RU2016101577A

RU2016101577A - Система шиммирования для магнитно-резонансного гибридного сканера

Info

Publication number: RU2016101577A
Application number: RU2016101577A
Authority: RU
Inventors: Джеффри Эдвард ЛИЧ; Филип Александер ЙОНАС; Йоханнес Адрианус ОВЕРВЕГ; Виктор МОХНАТЮК
Original assignee: Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date: 2013-06-21
Filing date: 2014-06-19
Publication date: 2017-07-26
Also published as: EP3011354B1; RU2016101577A3; CN105324678A; US20200246636A1; JP6419797B2; EP3011354A1; JP2016526968A; WO2014203190A1; US11291860B2; CN105324678B; US10661098B2; RU2655476C2; BR112015031516A2; US20160144200A1

Claims

1. Магнитно-резонансный (MR) аппарат (100, 700), содержащий:

часть (102) корпуса, содержащую полость (106), имеющую первый и второй концы (105) и по меньшей мере одно отверстие (104), расположенное на первом или втором концах, полость, определяющую продольную ось (LA), проходящую между первым и вторым концами;

по меньшей мере один основной магнит для формирования основного магнитного поля, содержащего, по существу, однородное магнитное поле внутри полости;

центральный элемент шиммирования (CS) (114), образующий кольцо, имеющее противоположные края (131) и расположенное вдоль длины продольной оси полости; и

множество дискретных элементов шиммирования (DS) (112, 113), расположенных между CS и по меньшей мере первым или вторым концом.

2. Аппарат по п. 1, в котором CS содержит множество колец (114-1, 114-2, 114-N), расположенных слоями друг на друге.

3. Аппарат по п. 2, в котором каждое из множества колец имеет противоположные концы, расположенные на удалении друг от друга, чтобы определять зазор (134).

4. Аппарат по п. 3, дополнительно содержащий наполнитель (136), расположенный в зазоре.

5. Аппарат по п. 3, в котором зазоры каждого из колец смещаются друг относительно друга вдоль оси вращения, чтобы располагаться в шахматном порядке без перекрытия зазоров.

6. Аппарат по п. 2, в котором CS содержит материалы с различными индукциями насыщения, чтобы позволить как максимизацию объема шиммирования, обеспечиваемую материалами с высокой индукцией насыщения, так и улучшенную зернистость, обеспечиваемую материалами с низкой индукцией насыщения, чтобы уменьшить ошибку дискретизации.

7. Аппарат по п. 2, в котором CS содержит немагнитный материал со значением поглощения излучения, подобным значению поглощения излучения магнитной шиммной стали для, чтобы управлять затуханием проходящего через него луча LINAC.

8. Аппарат по п. 1, дополнительно содержащий эпоксидную смолу для покрытия, по меньшей мере, поверхности CS.

9. Аппарат по п. 1, дополнительно содержащий пружинящее стопорное кольцо, которое смещает CS относительно соседней поверхности корпуса.

10. Аппарат по п. 1, в котором по меньшей мере один из множества DS изготавливается из магнитного материала, содержащего одно или более из электротехнической стали, низкоуглеродистой стали и никеля.

11. Аппарат по п. 1, в котором множество DS содержат элементы шиммирования различных типов.

12. Аппарат по п. 6, дополнительно содержащее одну или более направляющих (150), каждая из которых выполнена с возможностью связывания с одним или более DS, чтобы формировать сборочный узел (135) блока направляющей элементов шиммирования.

13. Аппарат по п. 12, в котором одна или более направляющих (150) дополнительно выполнены с возможностью связывания с частью корпуса.

14. Аппарат по п. 12, в котором направляющие дополнительно выполнены с возможностью связывания и расположения внутри градиентной катушки.

15. Аппарат по п. 1, в котором CS дополнительно выполнено с возможностью связывания по меньшей мере с наружным диаметром или с внутренним диаметром градиентной катушки.

16. Аппарат по п. 12, дополнительно содержащий закрепляющий механизм для крепления одного или более из множества DS в желаемом положении внутри полости корпуса.

17. Аппарат по п. 1, дополнительно содержащий запретную зону (Ez), расположенную внутри полости, в которой по меньшей мере часть CS располагается внутри Ez.

18. Аппарат по п. 1, в котором по меньшей мере CS или множество DS выполнены с возможностью улучшения равномерности основного магнитного поля внутри полости.

19. Аппарат по п. 1, дополнительно содержащий источник (120) излучения для излучения по меньшей мере одного луча (121) излучения через запретную зону (Ez) внутри полости корпуса.

20. Аппарат по п. 1, дополнительно содержащий карданов подвес или портальную раму для управляемого расположения LINAC, создающего луч излучения через Ez.

21. Аппарат по п. 1, в котором CS содержит кольцо, имеющее N витков, чтобы сформировать спирально закрученное кольцо, где N - целое число больше двух.

22. Аппарат по п. 1, в котором по меньшей мере один основной магнит содержит смещение конструкции магнита, которое не требует центрального элемента шиммирования.

23. Магнитно-резонансный (MR) аппарат (100, 700), содержащий:

часть (102) корпуса, содержащую полость (106), имеющую первый и второй концы (105) и по меньшей мере одно отверстие (104), расположенное на первом или на втором конце, причем полость определяет продольную ось (L_A), проходящую между первым и вторым концами;

по меньшей мере один основной магнит для формирования основного магнитного поля, содержащего, по существу, однородное магнитное поле внутри полости; и

множество дискретных элементов шиммирования (DS) (112, 1 13), расположенных между концом запретной зоны (Ez) и по меньшей мере первым или вторым концом.

24. Аппарат по п. 23, дополнительно содержащий центральный элемент (CS) (114) шиммирования, образующий кольцо, имеющее противоположные края (131) и расположенное вдоль длины L_Aпродольной оси полости, по меньшей мере, в Ez.

25. Магнитно-резонансный аппарат (100, 700), содержащий:

часть (102) корпуса, содержащую полость (106), имеющую противоположные концы (105) и по меньшей мере одно отверстие (104), расположенное на одном из противоположных концов, причем полость определяет продольную ось (L_A), проходящую между первым и вторым концами;

источник (120) излучения для испускания по меньшей мере одного луча (121) излучения через полость; и

систему (108) шиммирования, содержащую кольцевой центральный элемент шиммирования (CS), имеющий противоположные края и который, по существу, окружает часть корпуса и располагается вдоль продольной оси (L_A) части корпуса.

26. Аппарат по п. 25, в котором система шиммирования дополнительно содержит множество дискретных элементов шиммирования DS (112, 113), расположенных между краем противоположных краев CS и одним из соседних противоположных концов полости.

27. Аппарат по п. 26, в котором CS содержит множество слоев шиммирования, расположенных слоями друг на друге.

28. Аппарат по п. 26, в котором система шиммирования дополнительно содержит одну или более направляющих (150), каждая из которых выполнена с возможностью связывания с множеством DS.