RU2014103467A - Компоновка smu, обеспечивающая стабильность rf транзистора - Google Patents
Компоновка smu, обеспечивающая стабильность rf транзистора Download PDFInfo
- Publication number
- RU2014103467A RU2014103467A RU2014103467/28A RU2014103467A RU2014103467A RU 2014103467 A RU2014103467 A RU 2014103467A RU 2014103467/28 A RU2014103467/28 A RU 2014103467/28A RU 2014103467 A RU2014103467 A RU 2014103467A RU 2014103467 A RU2014103467 A RU 2014103467A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrically connected
- cables
- terminal
- smu
- triaxial cables
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2601—Apparatus or methods therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/26—Testing of individual semiconductor devices
- G01R31/2607—Circuits therefor
- G01R31/2608—Circuits therefor for testing bipolar transistors
- G01R31/2612—Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring frequency response characteristics, e.g. cut-off frequency thereof
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
1. Способ для тестирования испытуемого устройства (DUT), характеризующийся тем, что:соединяют первый модуль источника/измерителя (SMU), включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, с первый набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей и выводом заземления, причем каждый триаксиальный кабель содержит по меньшей мере центральный сигнальный проводник, внешний экран и средний проводник, при этом каждую из трех точек тестирования соединяют с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из первого набора из трех триаксиальных кабелей соответственно, а внешние экраны первого набора триаксиальных кабелей электрически соединяют вместе с выводом заземления;соединяют второй конец каждого кабеля из первого набора триаксиальных кабелей с набором узлов испытуемого устройства;соединяют второй SMU, включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, со вторым набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей и имеющих центральный сигнальный проводник, внешний экран, средний проводник и вывод заземления, при этом каждую из трех точек тестирования соединяют с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из второго набора трех триаксиальных кабелей соответственно, а внешние экраны второго набора триаксиальных кабелей электрически соединяют вместе с выводом заземления;соединяют второй конец каждого кабеля из второго набора триаксиальных кабелей с указанным набором узлов испытуемого устройства;при этом внешние экраны кабелей как первого, так и второго наборов триаксиальных кабелей электронно соединяют вместе и электрически соединяют с их соотве�
Claims (16)
1. Способ для тестирования испытуемого устройства (DUT), характеризующийся тем, что:
соединяют первый модуль источника/измерителя (SMU), включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, с первый набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей и выводом заземления, причем каждый триаксиальный кабель содержит по меньшей мере центральный сигнальный проводник, внешний экран и средний проводник, при этом каждую из трех точек тестирования соединяют с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из первого набора из трех триаксиальных кабелей соответственно, а внешние экраны первого набора триаксиальных кабелей электрически соединяют вместе с выводом заземления;
соединяют второй конец каждого кабеля из первого набора триаксиальных кабелей с набором узлов испытуемого устройства;
соединяют второй SMU, включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, со вторым набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей и имеющих центральный сигнальный проводник, внешний экран, средний проводник и вывод заземления, при этом каждую из трех точек тестирования соединяют с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из второго набора трех триаксиальных кабелей соответственно, а внешние экраны второго набора триаксиальных кабелей электрически соединяют вместе с выводом заземления;
соединяют второй конец каждого кабеля из второго набора триаксиальных кабелей с указанным набором узлов испытуемого устройства;
при этом внешние экраны кабелей как первого, так и второго наборов триаксиальных кабелей электронно соединяют вместе и электрически соединяют с их соответствующими выводами заземления.
2. Способ по п.1, в котором первый и второй SMU включают в себя вывод заземления на массу, с которым электрически соединены соответствующие внешние экраны первого и второго наборов триаксиальных кабелей.
3. Способ по п.1, в котором первый и второй SMU дополнительно включают в себя:
первый входной вывод, электрически соединенный с первой точкой тестирования, причем первый входной вывод имеет:
первый оконечный резистор, электрически последовательно соединенный с указанным первым входным выводом;
первый и второй защитные конденсаторы, электрически последовательно соединенные с первым оконечным резистором;
первый защитный резистор, электрически соединенный с первым защитным конденсатором и вторым защитным конденсатором;
конденсатор заземления, электрически последовательно соединенный с его соответствующим выводом заземления;
второй входной вывод, электрически соединенный со второй точкой тестирования, причем второй входной вывод имеет:
второй оконечный резистор, электрически последовательно соединенный со вторым входным выводом;
третий и четвертый защитные конденсаторы, электрически последовательно соединенные со вторым оконечным резистором;
второй защитный резистор, электрически соединенный с третьим защитным конденсатором и четвертым защитным конденсатором; и
третий входной вывод, электрически соединенный с первым входным выводом, вторым входным выводом и третьей точкой тестирования, причем третий входной вывод также электрически соединен с конденсатором заземления и его соответствующим выводом заземления.
4. Способ по п.3, в котором первый входной вывод выполнен с возможностью приема сигнала, подаваемого на вход Hi.
5. Способ по п.3, в котором второй входной вывод выполнен с возможностью приема сигнала, подаваемого на вход Sense Hi.
6. Способ по п.3, в котором третий входной вывод выполнен с возможностью приема сигнала, подаваемого на вход Lo.
7. Способ по п.1, в котором DUT представляет собой металлоокисидный полевой транзистор (MOSFET), или операционный усилитель, или дискретное устройство с тремя выводами.
8. Способ по п.1, в котором DUT электрически соединен с первым и вторым наборами триаксиальных кабелей в конфигурации с общим эмиттером.
9. Способ по п.1, в котором DUT электрически соединен с первым и вторым наборами триаксиальных кабелей в конфигурации с общей базой.
10. Способ по п.1, в котором DUT электрически соединен с первым и вторым наборами триаксиальных кабелей в конфигурации с общим коллектором.
11. Способ по п.1, в котором первый и второй SMU имеют соответствующий первый вход, электрически соединенный с первой точкой тестирования, каждый SMU имеет соответствующий первый входной вывод, электрически соединенный с первым оконечным резистором, каждый оконечный резистор SMU имеет сопротивление по меньшей мере 50 Ом.
12. Способ по п.1, в котором первый и второй наборы триаксиальных кабелей имеют импеданс по меньшей мере 100 Ом.
13. Способ по п.1, в котором каждый SMU дополнительно включает в себя третий защитный резистор, электрически соединенный со средними проводниками первого и второго триаксиальных кабелей соответственно.
14. Система для тестирования испытуемого устройства (DUT), содержащая:
первый модуль источника/измерителя (SMU), включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, соединенные с первым набором из по меньшей мере трех триаксиальных кабелей, каждый из которых содержит по меньшей мере центральный сигнальный проводник, внешний экран и средний проводник, и с первым выводом заземления таким образом, что каждая из трех точек тестирования соединена с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из первого набора из трех триаксиальных кабелей соответственно, и внешние экраны первого набора триаксиальных кабелей электрически соединены вместе и с первым выводом заземления;
набор узлов, соединенных со вторым концом каждого кабеля из первого набора триаксиальных кабелей и с DUT;
второй SMU, включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, соединенные со вторым набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей, каждый из которых содержит по меньшей мере центральный сигнальный проводник, внешний экран и средний проводник, и со вторым выводом заземления таким образом, что каждая из трех точек тестирования соединена с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из второго набора трех триаксиальных кабелей соответственно, и внешние экраны второго набора триаксиальных кабелей электрически соединены вместе и со вторым выводом заземления;
второй конец каждого кабеля второго набора триаксиальных кабелей соединен с указанным набором узлов и с DUT;
при этом внешние экраны как первого, так и второго наборов триаксиальных кабелей электронно соединены с их соответствующим первым и вторым выводами заземления.
15. Система по п.14, в которой первый SMU и второй SMU содержат вывод заземления на массу, с которым электрически соединены соответствующие внешние экраны первого и второго триаксиальных кабелей.
16. Система по п.14, в которой DUT представляет собой металлоокисидный полевой транзистор (MOSFET), или операционный усилитель, или дискретное устройство с тремя выводами.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201361759987P | 2013-02-01 | 2013-02-01 | |
US61/759,987 | 2013-02-01 | ||
US13/901,430 US9335364B2 (en) | 2013-02-01 | 2013-05-23 | SMU RF transistor stability arrangement |
US13/901,430 | 2013-05-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2014103467A true RU2014103467A (ru) | 2015-08-27 |
RU2645129C2 RU2645129C2 (ru) | 2018-02-15 |
Family
ID=50097546
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2014103467A RU2645129C2 (ru) | 2013-02-01 | 2014-01-31 | Компоновка smu, обеспечивающая стабильность rf транзистора |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9335364B2 (ru) |
EP (1) | EP2762906A3 (ru) |
JP (1) | JP6552154B2 (ru) |
KR (1) | KR20140099423A (ru) |
CN (1) | CN103969566B (ru) |
RU (1) | RU2645129C2 (ru) |
TW (1) | TWI608240B (ru) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9983228B2 (en) * | 2014-09-24 | 2018-05-29 | Keithley Instruments, Llc | Triaxial DC-AC connection system |
US10782348B2 (en) * | 2017-03-10 | 2020-09-22 | Keithley Instruments, Llc | Automatic device detection and connection verification |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4888548A (en) * | 1988-03-31 | 1989-12-19 | Hewlett-Packard Company | Programmatically generated in-circuit test of digital to analog converters |
JPH0720172A (ja) * | 1993-06-30 | 1995-01-24 | Yokogawa Hewlett Packard Ltd | 回路定数・材料特性測定装置 |
JP3442822B2 (ja) | 1993-07-28 | 2003-09-02 | アジレント・テクノロジー株式会社 | 測定用ケーブル及び測定システム |
JPH1082837A (ja) * | 1996-09-06 | 1998-03-31 | Advantest Corp | Lsi試験装置 |
US20040123994A1 (en) * | 2002-12-30 | 2004-07-01 | Hohenwater Gert K. G. | Method and structure for suppressing EMI among electrical cables for use in semiconductor test system |
JP4887280B2 (ja) * | 2004-03-05 | 2012-02-29 | クウォリタウ・インコーポレーテッド | 半導体素子試験用の2チャンネルソース測定ユニット |
JP2005321379A (ja) * | 2004-04-07 | 2005-11-17 | Agilent Technol Inc | 半導体特性測定装置の統合接続装置およびケーブルアセンブリ |
JP2005300495A (ja) * | 2004-04-16 | 2005-10-27 | Agilent Technol Inc | 半導体特性測定装置および接続装置 |
JP2006208113A (ja) * | 2005-01-26 | 2006-08-10 | Sealive Inc | 電線識別装置 |
JP2007024718A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Agilent Technol Inc | 半導体特性測定装置の制御方法および制御プログラム |
US7388366B2 (en) * | 2006-02-03 | 2008-06-17 | Keithley Instruments, Inc. | Test system connection system with triaxial cables |
CN101405607A (zh) * | 2006-03-20 | 2009-04-08 | 英富康公司 | 用于微电子等离子体处理工具的高性能微型射频传感器 |
US8067718B2 (en) * | 2006-05-04 | 2011-11-29 | Tektronix, Inc. | Method and apparatus for probing |
US8278936B2 (en) * | 2007-11-23 | 2012-10-02 | Evan Grund | Test circuits and current pulse generator for simulating an electrostatic discharge |
US20090267634A1 (en) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | Agilent Technologies, Inc. | Switch Module for Semiconductor Characteristic Measurement and Measurement Method of Semiconductor Characteristics |
US8319503B2 (en) * | 2008-11-24 | 2012-11-27 | Cascade Microtech, Inc. | Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test |
US8456173B2 (en) * | 2009-09-30 | 2013-06-04 | Tektronix, Inc. | Signal acquisition system having probe cable termination in a signal processing instrument |
US8717053B2 (en) * | 2011-11-04 | 2014-05-06 | Keithley Instruments, Inc. | DC-AC probe card topology |
-
2013
- 2013-05-23 US US13/901,430 patent/US9335364B2/en active Active
- 2013-10-29 TW TW102139076A patent/TWI608240B/zh not_active IP Right Cessation
- 2013-11-21 KR KR1020130142216A patent/KR20140099423A/ko not_active Application Discontinuation
-
2014
- 2014-01-30 CN CN201410044021.3A patent/CN103969566B/zh active Active
- 2014-01-31 RU RU2014103467A patent/RU2645129C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2014-01-31 EP EP14153476.8A patent/EP2762906A3/en not_active Withdrawn
- 2014-02-03 JP JP2014018719A patent/JP6552154B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9335364B2 (en) | 2016-05-10 |
TW201432273A (zh) | 2014-08-16 |
TWI608240B (zh) | 2017-12-11 |
EP2762906A2 (en) | 2014-08-06 |
CN103969566B (zh) | 2018-05-08 |
EP2762906A3 (en) | 2017-12-20 |
US20140218064A1 (en) | 2014-08-07 |
CN103969566A (zh) | 2014-08-06 |
JP6552154B2 (ja) | 2019-07-31 |
JP2014149298A (ja) | 2014-08-21 |
KR20140099423A (ko) | 2014-08-12 |
RU2645129C2 (ru) | 2018-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
ES2828055T3 (es) | Sistema de adquisición de descarga parcial que comprende un sensor de campo eléctrico de acoplamiento capacitivo | |
CN202676858U (zh) | 一种冲击电压下局部放电测试系统 | |
CN103063999A (zh) | 去嵌入的方法 | |
CN103201643A (zh) | 高电压测试装置 | |
CN103852602A (zh) | 射频非对称低阻抗测试夹具 | |
US8717053B2 (en) | DC-AC probe card topology | |
CN107656226B (zh) | 基于传输系数的hfct电气参数测试装置及测试方法 | |
RU2014103467A (ru) | Компоновка smu, обеспечивающая стабильность rf транзистора | |
JP3217195U (ja) | 4線式測定ケーブル及びインピーダンス測定システム | |
CN110501619A (zh) | 一种高频响应分压测量装置 | |
US9983228B2 (en) | Triaxial DC-AC connection system | |
CN207396683U (zh) | 一种测量电路板波纹和噪声信号的装置 | |
CN106405362B (zh) | 一种雪崩二极管低频参数测试装置 | |
CN107407701B (zh) | 用于高阻抗电压传感器的虚地感测电路 | |
GB2608210A (en) | Instrument interface method and device | |
US10884045B2 (en) | Test arrangement and test method | |
CN204008925U (zh) | 安规测试仪用检测电路 | |
CN202649309U (zh) | 输电线路直流电阻测试系统 | |
CN108205117A (zh) | 一种满足do-160g标准的磁场敏感度测试装置 | |
JP5297562B2 (ja) | 相互接続を改良したプローブステーション | |
CN104345184B (zh) | 一种多通道获取探头及具有多通道获取探头的测量仪器 | |
US8237459B2 (en) | Method of testing ground resistance by making use of existing telephone lines | |
CN202502196U (zh) | 一种基于低频重叠法的电缆局部放电测量装置 | |
US20130325390A1 (en) | Rf esd device level differential voltage measurement | |
US20110304320A1 (en) | Oscilloscope probe assembly |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190201 |