RU2015148260A - Светоизлучающий диод - Google Patents

Светоизлучающий диод Download PDF

Info

Publication number
RU2015148260A
RU2015148260A RU2015148260A RU2015148260A RU2015148260A RU 2015148260 A RU2015148260 A RU 2015148260A RU 2015148260 A RU2015148260 A RU 2015148260A RU 2015148260 A RU2015148260 A RU 2015148260A RU 2015148260 A RU2015148260 A RU 2015148260A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
groups
substituted
group
light emitting
emitting diode
Prior art date
Application number
RU2015148260A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2635095C2 (ru
Inventor
Юйчжо ЛЮ
Юньчзан ВАН
Рассел А. СТЭПЛТОН
Original Assignee
Милликен Энд Компани
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Милликен Энд Компани filed Critical Милликен Энд Компани
Publication of RU2015148260A publication Critical patent/RU2015148260A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2635095C2 publication Critical patent/RU2635095C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • C08G77/08—Preparatory processes characterised by the catalysts used
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/14—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups
    • C08G77/18—Polysiloxanes containing silicon bound to oxygen-containing groups to alkoxy or aryloxy groups
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08J—WORKING-UP; GENERAL PROCESSES OF COMPOUNDING; AFTER-TREATMENT NOT COVERED BY SUBCLASSES C08B, C08C, C08F, C08G or C08H
    • C08J3/00—Processes of treating or compounding macromolecular substances
    • C08J3/24—Crosslinking, e.g. vulcanising, of macromolecules
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/49—Phosphorus-containing compounds
    • C08K5/50—Phosphorus bound to carbon only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K5/00—Use of organic ingredients
    • C08K5/54—Silicon-containing compounds
    • C08K5/541—Silicon-containing compounds containing oxygen
    • C08K5/5415—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond
    • C08K5/5419—Silicon-containing compounds containing oxygen containing at least one Si—O bond containing at least one Si—C bond
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/04—Polysiloxanes
    • C08G77/06—Preparatory processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Silicon Polymers (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Claims (43)

1. Светоизлучающий диод, содержащий:
(a) полупроводниковый кристалл, причем полупроводниковый кристалл содержит полупроводниковый материал n-типа в первой области полупроводникового кристалла, полупроводниковый материал p-типа во второй области полупроводникового кристалла и p-n-переход на границе между первой областью и второй областью полупроводникового материала;
(b) катод, электрически соединенный с первой областью полупроводникового кристалла,
(c) анод, электрически соединенный со второй областью полупроводникового кристалла, и
(d) герметизирующий материал, окружающий полупроводниковый кристалл, причем герметизирующий материал содержит сшитый силиконовый полимер, полученный способом, предусматривающим стадии:
(i) обеспечения первого силоксанового соединения, причем первое силоксановое соединение содержит множество повторяющихся звеньев, соответствующих структуре формулы (XL)
Figure 00000001
,
где R1 и R2 независимо выбраны из группы, состоящей из алкильных групп, замещенных алкильных групп, циклоалкильных групп, замещенных циклоалкильных групп, алкенильных групп, замещенных алкенильных групп, циклоалкенильных групп, замещенных циклоалкенильных групп, гетероциклильных групп, замещенных гетероциклильных групп, арильных групп, замещенных арильных групп, гетероарильных групп, замещенных гетероарильных групп, триалкилсилоксигрупп,
арилдиалкилсилоксигрупп, алкилдиарилсилоксигрупп и триарилсилоксигрупп; R3 и R4 независимо выбраны из группы, состоящей из алкильных групп, замещенных алкильных групп, алкандиильных групп, замещенных алкандиильных групп, циклоалкильных групп, замещенных циклоалкильных групп, алкенильных групп, замещенных алкенильных групп, алкендиильных групп, замещенных алкендиильных групп, циклоалкенильных групп, замещенных циклоалкенильных групп, гетероциклильных групп, замещенных гетероциклильных групп, арильных групп, замещенных арильных групп, гетероарильных групп, замещенных гетероарильных групп, триалкилсилоксигрупп, арилдиалкилсилоксигрупп, алкилдиарилсилоксигрупп и триарилсилоксигрупп; при условии, что, если один из R3 и R4 выбран из группы, состоящей из алкандиильных групп, замещенных алкандиильных групп, алкендиильных групп и замещенных алкендиильных групп, тогда другой из R3 и R4 также выбран из группы, состоящей из алкандиильных групп, замещенных алкандиильных групп, алкендиильных групп и замещенных алкендиильных групп, и R3 и R4 соединены с образованием циклического фрагмента; R20 и R21 независимо выбраны из группы, состоящей из водорода, алкильных групп, замещенных алкильных групп, алкандиильных групп, замещенных алкандиильных групп, циклоалкильных групп, замещенных циклоалкильных групп, алкенильных групп, замещенных алкенильных групп, алкендиильных групп, замещенных алкендиильных групп, циклоалкенильных групп, замещенных циклоалкенильных групп, гетероциклильных групп, замещенных гетероциклильных групп, арильных групп, замещенных арильных групп, гетероарильных групп, замещенных гетероарильных групп, триалкилсилоксигрупп, арилдиалкилсилоксигрупп, алкилдиарилсилоксигрупп и триарилсилоксигрупп; при условии, что только один из R20 и R21 может представлять собой водород; а также при условии, что, если один из R20 и R21 выбран из группы, состоящей из алкандиильных групп, замещенных алкандиильных групп, алкендиильных групп и замещенных алкендиильных групп, тогда другой из R20 и R21 также выбран из группы, состоящей из алкандиильных групп, замещенных алкандиильных групп, алкендиильных групп и замещенных алкендиильных групп, и R20 и R21 соединены с образованием циклического фрагмента; x равен 0 или целому положительному числу от 1 до 6; а y представляет собой целое положительное число от 1 до 6;
(ii) обеспечения катализатора раскрытия кольца;
(iii) объединения первого силоксанового соединения и катализатора раскрытия кольца с получением реакционной смеси;
(iv) проведения реакции компонентов в реакционной смеси при таких условиях, что (А) катализатор раскрытия кольца раскрывает, по меньшей мере, часть повторяющихся звеньев, соответствующих структуре формулы (XL), в первом силоксановом соединении с образованием сшивающих групп, и (В) по меньшей мере, часть сшивающих групп реагирует с другими молекулами первого силоксанового соединения с получением сшивок между молекулами, образуя таким образом сшитый силиконовый полимер.
2. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором способ дополнительно предусматривает стадию нагревания сшитого силиконового полимера для ускорения сшивания.
3. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором первое силоксановое соединение дополнительно содержит по меньшей мере один сегмент, соответствующий структуре формулы (X)
Figure 00000002
,
где R10 и R11 независимо выбраны из группы, состоящей из водорода, алкильных групп, замещенных алкильных групп, циклоалкильных групп, замещенных циклоалкильных групп, алкенильных групп, замещенных алкенильных групп, циклоалкенильных групп, замещенных циклоалкенильных групп, гетероциклильных групп, замещенных гетероциклильных групп, арильных групп, замещенных арильных групп, гетероарильных групп, замещенных гетероарильных групп, триалкилсилоксигрупп, арилдиалкилсилоксигрупп, алкилдиарилсилоксигрупп и триарилсилоксигрупп; при условии, что только один из R10 и R11 может представлять собой водород.
4. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором x равен 0, а y равен 1.
5. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором R3 и R4 независимо выбраны из группы, состоящей из алкильных групп, галогеналкильных групп и арильных групп.
6. Светоизлучающий диод по п. 5, в котором R3 и R4 независимо выбраны из группы, состоящей из арильных групп.
7. Светоизлучающий диод по п. 6, в котором каждый из R3 и R4 представляет собой фенильную группу.
8. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором R1 и R2 независимо выбраны из группы, состоящей из алкильных групп и арильных групп.
9. Светоизлучающий диод по п. 8, в котором R1 и R2 независимо выбраны из группы, состоящей из алкильных групп.
10. Светоизлучающий диод по п. 9, в котором R1 и R2 представляют собой метильные группы.
11. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором силоксановый полимер дополнительно содержит силильные концевые группы.
12. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором приблизительно 10 мольн. % или более повторяющихся звеньев в первом силоксановом соединении соответствуют структуре формулы (XL).
13. Светоизлучающий диод по п. 1, в котором реакционная смесь дополнительно содержит соединение, соответствующее структуре, выбранной из группы, состоящей из формулы (LX), формулы (LXV) и формулы (LXX)
Figure 00000003
,
где R60, R61, R62 и R63 независимо выбраны из группы, состоящей из алкильных групп, замещенных алкильных групп, циклоалкильных групп, замещенных циклоалкильных групп, алкенильных групп, замещенных алкенильных групп, циклоалкенильных групп, замещенных циклоалкенильных групп, гетероциклильных групп, замещенных гетероциклильных групп, арильных групп, замещенных арильных групп, гетероарильных групп, замещенных гетероарильных групп, триалкилсилоксигрупп, арилдиалкилсилоксигрупп, алкилдиарилсилоксигрупп и триарилсилоксигрупп; а представляет собой целое положительное число; b представляет собой целое положительное число; а сумма а и b составляет от 3 до 5;
Figure 00000004
,
где R65 и R68 независимо выбраны из группы, состоящей из водорода, алкильных групп, замещенных алкильных групп, ацильных групп, замещенных ацильных групп, триалкилсилильных групп, арилдиалкилсилильных групп, алкилдиарилсилильных групп и триарилсилильных групп; и R66 и R67 независимо выбраны из группы, состоящей из алкильных групп, замещенных алкильных групп, циклоалкильных групп, замещенных циклоалкильных групп, алкенильных групп, замещенных алкенильных групп, циклоалкенильных групп, замещенных циклоалкенильных групп, гетероциклильных групп, замещенных гетероциклильных групп, арильных групп, замещенных арильных групп, гетероарильных групп, замещенных гетероарильных групп, триалкилсилоксигрупп, арилдиалкилсилоксигрупп, алкилдиарилсилоксигрупп и триарилсилоксигрупп; а n представляет собой целое положительное число;
Figure 00000005
,
где R70 и R71 независимо выбраны из группы, состоящей из галогеналкильных групп, аралкильных групп, арильных групп, замещенных арильных групп, гетероарильных групп и замещенных гетероарильных групп; c равно 0 или целому положительному числу от 1 до 3; R72, R73, R74, R75, R76, R77, R78, R80, R81, R82, R83, R84, R85 и R86 независимо выбраны из группы, состоящей из алкильных групп, замещенных алкильных групп, циклоалкильных групп, замещенных циклоалкильных групп, алкенильных групп, замещенных алкенильных групп, циклоалкенильных групп,
замещенных циклоалкенильных групп, гетероциклильных групп, замещенных гетероциклильных групп, арильных групп, замещенных арильных групп, гетероарильных групп, замещенных гетероарильных групп, триалкилсилоксигрупп, арилдиалкилсилоксигрупп, алкилдиарилсилоксигрупп и триарилсилоксигрупп; при условии, что, если с равно 0, тогда R74 и R82 независимо выбраны из группы, состоящей из галогеналкильных групп, аралкильных групп, арильных групп, замещенных арильных групп, гетероарильных групп и замещенных гетероарильных групп.
14. Светоизлучающий диод по п. 13, в котором R60 и R61 выбраны из группы, состоящей из галогеналкильных групп, арильных групп и аралкильных групп.
15. Светоизлучающий диод по п. 14, в котором R60 и R61 выбраны из группы, состоящей из арильных групп.
16. Светоизлучающий диод по п. 15, в котором R60 и R61 представляют собой фенильные группы.
17. Светоизлучающий диод по п. 13, в котором R62 и R63 выбраны из группы, состоящей из алкильных групп.
18. Светоизлучающий диод по п. 13, в котором R70 и R71 независимо выбраны из группы, состоящей из арильных групп.
19. Светоизлучающий диод по п. 18, в котором каждый из R70 и R71 представляет собой фенильную группу.
20. Светоизлучающий диод по п. 13, в котором R72, R73, R74, R75, R76, R77, R78, R80, R81, R82, R83, R84, R85 и R86 независимо выбраны из группы, состоящей из алкильных групп и арильных групп.
21. Светоизлучающий диод по п. 20, в котором R72, R73, R75, R76, R77, R78, R80, R81, R83, R84, R85 и R86 независимо выбраны из группы, состоящей из алкильных групп; a R74 и R82 независимо выбраны из группы, состоящей из арильных групп.
22. Светоизлучающий диод по п. 21, в котором R72, R73, R75, R76, R77, R78, R80, R81, R83, R84, R85 и R86 представляют собой метильные группы; a R74 и R82 представляют собой фенильные группы.
23. Светоизлучающий диод по п. 13, в котором c равно 1.
RU2015148260A 2013-04-12 2014-04-11 Светоизлучающий диод RU2635095C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361811474P 2013-04-12 2013-04-12
US61/811,474 2013-04-12
US14/244,236 US9530946B2 (en) 2013-04-12 2014-04-03 Light emitting diode
US14/244,236 2014-04-03
PCT/US2014/033747 WO2014169179A1 (en) 2013-04-12 2014-04-11 Light emitting diode

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015148260A true RU2015148260A (ru) 2017-05-15
RU2635095C2 RU2635095C2 (ru) 2017-11-09

Family

ID=51686197

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015148260A RU2635095C2 (ru) 2013-04-12 2014-04-11 Светоизлучающий диод

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9530946B2 (ru)
EP (1) EP2984688B1 (ru)
JP (1) JP6162323B2 (ru)
KR (1) KR101696570B1 (ru)
CN (1) CN105122483B (ru)
MY (1) MY180073A (ru)
RU (1) RU2635095C2 (ru)
TW (1) TWI582168B (ru)
WO (1) WO2014169179A1 (ru)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016186866A1 (en) * 2015-05-18 2016-11-24 Milliken & Company Cyclic siloxane compounds and compositions comprising the same
US10892385B2 (en) 2015-06-09 2021-01-12 Lumileds Llc LED fabrication using high-refractive-index adhesives
JP6675111B2 (ja) * 2015-08-03 2020-04-01 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 Ｌｅｄモジュール
US20170335064A1 (en) 2016-05-20 2017-11-23 Milliken & Company Method for producing a cross-linked siloxane network
JP2019518830A (ja) 2016-05-20 2019-07-04 ミリケン・アンド・カンパニーＭｉｌｌｉｋｅｎ ＆ Ｃｏｍｐａｎｙ シロキサン化合物を含む組成物、およびこれを使用するための方法
WO2018038871A1 (en) 2016-08-23 2018-03-01 Milliken & Company Method for producing a cross-linked siloxane network
US10654976B2 (en) 2016-12-13 2020-05-19 Milliken & Company Method for producing a cross-linked siloxane network
WO2020131367A1 (en) 2018-12-21 2020-06-25 Dow Silicones Corporation Polyfunctional organosiloxanes, compositions containing same, and methods for the preparation thereof
CN113056501B (zh) 2018-12-21 2023-03-07 美国陶氏有机硅公司 多官能有机硅氧烷、包含多官能有机硅氧烷的组合物及其制备方法
US11787908B2 (en) 2018-12-21 2023-10-17 Dow Silicones Corporation Methods for making polyfunctional organosiloxanes and compositions containing same
JP7028202B2 (ja) * 2019-02-01 2022-03-02 信越化学工業株式会社 硬化型シリコーン組成物
CN111662454B (zh) * 2019-03-05 2021-04-27 中国科学院化学研究所 一种环线结构的有机硅聚合物及其制备方法和用途
CN112409401B (zh) * 2020-11-20 2022-04-19 北京硅研新材科技有限公司 含硅氢的倍半硅氧烷及其相应聚合物的制备方法

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3297632A (en) * 1963-08-01 1967-01-10 Gen Electric Cyclic siloxane-containing polymers
US3378575A (en) 1964-07-29 1968-04-16 Gen Electric Process for making cyclotetra-siloxanetetrol
DE1237114B (de) 1964-10-27 1967-03-23 Gen Electric Verfahren zur Herstellung von Cyclopolysiloxanen
US3590064A (en) 1969-07-23 1971-06-29 Charles W Lacefield Process for preparing cyclosiloxanes
US5247116A (en) 1992-07-10 1993-09-21 Temple University Of The Commonwealth System Of Higher Education Acid-catalyzed process for the production of cyclosiloxanes
US5298589A (en) 1992-07-16 1994-03-29 Temple University-Of The Commonwealth System Of Higher Education Highly functionalized polycyclosiloxanes and their polymerization into thermally reversible living rubbers
US5491249A (en) 1995-04-20 1996-02-13 Hercules Incorporated Process for preparing cyclic polysiloxanes from linear polysiloxanes
FR2733988B1 (fr) 1995-05-11 1997-08-01 Rhone Poulenc Chimie Procede de fabrication de cyclosiloxanes par depolymerisation de polysiloxanes
FR2806930B1 (fr) 2000-04-04 2002-06-28 Rhodia Chimie Sa Utilisation d'un derive de bore a titre de catalyseur thermoactivable pour la polymerisation et/ou reticulation de silicone par deshydrogenocondensation
US6593500B2 (en) 2001-01-19 2003-07-15 Rhodia, Inc. Process for alkoxylation with a boron-containing catalyst
AU2003293583A1 (en) * 2002-12-20 2004-07-22 Dow Corning Corporation Branched polymers from organohydrogensilicon compounds
US7064173B2 (en) 2002-12-30 2006-06-20 General Electric Company Silicone condensation reaction
US7241851B2 (en) 2002-12-30 2007-07-10 Momentive Performance Materials Inc. Silicone condensation reaction
FR2864543B1 (fr) 2003-12-30 2006-03-03 Rhodia Chimie Sa Procede de preparation de polyorganosiloxanes (pos) par polymerisation par ouverture de cycle(s) et/ou redistribution de pos, en presence de carbene(s) et compositions de pos mises en oeuvre dans ce procede
CN1989178A (zh) * 2004-05-20 2007-06-27 通用电气公司 硅氧烷缩合反应
US7569652B2 (en) 2004-08-20 2009-08-04 The University Of Akron Synthesis and characterization of novel cyclosiloxanes and their self- and co-condensation with silanol-terminated polydimethylsiloxane
US7192795B2 (en) * 2004-11-18 2007-03-20 3M Innovative Properties Company Method of making light emitting device with silicon-containing encapsulant
US7388065B2 (en) 2004-12-01 2008-06-17 The University Of Akron Process for preparing siloxane compounds
CA2589660A1 (en) * 2004-12-20 2006-06-29 Amo Groningen B.V. Polysiloxanes, method of synthesis and ophthalmic compositions
US7148370B1 (en) 2005-07-20 2006-12-12 General Electric Company Process for synthesis of diorganosilanes by disproportionation of hydridosiloxanes
RU2401846C2 (ru) * 2006-04-25 2010-10-20 Учреждение Российской академии наук Институт синтетических полимерных материалов им. Н.С. Ениколопова РАН (ИСПМ РАН) Функциональные полиорганосилоксаны и композиция, способная к отверждению на их основе
CA2675585C (en) * 2007-03-12 2015-10-06 Bayer Schering Pharma Oy Use of tocopherol as a co-catalyst for ring opening polymerization of cyclic siloxanes
JP5248033B2 (ja) 2007-04-23 2013-07-31 株式会社Ａｄｅｋａ ケイ素含有化合物、硬化性組成物及び硬化物
JP2010161257A (ja) * 2009-01-09 2010-07-22 Sony Corp 発光装置及び表示装置
KR101056432B1 (ko) * 2009-09-14 2011-08-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 이의 밀봉용 충전재
JP5427585B2 (ja) * 2009-12-18 2014-02-26 昭和電工株式会社 フリップチップ型発光ダイオード及びその製造方法
JP5731761B2 (ja) * 2010-05-18 2015-06-10 シチズン電子株式会社 発光装置
JP2012162704A (ja) * 2010-07-29 2012-08-30 Cheil Industries Inc 変性シロキサン重合体組成物、変性シロキサン重合体組成物から得られた封止材および封止材を含む電子デバイス
WO2012057372A1 (ko) 2010-10-26 2012-05-03 주식회사 씨드 3차원 잉크젯 프린트 시스템 이용이 가능한 전기 또는 전자 재료용 광 경화 잉크젯 잉크 조성물의 제조방법
CN102593302B (zh) * 2011-01-10 2014-10-15 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及其制造方法
US8865926B2 (en) 2011-09-26 2014-10-21 Sivance, Llc Process for the production of cyclosiloxanes
JP5653877B2 (ja) * 2011-10-04 2015-01-14 信越化学工業株式会社 光半導体封止用硬化性組成物及びこれを用いた光半導体装置
US9334294B2 (en) * 2013-04-12 2016-05-10 Milliken & Company Siloxane compound and process for producing the same
US9388284B2 (en) * 2013-04-12 2016-07-12 Milliken & Company Cross-linked silicone polymer and process for producing the same
US9518073B2 (en) * 2013-04-12 2016-12-13 Milliken & Company Siloxane compound and process for producing the same
US9422317B2 (en) * 2013-04-12 2016-08-23 Milliken & Company Siloxane compound and process for producing the same

Also Published As

Publication number Publication date
TW201446880A (zh) 2014-12-16
TWI582168B (zh) 2017-05-11
CN105122483B (zh) 2018-05-15
CN105122483A (zh) 2015-12-02
MY180073A (en) 2020-11-20
KR101696570B1 (ko) 2017-01-13
EP2984688B1 (en) 2017-06-07
JP2016516310A (ja) 2016-06-02
WO2014169179A1 (en) 2014-10-16
KR20150130362A (ko) 2015-11-23
JP6162323B2 (ja) 2017-07-12
EP2984688A1 (en) 2016-02-17
US20140306259A1 (en) 2014-10-16
RU2635095C2 (ru) 2017-11-09
US9530946B2 (en) 2016-12-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015148260A (ru) Светоизлучающий диод
RU2015148262A (ru) Сшитый силиконовый полимер и способ его получения
RU2015148261A (ru) Силоксановое соединение и способ его получения
AU2014250850B2 (en) Siloxane compound and process for producing the same
AU2014250849B2 (en) Siloxane compound and process for producing the same
RU2015137713A (ru) Способ получения циклического олигомера и получаемый таким образом циклический олигомер

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210412