RU2014103467A - Компоновка smu, обеспечивающая стабильность rf транзистора - Google Patents

Компоновка smu, обеспечивающая стабильность rf транзистора Download PDF

Info

Publication number
RU2014103467A
RU2014103467A RU2014103467/28A RU2014103467A RU2014103467A RU 2014103467 A RU2014103467 A RU 2014103467A RU 2014103467/28 A RU2014103467/28 A RU 2014103467/28A RU 2014103467 A RU2014103467 A RU 2014103467A RU 2014103467 A RU2014103467 A RU 2014103467A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrically connected
cables
terminal
smu
triaxial cables
Prior art date
Application number
RU2014103467/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2645129C2 (ru
Inventor
Джеймс А. НИМАНН
Original Assignee
Китли Инструментс, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Китли Инструментс, Инк. filed Critical Китли Инструментс, Инк.
Publication of RU2014103467A publication Critical patent/RU2014103467A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2645129C2 publication Critical patent/RU2645129C2/ru

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2601Apparatus or methods therefor
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/26Testing of individual semiconductor devices
    • G01R31/2607Circuits therefor
    • G01R31/2608Circuits therefor for testing bipolar transistors
    • G01R31/2612Circuits therefor for testing bipolar transistors for measuring frequency response characteristics, e.g. cut-off frequency thereof

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

1. Способ для тестирования испытуемого устройства (DUT), характеризующийся тем, что:соединяют первый модуль источника/измерителя (SMU), включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, с первый набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей и выводом заземления, причем каждый триаксиальный кабель содержит по меньшей мере центральный сигнальный проводник, внешний экран и средний проводник, при этом каждую из трех точек тестирования соединяют с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из первого набора из трех триаксиальных кабелей соответственно, а внешние экраны первого набора триаксиальных кабелей электрически соединяют вместе с выводом заземления;соединяют второй конец каждого кабеля из первого набора триаксиальных кабелей с набором узлов испытуемого устройства;соединяют второй SMU, включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, со вторым набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей и имеющих центральный сигнальный проводник, внешний экран, средний проводник и вывод заземления, при этом каждую из трех точек тестирования соединяют с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из второго набора трех триаксиальных кабелей соответственно, а внешние экраны второго набора триаксиальных кабелей электрически соединяют вместе с выводом заземления;соединяют второй конец каждого кабеля из второго набора триаксиальных кабелей с указанным набором узлов испытуемого устройства;при этом внешние экраны кабелей как первого, так и второго наборов триаксиальных кабелей электронно соединяют вместе и электрически соединяют с их соотве�

Claims (16)

1. Способ для тестирования испытуемого устройства (DUT), характеризующийся тем, что:
соединяют первый модуль источника/измерителя (SMU), включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, с первый набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей и выводом заземления, причем каждый триаксиальный кабель содержит по меньшей мере центральный сигнальный проводник, внешний экран и средний проводник, при этом каждую из трех точек тестирования соединяют с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из первого набора из трех триаксиальных кабелей соответственно, а внешние экраны первого набора триаксиальных кабелей электрически соединяют вместе с выводом заземления;
соединяют второй конец каждого кабеля из первого набора триаксиальных кабелей с набором узлов испытуемого устройства;
соединяют второй SMU, включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, со вторым набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей и имеющих центральный сигнальный проводник, внешний экран, средний проводник и вывод заземления, при этом каждую из трех точек тестирования соединяют с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из второго набора трех триаксиальных кабелей соответственно, а внешние экраны второго набора триаксиальных кабелей электрически соединяют вместе с выводом заземления;
соединяют второй конец каждого кабеля из второго набора триаксиальных кабелей с указанным набором узлов испытуемого устройства;
при этом внешние экраны кабелей как первого, так и второго наборов триаксиальных кабелей электронно соединяют вместе и электрически соединяют с их соответствующими выводами заземления.
2. Способ по п.1, в котором первый и второй SMU включают в себя вывод заземления на массу, с которым электрически соединены соответствующие внешние экраны первого и второго наборов триаксиальных кабелей.
3. Способ по п.1, в котором первый и второй SMU дополнительно включают в себя:
первый входной вывод, электрически соединенный с первой точкой тестирования, причем первый входной вывод имеет:
первый оконечный резистор, электрически последовательно соединенный с указанным первым входным выводом;
первый и второй защитные конденсаторы, электрически последовательно соединенные с первым оконечным резистором;
первый защитный резистор, электрически соединенный с первым защитным конденсатором и вторым защитным конденсатором;
конденсатор заземления, электрически последовательно соединенный с его соответствующим выводом заземления;
второй входной вывод, электрически соединенный со второй точкой тестирования, причем второй входной вывод имеет:
второй оконечный резистор, электрически последовательно соединенный со вторым входным выводом;
третий и четвертый защитные конденсаторы, электрически последовательно соединенные со вторым оконечным резистором;
второй защитный резистор, электрически соединенный с третьим защитным конденсатором и четвертым защитным конденсатором; и
третий входной вывод, электрически соединенный с первым входным выводом, вторым входным выводом и третьей точкой тестирования, причем третий входной вывод также электрически соединен с конденсатором заземления и его соответствующим выводом заземления.
4. Способ по п.3, в котором первый входной вывод выполнен с возможностью приема сигнала, подаваемого на вход Hi.
5. Способ по п.3, в котором второй входной вывод выполнен с возможностью приема сигнала, подаваемого на вход Sense Hi.
6. Способ по п.3, в котором третий входной вывод выполнен с возможностью приема сигнала, подаваемого на вход Lo.
7. Способ по п.1, в котором DUT представляет собой металлоокисидный полевой транзистор (MOSFET), или операционный усилитель, или дискретное устройство с тремя выводами.
8. Способ по п.1, в котором DUT электрически соединен с первым и вторым наборами триаксиальных кабелей в конфигурации с общим эмиттером.
9. Способ по п.1, в котором DUT электрически соединен с первым и вторым наборами триаксиальных кабелей в конфигурации с общей базой.
10. Способ по п.1, в котором DUT электрически соединен с первым и вторым наборами триаксиальных кабелей в конфигурации с общим коллектором.
11. Способ по п.1, в котором первый и второй SMU имеют соответствующий первый вход, электрически соединенный с первой точкой тестирования, каждый SMU имеет соответствующий первый входной вывод, электрически соединенный с первым оконечным резистором, каждый оконечный резистор SMU имеет сопротивление по меньшей мере 50 Ом.
12. Способ по п.1, в котором первый и второй наборы триаксиальных кабелей имеют импеданс по меньшей мере 100 Ом.
13. Способ по п.1, в котором каждый SMU дополнительно включает в себя третий защитный резистор, электрически соединенный со средними проводниками первого и второго триаксиальных кабелей соответственно.
14. Система для тестирования испытуемого устройства (DUT), содержащая:
первый модуль источника/измерителя (SMU), включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, соединенные с первым набором из по меньшей мере трех триаксиальных кабелей, каждый из которых содержит по меньшей мере центральный сигнальный проводник, внешний экран и средний проводник, и с первым выводом заземления таким образом, что каждая из трех точек тестирования соединена с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из первого набора из трех триаксиальных кабелей соответственно, и внешние экраны первого набора триаксиальных кабелей электрически соединены вместе и с первым выводом заземления;
набор узлов, соединенных со вторым концом каждого кабеля из первого набора триаксиальных кабелей и с DUT;
второй SMU, включающий в себя по меньшей мере три точки тестирования, соединенные со вторым набором по меньшей мере из трех триаксиальных кабелей, каждый из которых содержит по меньшей мере центральный сигнальный проводник, внешний экран и средний проводник, и со вторым выводом заземления таким образом, что каждая из трех точек тестирования соединена с первым концом центрального сигнального проводника каждого кабеля из второго набора трех триаксиальных кабелей соответственно, и внешние экраны второго набора триаксиальных кабелей электрически соединены вместе и со вторым выводом заземления;
второй конец каждого кабеля второго набора триаксиальных кабелей соединен с указанным набором узлов и с DUT;
при этом внешние экраны как первого, так и второго наборов триаксиальных кабелей электронно соединены с их соответствующим первым и вторым выводами заземления.
15. Система по п.14, в которой первый SMU и второй SMU содержат вывод заземления на массу, с которым электрически соединены соответствующие внешние экраны первого и второго триаксиальных кабелей.
16. Система по п.14, в которой DUT представляет собой металлоокисидный полевой транзистор (MOSFET), или операционный усилитель, или дискретное устройство с тремя выводами.
RU2014103467A 2013-02-01 2014-01-31 Компоновка smu, обеспечивающая стабильность rf транзистора RU2645129C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361759987P 2013-02-01 2013-02-01
US61/759,987 2013-02-01
US13/901,430 US9335364B2 (en) 2013-02-01 2013-05-23 SMU RF transistor stability arrangement
US13/901,430 2013-05-23

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2014103467A true RU2014103467A (ru) 2015-08-27
RU2645129C2 RU2645129C2 (ru) 2018-02-15

Family

ID=50097546

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014103467A RU2645129C2 (ru) 2013-02-01 2014-01-31 Компоновка smu, обеспечивающая стабильность rf транзистора

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9335364B2 (ru)
EP (1) EP2762906A3 (ru)
JP (1) JP6552154B2 (ru)
KR (1) KR20140099423A (ru)
CN (1) CN103969566B (ru)
RU (1) RU2645129C2 (ru)
TW (1) TWI608240B (ru)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9983228B2 (en) * 2014-09-24 2018-05-29 Keithley Instruments, Llc Triaxial DC-AC connection system
US10782348B2 (en) * 2017-03-10 2020-09-22 Keithley Instruments, Llc Automatic device detection and connection verification

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4888548A (en) * 1988-03-31 1989-12-19 Hewlett-Packard Company Programmatically generated in-circuit test of digital to analog converters
JPH0720172A (ja) * 1993-06-30 1995-01-24 Yokogawa Hewlett Packard Ltd 回路定数・材料特性測定装置
JP3442822B2 (ja) 1993-07-28 2003-09-02 アジレント・テクノロジー株式会社 測定用ケーブル及び測定システム
JPH1082837A (ja) * 1996-09-06 1998-03-31 Advantest Corp Lsi試験装置
US20040123994A1 (en) * 2002-12-30 2004-07-01 Hohenwater Gert K. G. Method and structure for suppressing EMI among electrical cables for use in semiconductor test system
JP4887280B2 (ja) * 2004-03-05 2012-02-29 クウォリタウ・インコーポレーテッド 半導体素子試験用の2チャンネルソース測定ユニット
JP2005321379A (ja) * 2004-04-07 2005-11-17 Agilent Technol Inc 半導体特性測定装置の統合接続装置およびケーブルアセンブリ
JP2005300495A (ja) * 2004-04-16 2005-10-27 Agilent Technol Inc 半導体特性測定装置および接続装置
JP2006208113A (ja) * 2005-01-26 2006-08-10 Sealive Inc 電線識別装置
JP2007024718A (ja) * 2005-07-19 2007-02-01 Agilent Technol Inc 半導体特性測定装置の制御方法および制御プログラム
US7388366B2 (en) * 2006-02-03 2008-06-17 Keithley Instruments, Inc. Test system connection system with triaxial cables
CN101405607A (zh) * 2006-03-20 2009-04-08 英富康公司 用于微电子等离子体处理工具的高性能微型射频传感器
US8067718B2 (en) * 2006-05-04 2011-11-29 Tektronix, Inc. Method and apparatus for probing
US8278936B2 (en) * 2007-11-23 2012-10-02 Evan Grund Test circuits and current pulse generator for simulating an electrostatic discharge
US20090267634A1 (en) * 2008-04-25 2009-10-29 Agilent Technologies, Inc. Switch Module for Semiconductor Characteristic Measurement and Measurement Method of Semiconductor Characteristics
US8319503B2 (en) * 2008-11-24 2012-11-27 Cascade Microtech, Inc. Test apparatus for measuring a characteristic of a device under test
US8456173B2 (en) * 2009-09-30 2013-06-04 Tektronix, Inc. Signal acquisition system having probe cable termination in a signal processing instrument
US8717053B2 (en) * 2011-11-04 2014-05-06 Keithley Instruments, Inc. DC-AC probe card topology

Also Published As

Publication number Publication date
US9335364B2 (en) 2016-05-10
TW201432273A (zh) 2014-08-16
TWI608240B (zh) 2017-12-11
EP2762906A2 (en) 2014-08-06
CN103969566B (zh) 2018-05-08
EP2762906A3 (en) 2017-12-20
US20140218064A1 (en) 2014-08-07
CN103969566A (zh) 2014-08-06
JP6552154B2 (ja) 2019-07-31
JP2014149298A (ja) 2014-08-21
KR20140099423A (ko) 2014-08-12
RU2645129C2 (ru) 2018-02-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
ES2828055T3 (es) Sistema de adquisición de descarga parcial que comprende un sensor de campo eléctrico de acoplamiento capacitivo
CN202676858U (zh) 一种冲击电压下局部放电测试系统
CN103063999A (zh) 去嵌入的方法
CN103201643A (zh) 高电压测试装置
CN103852602A (zh) 射频非对称低阻抗测试夹具
US8717053B2 (en) DC-AC probe card topology
CN107656226B (zh) 基于传输系数的hfct电气参数测试装置及测试方法
RU2014103467A (ru) Компоновка smu, обеспечивающая стабильность rf транзистора
JP3217195U (ja) 4線式測定ケーブル及びインピーダンス測定システム
CN110501619A (zh) 一种高频响应分压测量装置
US9983228B2 (en) Triaxial DC-AC connection system
CN207396683U (zh) 一种测量电路板波纹和噪声信号的装置
CN106405362B (zh) 一种雪崩二极管低频参数测试装置
CN107407701B (zh) 用于高阻抗电压传感器的虚地感测电路
GB2608210A (en) Instrument interface method and device
US10884045B2 (en) Test arrangement and test method
CN204008925U (zh) 安规测试仪用检测电路
CN202649309U (zh) 输电线路直流电阻测试系统
CN108205117A (zh) 一种满足do-160g标准的磁场敏感度测试装置
JP5297562B2 (ja) 相互接続を改良したプローブステーション
CN104345184B (zh) 一种多通道获取探头及具有多通道获取探头的测量仪器
US8237459B2 (en) Method of testing ground resistance by making use of existing telephone lines
CN202502196U (zh) 一种基于低频重叠法的电缆局部放电测量装置
US20130325390A1 (en) Rf esd device level differential voltage measurement
US20110304320A1 (en) Oscilloscope probe assembly

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20190201