые возбуждают поперечные компоненты тока проводимости в резистивных полосках, что и обеспечивает ослабление таких волн.

У основной квази-Т волны микрополосковой линии продольная составляющая магнитного поля много меньше поперечных составляющих, значит при распространении этой волны токи проводимости в узких резистивных полосках практически не возбуждаются, поэтому такое покрытие не влияет на условия распространения основной волны в экранированной микрополосковой линии и не приводит к ее ослаблению.

Ширина резистивных полосок при этом выбирается много меньше длины волны λ_min, чтобы не проводить к какому-либо значительному ослаблению оcновной волны ( λ_min - длина волны в микрополосковой линии, соответствующая верхней частоте рабочего диапазона устройства подавления). Оптимальной следует считать ширину полоски 0,05-0,1 λ_min.

Расстояние между резистивными полосками выбирается из условия, что высшие моды, распространяющиеся в микрополосковой линии, должны эффективно возбуждать в резистивном покрытии токи проводимости. Поэтому это расстояние не должно превышать величины λ_b/4, где λ_b - длина волны первого после основной высшего типа в экранированной микрополосковой линии, соответствующая верхней частоте рабочего диапазона устройства подавления.

Величина поверхностного сопротивления резистивного покрытия выбирается такой, чтобы обеспечить эффективное подавление волн высших типов. Оптимальной следует считать величину поверхностного сопротивления резистивного покрытия 50-100 Ом/□.

Резистивные полоски, размещенные внутри диэлектрической подложки ЭМПЛ в плоскости, параллельной ее основаниям, перпендикулярно центральному проводнику, обеспечивают эффективное подавление всех волн высших типов, включая волны "подложечного" типа, и увеличивают широкополосность микрополосковой линии.

Claims

МИКРОПОЛОСКОВАЯ ЛИНИЯ ПЕРЕДАЧИ, содержащая элемент подавления высших типов волн в виде резистивных полосок, отличающаяся тем, что, с целью увеличения широкополосности, резистивные полоски размещены внутри диэлектрической подложки в плоскости, параллельной ее основаниям, перпендикулярно к центральному проводнику.