JP6419797B2 - 磁気共鳴ハイブリッドスキャナ用シムシステム - Google Patents

Description

本願は２０１３年６月２１日出願の米国仮特許出願第６１／８３７，８０５及び２０１４年１月８日出願の米国仮特許出願第６１／９２４，９５２の優先権を主張し、その全内容は参照により本明細書に組み込まれる。

本システムは磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システムに、より具体的には磁気共鳴（ＭＲ）ガイド放射線治療に適した改良されたシミングシステムを備えるＭＲＩシステム、及びその動作方法に関する。

磁気共鳴スキャナは典型的に、疾患を診断し異常組織から健常組織を対比するために画像をレンダリングする。ＭＲイメージングは診断空間特異性をリアルタイムに提供し得る。放射線ビームをフォーカスし、健常組織を保存しながら病変組織を選択的に破壊することができる線形加速器（ＬＩＮＡＣ）を用いる放射線療法が開発されている。しかしながら、放射線ビームが健常組織にフォーカスされるとき、これは健常組織を損傷する可能性がある。幸い、放射線治療のビームフォーカス技術は、健常組織への損傷を軽減若しくは完全に防止しながら病変組織を処置するために放射線ビームが正確にフォーカスされ得るように、リアルタイムＭＲイメージングの診断空間特異性と併用され得る。ＭＲイメージングとビームフォーカス技術を組み合わせるシステムはハイブリッドシステムとして知られる。このようなハイブリッドシステムの一つは一般に磁気共鳴（ＭＲ）線形加速器（ＬＩＮＡＣ）（ＭＲ‐ＬＩＮＡＣ）システムとよばれる。ＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステム（簡単にするため単に"ＭＲ‐ＬＩＮＡＣ"ともよばれる）はリアルタイムＭＲイメージングを放射線治療と組み合わせ、ビームシェイピングをリアルタイムに実行することができ、これは（例えば患者の）解剖学的構造における日々の変化及び呼吸による運動などといった患者のリアルタイム身体運動を補正し得る。

あいにく、放射線治療がＭＲイメージングと組み合わされるとき、いくつかの困難に直面し得る。ＭＲＩシステムの主磁場は典型的には主磁石によって生成され、主磁石のメインボア内に位置する。適切なＭＲ画像情報（例えばエコー情報）が取得され、所望の画質を持つ画像を構成するように処理され得るように、主磁場が少なくともメインボアのスキャンボリューム内で均一であることが好ましい。しかしながら、主磁場は製造公差、主磁石の欠陥、現場の遮蔽、迷磁場、不良シミング、ＭＲ‐ＬＩＮＡＣによって作られる磁場などの様々な要因によって悪影響を受け、不均一になる可能性がある。この不均一性は画質を低減し得るので望ましくない。従って、主磁場における不均一性を補正するためにシミング法が利用され得る。しかしながら、離散スチール片を用いる従来のシミング法は、ＬＩＮＡＣによって貫通される場合に不均一な線量を患者に供給させる放射線の影を生じ得る。ＬＩＮＡＣビーム経路から離散シム位置を単に除去することは、シムシステムが効率的に磁場不均一性を補正することを可能にしない。ＬＩＮＡＣビーム経路によって貫通される領域内部で軸対称均一性補正が必要とされる。

本明細書に記載の（複数の）システム、装置、方法、構成、ユーザインターフェース、コンピュータプログラム、プロセスなど（文脈が他に明示しない限り、以下これらの各々はシステムとよばれる）は従来技術のシステムにおける問題に対処する。

本システムの実施形態によれば、第一及び第二の端部と、第一及び第二の端部の一方に位置する少なくとも一つの開口とを備えるキャビティを持つボディ部分を含み得る磁気共鳴装置が開示され、キャビティは第一及び第二の端部の間にのびる長手方向軸（ＬＡ）を定義し得る。少なくとも一つの主磁石がキャビティ内に実質的に均一な磁場を持つ主磁場を生成し得る。中央シム（ＣＳ）が対向エッジを持つリングから形成され、キャビティの長手方向軸の長さに沿って延在し得る。一つ以上の離散シム（ＤＳ）がＣＳと第一及び第二の端部の少なくとも一方との間に位置し得る。

一部の実施形態によれば、ＣＳは互いに積層した複数のリングを含み得る。複数のリングの各々はギャップを定義するように相互に離れて位置する対向端を持ち得る。ギャップの一つ以上の内部にフィラーが位置し得る。さらに、リングの各々のギャップの各々は互いに整列され得るか、又は互い違いになるように相互に回転オフセットされ得る。ＤＳは微シムと粗シムを含み得ることがさらに想定される。さらに、一つ以上のレイルが設けられ、その各々はシムカートリッジを形成するようにシムの対応する一方、例えば微シムに結合されるように構成され得る。レイルはさらにボディ部分に結合され、その内部に位置するように構成され得る。一部の実施形態において、ボディのキャビティ内で所望の位置にシムをロックするロック機構が設けられ得る。

装置は、健常組織を保存しながら病変組織を選択的に破壊する目的でＭＲＩシステムに入る放射線源をさらに含み得る。例えば、装置はボディのキャビティ内の除外ゾーン（Ｅｚ）を通る少なくとも一つの放射線ビームを生成して放射し得る線形加速器（ＬＩＮＡＣ）をさらに含み得る。Ｅｚは対向端を持ち、ＬＩＮＡＣによって発せられる少なくとも一つの放射線ビームの経路内でキャビティ内部に位置し得る。ＣＳは少なくとも一部Ｅｚ内に位置し得る。ＣＳ及びＤＳの少なくとも一方はキャビティ内の主磁場の均一性を強化するように構成され得ることがさらに想定される。

本システムのさらに他の実施形態によれば、対向する端部と、対向する端部の一方に位置する少なくとも一つの開口を持つキャビティを持つボディ部分を含み得る、磁気共鳴線形加速器（ＭＲ‐ＬＩＮＡＣ）装置などの装置が提供される。キャビティは第一及び第二の端部の間にのびる長手方向軸（Ｌ_Ａ）を定義し得る。少なくとも一つの主磁石がキャビティ内に実質的に均一な磁場を含む主磁場を生成し得る。線形加速器（ＬＩＮＡＣ）はキャビティを通過する少なくとも一つの放射線ビームを発し得る。シムシステムは、対向エッジを持ち、ボディ部分の長手方向軸（Ｌ_Ａ）を実質的に取り囲みそれに沿って延在する環状中央シム（ＣＳ）を含み得る。シムシステムはＣＳの対向エッジのうち一つのエッジとキャビティの対向する端部のうち隣接する一方との間に位置する複数の離散シム（ＤＳ）をさらに含み得る。ＣＳは互いに積層した複数のシム層を含み得ることがさらに想定される。一部の実施形態によれば、シムシステムは各々が複数のＤＳに結合されるように構成される一つ以上のレイルをさらに含み得る。

本システムのさらなる実施形態によれば、ボアを備える主磁石を持つ磁気共鳴（ＭＲ）システムの一つ以上の微シムを調節する方法が提供され、環状中央シムがボア内に位置し、方法はＭＲシステムの少なくとも一つのコントローラによって実行される。方法は、主磁石のボア内に公称磁場を出力するように主磁石を制御すること；主磁石のボア内の磁場の磁場マップを取得すること；及び磁場マップの分析に基づいて対応するシムレイル上のシムにとって最適化位置を決定することを含み得る。方法は微シムにとって最適化レイル位置を持つシムレイルの少なくとも一つを主磁石のボアに挿入することをさらに含み得る。方法はロック機構を用いて主磁石のボアに挿入される少なくとも一つのシムレイルをロックすることも含み得る。さらに、方法は決定された最適化シム位置に従ってシムレイルに結合される微シムの構成を持つシムレイルを選択することを含み得る。一部の実施形態によれば、対応するレイル上のシムの位置に関わらず、或いは複数のレイルの一部の場合であり得るように、対応するレイルがシムを含まない場合であっても、ボディの全シムレイルはキャビティ内に位置し得る。

本発明は以下の実施形態例において、図面を参照してさらに詳細に説明され、ここで同一若しくは同様の要素は同じ参照数字によって一部示され、様々な実施形態例の特徴は組み合わせることができる。

本システムの実施形態にかかるシミングシステムを持つＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムなどのシステムの一部の断面側面図を示す。 本システムに実施形態にかかる図１の線２Ａ‐２Ａに沿ってとられるＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムの一部の断面図を示す。 本システムのさらに他の実施形態にかかる図１の例示断面に沿ってとられるＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムの一部の端面図を示す。 本システムの実施形態にかかるらせん中央シムを含むＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムの一部の断面図を示す。 本システムの実施形態にかかる図１の線２Ａ‐２Ａに沿ってとられるＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムの一部の断面図を示す。 本システムの実施形態にかかるＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムの一部の部分断面拡大斜視図を示す。 本システムの実施形態にかかる図１の線２Ａ‐２Ａに沿ってとられるＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムの一部の断面図を示す。 本システムの実施形態にかかる図２Ｂの線５‐５に沿ってとられるシステム１００の一部の部分断面側面図を示す。 本システムの実施形態にかかるＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムの低次項の部分を示すグラフ６００である。 本システムの実施形態にかかるシステム７００の一部を示す。 本システムの実施形態にかかるシムレイルが磁石のボアに直接ではなくグラジエントコイル内に取り付けられ得る実施例を示す。

以下は、以下の図面と併用されるときに上記特徴と利点、及びそれ以上を示す実施形態例の記載である。下記では、限定ではなく説明の目的で、アーキテクチャ、インターフェース、技術、要素属性などといった詳細例が説明される。しかしながら、これらの詳細から外れる他の実施形態も添付のクレームの範囲内であると理解され得ることが当業者に明らかであろう。さらに、明確さの目的で、周知の装置、回路、ツール、技術及び方法の詳細な説明は本システムの記載を曖昧にしないよう省略される。図面は例示目的で含まれ、本システムの全範囲をあらわさないことが明示的に理解されるべきである。添付の図面において、異なる図中の類似する参照数字は同様の要素を指定し得る。さらに、一部の図中、クロスハッチングは明確さのため示されないことがある。

本システムは治療目的でＭＲＩシステムに入る放射線源を用いる放射線治療装置と方法に向けられる。例えば、本システムは健常組織を保存しながら被検者の病変組織を選択的に破壊するために適切に利用され得る。このような放射線治療装置の一つは例えば、ＭＲＩ装置のボディのキャビティ内の除外ゾーン（Ｅｚ）を通る少なくとも一つの放射線ビームを生成し放射し得る線形加速器（ＬＩＮＡＣ）を含む。Ｅｚは対向端を持ち、ＬＩＮＡＣによって発せられる少なくとも一つの放射線ビームの経路においてキャビティ内に位置し得る。本システムのさらに他の実施形態によれば放射線源として磁気共鳴線形加速器（ＭＲ‐ＬＩＮＡＣ）装置が設けられ得る。

以下の考察を単純化する目的で、本システムの実施形態は放射線源として動作するＬＩＮＡＣ及びＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムに関して論じられる。しかしながら本システムの実施形態は本システムの実施形態と協働する他の放射線源に関しても適切に適用され得ることが明示的に理解されるべきである。従って、本明細書においてＬＩＮＡＣ及びＭＲ‐ＬＩＮＡＣの使用は同様に適切に適用され得る他の放射線源を利用するシステムを含むと理解されるべきである。

本システムの実施形態は、例えば核磁気共鳴（ＮＭＲ）サンプルにわたる勾配を打ち消すことによって、主磁石の主磁場における不均一性を補正し得るシミング法を利用し得る。従って、所望の画質にとって必須な主磁場の所望の一様性（例えば均一性）が得られる。本システムの実施形態にかかるシミング法はパッシブシミング法を用いて主磁石の主磁場における悪影響を補正し得る。こうしたパッシブシミング法は、シム鉄（若しくは他の強磁性材料）などのシム材から形成され、対応するＭＲＩ‐ＬＩＮＡＣシステムの主磁石に対して一つ以上の所望の位置に置かれ得るシム（例えばパッシブシム）に頼る。シムレイルは主磁石のボアの長さの一部に及び、所定位置においてシムをそれに結合させ得る。従って、シムレイル上のこれらの所定シム位置はシムを備え得るが、他のシム位置はシムを備えていない。シム位置に（例えばシム鉄から作られる）シムを装着するかどうかの決定は本システムの実施形態に従って動作するシミングソフトウェアによってなされ得る。本システムの実施形態はさらにアクティブシムを利用し得ることがさらに想定される。

図１は本システムの実施形態にかかるシミングシステムを含むＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステム１００（明確さのため以下システム１００）として例示される本システムの実施形態にかかるシステムの一部の断面側面図を示す。上述の通り、論じられる実施形態はＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムに関するが、この例示的な考察は適切に適用され得る他の放射線源に関する考察を含むと理解されるべきである。

システム１００はコントローラ１１０、メモリ、ディスプレイ、ボディ１０２、線形加速器（ＬＩＮＡＣ）１２０などの放射線源、シミングシステム１０８、主磁石、グラジエントコイル１４０、及び高周波（ＲＦ）トランスデューサを含み得る。患者１０１を支え、患者１０１を例えばコントローラ１１０の制御下で所望の位置及び／又は配向に位置付けるために可動患者サポートが設けられ得る。

コントローラ１１０はシステム１００の全動作を制御し、プロセッサ（例えばマイクロプロセッサなど）などといった一つ以上の論理デバイスを含み得る。さらに、コントローラはＲＦトランスデューサからエコー情報を受信してエコー情報を再構成し得る。そして再構成されたエコー情報は後の使用のためにメモリに保存されるか及び／又はディスプレイ上でレンダリングされ得る。

グラジエントコイル１４０は、コントローラ１１０の制御下で一つ以上の方向に一つ以上の傾斜磁場を生成し得る一つ以上のグラジエントコイル（例えばｘ‐、ｙ‐、及びｚ‐グラジエントコイル）を含み得る。ＲＦトランスデューサはコントローラ１１０の制御下でキャビティ内にＲＦパルスを送信し、及び／又はそこからエコー情報を受信し得る。例えば、ＲＦトランスデューサはテスト患者１０１においてＲＦパルスを送信するように、及び／又はそこからエコー情報を受信するように制御され得る。

一つ以上の主磁石はボアを含み、キャビティ１０６内に実質的に均一な主磁場を生成するように構成され得る。一つ以上の主磁石は超伝導材料から形成され得る。

ボディ１０２は対向端１０５の間に位置し、患者１０１の少なくとも一部が関心ボリューム（ＶＯＩ）１０３などのスキャンボリューム内に位置し得るように患者１０１を受けるように構成され得る、一つ以上のキャビティ１０６を含み得る。一つ以上の開口１０４が各対向端１０５の各々に位置し得る。キャビティ１０６は対向端１０９を持つ除外ゾーン（Ｅｚ）を持ち、これはＥｚの対向端１０９と隣接開口１０４の間に位置する非除外ゾーン（Ｎｚ）間に位置する。キャビティ１０６は内壁１１６を持ち、少なくともその一部が一つ以上の主磁石のボア内に位置するように構成され得る。しかしながら、明確さのため、キャビティ１０６が一つ以上の主磁石のボアと一致することが仮定される。ボディ１０２は一つ以上の他のキャビティを含んでもよく、その中に主磁石が少なくとも部分的に位置付けられ得る。さらにボディ１０２は主磁石を冷却する冷却機構を含み得る。

ＬＩＮＡＣ１２０は放射線ビーム１２１をＥｚの中へ、又はそうでなければＥｚを通して送信し得る放射線銃１２０'として例示される一つ以上の放射線銃（例えばＬＩＮＡＣトランスミッタなどの放射線源）を含み得る。従って、Ｅｚは放射線ビーム１２１が通過するエリア（例えば放射線ゾーン（Ｒｚ））と一致し得る。Ｅｚによって定義されるエリア（若しくはボリューム）はさらに治療ゾーンとみなされ得る。放射線ビーム１２１はＬＩＮＡＣなどの放射線源によって出力され得る、一つ以上の場所にフォーカスされ得る一つ以上の放射線ビームを含み得る。ＬＩＮＡＣなどの放射線源はＬＩＮＡＣを所望の位置へ（例えば１以上の自由度で）動かし得るジンバル、ガントリなどといった制御可能部材に取り付けられ得る。例えば、一部の実施形態において、制御可能部材はボディ１０２まわりに３６０度ＬＩＮＡＣを回転させ得る。制御可能部材はユーザ及び／又はコントローラ１１０によって制御され得る。従って、一部の実施形態において制御可能部材はボディ１０２に対して所望の位置にＬＩＮＡＣ１２０を位置付ける及び／又は配向するようにコントローラ１１０によって制御され得る。

シミングシステム１０８の少なくとも一部はキャビティ１０６内に位置し、キャビティ１０６内の主磁場の一様性を強化するように（例えば不均一性を補正するように）構成され得る。シミングシステム１０８はアクティブ及び／又はパッシブシミング法を使用するように構成され得る。例えば、アクティブシミング法はコントローラ１１０によって制御されるシミングコイルを使用して実行され、パッシブシミング法はシム位置に取り付けられる一つ以上のパッシブシムを用いて実行され得る。パッシブシムなどのシムの少なくとも一部は放射線ビーム１２１の経路内にあり得る。パッシブシムはシム鉄などの任意の適切な材料を用いて形成され、本明細書のどこかで記載される通り放射線ビーム１２１の経路内にシム性能を提供し得る。例えば、一部の実施形態において、パッシブシムは電磁鋼、低炭素鋼、ニッケル、及び／又は同様のものなどの磁性材料から形成され得る。

パッシブシムは離散シム（ＤＳ）１１２とＤＳ１１３、及び中央シム（ＣＳ）１１４を含み、その各々は本システムの実施形態に従って実行されるシミング法を用いて放射線場の均一性を改良するように配置され得る。例えば、ＤＳ１１２はＮｚ内のみでキャビティ１０６内に位置するシム位置に置かれ、取り外し可能レイル１５０若しくはボディ１０２への直接結合などの任意の適切な一つ若しくは複数の方法を用いてボディ１０２に結合され得る。ＤＳ１１２はボルト、ねじ、リベット、接着剤、フリクションフィット、レイルなどといった任意の適切な方法を用いてレイル１５０に結合され得る。同様に、ＤＳ１１３はＮＺ内のみでキャビティ１０６内に位置するシム位置に置かれ、ボルト、ねじ、リベット、接着剤、フリクションフィット、レイルなどといった任意の適切な一つ若しくは複数の方法を用いてボディ１０２に結合され得る。ＤＳ１１２及び１１３の位置は本システムの実施形態に従って動作可能なシミング法などの任意の適切な方法によって選択され得る。ＤＳ１１２及び／又は１１３は様々な形状及び／又はサイズを持ち、シム鉄の一つ以上の層を含み得る。例えば、一部の実施形態においてＤＳ１１２及び／又は１１３は正方形、長方形、及び円形のうち一つ以上を持って形成され得る。さらに、一部の実施形態において、ＤＳ１１２及び／又は１１３は例えば一緒に溶接される厚いシム鉄の複数の層を含み得る。トップ層（例えばボアの内面から最も遠い層）はカウンタボアを含み、これはシムファスナーがもはやシムの上にないが、シムによって囲まれるので、追加のシム性能を可能にし得る。ＤＳ１１２及び／又は１１３は（離散化誤差を減らすため）様々な厚さのワッシャー型シムをさらに含み得る。ＤＳ１１３はシム１１２と同様の、若しくは異なる形状及び／又はサイズを持ち得る。

本システムの実施形態によれば、ＣＳ１１４は、主磁場の一様性を強化する（例えば不均一性を補正する）ために放射線ビーム１２１の経路内にシム性能を提供し得るように、Ｅｚ内に位置し得る。これは必要に応じてシステム１００がＢｅｅｔｈｏｖｅｎ（登録商標）均一性仕様などの一つ以上の均一性仕様を満たすか若しくは超えることを可能にし得る。ＤＳ１１２はアジマス不連続であり得るがＣＳ１１４はボディ１０２の長手方向軸（ＬＡ）に対して実質的にアジマス連続であり得る。

ＣＳ１１４は電磁鋼若しくは低炭素鋼若しくは同様のものなど任意の適切なシミング材料から形成され、ＣＳ１１４が少なくともＥｚの長さに及ぶようにＥｚの対向端１０９と実質的に対応する対向エッジ１３１を持ち得る。側面から見ると、ＣＳ１１４は均一な厚さの環状形状（例えばリング）を形成し（図２Ａ参照）、一つ以上のリング（例えばシングルリング若しくはサブリングのセット）によって形成され得る。ＣＳ１１４が一つ以上のリングから形成されるとき、これらのリングはサブリングとよばれ、例えばセットアップ後に互いに積層され得る。一部の実施形態によれば、ＣＳ１１４は均一な厚さのリングの形でパッシブシム鉄から形成され得る。ＣＳ１１４は均一な厚さを持ち得るので、そこを貫通し得る放射線ビーム１２１は均一であり、入射角に関わらず予測可能な線量を供給し得る。

代替的に、ＥｚはＣＳで生成され得るものと実質的に同様の項を生成するようにバイアス（既知のオフセット）を伴って磁石を設計することによって作られ得る（例えば図６参照）。しかしながら、容易に理解され得る通り、磁石製造公差がバイアスを要したか否かに関わらず全ユニットが同じバイアスを持つことが要求され得るので、この方策はあまり効率的でない可能性がある。本システムの実施形態によれば、ＤＳは全磁石に適用されるバイアス並びに個々の磁石公差をシムアウトし得る。

図２Ａは本システムの実施形態にかかる図１の線２Ａ‐２Ａに沿ってとられるＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステム１００の一部の断面図を示す。ＣＳ１１４は、互いに積層され、各々がフォイルシム層から形成され、対向エッジ（例えば図１の１３１参照）及び端部１３２を持つ、複数の環状サブリング１１４‐１から１１４‐Ｍ（一般に１１４‐ｘ）から形成され得る。環状サブリング１１４‐ｘの各々は互いに類似し得るので、明確さのため単一サブリング１１４‐１のみが論じられる。隣接端１３２は例えば位置付け後にフィラー１３６で充填され得るシームエリア１３４（例えばギャップ）を形成するように互いにわずかに分離され得る。従って、ＣＳ１１４は各々が対応シムリング１１４‐ｘを形成する、例えば実質的に互いに重ね合わされ得る複数のフォイルシム層を用いて形成され得る。従って、ＣＳ１１４はシムリング１１４‐ｘなど複数のシム層から形成されるとみなされ得る。各ＣＳ１１４‐ｘは（３６０−φ、φは長手方向軸Ｌａに頂点を持ち対応するＣＳ１１４‐ｘの隣接端１３２を通ってのびる角度として測定される）だけ長手方向軸Ｌａまわりに実質的にターン、らせん運動、及び／又は回転するように長手方向軸Ｌａまわりに（例えば各ＣＳ１１４‐ｘの端部１３２から測定される角度θだけ）回転し得る。しかしながら、一部の実施形態において、ＣＳ１１４‐ｘの一つ以上は長手方向軸Ｌａまわりに１ターンより多くターン、らせん運動、及び／又は回転し得る。ＣＳ１１４‐ｘは、図示の通りシーム１３４がキャビティ１０６の長手方向軸（Ｌａ）まわりに互い違いになるように例えば角度アルファ（α）だけ隣接ＣＳ１１４‐ｘから回転オフセットされ得る。これは最悪の場合の不均一減衰を最小化し、ＣＳ１１４の設置を容易にし得る。代替構成においてＣＳ１１４はシームレス技術を用いて構築され得る。グラジエントコイル１４０は明確さのため示されない。

一部の実施形態によれば、シムリング１１４‐ｘなどのＣＳ１１４の一つ以上の部分は、大きな磁石公差若しくは環境遮蔽を補正する（高飽和磁気誘導材料によって提供される）シム性能の最大化、及び最適シム精度と最終システム場均一性のために離散誤差を低減する（低飽和磁気誘導材料によって提供される）改良されたシム粒度の両方をなすために、様々な飽和磁気誘導の材料から形成され得る。理解され得る通り、本システムの実施形態にかかる様々な飽和磁気誘導の材料の使用は、記載のＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムに加えて他のＭＲシステムにとっても有用であり、従って記載はそうした他の放射線源を利用するそれらのシステムを含むと理解されるべきである。

低飽和磁気誘導材料は、対応するＣＳ若しくはその一部（例えばシムリング１１４‐ｘ）の設置中に容易に（例えば損傷なく）扱われ得るように、例えば標準的な厚さの金属及び十分な厚さであり得るフォイルを用いて非常に正確な解離散化を可能にする。例えば、一部の実施形態において、ＣＳ１１４はキャビティ１０６内に設置前に完成され得る。しかしながら、さらに他の実施形態において、ＣＳ１１４は個別のときにキャビティ内にその一部を設置することによって完成され得る。例えば、シムリング１１４‐ｘはＣＳ１１４を形成するようにキャビティ内に一度に一つずつ設置され得る。隣接シムリング１１４‐ｘは接着剤、圧力などといった任意の適切な方法を用いて互いに取り付けられ得る。

各シームエリア１３４におけるギャップは不均一領域とみなされ、フィラー１３６で充填され得る。このフィラー１３６はビーム減衰を均一に保つように対応するシムリング１１４‐ｘの密度と実質的に同じ密度を持ち得る。本システムの実施形態によれば、フィラーの利用は対応するシームエリア１３４のギャップに起因する不均一領域が規定線量内に不均一性を生じることを防止若しくは抑制し得る。言い換えれば、ギャップフィラーは供給線量に対する中央シムシームの影響を軽減するように構成され得る。ＣＳ１１４若しくはその一部は必要に応じてエポキシなど保護に適した材料にカプセル化され得ることがさらに想定される。

図２Ｂは本システムの実施形態にかかるＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステム１００の一部の端面図を示す。隣接するＤＳ１１２は例示的にギャップによって分離されて示される。容易に理解され得る通り、ギャップのサイズは様々であり得る。ＣＳ１１４はＤＳ１１２の厚さより大きい、等しい、若しくは小さい厚さを持ち得る。

図２Ｃは本システムの実施形態にかかるらせん中央シム２１４を含むＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステム２００Ｃの一部の断面図を示す。ＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステム２００Ｃは図２Ａに示すシステム１００と同様であり得、中にＣＳ２１４が位置するキャビティ２０６を含む。しかしながら、ＣＳ２１４は端部２３２から測定されるときに少なくとも１ターン（２ターンが例示される）を含む。ＣＳ２１４は所望の厚さを持つ積層ＣＳ２１４を形成するように一回以上らせん状に巻装される。ＣＳ２１４は１ターン以上を形成し得るので連続的であるとみなされ得る。シームエリアを削減するか若しくは完全に除去することによって、ＣＳ２１４はシームエリア（例えば図２Ａに示すＣＳ１１４のシームエリア１３４など）における不均一領域からの不均一減衰を最小化し得る。一部の実施形態において、ＣＳ２１４は任意の数のターン（例えば３、４、５、６など）を含み得る。ＣＳ１１４の隣接層は接着剤、圧力などの任意の適切な方法を用いて互いに取り付けられ得る。

図２Ｄは本システムの実施形態にかかる図１の線２Ａ‐２Ａに沿ってとられる、各層のギャップが整列した、対向エッジを持つ多層のＣＳを例示的に含むＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステム１００の一部の断面図を示す。この実施形態は図２Ａに示す実施形態と同様である。しかしながら、図２Ａに示すシムリング１１４‐ｘのシームエリア１３４を互い違いにするのではなく、ギャップ１３４はそれらが互いに一致し得るように互いに整列され得る（例えば、一つ以上、例えば互い違いのギャップ全部が互いに整列され得る）。さらに、シムリング１１４‐ｘはギャップ１３４の不均一領域が放射線ゾーンを、従って放射線ビーム１２１による貫通を回避し得るように配向され得る。本明細書で述べる通りフィラーがギャップ１３４を埋めるために設けられ得る。例えば、一部の実施形態においてギャップ１３４は使用中に放射線ビーム１２１によって貫通されないエリア内に位置し得る。

図３は本システムの実施形態にかかるシステム１００の一部の部分断面拡大斜視図を示す。複数のＤＳ１１２が磁石のボア１０６若しくは一つ以上のレイル１５０の対応するレイル１５０の上に取り付けられるか、又は他の方法で結合され得る。レイル１５０はボディ１０２に結合され得る受けレイル１５１を摺動自在に係合し得る。どこかに記載される通りロックシステムがレイル１５１を所望の位置にロックし得る。明確さのため、システム１００は実質的に一つ以上の軸まわりに対称であり得るが、これは必須ではないことが想定される。従って、背面図は示されない。

図４は本システムの実施形態にかかる図１の線２Ａ‐２Ａに沿ってとられるＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステム１００の一部の断面図を示す。この実施形態は図２Ａに示す実施形態と同様であり、ＣＳ１１４と同様のＣＳ４１４を含む。しかしながら、ＣＳ４１４はＣＳ４１４のシム鉄放射線吸収とマッチし得る一つ以上の内層４４０（例えば"内層"）を含み得る。一つ以上の内層４４０は任意の適切な方法（例えば接着剤、エポキシなど）を用いてＣＳ４１４に結合され得る。さらに、ＣＳ４１４が多層で形成されるとき、これらの層は接着剤などの任意の適切な方法を用いて互いに結合（例えば積層）され得る。一つ以上の内層４４０は非磁性材料などの任意の適切な材料から形成され、システムごとに均一な減衰を維持するように中央シムＣＳ４１４のシム鉄放射線吸収にマッチするように構成され得る。ＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステム間の一定放射線吸収は固定単位の放射線吸収を生じるように磁性中央シム層と組み合わせた非磁性中央シム層の使用により維持される。

シムシステムの一部を取り付ける及び／又は押さえる複数の方法が論じられる。本システムの実施形態によれば、中央リング拘束（ＣＲＲ）がＣＳ若しくはその一部をＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムの所望部分例えばボディ又はボディの一部例えばボディのレイル若しくはキャビティなどに対して所望の位置に保持するために設けられ得る。ＣＲＲは接着剤、ピン、ねじ、バイアス部材（例えばスナップリング）、ボルト、リベットなどといった任意の適切な方法を含み得る。例えば、一部の実施形態において、ＣＲＲは本システムの実施形態に従って動作するＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムによって生成され得る放射線に対してロバストであり得る接着剤を含み得る。接着剤はシム及びボディの表面など隣接面を一緒に接着し得るシリコーン接着剤若しくは同様のものを含み得る。例えば、接着剤はボディ１０２にＣＳ１１４を結合するよう、ＣＳ１１４とボディ１０２の表面、例えばキャビティ１０６の内壁１１６の表面などとの間に位置し得る。従って、ＣＲＲはＣＳ１１４をＥｚの少なくとも一部内の所望の位置に位置付け得る。

ＣＲＲが取付ラグ若しくはリングを含むときは、Ｎｚの隣接エリア内でＥｚの外側に取付ラグ若しくはリングを位置付けることが望ましい。例えば、ＣＲＲが実質的に均一でない要素を含む実施形態において、要素はＥｚの外側にあり得る。従って、ＣＳの対向エッジの一つ以上は、ＣＳ内の開口を通過し得る取付ラグ若しくはリングを収容するようにＮｚの中へ延在し得る。従って、ＣＳをボディに結合するために取付ラグ若しくはリングを用いるとき、ＣＳは接着剤を使用するときよりも長くなり得る（対向エッジ間で測定される）（例えばラグ若しくはリングなどの取付法に対応するため）。従って、ＣＳをボディに結合するために接着剤を使用する利点は、ＣＲＲとしてラグ若しくはリングなどの他の取付法を使用するときに要求され得るよりも短い軸長を持ち得ることである。フリクションフィット、ねじ、ピン、リベット、ラグ、バイアス部材、フランジなどといった、任意の適切な取付法若しくは方法の組み合わせがＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムのボディのキャビティ内にＣＳを位置付けるために使用され得ることがさらに想定される。本システムのさらなる実施形態によれば、ＣＲＲはボディのキャビティ内の所望の位置にＣＳを位置付け得るスナップリング若しくは同様のものなどの非磁性バイアス部材を含み得る。設置中、スナップリングは圧縮され、その後キャビティの内壁に対してＣＳを保持するために圧力を加えるように解放され得る。ＣＳは必要であればエポキシ若しくは同様のものなど任意の適切なカプセル化材料を用いて全部若しくは一部カプセル化され得ることがさらに想定される。エポキシなどのカプセル化法の使用は損傷に対してＣＳに保護の強化を提供し得る。

図５は本システムの実施形態にかかる図２Ｂの線５‐５に沿ってとられるシステム１００の一部の部分断面側面図を示す。グラジエントコイル１４０は明確さのため図示されない。

ＤＳ１１２及び／又は１１３、及び／又はＣＳ１１４は所望の取付法を受けるように構成され得る。例えば、ＤＳ１１２の一つ以上を対応レイル１５０に取り付けるためにねじ若しくはラグが使用される場合、これらのＤＳ１１２は例えば取り付けのためにねじ若しくはラグを受けるように構成される開口を含み得る。Ｅｚは放射線／治療ゾーンに少なくとも一部対応し得る。

ＣＳ１１４の長さに関して、ＣＳ１１４の対向エッジ１３１は、これが少なくともＥｚの隣接対向端に至るまで、又はそれを軸方向に越えて延在するように、キャビティ１０６の長手方向軸Ｌ_Ａに沿って延在し得る。Ｅｚの端部間及び隣接対向エッジ１３１内に位置するＣＳ１１４の部分は所望の取付法を受けるように構成され得る取付エリアを含み得る。例えば、取付エリアの一つ以上は、ボディ１０２に対して所望の場所にＣＳ１１４を位置付けるためにボディ１０２に結合され得るボルト、ねじ、ラグ若しくは他の（複数の）取付部材を受ける、（例えばＣＳ１１４に穴をあけた若しくは他の方法で切り抜かれた）開口を含み得る。しかしながら、さらに他の実施形態では、対向エッジ１３１の一つ以上はボディ１０２若しくはその一部に溶接され得ることが想定される。ＣＳ１１４の対向エッジ１３１はＮｚの中に延在し得るが、ＤＳ１１２及び／又はＤＳ１１３はＥｚの中に延在することができない。一部の実施形態において、ＣＳ１１４の対向エッジ１３１の一つ以上は使用される取付法のタイプに応じてＥｚの対向端に至るまで若しくはそれを越えて延在し得る。例えば、接着剤若しくは溶接がＣＳ１１４をボディ１０２に取り付ける方法として使用される場合、ＣＳ１１４はＥｚの対向端の隣接する方に至るまで若しくはそれをわずかに越えて延在し得る対向エッジ１３１を持ち得る。従って、取付エリアは無いに等しいか若しくは非常に小さくなり得る。しかしながら、ＣＳ１１４をボディ１０２に取り付ける方法としてスタッド若しくはボルトが使用される場合、ＣＳ１１４は、所望の取付法を受けるように構成され得るより大きな取付エリア（例えばスタッドを受ける開口など）を形成するよう、Ｅｚの対向端の隣接する方に至るまで越えて延在し得る対向エッジ１３１を持ち得る。

ＤＳ１１２及び１１３は互いに異なり得る。例えば、ＤＳ１１２は（例えば材料、形状、サイズ、層、取付法などに関して）第一のタイプであり得るが、ＤＳ１１３は異なるタイプであり得る。複数のシム、例えば第一のタイプのシム（例えばＤＳ１１２）は対応レイル１５０に結合され、シムレイルブロックアセンブリ１３５を形成し得る。各レイル１５０はボディ１０２に結合されるように及び／又はボディ１０２から分離されるように構成され得る。従って、各シムレイルブロックアセンブリ１３５は一単位として摺動自在にボディ１０２に取り付けられるか若しくはボディ１０２から取り外され得る。例えば、所望のシム構成を持つシムレイルブロックアセンブリ１３５は摺動自在にボディ１０２に挿入され（矢印で図示の通り）、任意の適切なロック機構を用いて所定位置にロックされ、その結果シミングプロセスを単純化し得る。取り外しは対応するシムレイルブロックアセンブリ１３５を反対方向にスライドして取り外すことによって実現され得る。従って、一つ以上のシムレイルブロックアセンブリ１３５は一単位としてボディ１０２に挿入され得る、及び／又はボディ１０２から取り外され得るシムカートリッジとして機能し得る。従って、ユーザはボディ１０２のボア１０６の外側でシムレイルブロックアセンブリ１３５を組み立てることができ、これはシステム１００の微シミングに要する時間を削減し得る。シムレイルブロックアセンブリ１３５の一つ以上は同様の若しくは異なるシム構成を持ち得る。シムレイルブロックアセンブリ１３５がボディ１０２の対応する端部上の開口１０４から挿入及び／又は固定され得るように、ボディ１０２は対応シムレイル１５０に結合されるように構成され得るシムレイル受け機構を含み得る。

シムの一つ以上はシステム６００のシミングを調節するためにその場で設置／調節され得る。例えば、ＤＳ１１２の構成を変えるために、所望の微シム構成を持つシムレイルブロックアセンブリ１３５がキャビティ１０６内に設置され、任意の適切なロック法を用いて所定位置にロックされ得る。従って、レイル１５０がユーザの便宜のためボディ１０２のキャビティ１０６の外側にある間に、レイル１５０の所望のシム位置においてＤＳ１１２を除去若しくは挿入することによってＤＳ１１２の構成が変更され得るよう、シムレイルブロックアセンブリ１３５の一つ以上はボディ１０２から容易に除去され得る。一部の実施形態において、レイル１５０は（例えば工場において）シムで事前設定され得るが、他の実施形態では必要であればユーザがシムの配置を変更し得ることが想定される。

本システムの実施形態によれば、中央シムリングは例えば図８に図示の通り主磁石のボア上に及び／又はシステムのグラジエントコイルの外径（ＯＤ）上に設置され得る。さらに、一部のシステムは、例えば磁石のボアにおける中央シムの取り付け及び粗シム位置の装着を含み得る、工場事前シム構成を受け得ることが想定される。その場合シムレイルは現場で微シミングのために使用され得る。本システムの実施形態によれば、中央リングの厚さは効率的なシミングを提供するために磁石あたりで最適化され得ることがさらに想定される。全磁石上で同じシムリング（若しくは同じ設計バイアス、それによって実質的にＣＳと同様の効果を生じる）に依存する方法は、外れ値を使用可能にするために磁石の大部分でのシミングを非効率的にシミングさせる可能性があり得る。上記の通り"ダミー"（非磁性）中央シム層を適用することによって、このようなシステム、例えば全てのＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムにわたってビーム減衰がマッチされ得ることがさらに想定される。これらのダミーシム層はかかる全システム（例えばかかる全ＬＩＮＡＣシステム）上で所望の（例えばマッチした若しくは同じ）ビーム経路減衰を実現するために追加され得る、並びに特定の場合には中央シム鉄の内面若しくはボディの内面に直接追加され得る、非磁性シム層であり得る。例えば、一部の磁石は中央シム鉄の多層を要し得るが、他の磁石は中央シム鉄の層をほとんど要しない可能性がある。従って、メインボア内に設置される中央シム鉄の層がない場合、ダミーシム層は中央領域内のメインボアの内面に直接適用され得る。

本システムの実施形態に従って形成されるＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムのテスト結果が図６を参照して説明され、これは本システムの実施形態にかかるＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムの低次項の一部を示すグラフ６００である。グラフ６００は本システムの実施形態に従って決定されるシミュレーション項（例えばＺ１、Ｚ２、Ｚ４及びＺ６（一般にＺｘ、ｘは任意の偶数））を図示する。項はそれぞれ（例えばＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムの長手方向軸（Ｌａ）に沿ってのびる）幅と１×１ｃｍの厚さを持つ理論的鉄リングについてシミュレーションされた。モデリングのため、鉄リングは本システムの実施形態にかかるＭＲ‐ＬＩＮＡＣのためのシムシステムの半径（例えばＬＡ軸からシムシステムのシム位置の重心まで測定される）に位置すると仮定された。線６０１の左にある項Ｚｘの部分（例えばＣＳのエッジ）は従来のシミング法を用いて得るのは不可能ではないにしても困難であり得る。しかしながら、項Ｚｘの部分は本システムの実施形態にかかるシミング法を用いてＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムにおいて得られた。従って、ＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムの除外ゾーン内に位置するＣＳ１１４を使用する図１に図示のような本システムの実施形態にかかるシミング法は、離散シムがビーム経路から除外される場合に従来のシミング法を用いるときには得られないかもしれない項Ｚｘの部分を提供する。さらに、本システムの実施形態にかかるシムの構成を含むＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムを含む他のシステムは、本システムの実施形態に従って構成されるシステムが、Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｉｎｇｅｎｉａ仕様などのワールドクラスの均一性仕様を満たすことを可能にし得る。明らかにされる通り、本システムの実施形態は本明細書で例示的に論じられるＬＩＮＡＣ放射線照射システム以外の放射線照射システムとともに適切に適用され得る。従って、クレームは例えば同一若しくは同様の機能をシステムに提供し得るかかる他の放射線照射システムを含むと理解されるべきである。

図７は本システムの実施形態にかかるシステム７００の一部を示す。例えば、本システムの一部はメモリ７２０、ディスプレイ７３０などのレンダリングデバイス、センサ７４０、ＲＦトランスデューサ７６０、磁気コイル７９２、線形加速器（ＬＩＮＡＣ）７９４、及びユーザ入力デバイス７７０に動作的に結合されるプロセッサ７１０（例えばコントローラ）を含み得る。メモリ７２０はアプリケーションデータ及び上記動作に関する他のデータを記憶するためのいかなるタイプのデバイスでもあり得る。アプリケーションデータ及び他のデータは本システムに従って演算動作を実行するようにプロセッサ内部７１０を構成する（例えばプログラムする）ためにプロセッサ７１０によって受け取られる。そのように構成されるプロセッサ７１０は本システムの実施形態にかかる実行に特に適した専用マシンになる。

演算動作は例えばオプションのサポートアクチュエータ、磁気コイル７９２、及び／又はＲＦトランスデューサ７６０を制御することによってＭＲＩシステムを構成することを含み得る。サポートアクチュエータは必要であれば患者の（例えばｘ、ｙ、ｚ軸における）物理的位置を制御し得る。ＬＩＮＡＣは所望の形状、パワーなどでビームを出力するようにプロセッサ７１０によって制御され得る。磁気コイル７９２は主磁気コイル、グラジエントコイル（例えばｘ‐、ｙ‐、ｚ‐グラジエントコイル）、オプションのシミングコイルを含み、所望の方向及び／又は強度で主磁場及び／又は傾斜磁場を発するように制御され得る。コントローラは所望の磁場が所望の時間に発せられるように磁気コイル７９２へ電力供給するよう一つ以上の電源を制御し得る。ＲＦトランスデューサ７６０は患者においてＲＦパルスを送信し、及び／又はそこからエコー情報を受信するように制御され得る。磁気コイルの一つ以上は（ＭＲ）エコー情報などの信号を受信し、（例えば本システムの実施形態の一つ以上の再構成技術を用いて）それらを画像情報（例えばディスプレイ７３０など、本システムのユーザインターフェース（ＵＩ）上でレンダリングされ得る、例えば静止若しくはビデオ画像（例えばビデオ情報）、データ、及び／又はグラフ）を含み得るコンテンツに変換するように動作し得る。さらに、そしてコンテンツは後の使用のためにメモリ７２０などのシステムのメモリに記憶され得る。従って、演算動作は例えばエコー情報から得られる再構成画像情報などのコンテンツの要求、供給、及び／又はレンダリングを含み得る。プロセッサ７１０はシステムのディスプレイなどシステムのＵＩ上で画像情報などのコンテンツをレンダリングし得る。

プロセッサ７１０はビームパワー、フォーカス、強度などを制御するようにＬＩＮＡＣの動作をさらに制御し得る。プロセッサ７１０はさらにＬＩＮＡＣの一つ以上の放射線銃の場所に関する情報を受信し、対応する一つ以上の放射線銃の場所を決定するためにこの情報を処理し得る。ユーザ入力７７０はキーボード、マウス、トラックボール、若しくはタッチセンサディスプレイなど他のデバイスを含み、これらはスタンドアロンであるか若しくはシステムの一部であり得、例えばパーソナルコンピュータ、パーソナルデジタルアシスタント（ＰＤＡ）、携帯電話（例えばスマートフォン）、モニタ、スマート若しくはダム端末、又は任意の動作可能リンクを介してプロセッサ７１０と通信するための他のデバイスの一部などであり得る。ユーザ入力デバイス７７０は、本明細書に記載の通りＵＩ内のインタラクションを可能にすることを含め、プロセッサ７１０とインタラクションするために動作可能であり得る。明らかにプロセッサ７１０、メモリ７２０、ディスプレイ７３０、及び／又はユーザ入力デバイス７７０は全部若しくは一部、コンピュータシステム若しくはＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムなど他のデバイスの一部であり得る。

本システムの方法はコンピュータソフトウェアプログラムによって実行されるのに特に適しており、かかるプログラムは本システムによって記述される及び／又は描かれる個々のステップ若しくは動作の一つ以上に対応するモジュールを含む。かかるプログラムは勿論集積チップ、周辺デバイス若しくはメモリ、例えばメモリ７２０若しくはプロセッサ７１０に結合される他のメモリなど、コンピュータ可読媒体において具体化され得る。

メモリ７２０に含まれるプログラム及び／又はプログラム部分は、本明細書に開示の方法、演算動作、及び機能を実施するようにプロセッサ７１０を構成し得る。メモリは例えばクライアント及び／又はサーバ、若しくはローカル間に分散されてもよく、追加プロセッサが設けられ得る場合、プロセッサ７１０も分散されてもよく、或いは単数であり得る。メモリは電気、磁気、若しくは光学メモリ、又はこれらの若しくは他のタイプのストレージデバイスの任意の組み合わせとして実装され得る。さらに、"メモリ"という語はプロセッサ７１０によってアクセス可能なアドレス可能空間内のアドレスから読み出されるか若しくはアドレスに書き込まれることができるいかなる情報をも含むように十分広義に解釈されるべきである。この定義では、例えばプロセッサ７１０が本システムにかかる動作のためにネットワークから情報を読み出し得るので、ネットワークを通じてアクセス可能な情報もメモリ内にある。

本システムの実施形態は画像を収集し再構成する高速イメージング法を提供し得る。適切なアプリケーションはＭＲ‐ＬＩＮＡＣシステムを形成するよう、（例えば所望位置へフォーカスされる及び／又は向けられ得る）放射線ビームを出力するＬＩＮＡＣ及び同様のものを含み得る磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）システムなどのイメージングシステムを含み得る。本システムの実施形態は、関心ボリューム（ＶＯＩ）内に一様な（若しくは実質的に一様な）主磁場を供給し、これはＩｎｇｅｎｉａ（登録商標）均一性仕様など、競争力の高い均一性仕様を満たすか若しくは超えながら、治療若しくは放射線ゾーンにおいてＭＲガイド放射線治療を提供するために有益であり得る。さらに、本システムの実施形態は、システムのボディのキャビティとともに位置する患者に供給される（例えばＬＩＮＡＣからの）放射線量の予測可能性をシムシステムのシムが妨げることなく、一様な（若しくは実質的に一様な）主磁場を提供し得る。

本発明は特定の実施形態例を参照して示され記載されているが、本発明はそれに限定されず、様々な特徴及び実施形態の組み合わせを含む、形態及び詳細における様々な変更が、本発明の精神と範囲から逸脱することなくそこでなされ得ることが当業者によって理解される。本システムのさらなるバリエーションは当業者に容易に想到され、以下のクレームによって包含される。

最後に、上記は単に本システムの例示であることが意図され、添付のクレームをいかなる特定の実施形態若しくは実施形態のグループにも限定するものと解釈されてはならない。従って、本システムは実施形態例を参照して記載されているが、多数の変更及び代替実施形態が、以下のクレーム中に記載される本システムのより広い意図された精神と範囲から逸脱することなく当業者によって考案され得ることも理解されるべきである。加えて、本明細書に含まれる節の表題はレビューを容易にする意図であり、本システムの範囲を限定する意図ではない。従って、明細書及び図面は例示的に見られるものであり、添付のクレームの範囲を限定する意図ではない。

従って、明細書と図面は例示的にみられるものであり、添付のクレームの範囲を限定する意図ではない。

添付のクレームを解釈する際、以下のことが理解されるべきである：
ａ）"有する"という語は所定クレームに列挙した以外の要素若しくは動作の存在を除外しない。
ｂ）ある要素に先行する"ａ"若しくは"ａｎ"という語はかかる要素の複数の存在を除外しない。
ｃ）クレーム中の任意の参照符号はその範囲を限定しない。
ｄ）複数の"手段"は同じアイテム若しくはハードウェア若しくはソフトウェア実装構造若しくは機能によってあらわされ得る。
ｅ）開示の要素のいずれも、（例えば離散及び集積電子回路を含む）ハードウェア部分、ソフトウェア部分（例えばコンピュータプログラミング）、及びそれらの任意の組み合わせから成り得る。
ｆ）ハードウェア部分はアナログ及びデジタル部分の一方若しくは両方から成り得る。
ｇ）開示のデバイス若しくはその部分のいずれも、他に明記しない限りさらなる部分と一緒に組み合わされるか若しくはさらなる部分に分離され得る。
ｈ）特に指定されない限り動作若しくはステップの特定順序が要求されることを意図しない。
ｉ）"複数の"要素という語はクレームされる要素の二つ以上を含み、いかなる特定範囲の数の要素も示唆しない、つまり、複数の要素はわずか二つの要素であってもよく、計り知れない数の要素を含んでもよい。

Claims (15)

1. 磁気共鳴装置であって、
   第一及び第二の端部と、当該第一及び第二の端部の一方に位置する少なくとも一つの開口とを持つキャビティを有するボディ部分であって、当該キャビティが前記第一及び第二の端部の間にのびる長手方向軸を規定し、前記第一の端部と前記第二の端部との間に、放射線ビームを通過させるように構成される環状ゾーンが配される、ボディ部分と、
   前記キャビティ内に実質的に均一な磁場を有する主磁場を生成するための少なくとも一つの主磁石と、
   前記キャビティの周りに均一な厚みをもつ円筒を形成する円筒シムであって、前記キャビティの前記長手方向軸の長さに沿って対向エッジの間に延在し、前記環状ゾーンの或る長さに及ぶ、円筒シムと、
   前記円筒シムと、前記第一及び第二の端部の少なくとも一方との間に位置する、複数の離散シムと
   を有し、前記円筒シム及び前記離散シムは、前記キャビティ内の主磁場の均一性を高めるように構成される、磁気共鳴装置。
2. 前記円筒シムが互いに半径方向に積層された複数のサブシムを有する、請求項１に記載の装置。
3. 前記複数のサブシムの少なくとも１つが、電磁鋼から形成され、前記均一な厚みが、前記主磁場の均一性を高めるように選択される、請求項２に記載の装置。
4. 前記複数のサブシムの少なくとも１つが、非磁性材料から形成され、前記電磁鋼から形成される前記少なくとも１つのサブシム及び前記非磁性材料から形成される前記少なくとも１つのサブシムが、固定単位の放射線吸収を生じさせる、請求項３に記載の装置。
5. 前記複数のサブシムの各々が前記円筒壁内にギャップを有し、前記ギャップが、前記長手方向軸に平行に延在する、請求項２に記載の装置。
6. 前記ギャップ内に位置するフィラーをさらに有する、請求項５に記載の装置。
7. 前記サブシムの各々のギャップが互い違いになるように他のサブシムのギャップから回転オフセットされる、請求項５に記載の装置。
8. 前記円筒シムの少なくとも１つが、電磁鋼の放射線吸収値と同様の放射線吸収値を持つ非磁性材料のサブシムを有し、そこを通過するＬＩＮＡＣビームの減衰を制御する、請求項３に記載の装置。
9. 前記円筒シムが、前記ボディ部分の隣接面に対して前記円筒シムを付勢するスナップリングとして形成される、請求項１に記載の装置。
10. 前記複数の離散シムが異なるタイプのシムを有する、請求項１に記載の装置。
11. 一つ以上のレイルをさらに有し、各レイルは、一つ以上の離散シムに結合され、前記ボディ部分に対し着脱可能なシムレイルブロックアセンブリを形成する、請求項１に記載の装置。
12. 前記ボディ部分の前記キャビティ内の所望の位置に前記複数の離散シムの一つ以上をロックするロック機構をさらに有する、請求項１１に記載の装置。
13. 前記ボディ部分の前記キャビティ内に前記環状ゾーンを通して少なくとも一つの放射線ビームを発するための放射線源をさらに有する、請求項１に記載の装置。
14. 前記環状ゾーンを通る放射線ビームを出力するようにＬＩＮＡＣを制御可能に位置調整するためのジンバル若しくはガントリをさらに有する、請求項８に記載の装置。
15. 前記円筒シムがＮターンを持つらせん巻シートを有し、Ｎが２より大きい整数である、請求項１に記載の装置。

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