RU2013146954A - Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь с подавленной акустической связью с подложкой - Google Patents
Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь с подавленной акустической связью с подложкой Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013146954A RU2013146954A RU2013146954/28A RU2013146954A RU2013146954A RU 2013146954 A RU2013146954 A RU 2013146954A RU 2013146954/28 A RU2013146954/28 A RU 2013146954/28A RU 2013146954 A RU2013146954 A RU 2013146954A RU 2013146954 A RU2013146954 A RU 2013146954A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- cmut
- massive
- cell
- cells
- cell array
- Prior art date
Links
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A61—MEDICAL OR VETERINARY SCIENCE; HYGIENE
- A61B—DIAGNOSIS; SURGERY; IDENTIFICATION
- A61B8/00—Diagnosis using ultrasonic, sonic or infrasonic waves
- A61B8/44—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device
- A61B8/4483—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer
- A61B8/4494—Constructional features of the ultrasonic, sonic or infrasonic diagnostic device characterised by features of the ultrasound transducer characterised by the arrangement of the transducer elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01H—MEASUREMENT OF MECHANICAL VIBRATIONS OR ULTRASONIC, SONIC OR INFRASONIC WAVES
- G01H11/00—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties
- G01H11/06—Measuring mechanical vibrations or ultrasonic, sonic or infrasonic waves by detecting changes in electric or magnetic properties by electric means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B06—GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS IN GENERAL
- B06B—METHODS OR APPARATUS FOR GENERATING OR TRANSMITTING MECHANICAL VIBRATIONS OF INFRASONIC, SONIC, OR ULTRASONIC FREQUENCY, e.g. FOR PERFORMING MECHANICAL WORK IN GENERAL
- B06B1/00—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency
- B06B1/02—Methods or apparatus for generating mechanical vibrations of infrasonic, sonic, or ultrasonic frequency making use of electrical energy
- B06B1/0292—Electrostatic transducers, e.g. electret-type
-
- G—PHYSICS
- G10—MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
- G10K—SOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G10K11/00—Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
- G10K11/002—Devices for damping, suppressing, obstructing or conducting sound in acoustic devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Surgery (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Pathology (AREA)
- Gynecology & Obstetrics (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Heart & Thoracic Surgery (AREA)
- Medical Informatics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Biophysics (AREA)
- Animal Behavior & Ethology (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Public Health (AREA)
- Veterinary Medicine (AREA)
- Transducers For Ultrasonic Waves (AREA)
- Ultra Sonic Daignosis Equipment (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Ultrasonic Waves (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
1. Матрица ячеек cMUT ультразвукового преобразователя, которые установлены на множестве массивных пластин, которые установлены на общей подложке, содержащая:(a) ячейки cMUT, причем каждая ячейка содержит:мембрану ячейки;опорную структуру мембраны;верхний электрод, соединенный с мембраной ячейки;зазор, обеспечивающий пространство, в котором движется мембрана ячейки; инижний электрод, используемый во взаимодействии с верхним электродом;(b) множество массивных пластин, на которых установлены ячейки cMUT, причем каждая массивная пластина обладает силой инерции, которая по существу направлена противоположно силе акустического давления, генерируемой ячейкой cMUT, установленной на ней, во время передачи ячейкой cMUT, причем каждая массивная пластина и установленная на ней ячейка cMUT сбоку заизолированы движению от соседних массивных пластин с помощью зазора; и(c) непрерывную подложку, на которой установлено множество массивных пластин и их ячейки cMUT.2. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой мембрана ячейки, опорная структура мембраны, верхний электрод, нижний электрод и массивные пластины изготовлены с использованием технологий производства полупроводниковых приборов.3. Матрица ячеек cMUT по п. 2, в которой массивные пластиныизготовлены из электропроводящего материала, с тем чтобы также обеспечить нижний электрод.4. Матрица ячеек cMUT по п. 3, в которой электропроводящий материал представляет собой тантал, золото, молибден, медь, хром или вольфрам или их сплав.5. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой каждая массивная пластина дополнительно демонстрирует высокую жесткость, что делает ее размер малым относительно длины волны ультразвука, п
Claims (21)
1. Матрица ячеек cMUT ультразвукового преобразователя, которые установлены на множестве массивных пластин, которые установлены на общей подложке, содержащая:
(a) ячейки cMUT, причем каждая ячейка содержит:
мембрану ячейки;
опорную структуру мембраны;
верхний электрод, соединенный с мембраной ячейки;
зазор, обеспечивающий пространство, в котором движется мембрана ячейки; и
нижний электрод, используемый во взаимодействии с верхним электродом;
(b) множество массивных пластин, на которых установлены ячейки cMUT, причем каждая массивная пластина обладает силой инерции, которая по существу направлена противоположно силе акустического давления, генерируемой ячейкой cMUT, установленной на ней, во время передачи ячейкой cMUT, причем каждая массивная пластина и установленная на ней ячейка cMUT сбоку заизолированы движению от соседних массивных пластин с помощью зазора; и
(c) непрерывную подложку, на которой установлено множество массивных пластин и их ячейки cMUT.
2. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой мембрана ячейки, опорная структура мембраны, верхний электрод, нижний электрод и массивные пластины изготовлены с использованием технологий производства полупроводниковых приборов.
3. Матрица ячеек cMUT по п. 2, в которой массивные пластины
изготовлены из электропроводящего материала, с тем чтобы также обеспечить нижний электрод.
4. Матрица ячеек cMUT по п. 3, в которой электропроводящий материал представляет собой тантал, золото, молибден, медь, хром или вольфрам или их сплав.
5. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой каждая массивная пластина дополнительно демонстрирует высокую жесткость, что делает ее размер малым относительно длины волны ультразвука, при которой работают ячейки cMUT.
6. Матрица ячеек cMUT по п. 5, в которой каждая массивная пластина дополнительно демонстрирует высокий акустический импеданс.
7. Матрица ячеек cMUT по п. 6, в которой акустический импеданс составляет более 40 Мрейл.
8. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой каждая массивная пластина установлена на подложке посредством деформируемой опоры.
9. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой каждая массивная пластина установлена на подложке посредством множества разнесенных опор.
10. Матрица ячеек cMUT по п. 9, в которой пространства между разнесенными опорами заполнены одним из следующего: вакуумом, воздухом или деформируемым материалом.
11. Матрица ячеек cMUT по п. 10, в которой деформируемый материал представляет собой кремнекаучук.
12. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой отдельные ячейки cMUT матрицы установлены на массивных пластинах, по отдельности
заизолированных сбоку.
13. Матрица ячеек cMUT по п. 12, в которой отдельные ячейки cMUT и массивные пластины демонстрируют гексагональное расположение.
14. Матрица ячеек cMUT по п. 12, в которой отдельные ячейки cMUT и массивные пластины демонстрируют круговое расположение.
15. Матрица ячеек cMUT по п. 12, в которой ячейки cMUT и массивные пластины сформированы на полупроводниковой подложке, перекрывающей слой интегральной схемы.
16. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила инерции массивной пластины противодействует, по меньшей мере, 50% от силы акустического давления, генерируемой установленной на ней ячейкой cMUT.
17. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила акустического давления, генерируемая ячейкой cMUT, ослабляется, по меньшей мере, на 6 дБ.
18. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила инерции массивной пластины противодействует, по меньшей мере, 66,67% от силы акустического давления, генерируемой установленной на ней ячейкой cMUT.
19. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила акустического давления, генерируемая ячейкой cMUT, ослабляется ее массивной пластиной, по меньшей мере, на 10 дБ.
20. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила инерции массивной пластины противодействует, по меньшей мере, 90% от силы акустического давления, генерируемой установленной на ней ячейкой cMUT.
21. Матрица ячеек cMUT по п. 1, в которой сила акустического давления, генерируемая ячейкой cMUT, ослабляется ее массивной пластиной, по меньшей мере, на 20 дБ.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US201161466172P | 2011-03-22 | 2011-03-22 | |
| US61/466,172 | 2011-03-22 | ||
| PCT/IB2012/051173 WO2012127360A2 (en) | 2011-03-22 | 2012-03-13 | Ultrasonic cmut with suppressed acoustic coupling to the substrate |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013146954A true RU2013146954A (ru) | 2015-04-27 |
| RU2589272C2 RU2589272C2 (ru) | 2016-07-10 |
Family
ID=45937471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013146954/28A RU2589272C2 (ru) | 2011-03-22 | 2012-03-13 | Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь с подавленной акустической связью с подложкой |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20130331705A1 (ru) |
| EP (1) | EP2688686B1 (ru) |
| JP (1) | JP5961246B2 (ru) |
| CN (1) | CN103501922B (ru) |
| BR (1) | BR112013023981A2 (ru) |
| RU (1) | RU2589272C2 (ru) |
| WO (1) | WO2012127360A2 (ru) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013093728A1 (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Ultrasound transducer device and method of manufacturing the same |
| GB2513884B (en) | 2013-05-08 | 2015-06-17 | Univ Bristol | Method and apparatus for producing an acoustic field |
| DE102013223695B4 (de) * | 2013-11-20 | 2016-09-22 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zum herstellen eines kapazitiven ultraschallwandlers und anordnung einer mehrzahl von kapazitiven ultraschallwandlern |
| KR102155695B1 (ko) * | 2014-02-12 | 2020-09-21 | 삼성전자주식회사 | 전기 음향 변환기 |
| GB2530036A (en) | 2014-09-09 | 2016-03-16 | Ultrahaptics Ltd | Method and apparatus for modulating haptic feedback |
| EP3223709B1 (en) * | 2014-11-25 | 2019-02-20 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound system and method |
| CA2976319C (en) | 2015-02-20 | 2023-06-27 | Ultrahaptics Ip Limited | Algorithm improvements in a haptic system |
| ES2896875T3 (es) | 2015-02-20 | 2022-02-28 | Ultrahaptics Ip Ltd | Percepciones en un sistema háptico |
| CN108025331B (zh) * | 2015-06-30 | 2019-11-05 | 皇家飞利浦有限公司 | 超声系统和超声脉冲发射方法 |
| US11766237B2 (en) | 2015-07-02 | 2023-09-26 | Philips Image Guided Therapy Corporation | Multi-mode capacitive micromachined ultrasound transducer and associated devices, systems, and methods for multiple different intravascular sensing capabilities |
| DE102015212683A1 (de) * | 2015-07-07 | 2017-01-12 | Robert Bosch Gmbh | Schallwandler und Einbauanordnung mit einem Schallwandler |
| US10818162B2 (en) | 2015-07-16 | 2020-10-27 | Ultrahaptics Ip Ltd | Calibration techniques in haptic systems |
| US9751108B2 (en) * | 2015-07-31 | 2017-09-05 | Texas Instruments Incorporated | Extended range ultrasound transducer |
| EP3338113B1 (en) | 2015-11-24 | 2021-08-25 | Halliburton Energy Services, Inc. | Ultrasonic transducer with suppressed lateral mode |
| WO2017222969A1 (en) | 2016-06-20 | 2017-12-28 | Butterfly Network, Inc. | Electrical contact arrangement for microfabricated ultrasonic transducer |
| US10268275B2 (en) | 2016-08-03 | 2019-04-23 | Ultrahaptics Ip Ltd | Three-dimensional perceptions in haptic systems |
| US20190357882A1 (en) * | 2016-11-22 | 2019-11-28 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound device and acoustic component for use in such a device |
| US11039814B2 (en) | 2016-12-04 | 2021-06-22 | Exo Imaging, Inc. | Imaging devices having piezoelectric transducers |
| US10943578B2 (en) | 2016-12-13 | 2021-03-09 | Ultrahaptics Ip Ltd | Driving techniques for phased-array systems |
| EP3459646A1 (en) * | 2017-09-22 | 2019-03-27 | Koninklijke Philips N.V. | Ultrasound transducer device and method for controlling the same |
| US11531395B2 (en) | 2017-11-26 | 2022-12-20 | Ultrahaptics Ip Ltd | Haptic effects from focused acoustic fields |
| US11704983B2 (en) | 2017-12-22 | 2023-07-18 | Ultrahaptics Ip Ltd | Minimizing unwanted responses in haptic systems |
| US10656007B2 (en) | 2018-04-11 | 2020-05-19 | Exo Imaging Inc. | Asymmetrical ultrasound transducer array |
| US10648852B2 (en) | 2018-04-11 | 2020-05-12 | Exo Imaging Inc. | Imaging devices having piezoelectric transceivers |
| KR20210002703A (ko) | 2018-05-02 | 2021-01-08 | 울트라햅틱스 아이피 엘티디 | 개선된 음향 전송 효율을 위한 차단 플레이트 구조체 |
| WO2019226547A1 (en) | 2018-05-21 | 2019-11-28 | Exo Imaging, Inc. | Ultrasonic transducers with q spoiling |
| US11098951B2 (en) | 2018-09-09 | 2021-08-24 | Ultrahaptics Ip Ltd | Ultrasonic-assisted liquid manipulation |
| EP3906462A2 (en) | 2019-01-04 | 2021-11-10 | Ultrahaptics IP Ltd | Mid-air haptic textures |
| US11842517B2 (en) | 2019-04-12 | 2023-12-12 | Ultrahaptics Ip Ltd | Using iterative 3D-model fitting for domain adaptation of a hand-pose-estimation neural network |
| JP2023511802A (ja) | 2019-09-12 | 2023-03-23 | エコー イメージング，インク． | 端部溝、仮想ピボット、および非拘束状態の境界を介する、ｍｕｔ結合効率および帯域幅の増加 |
| US11374586B2 (en) | 2019-10-13 | 2022-06-28 | Ultraleap Limited | Reducing harmonic distortion by dithering |
| AU2020368678A1 (en) | 2019-10-13 | 2022-05-19 | Ultraleap Limited | Dynamic capping with virtual microphones |
| US11715453B2 (en) | 2019-12-25 | 2023-08-01 | Ultraleap Limited | Acoustic transducer structures |
| US11816267B2 (en) | 2020-06-23 | 2023-11-14 | Ultraleap Limited | Features of airborne ultrasonic fields |
| WO2022058738A1 (en) | 2020-09-17 | 2022-03-24 | Ultraleap Limited | Ultrahapticons |
| JP2024513615A (ja) * | 2021-03-29 | 2024-03-27 | エコー イメージング，インク． | Ｍｕｔアレイにおいてクロストークを減少するための溝 |
| US11819881B2 (en) | 2021-03-31 | 2023-11-21 | Exo Imaging, Inc. | Imaging devices having piezoelectric transceivers with harmonic characteristics |
| US11951512B2 (en) | 2021-03-31 | 2024-04-09 | Exo Imaging, Inc. | Imaging devices having piezoelectric transceivers with harmonic characteristics |
| US20220393095A1 (en) * | 2021-06-02 | 2022-12-08 | Ultraleap Limited | Electromechanical Transducer Mount |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2117415C1 (ru) * | 1994-05-31 | 1998-08-10 | Шанаурин Александр Михайлович | Электростатический конденсаторный преобразователь |
| US6262946B1 (en) | 1999-09-29 | 2001-07-17 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Capacitive micromachined ultrasonic transducer arrays with reduced cross-coupling |
| US6443901B1 (en) * | 2000-06-15 | 2002-09-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Capacitive micromachined ultrasonic transducers |
| US6862254B2 (en) | 2000-10-19 | 2005-03-01 | Sensant Corporation | Microfabricated ultrasonic transducer with suppressed substrate modes |
| US6669644B2 (en) * | 2001-07-31 | 2003-12-30 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Micro-machined ultrasonic transducer (MUT) substrate that limits the lateral propagation of acoustic energy |
| US6831394B2 (en) | 2002-12-11 | 2004-12-14 | General Electric Company | Backing material for micromachined ultrasonic transducer devices |
| US20040190377A1 (en) * | 2003-03-06 | 2004-09-30 | Lewandowski Robert Stephen | Method and means for isolating elements of a sensor array |
| US7303530B2 (en) * | 2003-05-22 | 2007-12-04 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Transducer arrays with an integrated sensor and methods of use |
| US7030536B2 (en) * | 2003-12-29 | 2006-04-18 | General Electric Company | Micromachined ultrasonic transducer cells having compliant support structure |
| US7545075B2 (en) | 2004-06-04 | 2009-06-09 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Capacitive micromachined ultrasonic transducer array with through-substrate electrical connection and method of fabricating same |
| US7888709B2 (en) * | 2004-09-15 | 2011-02-15 | Sonetics Ultrasound, Inc. | Capacitive micromachined ultrasonic transducer and manufacturing method |
| KR20080002857A (ko) * | 2005-04-25 | 2008-01-04 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 초음파 변환기 시스템에 의한 연속적인 이미징을 위한 방법및 장치 |
| CA2607918A1 (en) * | 2005-05-18 | 2006-11-23 | Kolo Technologies, Inc. | Micro-electro-mechanical transducers |
| CN101558552B (zh) * | 2005-06-17 | 2017-05-31 | 科隆科技公司 | 具有绝缘延伸部的微机电换能器 |
| JP4724505B2 (ja) * | 2005-09-09 | 2011-07-13 | 株式会社日立製作所 | 超音波探触子およびその製造方法 |
| US7741686B2 (en) | 2006-07-20 | 2010-06-22 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Trench isolated capacitive micromachined ultrasonic transducer arrays with a supporting frame |
| RU2449418C2 (ru) * | 2006-09-25 | 2012-04-27 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Межсоединение по методу перевернутого кристалла через сквозные отверстия в микросхеме |
| US7843022B2 (en) | 2007-10-18 | 2010-11-30 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | High-temperature electrostatic transducers and fabrication method |
| US8207652B2 (en) * | 2009-06-16 | 2012-06-26 | General Electric Company | Ultrasound transducer with improved acoustic performance |
| JP5578810B2 (ja) * | 2009-06-19 | 2014-08-27 | キヤノン株式会社 | 静電容量型の電気機械変換装置 |
| KR20110002630A (ko) * | 2009-07-02 | 2011-01-10 | 삼성전자주식회사 | 휴대 단말기의 카메라 운용 방법 및 장치 |
| JP5495918B2 (ja) * | 2009-07-24 | 2014-05-21 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換装置、及び電気機械変換装置の作製方法 |
| US8455289B1 (en) * | 2011-12-02 | 2013-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Low frequency CMUT with thick oxide |
-
2012
- 2012-03-13 CN CN201280014348.5A patent/CN103501922B/zh active Active
- 2012-03-13 JP JP2014500501A patent/JP5961246B2/ja active Active
- 2012-03-13 RU RU2013146954/28A patent/RU2589272C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2012-03-13 WO PCT/IB2012/051173 patent/WO2012127360A2/en active Application Filing
- 2012-03-13 US US14/000,891 patent/US20130331705A1/en not_active Abandoned
- 2012-03-13 EP EP12713338.7A patent/EP2688686B1/en active Active
- 2012-03-13 BR BR112013023981A patent/BR112013023981A2/pt not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2012127360A2 (en) | 2012-09-27 |
| WO2012127360A3 (en) | 2013-04-25 |
| US20130331705A1 (en) | 2013-12-12 |
| EP2688686B1 (en) | 2022-08-17 |
| CN103501922A (zh) | 2014-01-08 |
| JP2014510489A (ja) | 2014-04-24 |
| CN103501922B (zh) | 2016-08-17 |
| JP5961246B2 (ja) | 2016-08-02 |
| BR112013023981A2 (pt) | 2016-12-13 |
| EP2688686A2 (en) | 2014-01-29 |
| RU2589272C2 (ru) | 2016-07-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013146954A (ru) | Емкостный микрообработанный ультразвуковой преобразователь с подавленной акустической связью с подложкой | |
| JP2014510489A5 (ru) | ||
| US9319800B2 (en) | Electro acoustic transducer | |
| EP2107653A3 (en) | Surface Emitting Laser Element Array | |
| JP2017112612A5 (ru) | ||
| KR101578542B1 (ko) | 마이크로폰 제조 방법 | |
| JP2017516428A5 (ru) | ||
| JP2019522449A5 (ru) | ||
| KR20190022644A (ko) | 미세제작된 초음파 트랜스듀서를 위한 전기 접촉부 배열 | |
| WO2013028444A3 (en) | Vertical solid-state transducers having backside terminals and associated systems and methods | |
| CN101272636B (zh) | 电容式传声器芯片 | |
| WO2012143784A3 (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| KR101630759B1 (ko) | 초음파 변환기의 셀, 채널 및 이를 포함하는 초음파 변환기 | |
| CN103546845B (zh) | 具有微机械传声器结构的构件 | |
| RU2014129830A (ru) | Устройство ультразвукового преобразователя и способ его изготовления | |
| JP2014523689A5 (ru) | ||
| WO2010109205A3 (en) | Wafer bond cmut array with conductive vias | |
| JP2012085239A5 (ru) | ||
| JP2016511607A5 (ru) | ||
| CN1823551A (zh) | 声音检测机构 | |
| JP2011045040A5 (ru) | ||
| CN103379392B (zh) | 电容式超声传感器芯片及其制作方法 | |
| CN106303867A (zh) | Mems麦克风 | |
| JP2013065983A (ja) | 電気機械変換装置、及びその製造方法 | |
| JP2013055318A5 (ru) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190314 |