RU2014131900A - Полупроводниковая структура, устройство с такой структурой и способ изготовления полупроводниковой структуры - Google Patents

Полупроводниковая структура, устройство с такой структурой и способ изготовления полупроводниковой структуры Download PDF

Info

Publication number
RU2014131900A
RU2014131900A RU2014131900A RU2014131900A RU2014131900A RU 2014131900 A RU2014131900 A RU 2014131900A RU 2014131900 A RU2014131900 A RU 2014131900A RU 2014131900 A RU2014131900 A RU 2014131900A RU 2014131900 A RU2014131900 A RU 2014131900A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
region
barrier
thickness
constituent elements
boundary
Prior art date
Application number
RU2014131900A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2617281C2 (ru
Inventor
Оливье ГРАВРАН
Александр ФЕРРОН
Original Assignee
Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив filed Critical Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив
Publication of RU2014131900A publication Critical patent/RU2014131900A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2617281C2 publication Critical patent/RU2617281C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/09—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0256—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by the material
    • H01L31/0264—Inorganic materials
    • H01L31/0296—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe
    • H01L31/02966—Inorganic materials including, apart from doping material or other impurities, only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, HgCdTe including ternary compounds, e.g. HgCdTe
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
    • H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
    • H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1828—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe
    • H01L31/1832—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof the active layers comprising only AIIBVI compounds, e.g. CdS, ZnS, CdTe comprising ternary compounds, e.g. Hg Cd Te
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

1. Полупроводниковая структура (5) для приема электромагнитного излучения (λ) и преобразования его в электрический сигнал, причем структура имеет номинальную рабочую температуру, содержащая:- первую и вторую области (20, 60) одного и того же типа проводимости, которые соответственно изготовлены из первого и второго полупроводниковых материалов, причем упомянутые первый и второй полупроводниковые материалы состоят из одних и тех же элементов, называемых составляющими элементами, причем различное соотношение по меньшей мере для двух из составляющих элементов соответствует различию в ширине запрещенной зоны упомянутого материала, при этом первый материал является прямозонным полупроводниковым материалом,- барьерную область (40), сформированную между первой и второй областями (20, 60), предназначенную для функционирования в качестве барьера для основных носителей первой и второй областей (20, 60) на толщине (e) барьера, причем барьерная область (40) состоит из указанных составляющих элементов и имеет по всей толщине (e) барьера такое соотношение составляющих элементов, что барьерная область (40) имеет минимум ширины запрещенной зоны, больший по величине, чем ширина запрещенной зоны в первой области (20), при этом разность по абсолютному значению между энергией экстремума энергетической зоны, соответствующей основному носителю, при минимуме ширины запрещенной зоны в барьерной области, и энергией того же экстремума во второй области равна по меньшей мере 10-тикратной тепловой энергии при указанной номинальной рабочей температуре, причем соотношение составляющих элементов, при котором барьерная область (40) имеет запрещенную зону с наиболее малой шириной, опред

Claims (11)

1. Полупроводниковая структура (5) для приема электромагнитного излучения (λ) и преобразования его в электрический сигнал, причем структура имеет номинальную рабочую температуру, содержащая:
- первую и вторую области (20, 60) одного и того же типа проводимости, которые соответственно изготовлены из первого и второго полупроводниковых материалов, причем упомянутые первый и второй полупроводниковые материалы состоят из одних и тех же элементов, называемых составляющими элементами, причем различное соотношение по меньшей мере для двух из составляющих элементов соответствует различию в ширине запрещенной зоны упомянутого материала, при этом первый материал является прямозонным полупроводниковым материалом,
- барьерную область (40), сформированную между первой и второй областями (20, 60), предназначенную для функционирования в качестве барьера для основных носителей первой и второй областей (20, 60) на толщине (e1) барьера, причем барьерная область (40) состоит из указанных составляющих элементов и имеет по всей толщине (e1) барьера такое соотношение составляющих элементов, что барьерная область (40) имеет минимум ширины запрещенной зоны, больший по величине, чем ширина запрещенной зоны в первой области (20), при этом разность по абсолютному значению между энергией экстремума энергетической зоны, соответствующей основному носителю, при минимуме ширины запрещенной зоны в барьерной области, и энергией того же экстремума во второй области равна по меньшей мере 10-тикратной тепловой энергии при указанной номинальной рабочей температуре, причем соотношение составляющих элементов, при котором барьерная область (40) имеет запрещенную зону с наиболее малой шириной, определяется как барьерное соотношение (Xb),
отличающаяся тем, что содержит первую граничную область (30), сформированную на первой граничной толщине (e2) так, что она граничит с первой областью (20) и барьерной областью (40), причем первая граничная область имеет состав из составляющих элементов, который изменяется на всей граничной толщине (e2) от первой области (20) к барьерной области (40), от соотношения, соответствующего соотношению первого материала, до барьерного соотношения (Xb), и первая граничная толщина (e2) равна по меньшей мере половине толщины барьера (e1), при этом сформирована вторая граничная область (50) на второй граничной толщине (e3), расположенная так, что граничит с барьерной областью (40) и второй областью (60), причем вторая граничная область (50) имеет состав из составляющих элементов, который изменяется на всей второй граничной толщине (e3) от барьерной области (40) ко второй области (60), от барьерного соотношения (Xb) до состава, соответствующего составу второго материала (X2), и вторая граничная толщина (e3) меньше половины толщины (e1) барьера.
2. Структура (5) по п. 1, которая является nBn-структурой, первая и вторая области имеют тип проводимости, для которого основными носителями являются электроны, барьерная область (40) образована составляющими элементами и имеет по всей толщине (e1) барьера такое соотношение составляющих элементов, что барьерная область (40) имеет минимум ширины запрещенной зоны, который больше ширины запрещенной зоны первой области (20), и разность по абсолютному значению между энергией экстремума энергетической зоны, соответствующей основному носителю, при минимуме ширины запрещенной зоны в барьерной области, и энергией того же экстремума зоны проводимости второй области равна по меньшей мере 10-тикратной тепловой энергии при номинальной рабочей температуре.
3. Структура (5) по п. 1, в которой первый и второй материалы имеют, по существу, идентичные соотношения составляющих элементов.
4. Структура (5) по п. 1, в которой составляющими элементами являются кадмий (Cd), ртуть (Hg) и теллур (Te).
5. Структура (5) по п. 1, в которой первая граничная толщина (e2) находится в пределах между толщиной (e1) барьера и двойной толщиной (e1) барьера.
6. Структура (5) по п. 1 , в которой соотношение составляющих элементов изменяется, по существу, равномерно по всей первой граничной толщине (e2).
7. Структура (5) по п. 1, в которой вторая граничная толщина (e3) меньше одной трети толщины (e1) барьера и предпочтительно меньше одной десятой толщины (e1) барьера.
8. Структура (5) по п. 1, в которой толщина (e1) барьера имеет значение между 100 и 300 нм.
9. Полупроводниковое устройство (1), содержащее множество полупроводниковых структур (5a, b, c, d), отличающееся тем, что по меньшей мере одна из структур (5a, b, c, d) является структурой по п. 1.
10. Полупроводниковое устройство (1) по п. 9, которое включает в себя оптическую часть (2) и процессорную часть, причем оптическая часть (2) содержит множество полупроводниковых структур (5a, b, c, d), называемых оптическими структурами, способными принимать электромагнитное излучение (λ) и преобразовывать его в электрический сигнал, причем по меньшей мере одна из структур (5a, b, c, d) является по меньшей мере одной структурой по одному из пп. 1-8, а процессорная часть содержит полупроводниковые структуры, расположенные между ними, чтобы обрабатывать электрические сигналы оптических структур (5a, b, c, d).
11. Способ изготовления полупроводниковой структуры (5) по п. 1, содержащий этапы, на которых:
- обеспечивают первую область (20) первого типа проводимости, изготовленную из первого полупроводникового материала, причем первый материал состоит из так называемых составляющих элементов, таких, что различное соотношение по меньшей мере двух из упомянутых составляющих элементов соответствует изменению ширины запрещенной зоны упомянутого материала,
- формируют первую граничную область (30) в контакте с первой областью (20), причем первая граничная область (30) имеет первую граничную толщину (e2) и состав из составляющих элементов, который изменяется по всей граничной толщине (e2) от соотношения, соответствующего первому материалу, до барьерного соотношения,
- формируют барьерную область (40) в контакте с граничной областью таким образом, что граничная область (40) граничит с первой областью (20) и барьерной областью (40), причем барьерная область (40) имеет толщину барьера (e1), по меньшей мере в два раза меньшую, чем первая граничная толщина (е2), а барьерная область состоит из составляющих элементов и имеет на всей толщине (e1) барьера такое соотношение, что барьерная область (40) имеет ширину запрещенной зоны, которая больше ширины запрещенной зоны для первой области (20), и соотношение составляющих элементов, при котором барьерная область (40) имеет самую низкую ширину запрещенной зоны, равно барьерному соотношению (Xb),
- формируют вторую граничную область (50) на второй граничной толщине (e3), причем состав составляющих элементов второй граничной области изменяется от барьерного соотношения (Xb) до соотношения, соответствующего второму материалу, а вторая граничная толщина (e3) меньше половины толщины барьера (e1),
- формируют вторую область (60) того же типа проводимости, что и первая область (20), причем вторую область (20) изготавливают из второго полупроводникового материала, состоящего из указанных составляющих элементов, и вторая область (60) расположена таким образом, что между первой и второй областями (20, 60) обеспечивается барьерная область (40), причем ширина запрещенной зоны второй области является такой, что разность по абсолютному значению между энергией экстремума энергетической зоны, соответствующей основному носителю, при минимуме ширины запрещенной зоны в барьерной области и энергией того же экстремума второй области, равна по меньшей мере 10-тикратной тепловой энергии при номинальной рабочей температуре.
RU2014131900A 2012-01-04 2013-01-02 Полупроводниковая структура, устройство с такой структурой и способ изготовления полупроводниковой структуры RU2617281C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1250086A FR2985373B1 (fr) 2012-01-04 2012-01-04 Structure semiconductrice, dispositif comportant une telle structure et procede de fabrication d'une structure semiconductrice
FR1250086 2012-01-04
PCT/EP2013/050020 WO2013102631A2 (fr) 2012-01-04 2013-01-02 Structure semiconductrice, dispositif comportant une telle structure et procede de fabrication d'une structure semiconductrice

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014131900A true RU2014131900A (ru) 2016-02-20
RU2617281C2 RU2617281C2 (ru) 2017-04-24

Family

ID=47522650

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014131900A RU2617281C2 (ru) 2012-01-04 2013-01-02 Полупроводниковая структура, устройство с такой структурой и способ изготовления полупроводниковой структуры

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9048357B2 (ru)
EP (1) EP2801117B1 (ru)
JP (1) JP6038177B2 (ru)
KR (1) KR102069788B1 (ru)
CN (1) CN104040731B (ru)
FR (1) FR2985373B1 (ru)
IL (1) IL233444B (ru)
RU (1) RU2617281C2 (ru)
WO (1) WO2013102631A2 (ru)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2994616B1 (fr) 2012-08-14 2014-09-12 Commissariat Energie Atomique Composant semiconducteur et procede de fabrication d'un composant semiconducteur
FR3021807B1 (fr) 2014-05-27 2017-09-29 Commissariat A L Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Matrice de photodiodes mesa a ftm amelioree
FR3032304B1 (fr) 2015-02-02 2017-03-10 Commissariat Energie Atomique Structure semiconductrice a deux cavites resonantes couplees optiquement et procede de fabrication d'une telle structure
FR3039629B1 (fr) * 2015-07-28 2020-08-14 Valeo Vision Dispositif d'eclairage pour projecteur de vehicule automobile
CN109569621B (zh) * 2017-09-29 2021-10-01 中国石油化工股份有限公司 催化剂组合物、制造方法及其用途
CN113471302B (zh) * 2021-07-09 2022-10-14 弘大芯源(深圳)半导体有限公司 一种带内外电位保护环的肖特基二极管

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0106514B1 (en) 1982-09-23 1989-03-15 The Secretary of State for Defence in Her Britannic Majesty's Government of the United Kingdom of Great Britain and Infrared detectors
US4783594A (en) * 1987-11-20 1988-11-08 Santa Barbara Research Center Reticular detector array
JPH09232616A (ja) * 1996-02-20 1997-09-05 Fujitsu Ltd 赤外線検出装置
JPH10256594A (ja) * 1997-03-10 1998-09-25 Fujitsu Ltd 半導体光検知装置
JP2000188407A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Fujitsu Ltd 赤外線検知素子
JP2001274451A (ja) * 2000-03-27 2001-10-05 Toshiba Corp 半導体撮像素子およびその製造方法
EP1782475A1 (en) * 2004-06-10 2007-05-09 BAE Systems PLC Two colour photon detector
US7687871B2 (en) * 2006-03-19 2010-03-30 Shimon Maimon Reduced dark current photodetector
IL174844A (en) * 2006-04-06 2011-02-28 Semi Conductor Devices An Elbit Systems Rafael Partnership Unipolar semiconductor photodetector with suppressed dark current and method for producing the same
US8044435B2 (en) * 2006-11-14 2011-10-25 Lockheed Martin Corporation Sub-pixel nBn detector
US7737411B2 (en) * 2007-10-11 2010-06-15 California Institute Of Technology nBn and pBp infrared detectors with graded barrier layer, graded absorption layer, or chirped strained layer super lattice absorption layer
US8274096B2 (en) * 2009-02-13 2012-09-25 University Of Rochester Semiconductor device and method
WO2011050322A1 (en) * 2009-10-23 2011-04-28 Lockheed Martin Corporation Barrier photodetector with planar top layer
IL211339A (en) * 2010-02-21 2015-05-31 Technion Res & Dev Foundation Light detection and manufacturing method
US20130168792A1 (en) * 2011-09-16 2013-07-04 Sionyx, Inc. Three Dimensional Architecture Semiconductor Devices and Associated Methods

Also Published As

Publication number Publication date
CN104040731B (zh) 2016-08-17
FR2985373A1 (fr) 2013-07-05
JP6038177B2 (ja) 2016-12-07
JP2015511394A (ja) 2015-04-16
US20150008551A1 (en) 2015-01-08
EP2801117B1 (fr) 2016-03-09
IL233444B (en) 2018-03-29
WO2013102631A3 (fr) 2013-09-06
CN104040731A (zh) 2014-09-10
EP2801117A2 (fr) 2014-11-12
KR20140112532A (ko) 2014-09-23
RU2617281C2 (ru) 2017-04-24
US9048357B2 (en) 2015-06-02
IL233444A0 (en) 2014-08-31
FR2985373B1 (fr) 2014-01-24
KR102069788B1 (ko) 2020-02-11
WO2013102631A2 (fr) 2013-07-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014131900A (ru) Полупроводниковая структура, устройство с такой структурой и способ изготовления полупроводниковой структуры
Li et al. Ultrahigh‐sensitive broadband photodetectors based on dielectric shielded MoTe2/Graphene/SnS2 p–g–n junctions
Li et al. A self-powered solar-blind photodetector with large V oc enhancing performance based on the PEDOT: PSS/Ga 2 O 3 organic–inorganic hybrid heterojunction
Chen et al. Classification of lattice defects in the kesterite Cu2ZnSnS4 and Cu2ZnSnSe4 earth‐abundant solar cell absorbers
US10608027B2 (en) Method for making CMOS image sensor including stacked semiconductor chips and image processing circuitry including a superlattice
Zhang et al. Van der Waals stacked 2D layered materials for optoelectronics
US10615209B2 (en) CMOS image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice
US10608043B2 (en) Method for making CMOS image sensor including stacked semiconductor chips and readout circuitry including a superlattice
Luo et al. Gate tuning of high‐performance InSe‐based photodetectors using graphene electrodes
US20190189670A1 (en) Method for making cmos image sensor including pixels with read circuitry having a superlattice
Xin et al. Black‐phosphorus‐based orientation‐induced diodes
JP6151266B2 (ja) Ｈｇｃｄｔｅ上に自己配置された、制御されたヘテロ構造を有する赤外線撮像器用ｐ−ｎダイオード
US20190189669A1 (en) Cmos image sensor including stacked semiconductor chips and image processing circuitry including a superlattice
Maurand et al. Fabrication of ballistic suspended graphene with local-gating
Brendel et al. Solar‐blind AlGaN MSM photodetectors with 24% external quantum efficiency at 0 V
US9923104B2 (en) Photosensor including multiple detection mode and method of operating the same
JP2012064943A (ja) バイスペクトル多層フォトダイオード検出器、及びそのような検出器を製造する方法
JPWO2019171622A1 (ja) 電磁波検出器及びそれを備えた電磁波検出器アレイ
WO2010007110A3 (de) Thermoelektrisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung
US10205043B2 (en) Hot-carrier photoelectric conversion method
JP2017220648A (ja) 半導体結晶基板、赤外線検出装置、半導体結晶基板の製造方法及び赤外線検出装置の製造方法
Zhong et al. Superior Performances of Self‐Driven Near‐Infrared Photodetectors Based on the SnTe: Si/Si Heterostructure Boosted by Bulk Photovoltaic Effect
He et al. Silicon nanowire core–shell PN junction phototransistors by self-assembled monolayer doping
Wen et al. Room-temperature extended short-wave infrared GeSn photodetectors realized by ion beam techniques
Jehl-Li-Kao et al. CuIn (Se1− xTex) 2 solar cells with tunable narrow-bandgap for bottom cell application in multijunction photovoltaic devices