RU2017100032A - Модульная asic детектора визуализации - Google Patents
Модульная asic детектора визуализации Download PDFInfo
- Publication number
- RU2017100032A RU2017100032A RU2017100032A RU2017100032A RU2017100032A RU 2017100032 A RU2017100032 A RU 2017100032A RU 2017100032 A RU2017100032 A RU 2017100032A RU 2017100032 A RU2017100032 A RU 2017100032A RU 2017100032 A RU2017100032 A RU 2017100032A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- channels
- electronic circuits
- detector matrix
- fragment
- sub
- Prior art date
Links
- 238000012800 visualization Methods 0.000 title claims 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 15
- 239000012634 fragment Substances 0.000 claims 9
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 7
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/02—Arrangements for diagnosis sequentially in different planes; Stereoscopic radiation diagnosis
- A61B6/03—Computed tomography [CT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14663—Indirect radiation imagers, e.g. using luminescent members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/42—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis
- A61B6/4208—Arrangements for detecting radiation specially adapted for radiation diagnosis characterised by using a particular type of detector
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B6/00—Apparatus or devices for radiation diagnosis; Apparatus or devices for radiation diagnosis combined with radiation therapy equipment
- A61B6/44—Constructional features of apparatus for radiation diagnosis
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2018—Scintillation-photodiode combinations
- G01T1/20182—Modular detectors, e.g. tiled scintillators or tiled photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
- H01L27/14658—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers
- H01L27/14661—X-ray, gamma-ray or corpuscular radiation imagers of the hybrid type
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14687—Wafer level processing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/1469—Assemblies, i.e. hybrid integration
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Surgery (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Pathology (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
Claims (26)
1. Детекторная матрица (112) системы визуализации, содержащая:
плиточный детектор (116), включающий в себя:
матрицу (202) фотодатчиков, включающую в себя множество пикселов (204) фотодатчиков;
матрицу (212) сцинтилляторов, оптически соединенную с матрицей фотодатчиков; и
слой (214) электронных схем, электрически соединенный с матрицей фотодатчиков, причем слой электронных схем включает в себя множество отдельных областей (302) обработки, каждая область обработки включает в себя предварительно определенное число каналов, соответствующих подмножеству упомянутого множества пикселов фотодатчиков, при этом области обработки находятся в электрическом соединении друг с другом, и каждая область обработки включает в себя свои собственные электрические цепи (802, 804) опорного напряжения и напряжения смещения.
2. Детекторная матрица системы визуализации по п. 1, причем слой электронных схем является субфрагментом единого цельного кристалла (218), который включает в себя множество слоев электронных схем.
3. Детекторная матрица системы визуализации по п. 2, причем слой электронных схем дополнительно включает в себя:
субфрагмент области цифровых электронных схем, совместно используемый по меньшей мере двумя соседними слоями электронных схем из упомянутого множества слоев электронных схем единого цельного кристалла.
4. Детекторная матрица системы визуализации по п. 3, причем область цифровых электронных схем находится между по меньшей мере двумя из областей обработки.
5. Детекторная матрица системы визуализации по п. 4, причем область цифровых электронных схем содержит: первый субфрагмент (12021) и второй субфрагмент (12022), при этом область обработки находится между первым субфрагментом и вторым субфрагментом области цифровых электронных схем.
6. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 2-5, причем слой электронных схем дополнительно содержит:
субфрагмент области аналоговых электронных схем, совместно используемый по меньшей мере двумя соседними слоями электронных схем из упомянутого множества слоев электронных схем единого цельного кристалла.
7. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 2-6, причем единый кристалл включает в себя 512 каналов, а слой электронных схем плиточного детектора включает в себя менее 512 каналов.
8. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 2-6, причем слой электронных схем плиточного детектора включает в себя первое число каналов, при этом первое число каналов состоит из группы, состоящей из 16, 32, 64, 128 или 256 каналов, а единый кристалл включает в себя второе число каналов, при этом второе число каналов больше первого числа каналов.
9. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 1-6, причем электрические цепи опорного напряжения и напряжения смещения одной из областей обработки являются внутренними по отношению к одной из областей обработки.
10. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 1-9, причем электрические цепи опорного напряжения и напряжения смещения одной из областей обработки являются внешними по отношению к одной из областей обработки.
11. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 1-10, при этом слой электронных схем является субфрагментом изготовленного кристалла, имеющим как функциональные, так и нефункциональные каналы, при этом слой электронных схем включает в себя функциональные каналы и не включает в себя нефункциональные каналы изготовленного кристалла.
12. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 1-11, причем слой электронных схем дополнительно содержит:
преобразователь тока в частоту (I/F), который генерирует цепочку импульсов с частотой импульсов, указывающей рентгеновские фотоны, падающие на пиксел фотодатчика.
13. Детекторная матрица системы визуализации по любому из пп. 1-12, причем слой электронных схем дополнительно содержит:
по меньшей мере одно из гибкого материала, керамического материала, кремниевого материала или платы печатного монтажа.
14. Способ, содержащий:
изготовление и испытание ASIC, которая включает в себя первое число областей обработки, причем каждая область обработки включает в себя предварительно определенное число каналов и каждая область обработки включает в себя свои собственные электрические цепи опорного напряжения и напряжения смещения;
нарезание ASIC на по меньшей мере две полностью функциональные ASIC с уменьшенным числом каналов, соответственно имеющие второе и третье число каналов, при этом второе и третье число каналов меньше первого числа каналов; и
применение по меньшей мере одной из упомянутых по меньшей мере двух полностью функциональных ASIC с уменьшенным числом каналов в детекторной матрице системы визуализации.
15. Способ по п. 14, при этом упомянутые по меньшей мере две полностью функциональные ASIC с уменьшенным числом каналов включают в себя по меньшей мере один из субфрагмента области цифровых электронных схем, совместно используемого упомянутыми по меньшей мере двумя полностью функциональными ASIC с уменьшенным числом каналов перед нарезанием, или субфрагмента области цифровых электронных схем, совместно используемого упомянутыми по меньшей мере двумя полностью функциональными ASIC с уменьшенным числом каналов переднарезанием.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201462009974P | 2014-06-10 | 2014-06-10 | |
| US62/009,974 | 2014-06-10 | ||
| PCT/IB2015/053665 WO2015189728A1 (en) | 2014-06-10 | 2015-05-19 | Modular imaging detector asic |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2017100032A true RU2017100032A (ru) | 2018-07-10 |
| RU2017100032A3 RU2017100032A3 (ru) | 2018-11-15 |
| RU2686867C2 RU2686867C2 (ru) | 2019-05-06 |
Family
ID=53434405
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2017100032A RU2686867C2 (ru) | 2014-06-10 | 2015-05-19 | Модульная asic детектора визуализации |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20170186807A1 (ru) |
| EP (1) | EP3155663B1 (ru) |
| JP (1) | JP6194126B2 (ru) |
| KR (1) | KR20170016948A (ru) |
| CN (1) | CN106659451B (ru) |
| RU (1) | RU2686867C2 (ru) |
| WO (1) | WO2015189728A1 (ru) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102004987B1 (ko) * | 2012-12-11 | 2019-07-29 | 삼성전자주식회사 | 광자 계수 검출 장치 및 독출 회로 |
| US10153317B1 (en) * | 2018-04-26 | 2018-12-11 | Alentic Microscience Inc. | Image sensors comprising a chamber to confine a sample at a sensor surface of successive light sensitive subareas and non-light sensitive areas |
| CN108769498B (zh) * | 2018-08-23 | 2024-04-12 | Oppo广东移动通信有限公司 | 一种可结合的感光芯片、摄像头模组及电子设备 |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001169191A (ja) * | 1999-10-02 | 2001-06-22 | Koji Eto | 撮影装置及び撮像素子 |
| US6671345B2 (en) * | 2000-11-14 | 2003-12-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Data acquisition for computed tomography |
| AU2002225998A1 (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-27 | Philips Medical Systems (Cleveland), Inc | Data acquisition for computed tomography |
| US6510195B1 (en) * | 2001-07-18 | 2003-01-21 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same |
| JP2004008406A (ja) * | 2002-06-05 | 2004-01-15 | Toshiba Corp | 放射線検出器の製造方法、放射線検出器およびｘ線ｃｔ装置 |
| WO2006111883A2 (en) * | 2005-04-22 | 2006-10-26 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Digital silicon photomultiplier for tof-pet |
| WO2007146587A2 (en) * | 2006-06-15 | 2007-12-21 | Koninklijke Philips Electronics, N.V. | Integrated multi-channel time-to-digital converter for time-of-flight pet |
| JP2012015400A (ja) * | 2010-07-02 | 2012-01-19 | Canon Inc | 固体撮像装置 |
| JP5885401B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2016-03-15 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| JP5697371B2 (ja) * | 2010-07-07 | 2015-04-08 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置および撮像システム |
| FI124818B (fi) * | 2011-10-06 | 2015-02-13 | Advacam Oy | Hybridipikseli-ilmaisinrakenne ja tämän valmistusmenetelmä |
| US9318524B2 (en) * | 2012-04-30 | 2016-04-19 | Koninklijke Philips N.V. | Imaging detector with per pixel analog channel well isolation with decoupling |
| US9316751B2 (en) * | 2012-04-30 | 2016-04-19 | Koninklijke Philips N.V. | Imaging detector with anti-aliasing filter in the readout electronics and/or photosensor |
| DE102013200021B4 (de) * | 2013-01-02 | 2016-01-28 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Kalibrierung eines zählenden digitalen Röntgendetektors, Röntgensysteme zur Durchführung eines solchen Verfahrens und Verfahren zur Aufnahme eines Röntgenbildes |
-
2015
- 2015-05-19 CN CN201580031219.0A patent/CN106659451B/zh active Active
- 2015-05-19 RU RU2017100032A patent/RU2686867C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2015-05-19 US US15/316,533 patent/US20170186807A1/en not_active Abandoned
- 2015-05-19 WO PCT/IB2015/053665 patent/WO2015189728A1/en active Application Filing
- 2015-05-19 EP EP15730278.7A patent/EP3155663B1/en active Active
- 2015-05-19 JP JP2016570838A patent/JP6194126B2/ja active Active
- 2015-05-19 KR KR1020177000539A patent/KR20170016948A/ko unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6194126B2 (ja) | 2017-09-06 |
| US20170186807A1 (en) | 2017-06-29 |
| EP3155663B1 (en) | 2018-05-16 |
| RU2686867C2 (ru) | 2019-05-06 |
| KR20170016948A (ko) | 2017-02-14 |
| JP2017518498A (ja) | 2017-07-06 |
| WO2015189728A1 (en) | 2015-12-17 |
| CN106659451B (zh) | 2020-10-09 |
| CN106659451A (zh) | 2017-05-10 |
| EP3155663A1 (en) | 2017-04-19 |
| RU2017100032A3 (ru) | 2018-11-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20190179036A1 (en) | Radiation imaging apparatus and radiation imaging system | |
| TWI667779B (zh) | 固態成像裝置，固態成像裝置之製造方法及電子設備 | |
| US9214490B2 (en) | Solid-state imaging device | |
| EP3712945A3 (en) | Stacked backside illuminated spad array | |
| EP4290576A3 (en) | Solid state image sensor | |
| JP2014534611A5 (ru) | ||
| US20130161525A1 (en) | Radiographic image detector, radiographic imaging apparatus, radiographic imaging system | |
| JP2016052041A5 (ru) | ||
| EP3171407A1 (en) | Image sensor and electronic device including the same | |
| JP2012019057A5 (ru) | ||
| TWI456731B (zh) | 半導體裝置、固體攝像裝置及電子機器 | |
| JP2015227851A5 (ru) | ||
| ATE543334T1 (de) | Festkörper-bildsensor mit reduzierter überstrahlung und farbverwischung | |
| EP3514831A3 (en) | Solid-state image pickup apparatus and image pickup system | |
| RU2017100032A (ru) | Модульная asic детектора визуализации | |
| JP2013172203A5 (ru) | ||
| JP2014022415A5 (ru) | ||
| EP2405644A3 (en) | Solid-state imaging apparatus and imaging system | |
| EP2437484A3 (en) | Imaging device and camera system | |
| JP7174932B2 (ja) | 固体撮像素子 | |
| RU2014148174A (ru) | Детектор формирования изображения с фильтром защиты от наложения спектров в электронике считывания изображения и/или фотодатчике | |
| JP6543565B2 (ja) | 光電変換素子及び光電変換モジュール | |
| KR101613343B1 (ko) | 고체 촬상 소자 및 촬상 장치 | |
| KR101911314B1 (ko) | 엑스선 검출기 | |
| RU2014148187A (ru) | Детектор изображения с попиксельной изоляцией карманов аналоговых каналов с развязкой |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200520 |