RU2014153005A - Полупроводниковая пластина и способ ее изготовления - Google Patents

Полупроводниковая пластина и способ ее изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2014153005A
RU2014153005A RU2014153005A RU2014153005A RU2014153005A RU 2014153005 A RU2014153005 A RU 2014153005A RU 2014153005 A RU2014153005 A RU 2014153005A RU 2014153005 A RU2014153005 A RU 2014153005A RU 2014153005 A RU2014153005 A RU 2014153005A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
semiconductor wafer
compensation
wafers
membrane
vary
Prior art date
Application number
RU2014153005A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2627282C2 (ru
Inventor
Петер ДИРКСЕН
Original Assignee
Конинклейке Филипс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Конинклейке Филипс Н.В. filed Critical Конинклейке Филипс Н.В.
Publication of RU2014153005A publication Critical patent/RU2014153005A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2627282C2 publication Critical patent/RU2627282C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N1/00—Electrostatic generators or motors using a solid moving electrostatic charge carrier
    • H02N1/002—Electrostatic motors
    • H02N1/006—Electrostatic motors of the gap-closing type
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
    • B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
    • B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
    • B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
    • B06B1/0292—Electrostatic transducers, e.g. electret-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
    • H01L21/76—Making of isolation regions between components

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)

Abstract

1. Полупроводниковая пластина (100), подразделенная и разделимая на множество кристаллов, причем каждый кристалл (110) содержит массив ячеек (1) емкостного микрообработанного преобразователя, причем каждая ячейка содержит подложку (10), содержащую первый электрод (11), мембрану (13), содержащую второй электрод (14), и полость (12) между подложкой (10) и мембраной (13), при этом каждая ячейка (1) по меньшей мере части кристаллов (110) содержит компенсационную пластину (15) на мембране (13), каждая компенсационная пластина (15) имеет конфигурацию для оказания влияния на прогиб (h) мембраны (13), при этом конфигурации компенсационных пластин (13) варьируются по полупроводниковой пластине (100).2. Полупроводниковая пластина по п. 1, при этом конфигурации компенсационных пластин (15) варьируются по полупроводниковой пластине таким образом, что прогибы (h) мембран ячеек (1) являются практически равномерными.3. Полупроводниковая пластина по п. 1, при этом формы компенсационных пластин (15) варьируются по полупроводниковой пластине.4. Полупроводниковая пластина по п. 1, при этом конфигурации компенсационных пластин (13) ячеек (1) в пределах одного кристалла (110) являются практически равномерными.5. Полупроводниковая пластина по п. 1, при этом размеры компенсационных пластин (15) варьируются по полупроводниковой пластине.6. Полупроводниковая пластина по п. 5, при этом каждая компенсационная пластина (15) имеет круглую форму с диаметром (d) пластины, и при этом диаметры (d) пластин варьируются по полупроводниковой пластине.7. Полупроводниковая пластина по п. 5, при этом каждая компенсационная пластина (15) имеет кольцевую форму с внутренним диаметром (di) пластины, и при этом внутренние диаметры (di) пластин варьируются по полупроводниковой пластине.8. Пол

Claims (15)

1. Полупроводниковая пластина (100), подразделенная и разделимая на множество кристаллов, причем каждый кристалл (110) содержит массив ячеек (1) емкостного микрообработанного преобразователя, причем каждая ячейка содержит подложку (10), содержащую первый электрод (11), мембрану (13), содержащую второй электрод (14), и полость (12) между подложкой (10) и мембраной (13), при этом каждая ячейка (1) по меньшей мере части кристаллов (110) содержит компенсационную пластину (15) на мембране (13), каждая компенсационная пластина (15) имеет конфигурацию для оказания влияния на прогиб (h) мембраны (13), при этом конфигурации компенсационных пластин (13) варьируются по полупроводниковой пластине (100).
2. Полупроводниковая пластина по п. 1, при этом конфигурации компенсационных пластин (15) варьируются по полупроводниковой пластине таким образом, что прогибы (h) мембран ячеек (1) являются практически равномерными.
3. Полупроводниковая пластина по п. 1, при этом формы компенсационных пластин (15) варьируются по полупроводниковой пластине.
4. Полупроводниковая пластина по п. 1, при этом конфигурации компенсационных пластин (13) ячеек (1) в пределах одного кристалла (110) являются практически равномерными.
5. Полупроводниковая пластина по п. 1, при этом размеры компенсационных пластин (15) варьируются по полупроводниковой пластине.
6. Полупроводниковая пластина по п. 5, при этом каждая компенсационная пластина (15) имеет круглую форму с диаметром (d) пластины, и при этом диаметры (d) пластин варьируются по полупроводниковой пластине.
7. Полупроводниковая пластина по п. 5, при этом каждая компенсационная пластина (15) имеет кольцевую форму с внутренним диаметром (di) пластины, и при этом внутренние диаметры (di) пластин варьируются по полупроводниковой пластине.
8. Полупроводниковая пластина по п. 1, при этом толщины (t) компенсационных пластин (15) варьируются по полупроводниковой пластине.
9. Полупроводниковая пластина по п. 8, при этом по меньшей мере часть компенсационных пластин (15) содержат больше слоев (15a, 15b), чем другие компенсационные пластины.
10. Полупроводниковая пластина по п. 1, при этом конфигурации компенсационных пластин (15) варьируются ступенчато от первой области (R1) полупроводниковой пластины ко второй области (R2) полупроводниковой пластины.
11. Способ изготовления полупроводниковой пластины (100), содержащий:
- обеспечение полупроводниковой пластины, подразделенной и разделимой на множество кристаллов (110), причем каждый кристалл содержит массив ячеек (1) емкостного микрообработанного преобразователя, каждая ячейка содержит подложку (10), содержащую первый электрод (11), мембрану (13), содержащую второй электрод (14), и полость (12) между подложкой (10) и мембраной (13), и
- обеспечение компенсационной пластины (15) на мембране (13) каждой ячейки (1) по меньшей мере части кристаллов (110), причем каждая компенсационная пластина (15) имеет конфигурацию для оказания влияния на прогиб (h) мембраны (13), при этом конфигурации компенсационных пластин (15) варьируют по полупроводниковой пластине (100).
12. Способ по п. 11, дополнительно содержащий этап определения прогиба мембран ячеек (1) каждого кристалла (110) до обеспечения компенсационных пластин (15).
13. Способ по п. 11, при этом этап обеспечения компенсационных пластин (15) содержит формирование рисунка с использованием литографической маски с варьирующимися размерами и/или формами.
14. Способ по п. 11, при этом этап обеспечения компенсационных пластин (15) содержит нанесение первого слоя (15a) и нанесение по меньшей мере второго слоя (15b) таким образом, что по меньшей мере часть компенсационных пластин (15) содержат больше слоев, чем другие компенсационные пластины.
15. Способ изготовления кристалла (110), содержащего массив ячеек (1) емкостного микрообработанного преобразователя, при этом способ содержит этапы способа по п. 11 и дополнительно содержит отделение кристалла (110) от полупроводниковой пластины (100).
RU2014153005A 2012-05-31 2013-05-30 Полупроводниковая пластина и способ ее изготовления RU2627282C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261653675P 2012-05-31 2012-05-31
US61/653,675 2012-05-31
PCT/IB2013/054455 WO2013179247A1 (en) 2012-05-31 2013-05-30 Wafer and method of manufacturing the same

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014153005A true RU2014153005A (ru) 2016-07-20
RU2627282C2 RU2627282C2 (ru) 2017-08-04

Family

ID=48783310

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014153005A RU2627282C2 (ru) 2012-05-31 2013-05-30 Полупроводниковая пластина и способ ее изготовления

Country Status (7)

Country Link
US (2) US9917535B2 (ru)
EP (1) EP2855035B1 (ru)
JP (1) JP6185988B2 (ru)
CN (1) CN104379268B (ru)
BR (1) BR112014029547A2 (ru)
RU (1) RU2627282C2 (ru)
WO (1) WO2013179247A1 (ru)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BR112014029547A2 (pt) * 2012-05-31 2017-06-27 Koninklijke Philips Nv placa sendo subdividida e separavel em uma pluralidade de matrizes, método de fabricação de uma placa e método de fabricação de uma matriz
WO2018115283A1 (en) * 2016-12-22 2018-06-28 Koninklijke Philips N.V. Systems and methods of operation of capacitive radio frequency micro-electromechanical switches
RU191704U1 (ru) * 2019-06-03 2019-08-19 Открытое Акционерное Общество "Научно-Исследовательский Институт Полупроводникового Машиностроения (Оао "Ниипм") Блок центрирования полупроводниковых пластин на вакуумном столике в кластерной линии фотолитографии перед проведением технологических операций

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6865140B2 (en) * 2003-03-06 2005-03-08 General Electric Company Mosaic arrays using micromachined ultrasound transducers
US6945115B1 (en) * 2004-03-04 2005-09-20 General Mems Corporation Micromachined capacitive RF pressure sensor
US7037746B1 (en) * 2004-12-27 2006-05-02 General Electric Company Capacitive micromachined ultrasound transducer fabricated with epitaxial silicon membrane
EP1907133A4 (en) * 2005-06-17 2012-05-09 Kolo Technologies Inc MICROELECTROMECHANICAL TRANSDUCER HAVING AN ISOLATION EXTENSION
US8465431B2 (en) * 2005-12-07 2013-06-18 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Multi-dimensional CMUT array with integrated beamformation
US20070180916A1 (en) * 2006-02-09 2007-08-09 General Electric Company Capacitive micromachined ultrasound transducer and methods of making the same
JP4699259B2 (ja) * 2006-03-31 2011-06-08 株式会社日立製作所 超音波トランスデューサ
US7956514B2 (en) * 2007-03-30 2011-06-07 Gore Enterprise Holdings, Inc. Ultrasonic attenuation materials
CN101969856B (zh) * 2007-09-17 2013-06-05 皇家飞利浦电子股份有限公司 预塌陷的电容微机械超声传感器的制造及其应用
US7839722B2 (en) * 2007-09-20 2010-11-23 Siemens Medical Solutions Usa, Inc. Microfabricated acoustic transducer with a multilayer electrode
EP2215854A1 (en) * 2007-12-03 2010-08-11 Kolo Technologies, Inc. Stacked transducing devices
JP5305993B2 (ja) * 2008-05-02 2013-10-02 キヤノン株式会社 容量型機械電気変換素子の製造方法、及び容量型機械電気変換素子
JP2010010834A (ja) * 2008-06-24 2010-01-14 Canon Inc 変換素子およびその作製方法
US9132693B2 (en) 2008-09-16 2015-09-15 Koninklijke Philps N.V. Capacitive micromachine ultrasound transducer
US20120074509A1 (en) * 2009-03-26 2012-03-29 Ntnu Technology Transfer As Wafer bond cmut array with conductive vias
JP5733898B2 (ja) * 2010-02-14 2015-06-10 キヤノン株式会社 静電容量型電気機械変換装置
DE102011050040B4 (de) * 2010-05-14 2016-10-06 National Tsing Hua University Kapazitives Mikrosystem-Mikrofon
EP2696994B1 (en) * 2011-04-13 2021-08-18 Koninklijke Philips N.V. Temperature compensation in a cmut device
EP2520917A1 (en) * 2011-05-04 2012-11-07 Nxp B.V. MEMS Capacitive Pressure Sensor, Operating Method and Manufacturing Method
JP5852461B2 (ja) * 2012-02-14 2016-02-03 日立アロカメディカル株式会社 超音波探触子及びそれを用いた超音波診断装置
BR112014029547A2 (pt) * 2012-05-31 2017-06-27 Koninklijke Philips Nv placa sendo subdividida e separavel em uma pluralidade de matrizes, método de fabricação de uma placa e método de fabricação de uma matriz
US9604255B2 (en) * 2014-01-10 2017-03-28 Fujifilm Dimatix, Inc. Method, apparatus and system for a transferable micromachined piezoelectric transducer array
US9534492B2 (en) * 2014-11-11 2017-01-03 Baker Hughes Incorporated Pressure compensated capacitive micromachined ultrasound transducer for downhole applications
JP7216550B2 (ja) * 2016-06-13 2023-02-01 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ 広帯域超音波トランスジューサ
JP6763731B2 (ja) * 2016-09-28 2020-09-30 株式会社日立製作所 超音波トランスデューサ、その製造方法および超音波撮像装置
WO2018178772A2 (en) * 2017-03-28 2018-10-04 Nanofone Ltd. High performance sealed-gap capacitive microphone
US10757510B2 (en) * 2018-01-08 2020-08-25 Nanofone Limited High performance sealed-gap capacitive microphone with various gap geometries
KR20190087041A (ko) * 2018-01-16 2019-07-24 삼성메디슨 주식회사 초음파 영상장치 및 그 제어방법

Also Published As

Publication number Publication date
EP2855035B1 (en) 2017-03-01
US20180159445A1 (en) 2018-06-07
EP2855035A1 (en) 2015-04-08
JP2015528221A (ja) 2015-09-24
RU2627282C2 (ru) 2017-08-04
CN104379268B (zh) 2017-02-22
CN104379268A (zh) 2015-02-25
WO2013179247A1 (en) 2013-12-05
US9917535B2 (en) 2018-03-13
JP6185988B2 (ja) 2017-08-23
BR112014029547A2 (pt) 2017-06-27
US20150145372A1 (en) 2015-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9111850B2 (en) Chuck and semiconductor process using the same
JP2014510489A5 (ru)
WO2019033854A1 (zh) 具有双振膜的差分电容式麦克风
RU2013146954A (ru) Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь с подавленной акустической связью с подложкой
EP2362281A3 (en) Fabrication techniques to enhance pressure uniformity in anodically bonded vapor cells
WO2015066404A8 (en) Mitigating leaks in membranes
WO2011122868A3 (ko) 신규한 구조의 전극조립체 및 그것의 제조방법
WO2010107228A2 (ko) 기공 경사 구조의 나노 기공성 층을 포함하는 연료극 지지형 고체 산화물 연료 전지 및 그 제조 방법
US20090230019A1 (en) Substrate cassette having electrode array
RU2014153005A (ru) Полупроводниковая пластина и способ ее изготовления
EP2428992A3 (en) Apparatus and method for manufacturing thin film type solar cell
JP2011040733A5 (ru)
MX2022014809A (es) Celdas de flujo y metodos para hacer las mismas.
ATE460984T1 (de) Herstellungsverfahren für katalysatorbeschichtete membranen
CN203367259U (zh) 晶圆分区吸附结构
WO2008088010A1 (ja) 薄膜圧電共振器および薄膜圧電フィルタ
RU2015134574A (ru) Катод в форме таблетки для применения в биосовместимой батарее
US9810954B2 (en) Display panel with primary spacer and secondary spacer and method for manufacturing the same and display device
JP2013522461A5 (ru)
JP2007267081A5 (ru)
US9630440B2 (en) Stamp structures and transfer methods using the same
GB2568428A (en) Process of production of interdigitated array of electrodes and derivatives by screen printing technique
JP6611377B2 (ja) 電極合剤層形成モールドを含む二次電池用電極製造装置
WO2021134334A1 (zh) 一种mems麦克风
CN102683579B (zh) 小型压电驻极体功能薄膜制备装置