KR20170016948A - 모듈식 이미징 검출기 asic - Google Patents

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KR20170016948A
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KR1020177000539A
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마르 앤소니 샤포
라파엘 고센
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코닌클리케 필립스 엔.브이.
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Abstract

이미징 시스템 검출기 어레이(112)는 검출기 타일(116)을 포함한다. 상기 검출기 타일은 복수의 광센서 픽셀들(204)을 포함하는 광센서 어레이(202)를 포함한다. 상기 검출기 타일은 상기 광센서 어레이에 광학적으로 결합된 신틸레이터 어레이(212)를 더 포함한다. 상기 검출기 타일은 상기 광센서 어레이에 전기적으로 결합된 기판(214) 상에 전자 층 또는 ASIC을 더 포함한다. 상기 전자 층은 복수의 개별 및 분할 가능 영역들(302)을 포함한다. 각각의 처리 영역은 복수의 광센서 픽셀들의 서브-세트에 대응하는 미리 결정된 수의 채널들을 포함한다. 상기 처리 영역들은 서로 전기적으로 통신한다. 각 처리 영역은 자체 전기 기준 및 바이어스 회로(802, 804)를 포함한다.

Description

모듈식 이미징 검출기 ASIC {MODULAR IMAGING DETECTOR ASIC}
본 발명은 일반적으로 이미징에 관한 것으로, 특히 모듈식 이미징 검출기 ASIC(Application Specific Integrated Circuit)의 적어도 하위부분를 포함하는 이미징 검출기에 관한 것이고, 특히 컴퓨터 단층촬영(computed tomography, CT)에 대한 응용에 대해 기재되어 있다. 그러나, 본 발명은 또한 다른 이미징 기법들에도 적용될 수 있다.
컴퓨터 단층촬영(CT) 스캐너는 회전 가능한 갠트리(gantry)상에 장착된 엑스레이 튜브를 포함하며, 이 갠트리는 종축 또는 z-축을 중심으로 검사 영역 주위를 회전한다. 상기 엑스레이 튜브는 상기 검사 영역과 피실험자 또는 대상을 가로지르는 이온화 방사선을 방출한다. 검출기 어레이는 상기 엑스레이 튜브로부터 상기 검사 영역에 대향하는 각 아크(angular arc)를 한정한다. 상기 검출기 어레이는 상기 검사 영역을 가로지르는 방사선을 검출하고 그 영역을 나타내는 신호를 생성한다. 재구성기는 상기 신호를 처리하고 상기 검사 영역을 나타내는 체적 이미지 데이터를 재구성한다. 상기 재구성된 체적 이미지는 추가로 처리되어 상기 검사 영역의 하나 이상의 이미지를 생성할 수 있다
상기 검출기 어레이는 광센서 어레이의 일 측에 광학적으로 결합되고 장착된 신틸레이터 어레이(scintillator array) 및 광센서 어레이의 대향 측에 장착된 ASIC을 갖는 통합 검출기(integrating detector)를 포함한다. 상기 ASIC은 감광성 픽셀들에 대한 전기적 접촉부들과 전기적 통신하는 채널들을 포함한다. 예를 들어, 64개 감광성 픽셀들을 갖는 광센서 어레이를 갖는 검출기는 64개의 대응 채널들을 갖는 ASIC을 갖는다. 일반적으로, 상기 ASIC은 예를 들어, 64, 128, 256 또는 512개 채널들을 갖는, 특정 수의 픽셀들에 최적화된다. 그러나, 이는 특정 제품 라인에 대한 ASIC의 적용 가능성을 제한한다. 예를 들어, 일반적으로 64개 채널용으로 최적화된 ASIC은 64개 광센서 픽셀들을 갖는 광센서 어레이를 갖는 검출기 어레이를 구비하는 이미징 시스템으로 제한된다.
결과적으로, 상이한 이미징 시스템 구성들에 대한 다수의 상이한 검출기 구성들(예를 들어, 64, 128, 256, 512개 등의 감광성 픽셀들)은 상응하는 다수의 상이한 최적화된 ASIC들(예를 들어, 64, 128, 256, 512개 등의 채널들)을 필요로 한다. 불행히도, 이는 제조 비효율을 초래한다. 예를 들어, 특정 ASIC의 개발에는 2년이 걸리고 각 원가는 100만 달러를 초과할 수 있으며, 각 ASIC은 특수 테스트 장비로 특성화되고 적합하게 된다. 다른 예에서, 테스트시 부적절하게 기능하는 채널들을 갖는 ASIC(128 감광성 픽셀 검출기에 대해 최적화된)은 폐기되어, 전체 수율을 낮춘다. 상기 비효율들을 극복하기 위한 방법은 단지 모든 이미징 시스템 구성에 더 고급의 ASIC들(예를 들어, 512개 채널들)을 사용하는 것이다. 불행히도, 이는 더 저급(예를 들어, 512개 미만의 광센서 픽셀) 이미징 시스템들에 있어서 크기 및 비용이 매우 높을 수 있다.
본 명세서에 기술된 양태들은 상기 참조된 문제들과 다른 문제들을 다룬다.
다음은 서로 다른 검출기 구성(예를 들어, 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128, 256, 512, 1024개 등의 픽셀들)에서 사용할 수 있는 하나 이상의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들로 나눌 수 있는 단일 모듈식 ASIC에 대해 설명한다. 이 방법으로는, 더 많은 수의 채널(예를 들어, 512개 또는 그 이상의 채널)을 가진 ASIC을 제작하고(예를 들어, 0.05 마이크론에서 0.20 마이크론의 작은 피쳐(feature) 크기로) 테스트 한 다음, 고해상도 검출기에서 사용하거나 물리적으로 분리하여 더 낮은 해상도 또는 더 낮은 픽셀 카운트 검출기를 위한 하나 이상의 감소된 채널 ASIC들(예를 들어, 64개 채널)을 생성할 수 있다. 결과적으로, 다른 수의 채널을 가진 ASIC들은 단일 제작으로 생산될 수 있으며, 상기 서로 다른 검출기 구성들에서 비용과 크기를 모두 최적화할 수 있다.
한 양태에 있어서, 이미징 시스템 검출기 어레이는 검출기 타일을 포함한다. 상기 검출기 타일은 복수의 광센서 픽셀들을 포함하는 광센서 어레이를 포함한다. 상기 검출기 타일은 상기 광센서 어레이에 광학적으로 결합된 신틸레이터 어레이를 더 포함한다. 상기 검출기 타일은 상기 광센서 어레이에 전기적으로 결합된 전자 층을 더 포함한다. 상기 전자 층은 복수의 개별 처리 영역을 포함한다. 각각의 처리 영역은 복수의 광센서 픽셀들의 서브-세트에 대응하는 미리 결정된 수의 채널들을 포함한다. 상기 처리 영역들은 서로 전기적으로 통신한다. 각 처리 영역은 자체 전기 기준 및 바이어스 회로를 포함한다.
다른 양태에서, 방법은 제 1 수의 처리 영역들을 포함하는 ASIC을 제조하고 테스트하는 단계를 포함한다. 각 처리 영역은 미리 결정된 수의 채널들을 포함한다. 각 처리 영역은 자체 전기 기준 및 바이어스 회로를 포함한다. 상기 방법은 상기 ASIC을 각각 제 2 수 및 제 3 수의 채널들을 갖는 적어도 두 개의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들로 다이싱하는 단계를 포함한다. 제 2 수 및 제 3 수의 채널들은 제 1 수의 채널들보다 적다. 상기 방법은 이미징 시스템의 검출기 어레이에 상기 적어도 두 개의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들 중 적어도 하나를 이용하는 단계를 더 포함한다.
또 다른 양태에서, 이미징 검출기 타일용 ASIC은 복수의 개별 처리 영역들을 포함하며, 각 처리 영역은 상기 검출기 타일의 복수의 광센서 픽셀들의 서브-세트에 대응하는 미리 결정된 수의 채널들을 포함하고, 상기 처리 영역들은 서로 전기적으로 통신하며, 각 처리 영역은 자체 전기 기준 및 바이어스 회로를 포함한다.
본 발명은 다양한 구성요소들 및 구성요소들의 배열과, 다양한 단계들 및 단계들의 배열의 형태를 취할 수 있다. 도면은 단지 바람직한 실시예들을 설명할 목적을 위한 것이며, 본 발명을 제한하는 것으로 해석되어서는 안 된다.
도 1은 하나 이상의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들로 나눌 수 있는 단일 모듈식 ASIC의 적어도 하나의 하위-부분을 포함하는 검출기 어레이를 갖는 예시적인 이미징 시스템을 개략적으로 도시한 도면.
도 2는 상기 단일 모듈식 ASIC을 포함하는 예시적인 검출기 타일을 개략적으로 도시한 도면.
도 3은 MxN 처리 영역들을 갖는 상기 단일 모듈식 ASIC의 일례를 개략적으로 도시한 도면.
도 4는 4개의 (M=N=2 또는 2x2) 처리 영역들과 디지털 및 아날로그 영역들을 갖는 상기 단일 모듈식 ASIC의 예를 개략적으로 도시한 도면.
도 5는 도 4의 상기 단일 모듈식 ASIC으로부터 감소된 채널 ASIC을 다이싱 하는 예를 개략적으로 도시한 도면.
도 6은 도 4의 상기 단일 모듈식 ASIC으로부터 감소된 채널 ASIC을 다이싱 하는 다른 예를 개략적으로 도시한 도면.
도 7은 도 4의 상기 단일 모듈식 ASIC으로부터 감소된 채널 ASIC을 다이싱 하는 또 다른 예를 개략적으로 도시한 도면.
도 8은 각 처리 영역이 자체 내부 기준 및 바이어스 회로를 포함하는 상기ASIC의 예를 개략적으로 도시한 도면.
도 9는 ASIC가 다이싱된 도 8의 상기 ASIC을 개략적으로 도시한 도면.
도 10은 ASIC의 금속 층들을 도시하는 상기 ASIC의 측면도를 개략적으로 도시한 도면.
도 11은 상기 ASIC의 처리 영역들을 가로지르는 전기적 연결들을 도시하는, 상기 ASIC의 수직도(top down view)를 개략적으로 도시한 도면.
도 12는 상기 처리 영역들이 디지털 영역들 사이에 위치되는 도 4의 변형을 개략적으로 도시한 도면.
도 13은 상기 기준 및 바이어스 회로가 상기 처리 영역들의 외부에 있는 도 8의 변형을 개략적으로 도시한 도면.
도 14는 본 명세서에 개시된 시스템에 따른 방법을 도시하는 도면.
도 1은 컴퓨터 단층촬영(CT) 스캐너와 같은 이미징 시스템(100)을 도시한다. 상기 이미징 시스템(100)은 일반적으로 고정된 갠트리(generally stationary gantry)(102) 및 회전 갠트리(104)를 포함한다. 상기 회전 갠트리(104)는 상기 고정 갠트리(102)에 의해 회전 가능하게 지지되며, 종축 또는 z-축을 중심으로 검사 영역(106) 둘레를 회전한다. 엑스레이 튜브와 같은 방사선 소스(108)는 상기 회전 갠트리(104)에 의해 지지되고 상기 회전 갠트리(104)와 함께 회전하고 상기 검사 영역(106)을 가로지르는 방사선을 방출한다.
방사선 감지 검출기 어레이(112)는 상기 검사 영역(106)을 가로지르는 방사선 소스(들)(108)에 대향하는 각 아크(angular arc)를 정하고, 상기 검사 영역(106)을 가로지르는 방사선을 검출한다. 상기 방사선 감지 검출기 어레이(112)는 상기 z-축을 가로지르는 방향을 따라 서로에 대해 배열된 복수의 검출기 모듈들(114)을 포함한다. 상기 검출기 모듈(114)은 상기 z-축을 따라 서로에 대해 배열된 복수의 검출기 모자이크 또는 타일(116)을 포함한다. 이러한 검출기 어레이의 비-제한적 예는 2001년 7월 18일자로 출원되었고, 발명의 명칭이 "고체 X-방사선 검출기 모듈들과 그 모자이크, 및 이를 이용하는 이미징 방법 및 장치"인 미국 특허 6,510,195B1에 기재되어 있으며, 이는 본 명세서에 그 전체가 참조로서 포함되어 있다.
간략히 도 2를 참조하면, 검출기 타일(116)의 예가 개략적으로 도시되어 있다. 상기 검출기 타일(116)은 제 1 측면(208) 상에 복수의 감광성 픽셀들(204)을 포함하는 광센서 층(202)을 포함하는 통합 검출기이다. 상기 도시된 광센서 층(202)은 상기 광센서(202)의 제 2 대향 측면(210) 상에 위치된 본딩 패드들 또는 그와 유사한 것들(보이지 않음)과 상기 감광성 픽셀들(204)을 상호 연결하는 전극들(보이지 않음)을 통해 배면-조명된다. 변형에 있어서, 상기 광센서(202)는 신호를 상기 제 1 측면(208)으로부터 대향 측면(210)상의 상기 패드들로 라우팅하는 바이어들(vias)(관통 실리콘 바이어들(TSVs)을 포함하지만 이에 한정되지는 않음)을 통한 전면-조명형 광센서일 수 있다. 다른 변형 예에서, 상기 검출기 타일(116)은 각각이 상이한 광자 에너지 범위에 민감한 다수의 신틸레이터/광센서 쌍들을 갖는 다층, 스펙트럼(다중 에너지)검출기 타일일 수 있다.
상기 검출기 타일(116)은 신틸레이터 층(212)을 더 포함한다. 상기 신틸레이터 층(212)은 단일 층이거나 복수의 신틸레이터 픽셀들(픽셀화된)을 포함할 수 있다. 후자의 경우에, 상기 신틸레이터 층(212)은 신틸레이터 픽셀과 감광 영역(204) 사이의 1:1 관계에 대한 다수의 감광 영역들에 대응하는 다수의 신틸레이터 픽셀들을 포함할 수 있다. 또 다른 경우에서, 상이한 신틸레이터 픽셀들은 상기 감광 영역들(204)의 상이한 서브-그룹들에 대응할 수 있다. 상기 신틸레이터 층(212)은 상기 광센서(202)에 광학적으로 결합된다.
상기 검출기 타일(116)은 상기 감광성 픽셀들(204)의 상기 본딩 패드들과 결합하는 전기 전도성 패드들(216)을 갖는 전자 층(예를 들어, ASIC)(214)을 더 포함한다. 상기 ASIC 또는 기판(214)상의 ASIC은 디지털 및 아날로그 회로와 함께 상기 감광성 픽셀들(204) 각각에 대한 채널을 포함한다. 이러한 회로는 검출기 픽셀에 입사하는 엑스선 광자를 나타내는 펄스 주파수를 갖는 일련의 펄스들을 생성하는 전류-대-주파수(I/F) 변환기로서 구현되는 A/D 변환기를 포함한다. 이러한 변환기의 예는 2001년 11월 7일자로 출원되었고 발명의 명칭이 "컴퓨터 단층촬영(CT)을 위한 데이터 수집"인 Vrettos 등의 미국 특허 6,671,345B2에 기재되어 있으며, 이 전체 내용은 본 명세서에 참고로 포함되어 있고, "멀티슬라이스 단층촬영을 위한 새로운 2D-타일식 검출기(A New 2D-Tiled Detector for Multislice CT)" Luhta 외, Medical Imaging 2006: Physics of Medical Imaging, Vo1. 6142, pp. 275-286 (2006)에 기재되어 있다.
도시된 상기 ASIC 또는 기판(214)상의 ASIC은 상이한 검출기 구성들(예를 들어, 1, 2, 8, 16, 32, 64, 128, 256, 512, 1024개 등의 광센서 픽셀들)에서 사용될 수 있는 하나 이상의 감소된 채널 ASIC들로 나눌 수 있는 하나의 단일 다이(218)를 갖는 모듈식 ASIC이다. 상기 하나의 단일 다이(218)는 플렉스(flex), 세라믹, 실리콘 등의 재료, 인쇄 회로 기판(PCB) 등 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 하기에 보다 상세하게 기술되는 바와 같이, 상기 하나의 단일 다이(218)는 전자 장치로 채워져, 개별적인 감소된 채널 ASIC들은 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들이 될 적합한 전자 장치들을 포함한다. 이와 같이, 제조 비효율은 단일 모듈식 ASIC(218)을 제조 및 테스트하고 이로부터 원하는 채널 크기 ASIC들(218)을 생산함으로써, 저급 시스템들에 크기 및 비용이 많이 드는 제약을 초래하지 않고 완화될 수 있다.
이러한 방법은 또한 기판(214)상의 ASIC 또는 전체 ASIC을 폐기하는 대신, 부적절하게 기능하는 채널들을 갖는 ASIC(218)이 다이싱되어 적절하게 기능하는 채널을 갖는 감소된 채널 ASIC을 생산할 수 있기 때문에 수율을 향상시킬 수 있다. 일반적으로, ASIC 채널들의 수는 검출 채널들의 수에 맞아야 각 광다이오드가 하나의 전치증폭기(preamplifier)에 연결된다. 만약 상기 ASIC가 더 많은 채널들을 갖는 경우, 흔히 이미 밀도가 높은 지역에서, 더 많은 전력 소비와 물리적 공간을 필요로 한다. 어떤 경우에 있어서는, 특정 크기의 ASIC(예를 들어, 512개 채널)이 제조되고 적합하게 되며, 그리고 후에 512개 채널 또는 256, 128 또는 64개 채널 ASIC들과 같은 서브 유닛들을 생산하는데 사용된다. 이것은, 예를 들어, 한 가지 유형의 ASIC의 많은 사용으로 인해 직접 비용절감 및 간접 비용 절감을 초래할 수 있다. 기본 ASIC은 여러 유형의 검출기들을 제공할 것이며, 각 유형은 다른 수의 입력 채널들을 갖는다.
도 1로 돌아가서, 침상과 같은 환자 지지체(118)는 검사 영역(106)에서 인간 환자와 같은 피실험자 또는 대상을 지지한다. 상기 환자 지지체(118)는 상기 피실험자 또는 대상을 스캐닝하기 전에, 동안 및/또는 이후에, 상기 피실험자 또는 대상을 상기 검사 영역(106) 안 및/또는 밖으로 이동시키도록 구성된다. 재구성기(120)는 상기 검출기 어레이(112)로부터 신호를 재구성하고 그것을 나타내는 체적 이미지 데이터를 생성한다. 상기 체적 이미지 데이터는 디스플레이를 통해 제공되거나, 촬영되거나, 그렇지 않으면 출력될 수 있는 하나 이상의 이미지를 생성하도록 추가로 처리될 수 있다.
범용 컴퓨팅 시스템은 조작자 콘솔(operator console; 122)로서 기능한다. 상기 콘솔(122)은 시스템(100)에 로컬 또는 원격인 컴퓨터 판독 가능 저장 매체에 저장되거나 인코딩된 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 명령들(소프트웨어)을 실행하는 하나 이상의 프로세서들을 포함한다. 상기 콘솔(122)에 내재하는 소프트웨어는 조작자가 상기 시스템(100)의 동작을 제어하여 스캐닝 등을 개시하게 한다. 상기 콘솔(122)은 또한 디스플레이와 같은 출력 장치 및 키보드, 마우스, 터치 스크린 등과 같은 입력 장치를 포함한다.
도 3은 단일 모듈식 ASIC 또는 기판(214)상의 ASIC의 예를 개략적으로 도시한다. 상기 ASIC(218)은 개별적으로 그리고 독립적으로 완전히 기능하는 처리 영역들(302)을 포함한다. 각 처리 영역(302)은 감광성 픽셀들(204)(도 2)과 인터페이스하는 채널들 및 상기 감광성 픽셀들(204)에 의해 생성되고 이로부터 얻어진 전기 신호들을 처리하는 회로를 포함한다.
도시된 실시예에서, 상기 처리 영역들(302)은 상기 ASIC의 공통 또는 공유 영역 내에 존재하는 분할 영역(304)(도 3에서 가상의 점선으로 그려짐), 예를 들어, 처리 영역들(302)을 통해 공유되는 공유된 아날로그 및/또는 디지털 영역들에 의해 서로 분리된다. 도 3에서, N 및 M이 양의 정수인 N 개의 행과 M 개의 열의 처리 영역들(302)이 있다.
도 4는 N=M=2에 대한 도 3의 상기 ASIC(218)을 도시한다. 도 4에서, 상기 처리 영역들(3021, 3022, 3023, 및 3024) 각각은 J개 채널들의 어레이(402)(J는 양의 정수) 및 공통 디지털 영역(406)의 하위-부분(404) 및 공통 아날로그 영역(410)의 하위-부분(408)를 포함한다. 상기 분할 영역들(304)은 상기 공통 디지털 영역(406) 및 상기 공통 아날로그 영역(410) 내에 있다.
도 5를 참조하면, 상기 처리 영역들(302) 중 하나(즉, 처리 영역 3021)는 다이싱되어 상기 단일 모듈식 ASIC (214)로부터 분리되어 도시된다. 상기 ASIC(218) 다이는 예를 들어, 레이저 절단, 기계적 톱질, 스크라이빙(scribing) 및 브레이킹(breaking), 및/또는 다른 다이싱에 의해 다이싱되어, ASIC 제조 분야의 당업자에게 제공된다. 상기 ASIC 다이의 작은 비율은 다이싱으로 인해 손실된다, 예를 들어, 약 150 마이크론 이하. 그러나, 필요한 경우, 상기 ASIC(218)은 이를 고려하여 제조될 수 있다.
도 5에서, 상기 ASIC(218)은 상기 분할 영역들(304) 내에서 다이싱된다. 상기 단일 모듈식 ASIC(218)은 다이싱 전에 각각이 J 개 채널들을 갖는 4개의 처리 영역들(302)을 포함하여, 4J 광센서 픽셀 어레이에 4J 개 채널들을 제공한다. 상기 다이싱된 처리 영역(3021)은 J 개 픽셀 광센서 픽셀 어레이에 J 개 채널들을 제공한다. 상기 단일 모듈식 ASIC(218)의 나머지는 3J 개 픽셀 광센서 픽셀 어레이와 함께 사용될 수 있거나, 3개의 추가 J 채널 ASIC들 또는 다른 J 채널 ASIC 및 2J 채널 ASIC을 제공하도록 더 다이싱될 수 있다.
도 6에서, 상기 단일 모듈식 ASIC(218)로부터 다이싱된 한 쌍의 인접한 처리 영역들(302)이 도시되어 있다. 도 6에서, 상기 ASIC(218)은 상기 공통 아날로그 회로(408) 내의 상기 분할 영역(304) 내에서 다이싱되어 2J 광센서 픽셀 어레이를 위한 2J 채널들이 된다. 상기 단일 모듈식 ASIC(214)의 나머지는 2J 광센서 픽셀 어레이와 함께 사용될 수 있거나 2개의 J 채널 ASIC들을 제공하도록 더 다이싱될 수 있다.
도 7에서, 상기 단일 모듈식 ASIC(218)로부터 다이싱된 다른 쌍의 인접 처리 영역들(302)이 도시되어 있다. 도 7에서, 상기 ASIC(218)은 상기 공통 디지털 회로(404) 내의 분할 영역(304) 내에서 다이싱되고, 2J 광센서 픽셀 어레이에 대해 2J 채널들이 된다. 상기 단일 모듈식 ASIC(218)의 나머지는 2J 광센서 픽셀 어레이와 함께 사용될 수 있거나 2개의 J 채널 ASIC들을 제공하기 위해 더 다이싱될 수 있다.
도 8은 상기 ASIC(218)의 일례를 개략적으로 도시하며, 여기서 각각의 나눌 수 있는 처리 영역들(302)은 상기 처리 영역들(302) 내부에 자체 기준 회로(802) 및 바이어스 회로(804)를 포함한다. 이와 같이, 상기 ASIC(218)은 똑같은 기준 회로(802) 및 바이어스 회로(804)를 포함할 것이다. 이러한 구성으로, 상기 ASIC 다이를 다이싱하는 것은 도 5에 도시된 바와 같이(또는 다른 방법으로), 도 9에 도시된 바와 같이 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들(902)을 만든다.
도 10 및 도 11은 각각 상기 ASIC(218)의 두 처리 영역들(3021 및 3022)의 측면도 및 수직도(1200 및 1300)를 도시한다. 상기 ASIC(218)은 다이 기판(1202) 및 금속화 층들(1004)로 통칭되는 복수의 금속화 층들(10041, 10042, 10043, 10044, ..., 1004k)(k 는 양의 정수)을 포함한다. 패시베이션 층들(1006)은 상기 금속화 층들 사이에 있다.
바이어들(1008)은 상기 금속화 층들(1004)과 상기 기판(1002) 사이의 전기 접속을 위한 경로들을 제공한다. 전기 경로들(104)은 상기 분할 영역(304)을 가로 지른다. 일반적으로, 상기 2개의 처리 영역들(3021, 3022) 사이를 가로지르는 전기 경로들(1104)의 폭(1102)과 상기 금속화 층들(1004) 사이의 간격은 다이싱이 엣지들에서의 전기적 접속을 비-기능적이 되지 않도록 적절한 크기가 된다.
도 12는 상기 처리 영역들(302)이 상기 처리 영역들(302) 사이에 있는(즉, 샌드위치) 상기 디지털 회로(406) 대신에, 상기 디지털 영역의 제 1 및 제 2 하위-부분들(12021 및 12022) 사이에 위치하는(즉, 샌드위치된) 도 4의 상기 ASIC의 변형을 도시한다.
도 13은 상기 기준 회로(802) 및 바이어스 회로(804)가 상기 처리 영역들(302)의 외부에 있는 도 8의 변형을 개략적으로 도시한다. 각 처리 영역들(302)은 외부의 상기 기준 회로(802) 및 바이어스 회로(804)에 대한 전기 접촉부들(1302 및 1304)을 포함한다. 다른 변형에 있어서, 처리 영역(302)에 대한 상기 기준 회로(802) 또는 바이어스 회로(804) 중 적어도 하나는 상기 처리 영역(302) 내부에 있고(도 8), 처리 영역(302)에 대한 적어도 하나의 상기 기준 회로(802) 또는 바이어스 회로(804)는 상기 처리 영역(302)의 외부에 있다(도 13).
도 14는 본 명세서의 설명에 따른 예시적인 방법을 도시한다.
여기에서 기술된 상기 방법에서의 단계(act)의 순서는 제한되지 않는다. 이와 같이, 다른 순서들이 여기서 고려된다. 게다가, 하나 이상의 단계들이 생략될 수도 있으며 및/또는 하나 이상의 추가의 단계들이 포함될 수도 있다.
단계 1402에서, 소정의 제 1 수의 채널들 및 각 자체 전기 기준과 바이어스 회로를 포함하는 다수의 처리 영역들을 포함하는 ASIC이 제조되고 테스트된다. 여기에 기재된 대로, 상기 ASIC은 단일 모듈식 ASIC이며, 하나 이상의 감소된 채널 ASIC들로 나눌 수 있는 하나의 단일 다이를 갖는다.
단계 1404에서, 상기 ASIC은 각각 제 2 수 및 제 3 수의 채널들을 갖는 적어도 두 개의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들로 분할되며, 여기서 제 2 수 및 제 3 수의 채널들은 제 1 수의 채널들보다 적다.
단계 1406에서, 적어도 두 개의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들 중 적어도 하나는 이미징 시스템의 검출기 어레이에 사용된다.
단계 1408에서, 피실험자 또는 대상은 상기 이미징 시스템으로 스캐닝된다.
본 발명은 바람직한 실시예들을 참조하여 기술되었다. 앞선 상세한 설명을 읽고 이해한다면 수정들과 변경들이 당업자에게 떠오를 수 있다. 본 발명은 그러한 모든 수정들과 변경들이 첨부된 청구범위 또는 그 등가물들의 범위 내에 있는 한 그 수정들과 변경들을 포함하도록 의도된다.

Claims (31)

  1. 이미징 시스템 검출기 어레이(112)에 있어서:
    검출기 타일(116)을 포함하고, 상기 검출기 타일은:
    복수의 광센서 픽셀들(204)을 포함하는 광센서 어레이(202);
    상기 광센서 어레이에 광학적으로 결합된 신틸레이터 어레이(scintillator array; 212); 및
    상기 광센서 어레이에 전기적으로 결합된 전자 층(214)으로서, 상기 전자 층은 복수의 개별 처리 영역들(302)을 포함하며, 각각의 처리 영역은 상기 복수의 광센서 픽셀들의 서브-세트에 대응하는 미리 결정된 수의 채널들을 포함하고, 상기 처리 영역들은 서로 전기적으로 통신하고, 각각의 처리 영역은 자체 전기 기준 및 바이어스 회로(802, 804)를 포함하는, 상기 전자 층(214)을 포함하는, 이미징 시스템 검출기 어레이.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 전자 층은 복수의 전자 층들을 포함하는 하나의 단일 다이(218)의 하위-부분 인, 이미징 시스템 검출기 어레이.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 전자 층은:
    상기 하나의 단일 다이의 상기 복수의 전자 층들의 적어도 두 개의 인접한 전자 층들에 의해 공유되는 디지털 전자 영역의 하위-부분을 더 포함하는, 이미징 시스템 검출기 어레이.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 디지털 전자 영역은 적어도 두 개의 상기 처리 영역들 사이에 존재하는, 이미징 시스템 검출기 어레이.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 디지털 전자 영역은 제 1 하위-부분(12021)과 제 2 하위-부분(12022)을 포함하고, 상기 처리 영역은 상기 디지털 전자 영역의 상기 제 1 하위-부분과 상기 제 2 하위-부분 사이에 존재하는, 이미징 시스템 검출 어레이.
  6. 제 2 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 층은 상기 하나의 단일 다이의 상기 복수의 전자 층들 중 적어도 두 개의 인접한 전자 층들에 의해 공유되는 아날로그 전자 영역의 하위-부분을 더 포함하는, 이미징 시스템 검출 어레이.
  7. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 단일 다이는 512개 채널을 포함하고, 상기 검출기 타일의 전자 층은 512개 미만의 채널을 포함하는, 이미징 시스템 검출기 어레이.
  8. 제 2 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 검출기 타일의 전자 층은 제 1 수의 채널들을 포함하고, 상기 제 1 수의 채널들은 16, 32, 64, 128, 또는 256개 채널들로 이루어진 그룹으로부터 얻어지고, 상기 단일 다이는 제 2 수의 채널들을 포함하고, 채널들의 상기 제 2 수는 채널들의 상기 제 1 수보다 큰, 이미징 시스템 검출기 어레이.
  9. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 영역들 중 하나의 상기 전기 기준 및 바이어스 회로는 상기 처리 영역들 중 하나의 내부에 있는, 이미징 시스템 검출기 어레이.
  10. 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 처리 영역들 중 하나의 상기 전기 기준 및 바이어스 회로는 상기 처리 영역들 중 하나의 외부에 있는, 이미징 시스템 검출기 어레이.
  11. 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 층은 기능 및 비기능 채널들을 둘다 갖는 제조된 다이의 하위-부분이고, 상기 전자 층은 상기 기능 채널들을 포함하고 상기 제조된 다이의 상기 비기능 채널들을 포함하지 않는, 이미징 시스템 검출기 어레이.
  12. 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 층은, 광센서 픽셀에 입사하는 X선 광자를 나타내는 펄스 주파수를 갖는 일련의 펄스들을 생성하는 전류-대-주파수(I/F) 변환기를 더 포함하는, 이미징 시스템 검출기 어레이.
  13. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전자 층은,
    플렉스 재료(flex material), 세라믹 재료, 실리콘 재료, 또는 인쇄 회로 기판 중 적어도 하나를 더 포함하는, 이미징 시스템 검출기 어레이.
  14. 방법에 있어서:
    제 1 수의 처리 영역들을 포함하는 ASIC을 제조하고 테스트하는 단계로서, 각각의 처리 영역이 미리 결정된 수의 채널들을 포함하고, 각각의 처리 영역이 자체 전기 기준 및 바이어스 회로를 포함하는, 상기 ASIC을 제조하고 테스트하는 단계;
    상기 ASIC을 각각 제 2 수 및 제 3 수의 채널들을 갖는 적어도 두 개의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들로 다이싱하는 단계로서, 채널들의 상기 제 2 수 및 상기 제 3 수는 채널들의 상기 제 1 수보다 적은, 상기 다이싱하는 단계; 및
    이미징 시스템의 검출기 어레이에 상기 적어도 두 개의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들 중 적어도 하나를 사용하는 단계를 포함하는, 방법.
  15. 제 14 항에 있어서,
    상기 ASIC을 레이저, 기계 톱, 또는 스크라이브(scribe) 중 하나를 사용하여 다이싱하는 단계를 더 포함하는, 방법.
  16. 제 14 항 또는 제 15 항에 있어서,
    상기 다이싱하는 단계는 상기 ASIC의 재료의 양을 제거하고, 상기 양은 150 마이크론 이하인, 방법.
  17. 제 14 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 두 개의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들은 다이싱 전에 상기 적어도 두 개의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들에 의해 공유되는 디지털 전자 영역의 하위-부분 또는 다이싱 전에 상기 적어도 두 개의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들에 의해 공유되는 디지털 전자 영역의 하위-부분 중 적어도 하나를 포함하는, 방법.
  18. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 ASIC은 512개 채널들을 포함하고, 상기 적어도 두 개의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들은 512개 미만의 채널들을 포함하는, 방법.
  19. 제 14 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적어도 두 개의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC은 각각 제 1 수의 채널들 및 제 2 수의 채널들을 포함하고, 상기 ASIC은 제 3 수의 채널들을 포함하며, 채널들의 상기 제 3 수는 채널들의 상기 제 1 수 및 제 2 수보다 큰, 방법.
  20. 이미징 검출기 타일(116)용 ASIC(218)에 있어서:
    복수의 개별 처리 영역들(302)로서, 각각의 처리 영역은 상기 검출기 타일의 복수의 광센서 픽셀들의 서브-세트에 대응하는 미리 결정된 수의 채널들을 포함하며, 상기 처리 영역들은 서로 전기적으로 통신하고, 각각의 처리 영역은 자체 전기 기준 및 바이어스 회로(802,804)를 포함하는, 상기 복수의 개별 처리 영역들(302)을 포함하는, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
  21. 제 20 항에 있어서,
    상기 복수의 개별 처리 영역들의 각각은 하나의 단일 다이(218)의 하위-부분을 더 포함하는, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 복수의 개별 처리 영역들 중 적어도 두 개에 의해 공유되는 디지털 전자 영역을 더 포함하는, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 복수의 개별 처리 영역들 중 적어도 두 개에 의해 공유되는 아날로그 전자 영역을 더 포함하는, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
  24. 제 21 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 하나의 다이는 512개 채널들을 포함하고 상기 복수의 개별 처리 영역들은 512개 미만의 채널들을 포함하는, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
  25. 제 21 항 내지 제 23 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 개별 처리 영역들은 제 1 수의 채널들을 포함하고, 상기 제 1 수의 채널들은 16, 32, 64, 128, 또는 256개 채널들로 이루어진 그룹으로부터 얻어지며, 상기 단일 다이는 제 2 수의 채널들을 포함하고, 채널들의 상기 제 2 수는 채널들의 상기 제 1 수보다 큰, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
  26. 제 20 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 개별 처리 영역들 중 하나의 상기 전기 기준 및 바이어스 회로는 상기 복수의 개별 처리 영역들 중 하나의 내부에 있는, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
  27. 제 20 항 내지 제 25 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 개별 처리 영역들 중 하나의 전기 기준 및 바이어스 회로는 상기 복수의 개별 처리 영역들 중 하나의 외부에 있는, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
  28. 제 20 항 내지 제 27 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 복수의 개별 처리 영역들은 하나 이상의 완전히 기능하는 감소된 채널 ASIC들로 나누어질 수 있는, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
  29. 제 28 항에 있어서,
    상기 복수의 개별 처리 영역들은 제 1 해상도 또는 제 1 픽셀 카운트 검출기의 일부이고, 하나 이상의 제 2 해상도 또는 제 2 픽셀 카운트 검출기들로 나누어질 수 있으며, 상기 제 1 해상도는 상기 제 2 해상도보다 크거나 또는 상기 제 1 픽셀 카운트는 상기 제 2 픽셀 카운트보다 큰, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
  30. 제 20 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,
    0.05 마이크론 내지 0.20 마이크론 범위의 크기를 갖는 적어도 하나의 피처(feature)를 더 포함하는, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
  31. 제 20 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,
    광센서 픽셀에 입사하는 X선 광자를 나타내는 펄스 주파수를 갖는 일련의 펄스들을 생성하는 전류-대-주파수(I/F) 변환기를 더 포함하는, 이미징 검출기 타일용 ASIC.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102004987B1 (ko) * 2012-12-11 2019-07-29 삼성전자주식회사 광자 계수 검출 장치 및 독출 회로
US10153317B1 (en) * 2018-04-26 2018-12-11 Alentic Microscience Inc. Image sensors comprising a chamber to confine a sample at a sensor surface of successive light sensitive subareas and non-light sensitive areas
CN108769498B (zh) * 2018-08-23 2024-04-12 Oppo广东移动通信有限公司 一种可结合的感光芯片、摄像头模组及电子设备

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001169191A (ja) * 1999-10-02 2001-06-22 Koji Eto 撮影装置及び撮像素子
US6671345B2 (en) * 2000-11-14 2003-12-30 Koninklijke Philips Electronics N.V. Data acquisition for computed tomography
AU2002225998A1 (en) * 2000-11-14 2002-05-27 Philips Medical Systems (Cleveland), Inc Data acquisition for computed tomography
US6510195B1 (en) 2001-07-18 2003-01-21 Koninklijke Philips Electronics, N.V. Solid state x-radiation detector modules and mosaics thereof, and an imaging method and apparatus employing the same
JP2004008406A (ja) * 2002-06-05 2004-01-15 Toshiba Corp 放射線検出器の製造方法、放射線検出器およびｘ線ｃｔ装置
BRPI0610720B1 (pt) * 2005-04-22 2018-01-16 Koninklijke Philips N. V. “pixel detector para uso em conjunto com um cintilador que converte uma partícula de radiação para uma rajada de luz, detector de radiação, sistema de geração de imagem de tomografia por emissão de pósitron de duração de trajetória (tof-pet), 5 método executado em conjunto com um cintilador que converte uma partícula de radiação para uma rajada de luz, e detector de radiação que inclui um cintilador e circuitos”
EP2033017B1 (en) * 2006-06-15 2015-08-26 Koninklijke Philips N.V. Integrated multi-channel time-to-digital converter for time-of-flight pet
JP2012015400A (ja) * 2010-07-02 2012-01-19 Canon Inc 固体撮像装置
JP5885401B2 (ja) * 2010-07-07 2016-03-15 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
JP5697371B2 (ja) * 2010-07-07 2015-04-08 キヤノン株式会社 固体撮像装置および撮像システム
FI124818B (fi) * 2011-10-06 2015-02-13 Advacam Oy Hybridipikseli-ilmaisinrakenne ja tämän valmistusmenetelmä
EP2845229B1 (en) * 2012-04-30 2021-07-07 Koninklijke Philips N.V. Imaging detector with anti-aliasing filter in the readout electronics and/or photosensor
WO2013164717A1 (en) * 2012-04-30 2013-11-07 Koninklijke Philips N.V. Imaging detector with per pixel analog channel well isolation with decoupling
DE102013200021B4 (de) * 2013-01-02 2016-01-28 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Kalibrierung eines zählenden digitalen Röntgendetektors, Röntgensysteme zur Durchführung eines solchen Verfahrens und Verfahren zur Aufnahme eines Röntgenbildes

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