RU2015152430A - Установочный слой для охлаждающей структуры - Google Patents

Установочный слой для охлаждающей структуры Download PDF

Info

Publication number
RU2015152430A
RU2015152430A RU2015152430A RU2015152430A RU2015152430A RU 2015152430 A RU2015152430 A RU 2015152430A RU 2015152430 A RU2015152430 A RU 2015152430A RU 2015152430 A RU2015152430 A RU 2015152430A RU 2015152430 A RU2015152430 A RU 2015152430A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
installation layer
installation
light
cooling structure
layer
Prior art date
Application number
RU2015152430A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2015152430A3 (ru
RU2655017C2 (ru
Inventor
Йенс ПОЛЛМАНН-РЕЧ
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2015152430A publication Critical patent/RU2015152430A/ru
Publication of RU2015152430A3 publication Critical patent/RU2015152430A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2655017C2 publication Critical patent/RU2655017C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02469—Passive cooling, e.g. where heat is removed by the housing as a whole or by a heat pipe without any active cooling element like a TEC
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02355—Fixing laser chips on mounts
    • H01S5/0237—Fixing laser chips on mounts by soldering
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
    • B23K1/0008—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering specially adapted for particular articles or work
    • B23K1/0016—Brazing of electronic components
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/023—Mount members, e.g. sub-mount members
    • H01S5/02325—Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
    • H01S5/02326—Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/0235—Method for mounting laser chips
    • H01S5/02375—Positioning of the laser chips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
    • H01S5/183—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only vertical cavities, e.g. vertical cavity surface-emitting lasers [VCSEL]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/40—Arrangement of two or more semiconductor lasers, not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/42—Arrays of surface emitting lasers
    • H01S5/423—Arrays of surface emitting lasers having a vertical cavity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/648—Heat extraction or cooling elements the elements comprising fluids, e.g. heat-pipes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management
    • H01S5/02476—Heat spreaders, i.e. improving heat flow between laser chip and heat dissipating elements

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Claims (22)

1. Установочный слой (200) для установки по меньшей мере двух светоизлучающих полупроводниковых устройств, причем установочный слой (200) содержит лист материала, при этом установочный слой (200) дополнительно содержит угловой выступ (205) и краевой выступ (210) для выравнивания установочного слоя (200) с охлаждающей структурой (100), причем установочный слой (200) дополнительно содержит выравнивающие отверстия (215), определяющие установочные области (270) для установки светоизлучающего полупроводникового устройства, при этом материал выполнен с возможностью непосредственного присоединения или сварки к охлаждающей структуре (100).
2. Установочный слой (200) по п. 1, в котором материал установочного слоя (200) или покрытие сверху установочного слоя (200) подходит для присоединения пайкой светоизлучающих полупроводниковых устройств.
3. Установочный слой (200) по п. 1 или 2, в котором материал установочного слоя характеризуется удельной теплопроводностью выше 10 Вт/(м⋅K).
4. Установочный слой (200) по п. 1 или 2, в котором установочный слой имеет толщину между 50 мкм и 600 мкм.
5. Установочный слой (200) по п. 2, при этом установочный слой дополнительно содержит барьерный припойный резервуар (220), скомпонованный таким образом, чтобы уменьшить растекание избыточного припоя между смежными установочными областями (270).
6. Установочный слой (200) по п. 2, при этом установочный слой дополнительно содержит припойный резервуар (225), скомпонованный в области установочных областей (270).
7. Охлаждающая структура (100), содержащая охлаждающее тело, присоединенное к установочному слою по п. 1 или 2.
8. Охлаждающая структура (100) по п. 7, которая является μ-канальным охлаждающим устройством (100).
9. Светоизлучающая структура, содержащая охлаждающую структуру (100) по п. 7 или 8 и по меньшей мере два светоизлучающих полупроводниковых устройства.
10. Светоизлучающая структура по п. 9, в которой светоизлучающие полупроводниковые устройства являются полупроводниковыми лазерами.
11. Способ изготовления установочного слоя (200) для установки светоизлучающего полупроводникового устройства, причем этот способ содержит этапы, на которых
- обеспечивают лист материала, причем материал выполнен с возможностью непосредственного присоединения или сварки к охлаждающей структуре (100)
- обеспечивают угловой выступ (205) и краевой выступ (210) в листе материала для выравнивания установочного слоя (200) с охлаждающим телом упомянутой охлаждающей структуры (100), и
- обеспечивают выравнивающие отверстия (215), определяющие установочные области (270) в листе материала для установки светоизлучающего полупроводникового устройства.
12. Способ по п. 11, содержащий дополнительный этап обеспечения барьерного припойного резервуара (220) в листе материала, размещенного таким образом, чтобы уменьшить растекание избыточного припоя между смежными установочными областями (270).
13. Способ по п. 11 или 12, содержащий дополнительный этап обеспечения припойного резервуара (225), размещенного в области установочных областей (270).
14. Способ изготовления охлаждающей структуры (100), содержащий этапы, на которых
- обеспечивают охлаждающее тело, и
- присоединяют установочный слой (200) по п. 1 или 2 к охлаждающему телу.
15. Способ изготовления светоизлучающей структуры, содержащий этапы, на которых
- обеспечивают охлаждающую структуру (100) по п. 7 или 8, и
- прикрепляют на установочные области (270) по меньшей мере два светоизлучающих полупроводниковых устройства.
RU2015152430A 2013-05-08 2014-05-07 Установочный слой для охлаждающей структуры RU2655017C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13166943.4 2013-05-08
EP13166943 2013-05-08
PCT/EP2014/059285 WO2014180874A1 (en) 2013-05-08 2014-05-07 Mounting layer for cooling structure

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2015152430A true RU2015152430A (ru) 2017-06-09
RU2015152430A3 RU2015152430A3 (ru) 2018-03-19
RU2655017C2 RU2655017C2 (ru) 2018-05-23

Family

ID=48444071

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015152430A RU2655017C2 (ru) 2013-05-08 2014-05-07 Установочный слой для охлаждающей структуры

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9515453B2 (ru)
EP (1) EP2994963B1 (ru)
JP (1) JP6317812B2 (ru)
CN (1) CN105191027B (ru)
RU (1) RU2655017C2 (ru)
WO (1) WO2014180874A1 (ru)

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3891621B2 (ja) * 1996-12-19 2007-03-14 株式会社トクヤマ 窒化アルミニウム部材
US6555479B1 (en) 2001-06-11 2003-04-29 Advanced Micro Devices, Inc. Method for forming openings for conductive interconnects
JP2004031485A (ja) * 2002-06-24 2004-01-29 Nissan Motor Co Ltd 半導体装置
WO2004105142A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Matsushita Electric Works, Ltd. Light-emitting device
US7144788B2 (en) * 2004-02-19 2006-12-05 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Method for manufacturing a transmitting optical sub-assembly with a thermo-electric cooler therein
US7748440B2 (en) 2004-06-01 2010-07-06 International Business Machines Corporation Patterned structure for a thermal interface
JP4765408B2 (ja) 2005-05-31 2011-09-07 ソニー株式会社 半導体レーザ装置並びに放熱部材および支持部材
US20070065984A1 (en) 2005-09-22 2007-03-22 Lau Daniel K Thermal enhanced package for block mold assembly
US8039951B2 (en) 2006-01-19 2011-10-18 United Test And Assembly Center Ltd. Thermally enhanced semiconductor package and method of producing the same
JP2007242724A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Seiko Epson Corp マイクロチャンネル構造体、マイクロチャンネル構造体の製造方法及び電子機器
KR20090067180A (ko) * 2006-10-17 2009-06-24 씨. 아이. 카세이 가부시기가이샤 상하전극형 발광 다이오드용 패키지 집합체와 그것을 이용한 발광장치의 제조방법
DE102007036226A1 (de) * 2007-08-02 2009-02-05 Perkinelmer Elcos Gmbh Anbringungsstruktur für LEDs, LED-Baugruppe, LED-Baugruppensockel, Verfahren zum Ausbilden einer Anbringungsstruktur
GB0721957D0 (en) 2007-11-08 2007-12-19 Photonstar Led Ltd Ultra high thermal performance packaging for optoelectronics devices
JP4539773B2 (ja) 2008-03-07 2010-09-08 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
JP5124396B2 (ja) * 2008-09-01 2013-01-23 新電元工業株式会社 放熱基板ユニット
DE202008012361U1 (de) 2008-09-15 2012-12-14 Gerhard Menninga Platte und Anordnung zum Ausgleichen von Wärme in einer Leiterplatte und Abführen von Wärme von der Leiterplatte und von auf der Leiterplatte befindlichen Elementen
JP5509623B2 (ja) * 2009-02-27 2014-06-04 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP4979726B2 (ja) * 2009-03-10 2012-07-18 三菱電機株式会社 冷却装置、半導体レーザ光源装置、半導体レーザ光源ユニット、および固体レーザ装置
TWI398594B (zh) * 2009-06-16 2013-06-11 Kwo Ger Metal Technology Inc Transfer module
CN201490221U (zh) 2009-07-14 2010-05-26 深圳市吾光电子有限公司 Led支架及具有led支架的pcb板
AU2010277555B2 (en) * 2009-07-30 2016-01-07 Tendris Solutions B.V. Algae reactor
CN201526917U (zh) 2009-08-11 2010-07-14 深圳市长盈精密技术股份有限公司 一种led支架
CN201521907U (zh) * 2009-08-11 2010-07-07 深圳市长盈精密技术股份有限公司 一种led支架
CN201525917U (zh) * 2009-09-29 2010-07-14 国营江北机械厂 内放外收式钢帘线双捻机
RU2442240C1 (ru) * 2010-07-15 2012-02-10 Закрытое Акционерное Общество "Лайт Энджинс Корпорейшн" Светодиодный модуль
US8684572B2 (en) * 2011-01-07 2014-04-01 Tyco Electronics Corporation LED connector assembly
CN202067829U (zh) * 2011-03-18 2011-12-07 广东宏磊达光电科技有限公司 一种led支架
CN202142576U (zh) * 2011-05-31 2012-02-08 东莞市凯昶德电子科技股份有限公司 Led支架模块
CN202275868U (zh) * 2011-09-19 2012-06-13 东莞市朝恩精密五金制品有限公司 一种新型led大功率支架
US20150311673A1 (en) * 2014-04-29 2015-10-29 Princeton Optronics Inc. Polarization Control in High Peak Power, High Brightness VCSEL

Also Published As

Publication number Publication date
RU2015152430A3 (ru) 2018-03-19
JP2016518722A (ja) 2016-06-23
JP6317812B2 (ja) 2018-04-25
EP2994963B1 (en) 2019-08-21
EP2994963A1 (en) 2016-03-16
US20160118770A1 (en) 2016-04-28
CN105191027A (zh) 2015-12-23
US9515453B2 (en) 2016-12-06
WO2014180874A1 (en) 2014-11-13
RU2655017C2 (ru) 2018-05-23
CN105191027B (zh) 2019-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
HK1163349A1 (en) Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same
JP2011014890A5 (ru)
EP2515622A3 (en) Light emitting device array
RU2011109198A (ru) Светоизлучающее устройство
RU2015119029A (ru) Светоизлучающее устройство
US20150285562A1 (en) Vapor chamber heat sink and method for making the same
EP2779229A3 (en) Advanced cooling for power module switches
JP2013247369A5 (ru)
MX2013007639A (es) Proceso para manufactura de estructura de foco frio para led de alta potencia.
EP2482343A3 (en) Light emitting diode
JP2012109566A5 (ru)
WO2012067723A3 (en) Board assemblies, light emitting device assemblies, and methods of making the same
EP2722899A3 (en) Light emitting device
EP2378572A3 (en) Electrode configuration for a light emitting device
WO2012108627A3 (en) Light emitting diode having photonic crystal structure and method of fabricating the same
WO2013019534A3 (en) Light emitting die (led) lamps, heat sinks and related methods
EP2515035A3 (en) Light emitting diode lamp and assembling method thereof
GB201217534D0 (en) Display device
TW201612461A (en) Heat dispersion structure and manufacturing method thereof
WO2012020968A3 (ko) 오믹 전극 구조체를 갖는 반도체 발광 소자 및 그것을 제조하는 방법
EP2535953A3 (en) Light emitting device
EP2383802A3 (en) Light emitting device, method of manufacturing the light emitting device, light emitting device package, and lighting unit
WO2013152909A3 (de) Laserdiodenvorrichtung
CA2916167A1 (en) Reduction of scale build-up in an evaporative cooling apparatus
TW200746452A (en) Light emitting device