RU2020110912A - Мембранный датчик давления - Google Patents

Мембранный датчик давления Download PDF

Info

Publication number
RU2020110912A
RU2020110912A RU2020110912A RU2020110912A RU2020110912A RU 2020110912 A RU2020110912 A RU 2020110912A RU 2020110912 A RU2020110912 A RU 2020110912A RU 2020110912 A RU2020110912 A RU 2020110912A RU 2020110912 A RU2020110912 A RU 2020110912A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
membrane
sensor according
silicon
sensor
deformation
Prior art date
Application number
RU2020110912A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2745007C2 (ru
RU2020110912A3 (ru
Inventor
Виктор Николаевич Дьячков
Николай Викторович Дьячков
Константин Иванович Баринов
Марат Хаджи-Муратович Абдуев
Андрей Николаевич Калегаев
Виктор Борисович Розе
Original Assignee
Общество С Ограниченной Ответственностью "Оптосенс"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Общество С Ограниченной Ответственностью "Оптосенс" filed Critical Общество С Ограниченной Ответственностью "Оптосенс"
Priority to RU2020110912A priority Critical patent/RU2745007C2/ru
Publication of RU2020110912A publication Critical patent/RU2020110912A/ru
Publication of RU2020110912A3 publication Critical patent/RU2020110912A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2745007C2 publication Critical patent/RU2745007C2/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L7/00Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements
    • G01L7/02Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges
    • G01L7/08Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges of the flexible-diaphragm type

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Measuring Fluid Pressure (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)

Claims (9)

1. Мембранный датчик давления, содержащий камеру опорного давления, которая отделена от среды, давление которой измеряют, упругой мембраной и содержит средства измерения, включающие датчик степени деформации мембраны и датчик температуры, и средства предохранения от чрезмерной деформации, отличающийся тем, что упругая мембрана изготовлена из монокристаллического кремния и прижата по ее периметру к посадочному месту камеры, причем обе контактирующие поверхности или только поверхность посадочного места камеры содержат (-ит) буферный слой толщиной от 0,7 до 2,5 мкм из поликристаллического кремния (поликремния) или из композита (твердого раствора, керамики и т.п.) с содержанием кремния не менее 15 ат. %.
2. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что композит буферного слоя на посадочной поверхности камеры содержит материал, на котором буферный слой сформирован.
3. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что хотя бы одна поверхность кремниевой мембраны содержит однослойное или многослойное вспомогательное покрытие.
4. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что мембрана выполнена круглой в плане с плоской и одинаковой толщины посадочной областью по периферии в виде плоской кремниевой пластины однородной по толщине или с заданной формой в поперечном сечении и с заданным распределением по толщине.
5. Мембранный датчик по п. 4, отличающийся тем, что мембрана имеет одну или несколько одинаковых или отличающихся формой и размерами концентрических канавок.
6. Мембранный датчик по п. 4, отличающийся тем, что мембрана выполнена с осевым поперечным сечением, содержащим области в виде меандра или синусоиды.
7. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что средства измерения степени деформации включают интегральный датчик температуры, выполненный на самой кремниевой мембране.
8. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что средства измерения степени деформации включают датчик температуры, выполненный на самой кремниевой мембране или в объеме ее материала (в теле мембраны).
9. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что датчиком степени деформации мембраны служит резонатор Фабри-Перо, образованный закрепленным над поверхностью мембраны оптическим элементом с отполированной полупрозрачной поверхностью и полированной поверхностью кремниевой мембраны или нанесенным на ее поверхность отражающим покрытием.
RU2020110912A 2020-03-16 2020-03-16 Мембранный датчик давления RU2745007C2 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020110912A RU2745007C2 (ru) 2020-03-16 2020-03-16 Мембранный датчик давления

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2020110912A RU2745007C2 (ru) 2020-03-16 2020-03-16 Мембранный датчик давления

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2020110912A true RU2020110912A (ru) 2020-07-10
RU2020110912A3 RU2020110912A3 (ru) 2020-10-09
RU2745007C2 RU2745007C2 (ru) 2021-03-18

Family

ID=71509367

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2020110912A RU2745007C2 (ru) 2020-03-16 2020-03-16 Мембранный датчик давления

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2745007C2 (ru)

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2134408C1 (ru) * 1998-06-25 1999-08-10 Акционерное общество закрытого типа "ТИМОС" Преобразователь давления
RU2168710C2 (ru) * 1999-01-25 2001-06-10 Иркутское высшее военное авиационное инженерное училище Тензорезисторный датчик давления
US6892582B1 (en) * 1999-08-20 2005-05-17 Hitachi, Ltd. Semiconductor pressure sensor and pressure sensing device
JP4683618B2 (ja) * 2005-02-10 2011-05-18 キヤノンアネルバ株式会社 隔膜型圧力センサ及びその製造方法
CN101153825A (zh) * 2006-09-25 2008-04-02 中国计量学院 硅微机械谐振式微压传感器芯片的结构及制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
RU2745007C2 (ru) 2021-03-18
RU2020110912A3 (ru) 2020-10-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3739315A (en) Semiconductor transducers having h shaped cross-sectional configurations
RU2137099C1 (ru) Датчик давления
RU2010130092A (ru) Устройство с мембранным манометрическим элементом
US3266303A (en) Diffused layer transducers
KR890016637A (ko) 반도체 본체 제작방법
US5656781A (en) Capacitive pressure transducer structure with a sealed vacuum chamber formed by two bonded silicon wafers
EP0311613A1 (en) PRESSURE TRANSFORMER WITH CONSTRAINED INSULATION FOR HARD MOUNTING.
JPS61500633A (ja) 圧力変換器
RU2008117190A (ru) Способ нанесения покрытия из оксида алюминия на подложку, покрытую карбидом кремния
CN107560755A (zh) 蓝宝石基光纤f‑p温度压力复合传感器及其制备方法
FR3012604A1 (fr) Capteur de pression comprenant une structure de controle d'une couche d'adhesif resistante aux variations de temperatures
JP2017211375A5 (ru)
US20110041618A1 (en) Elastic ceramic body and pressure sensor with an elastic ceramic body
RU2020110912A (ru) Мембранный датчик давления
NO800668L (no) Trykkoppfanger for elastiske overflateboelger
JPH0138256B2 (ru)
JPH09318474A (ja) センサの製造方法
KR101288338B1 (ko) 반도체 압력소자와 금속 다이아프램 구조를 이용한 압력센서 제조방법
ATE411514T1 (de) Drucksensor mit integrierter struktur
JP2005265784A (ja) 金属ダイヤフラム式センサ
JP4151898B2 (ja) 静電容量式圧力センサ
KR20130095466A (ko) 몰드형 웨이퍼 제조용 진공척
US20170044010A1 (en) Sensor element, method for manufacturing sensor element, detection device, and method for manufacturing detection device
JPS62150131A (ja) 圧力検出器
US11788895B2 (en) Microsystem and method for making a microsystem

Legal Events

Date Code Title Description
HE9A Changing address for correspondence with an applicant