RU2020110912A - Мембранный датчик давления - Google Patents
Мембранный датчик давления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2020110912A RU2020110912A RU2020110912A RU2020110912A RU2020110912A RU 2020110912 A RU2020110912 A RU 2020110912A RU 2020110912 A RU2020110912 A RU 2020110912A RU 2020110912 A RU2020110912 A RU 2020110912A RU 2020110912 A RU2020110912 A RU 2020110912A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- membrane
- sensor according
- silicon
- sensor
- deformation
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L7/00—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements
- G01L7/02—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges
- G01L7/08—Measuring the steady or quasi-steady pressure of a fluid or a fluent solid material by mechanical or fluid pressure-sensitive elements in the form of elastically-deformable gauges of the flexible-diaphragm type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Claims (9)
1. Мембранный датчик давления, содержащий камеру опорного давления, которая отделена от среды, давление которой измеряют, упругой мембраной и содержит средства измерения, включающие датчик степени деформации мембраны и датчик температуры, и средства предохранения от чрезмерной деформации, отличающийся тем, что упругая мембрана изготовлена из монокристаллического кремния и прижата по ее периметру к посадочному месту камеры, причем обе контактирующие поверхности или только поверхность посадочного места камеры содержат (-ит) буферный слой толщиной от 0,7 до 2,5 мкм из поликристаллического кремния (поликремния) или из композита (твердого раствора, керамики и т.п.) с содержанием кремния не менее 15 ат. %.
2. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что композит буферного слоя на посадочной поверхности камеры содержит материал, на котором буферный слой сформирован.
3. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что хотя бы одна поверхность кремниевой мембраны содержит однослойное или многослойное вспомогательное покрытие.
4. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что мембрана выполнена круглой в плане с плоской и одинаковой толщины посадочной областью по периферии в виде плоской кремниевой пластины однородной по толщине или с заданной формой в поперечном сечении и с заданным распределением по толщине.
5. Мембранный датчик по п. 4, отличающийся тем, что мембрана имеет одну или несколько одинаковых или отличающихся формой и размерами концентрических канавок.
6. Мембранный датчик по п. 4, отличающийся тем, что мембрана выполнена с осевым поперечным сечением, содержащим области в виде меандра или синусоиды.
7. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что средства измерения степени деформации включают интегральный датчик температуры, выполненный на самой кремниевой мембране.
8. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что средства измерения степени деформации включают датчик температуры, выполненный на самой кремниевой мембране или в объеме ее материала (в теле мембраны).
9. Мембранный датчик по п. 1, отличающийся тем, что датчиком степени деформации мембраны служит резонатор Фабри-Перо, образованный закрепленным над поверхностью мембраны оптическим элементом с отполированной полупрозрачной поверхностью и полированной поверхностью кремниевой мембраны или нанесенным на ее поверхность отражающим покрытием.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020110912A RU2745007C2 (ru) | 2020-03-16 | 2020-03-16 | Мембранный датчик давления |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2020110912A RU2745007C2 (ru) | 2020-03-16 | 2020-03-16 | Мембранный датчик давления |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2020110912A true RU2020110912A (ru) | 2020-07-10 |
RU2020110912A3 RU2020110912A3 (ru) | 2020-10-09 |
RU2745007C2 RU2745007C2 (ru) | 2021-03-18 |
Family
ID=71509367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2020110912A RU2745007C2 (ru) | 2020-03-16 | 2020-03-16 | Мембранный датчик давления |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2745007C2 (ru) |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2134408C1 (ru) * | 1998-06-25 | 1999-08-10 | Акционерное общество закрытого типа "ТИМОС" | Преобразователь давления |
RU2168710C2 (ru) * | 1999-01-25 | 2001-06-10 | Иркутское высшее военное авиационное инженерное училище | Тензорезисторный датчик давления |
US6892582B1 (en) * | 1999-08-20 | 2005-05-17 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor pressure sensor and pressure sensing device |
JP4683618B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2011-05-18 | キヤノンアネルバ株式会社 | 隔膜型圧力センサ及びその製造方法 |
CN101153825A (zh) * | 2006-09-25 | 2008-04-02 | 中国计量学院 | 硅微机械谐振式微压传感器芯片的结构及制造方法 |
-
2020
- 2020-03-16 RU RU2020110912A patent/RU2745007C2/ru active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2745007C2 (ru) | 2021-03-18 |
RU2020110912A3 (ru) | 2020-10-09 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US3739315A (en) | Semiconductor transducers having h shaped cross-sectional configurations | |
RU2137099C1 (ru) | Датчик давления | |
RU2010130092A (ru) | Устройство с мембранным манометрическим элементом | |
US3266303A (en) | Diffused layer transducers | |
KR890016637A (ko) | 반도체 본체 제작방법 | |
US5656781A (en) | Capacitive pressure transducer structure with a sealed vacuum chamber formed by two bonded silicon wafers | |
EP0311613A1 (en) | PRESSURE TRANSFORMER WITH CONSTRAINED INSULATION FOR HARD MOUNTING. | |
JPS61500633A (ja) | 圧力変換器 | |
RU2008117190A (ru) | Способ нанесения покрытия из оксида алюминия на подложку, покрытую карбидом кремния | |
CN107560755A (zh) | 蓝宝石基光纤f‑p温度压力复合传感器及其制备方法 | |
FR3012604A1 (fr) | Capteur de pression comprenant une structure de controle d'une couche d'adhesif resistante aux variations de temperatures | |
JP2017211375A5 (ru) | ||
US20110041618A1 (en) | Elastic ceramic body and pressure sensor with an elastic ceramic body | |
RU2020110912A (ru) | Мембранный датчик давления | |
NO800668L (no) | Trykkoppfanger for elastiske overflateboelger | |
JPH0138256B2 (ru) | ||
JPH09318474A (ja) | センサの製造方法 | |
KR101288338B1 (ko) | 반도체 압력소자와 금속 다이아프램 구조를 이용한 압력센서 제조방법 | |
ATE411514T1 (de) | Drucksensor mit integrierter struktur | |
JP2005265784A (ja) | 金属ダイヤフラム式センサ | |
JP4151898B2 (ja) | 静電容量式圧力センサ | |
KR20130095466A (ko) | 몰드형 웨이퍼 제조용 진공척 | |
US20170044010A1 (en) | Sensor element, method for manufacturing sensor element, detection device, and method for manufacturing detection device | |
JPS62150131A (ja) | 圧力検出器 | |
US11788895B2 (en) | Microsystem and method for making a microsystem |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
HE9A | Changing address for correspondence with an applicant |