RU2014102182A - Группа смешанных многоспектральных светочувствительных пикселей, светочувствительное устройство и светочувствительная система - Google Patents

Группа смешанных многоспектральных светочувствительных пикселей, светочувствительное устройство и светочувствительная система Download PDF

Info

Publication number
RU2014102182A
RU2014102182A RU2014102182/28A RU2014102182A RU2014102182A RU 2014102182 A RU2014102182 A RU 2014102182A RU 2014102182/28 A RU2014102182/28 A RU 2014102182/28A RU 2014102182 A RU2014102182 A RU 2014102182A RU 2014102182 A RU2014102182 A RU 2014102182A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photosensitive
layer
spectrum
pixels
layers
Prior art date
Application number
RU2014102182/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Сяопин ХУ
Original Assignee
Боли Медиа Коммуникейшнз (Шэньчжэнь) Ко., Лтд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Боли Медиа Коммуникейшнз (Шэньчжэнь) Ко., Лтд filed Critical Боли Медиа Коммуникейшнз (Шэньчжэнь) Ко., Лтд
Publication of RU2014102182A publication Critical patent/RU2014102182A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035209—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures
    • H01L31/035218—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions comprising a quantum structures the quantum structure being quantum dots
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/1443—Devices controlled by radiation with at least one potential jump or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14641—Electronic components shared by two or more pixel-elements, e.g. one amplifier shared by two pixel elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14645—Colour imagers
    • H01L27/14647—Multicolour imagers having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
    • H01L27/14649—Infrared imagers
    • H01L27/14652—Multispectral infrared imagers, having a stacked pixel-element structure, e.g. npn, npnpn or MQW structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

1. Смешанное многоспектральное светочувствительное устройство, содержащее по меньшей мере один светочувствительный пиксель с химическим покрытием и по меньшей мере один полупроводниковый светочувствительный пиксель.2. Смешанное многоспектральное светочувствительное устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один светочувствительный пиксель с химическим покрытием и по меньшей мере один полупроводниковый светочувствительный пиксель размещены в одной и той же плоскости.3. Светочувствительное устройство по п. 1, содержащее по меньшей мере два слоя светочувствительных пикселей, по меньшей мере один светочувствительный пиксель с химическим покрытием размещен в одном из по меньшей мере двух слоев светочувствительных пикселей, а по меньшей мере один полупроводниковый светочувствительный пиксель размещен в другом из по меньшей мере двух слоев светочувствительных пикселей.4. Светочувствительное устройство по п. 3, в котором слои светочувствительных пикселей по меньшей мере содержат слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием и слой полупроводниковых светочувствительных пикселей,в котором по меньшей мере один слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием размещен над по меньшей мере одним слоем полупроводниковых светочувствительных пикселей, илив котором по меньшей мере один слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием размещен под по меньшей мереодним слоем полупроводниковых светочувствительных пикселей.5. Светочувствительное устройство по п. 4, в котором местоположение размещения пикселей по меньшей мере одного слоя светочувствительных пикселей с химически

Claims (14)

1. Смешанное многоспектральное светочувствительное устройство, содержащее по меньшей мере один светочувствительный пиксель с химическим покрытием и по меньшей мере один полупроводниковый светочувствительный пиксель.
2. Смешанное многоспектральное светочувствительное устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один светочувствительный пиксель с химическим покрытием и по меньшей мере один полупроводниковый светочувствительный пиксель размещены в одной и той же плоскости.
3. Светочувствительное устройство по п. 1, содержащее по меньшей мере два слоя светочувствительных пикселей, по меньшей мере один светочувствительный пиксель с химическим покрытием размещен в одном из по меньшей мере двух слоев светочувствительных пикселей, а по меньшей мере один полупроводниковый светочувствительный пиксель размещен в другом из по меньшей мере двух слоев светочувствительных пикселей.
4. Светочувствительное устройство по п. 3, в котором слои светочувствительных пикселей по меньшей мере содержат слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием и слой полупроводниковых светочувствительных пикселей,
в котором по меньшей мере один слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием размещен над по меньшей мере одним слоем полупроводниковых светочувствительных пикселей, или
в котором по меньшей мере один слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием размещен под по меньшей мере
одним слоем полупроводниковых светочувствительных пикселей.
5. Светочувствительное устройство по п. 4, в котором местоположение размещения пикселей по меньшей мере одного слоя светочувствительных пикселей с химическим покрытием и местоположение размещения пикселей по меньшей мере одного слоя полупроводниковых светочувствительных пикселей являются соответствующими,
в котором каждый из светочувствительных пикселей в одном и том же местоположении, но в разных слоях, порождает дополняющий диапазон или поддиапазон ультрафиолетового света, видимого света, ближнего инфракрасного света и дальнего инфракрасного света; или каждый порождает ортогональный диапазон или поддиапазон ультрафиолетового света, видимого света, ближнего инфракрасного света и дальнего инфракрасного света.
6. Светочувствительное устройство по п. 5, в котором дополняющий диапазон или поддиапазон содержит ультрафиолетовый спектр, синий спектр, зеленый спектр, красный спектр, ближний инфракрасный спектр, дальний инфракрасный спектр, голубой спектр, желтый спектр, белый спектр, ближний инфракрасный спектр + дальний инфракрасный спектр, красный спектр + ближний инфракрасный спектр, красный спектр + ближний инфракрасный спектр + дальний инфракрасный спектр, желтый спектр + ближний инфракрасный спектр, желтый спектр + ближний инфракрасный спектр + дальний инфракрасный спектр, видимый спектр + ближний инфракрасный спектр + дальний инфракрасный спектр, ультрафиолетовый спектр + видимый спектр, ультрафиолетовый спектр + видимый спектр + ближний инфракрасный спектр и
ультрафиолетовый спектр + видимый спектр + ближний инфракрасный спектр + дальний инфракрасный спектр; и
ортогональный диапазон или поддиапазон содержит ультрафиолетовый спектр, синий спектр, зеленый спектр, красный спектр, ближний инфракрасный спектр, дальний инфракрасный спектр, голубой спектр, желтый спектр, белый спектр, ближний инфракрасный спектр + дальний инфракрасный спектр, красный спектр + ближний инфракрасный спектр, красный спектр + ближний инфракрасный спектр + дальний инфракрасный спектр, желтый спектр + ближний инфракрасный спектр, желтый спектр + ближний инфракрасный спектр + дальний инфракрасный спектр, видимый спектр + ближний инфракрасный спектр + дальний инфракрасный спектр, ультрафиолетовый спектр + видимый спектр, ультрафиолетовый спектр + видимый спектр + ближний инфракрасный спектр и ультрафиолетовый спектр + видимый спектр + ближний инфракрасный спектр + дальний инфракрасный спектр.
7. Светочувствительное устройство по п. 1, в котором по меньшей мере один светочувствительный пиксель с химическим покрытием или по меньшей мере один полупроводниковый светочувствительный пиксель является светочувствительным пикселем со считыванием с передней стороны, светочувствительным пикселем со считыванием с задней стороны или двунаправленным светочувствительным пикселем,
в котором, когда светочувствительный пиксель с химическим покрытием или полупроводниковый светочувствительный пиксель является двунаправленным светочувствительным пикселем, способом выбора направления по его считыванию света является выбор
направления посредством изоляции, выбор направления посредством временного разделения, выбор направления посредством разделения на области или выбор направления с помощью пикселя.
8. Светочувствительное устройство по п. 4, в котором по меньшей мере один слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием и по меньшей мере один слой полупроводниковых светочувствительных пикселей расположены на подложке, содержащее:
светочувствительное устройство является односторонним двухслойным светочувствительным устройством, содержащим слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием и слой полупроводниковых светочувствительных пикселей, и слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием и слой полупроводниковых светочувствительных пикселей размещены сверху или снизу подложки; или
светочувствительное устройство является двусторонним двухслойным светочувствительным устройством, содержащим слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием и слой полупроводниковых светочувствительных пикселей, слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием размещен сверху или снизу подложки, а слой полупроводниковых светочувствительных пикселей размещен снизу или сверху подложки; или
светочувствительное устройство является односторонним трехслойным светочувствительным устройством, содержащим слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием и два слоя полупроводниковых светочувствительных пикселей, и слой
светочувствительных пикселей с химическим покрытием и два слоя полупроводниковых светочувствительных пикселей размещены сверху или снизу подложки; или
светочувствительное устройство является двусторонним трехслойным светочувствительным устройством, содержащим слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием и два слоя полупроводниковых светочувствительных пикселей, слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием размещен сверху или снизу подложки, а два слоя полупроводниковых светочувствительных пикселей размещены снизу или сверху подложки; или один из двух слоев полупроводниковых светочувствительных пикселей размещен сверху подложки, а другой из них размещен снизу подложки; или
светочувствительное устройство является двусторонним трехслойным светочувствительным устройством, содержащим два слоя светочувствительных пикселей с химическим покрытием и слой полупроводниковых светочувствительных пикселей, один из двух слоев светочувствительных пикселей с химическим покрытием размещен сверху подложки, другой из них размещен снизу подложки, а слой полупроводниковых светочувствительных пикселей размещен сверху или снизу подложки; или
светочувствительное устройство является двусторонним четырехслойным светочувствительным устройством, содержащим два слоя светочувствительных пикселей с химическим покрытием и два слоя полупроводниковых светочувствительных пикселей, два слоя полупроводниковых светочувствительных пикселей размещены снизу или сверху подложки, один из двух слоев светочувствительных
пикселей с химическим покрытием размещен над верхом, а другой из них размещен под низом; или два слоя светочувствительных пикселей с химическим покрытием размещены сверху или снизу подложки, один из двух слоев полупроводниковых светочувствительных пикселей размещен над верхом, а другой из них размещен под низом; или
светочувствительное устройство является двусторонним четырехслойным светочувствительным устройством, содержащим слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием и три слоя полупроводниковых светочувствительных пикселей, слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием размещен сверху или снизу подложки, один из трех слоев полупроводниковых светочувствительных пикселей размещен сверху или снизу подложки, а другие два из них размещены снизу или сверху подложки; либо
светочувствительное устройство является двусторонним пятислойным светочувствительным устройством, содержащим два слоя светочувствительных пикселей с химическим покрытием и три слоя полупроводниковых светочувствительных пикселей, один из двух слоев светочувствительных пикселей с химическим покрытием размещен сверху подложки, другой из них размещен снизу подложки, один из трех слоев полупроводниковых светочувствительных пикселей размещен сверху или снизу подложки, а другие два из них размещены снизу или сверху подложки; или
светочувствительное устройство является двусторонним шестислойным светочувствительным устройством, содержащим два слоя светочувствительных пикселей с химическим покрытием и четыре слоя полупроводниковых светочувствительных пикселей, один
из двух слоев светочувствительных пикселей с химическим покрытием размещен сверху подложки, другой из них размещен снизу подложки, два из четырех слоев полупроводниковых светочувствительных пикселей размещены сверху подложки, а другие два из них размещены снизу подложки.
9. Светочувствительное устройство по п. 4, в котором по меньшей мере один слой светочувствительных пикселей с химическим покрытием расположен на подложке, и по меньшей мере один слой полупроводниковых светочувствительных пикселей расположен на другой подложке.
10. Светочувствительное устройство по п. 8, в котором слой светочувствительных пикселей, порождающий свет с более короткой длиной волны, является слоем светочувствительных пикселей ближе к источнику света.
11. Светочувствительное устройство по п. 10, дополнительно содержащее светофильтрующие пленки, причем светофильтрующие пленки расположены на слое светочувствительных пикселей, ближайшем к источнику света, или расположены на слое светочувствительных пикселей, наиболее отдаленном от источника света, или расположены между двумя слоями светочувствительных пикселей, или расположены на слое светочувствительных пикселей, ближайшем к источнику света, и слое светочувствительных пикселей, наиболее отдаленном от источника света; характеристики выбора частоты светофильтрующей пленки содержат фильтрацию отсечения инфракрасного, пропускание синего диапазона, пропускание зеленого диапазона, пропускание красного диапазона, пропускание голубого диапазона, пропускание желтого диапазона,
пропускание розовато красного диапазона, пропускание голубого плюс инфракрасного диапазона, пропускание желтого плюс инфракрасного диапазона, пропускание розовато красного плюс инфракрасного диапазона или пропускание диапазона видимого света.
12. Светочувствительное устройство по п. 4, в котором каждый из двух соседних слоев из слоев светочувствительных пикселей снабжен схемой считывания; или два соседних слоя из слоев светочувствительных пикселей совместно используют схему считывания,
в котором схема считывания является схемой считывания для активного пикселя, схемой считывания для пассивного пикселя или смешанной схемой считывания для активного пикселя и пассивного пикселя,
в котором способ совместного использования схемы считывания содержит 4-точечный способ совместного использования одного слоя или верхнего и нижнего слоя, 6-точечный способ совместного использования одного слоя или верхнего и нижнего слоя, 8-точечный способ совместного использования одного слоя или верхнего и нижнего слоя или способ совместного использования одного слоя или верхнего и нижнего слоя с любым числом точек.
13. Светочувствительное устройство по п. 12, в котором схема считывания содержит первый объединяющий блок, сконфигурированный для выполнения попарного объединения и выборки над ближайшими пикселями одной строки разных столбцов, разных строк одного столбца или разных строк разных столбцов в массиве пикселей каждого слоя светочувствительных пикселей, чтобы получить данные
выборки первого объединяющего пикселя; и второй объединяющий блок, сконфигурированный для выполнения объединения и выборки над данными выборки первого объединяющего пикселя, полученными первым объединяющим блоком, чтобы получить данные выборки второго объединяющего пикселя,
в котором способ объединения пикселей первого объединяющего блока или второго объединяющего блока является способом сложения зарядов между одинаковыми или разными цветными пикселями или способом усреднения сигнала между разными цветными пикселями, причем способ объединения пикселей между разными цветными пикселями соответствует способу преобразования цветового пространства, чтобы удовлетворять требованию восстановления цветов.
14. Светочувствительное устройство по п. 1, в котором светочувствительный пиксель с химическим покрытием содержит светочувствительный пиксель с квантовой точкой, и/или
в котором полупроводниковый светочувствительный пиксель содержит светочувствительный диод КМОП, светочувствительный вентиль КМОП, светочувствительный диод ПЗС, светочувствительный вентиль ПЗС и светочувствительный диод и светочувствительный вентиль КМОП и ПЗС, обладающие функцией двунаправленного переноса заряда.
RU2014102182/28A 2011-06-24 2011-06-24 Группа смешанных многоспектральных светочувствительных пикселей, светочувствительное устройство и светочувствительная система RU2014102182A (ru)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/CN2011/076335 WO2012174751A1 (zh) 2011-06-24 2011-06-24 一种混合多光谱感光象素组、感光器件、及感光系统

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2014102182A true RU2014102182A (ru) 2015-07-27

Family

ID=47422010

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014102182/28A RU2014102182A (ru) 2011-06-24 2011-06-24 Группа смешанных многоспектральных светочувствительных пикселей, светочувствительное устройство и светочувствительная система

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9419161B2 (ru)
EP (1) EP2725617A4 (ru)
JP (1) JP2014526136A (ru)
KR (1) KR20140029515A (ru)
CA (1) CA2840266A1 (ru)
RU (1) RU2014102182A (ru)
WO (1) WO2012174751A1 (ru)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9389315B2 (en) 2012-12-19 2016-07-12 Basf Se Detector comprising a transversal optical sensor for detecting a transversal position of a light beam from an object and a longitudinal optical sensor sensing a beam cross-section of the light beam in a sensor region
KR102246139B1 (ko) 2013-06-13 2021-04-30 바스프 에스이 적어도 하나의 물체를 광학적으로 검출하기 위한 검출기
EP3008421A1 (en) 2013-06-13 2016-04-20 Basf Se Detector for optically detecting an orientation of at least one object
US9665182B2 (en) 2013-08-19 2017-05-30 Basf Se Detector for determining a position of at least one object
AU2014310703B2 (en) 2013-08-19 2018-09-27 Basf Se Optical detector
WO2016005893A1 (en) 2014-07-08 2016-01-14 Basf Se Detector for determining a position of at least one object
JP6633268B2 (ja) * 2014-09-03 2020-01-22 グローリー株式会社 センサモジュール及び紙葉類処理装置
CN106716059B (zh) 2014-09-29 2020-03-13 巴斯夫欧洲公司 用于光学确定至少一个对象的位置的检测器
WO2016092451A1 (en) 2014-12-09 2016-06-16 Basf Se Optical detector
JP6841769B2 (ja) 2015-01-30 2021-03-10 トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 少なくとも１個の物体を光学的に検出する検出器
JP6877418B2 (ja) 2015-07-17 2021-05-26 トリナミクス ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 少なくとも１個の対象物を光学的に検出するための検出器
WO2017046121A1 (en) 2015-09-14 2017-03-23 Trinamix Gmbh 3d camera
US11211513B2 (en) 2016-07-29 2021-12-28 Trinamix Gmbh Optical sensor and detector for an optical detection
EP3532864B1 (en) 2016-10-25 2024-08-28 trinamiX GmbH Detector for an optical detection of at least one object
EP3532796A1 (en) * 2016-10-25 2019-09-04 trinamiX GmbH Nfrared optical detector with integrated filter
CN109964148B (zh) 2016-11-17 2023-08-01 特里纳米克斯股份有限公司 用于光学检测至少一个对象的检测器
US11860292B2 (en) 2016-11-17 2024-01-02 Trinamix Gmbh Detector and methods for authenticating at least one object
CN110770555A (zh) 2017-04-20 2020-02-07 特里纳米克斯股份有限公司 光学检测器
EP3645965B1 (en) 2017-06-26 2022-04-27 trinamiX GmbH Detector for determining a position of at least one object
WO2020105361A1 (ja) * 2018-11-19 2020-05-28 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 撮像装置及び撮像システム
CN118648112A (zh) * 2021-11-30 2024-09-13 乔治亚州立大学研究基金会 柔性小型化紧凑型光学传感器

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5796433A (en) * 1996-03-20 1998-08-18 Loral Fairchild Corp. Multiple-frame CCD image sensor with overlying photosensitive layer
JP3940804B2 (ja) * 1997-09-04 2007-07-04 株式会社ニコン ハイブリッド型半導体装置及びその製造方法
US6906326B2 (en) * 2003-07-25 2005-06-14 Bae Systems Information And Elecronic Systems Integration Inc. Quantum dot infrared photodetector focal plane array
JP2005268609A (ja) * 2004-03-19 2005-09-29 Fuji Photo Film Co Ltd 多層積層型多画素撮像素子及びテレビカメラ
JP4911445B2 (ja) * 2005-06-29 2012-04-04 富士フイルム株式会社 有機と無機のハイブリッド光電変換素子
JP5196488B2 (ja) * 2006-07-21 2013-05-15 ルネサスエレクトロニクス株式会社 光電変換装置及び撮像装置
JP2008066402A (ja) * 2006-09-05 2008-03-21 Fujifilm Corp 撮像素子および撮像装置
EP2143141A4 (en) * 2007-04-18 2011-04-13 Invisage Technologies Inc MATERIAL SYSTEMS AND METHOD FOR OPTOELECTRONIC ARRANGEMENTS
US7888763B2 (en) * 2008-02-08 2011-02-15 Omnivision Technologies, Inc. Backside illuminated imaging sensor with improved infrared sensitivity
US8400537B2 (en) * 2008-11-13 2013-03-19 Omnivision Technologies, Inc. Image sensors having gratings for color separation
CN101807590B (zh) * 2009-02-16 2013-03-27 博立码杰通讯(深圳)有限公司 多光谱感光器件
WO2011010455A1 (ja) * 2009-07-24 2011-01-27 パナソニック株式会社 撮像装置および固体撮像素子
US20110155233A1 (en) * 2009-12-29 2011-06-30 Honeywell International Inc. Hybrid solar cells
CN102244083B (zh) * 2010-05-13 2015-08-26 博立多媒体控股有限公司 一种混合多光谱感光象素组、感光器件、及感光系统

Also Published As

Publication number Publication date
US20140209789A1 (en) 2014-07-31
CA2840266A1 (en) 2012-12-27
US9419161B2 (en) 2016-08-16
EP2725617A4 (en) 2015-02-25
KR20140029515A (ko) 2014-03-10
JP2014526136A (ja) 2014-10-02
WO2012174751A1 (zh) 2012-12-27
EP2725617A1 (en) 2014-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2014102182A (ru) Группа смешанных многоспектральных светочувствительных пикселей, светочувствительное устройство и светочувствительная система
EP3238274B1 (en) Stacked semiconductor chip rgbz sensor
US9535197B2 (en) Color filter array, image sensor including the same, and infrared data acquisition method using the same
KR102374109B1 (ko) 크로스토크 특성을 개선하는 이미지 센서 및 그의 제조 방법
EP3238257B1 (en) Physical layout and structure of rgbz pixel cell unit for rgbz image sensor
JP4599258B2 (ja) 固体撮像素子
US7714915B2 (en) Solid-state image device having multiple PN junctions in a depth direction, each of which provides and output signal
US20110128423A1 (en) Image sensor and method of manufacturing the same
TWI581411B (zh) 色彩濾波器及光二極體型樣化組配技術
KR20150077996A (ko) Tfa 기반의 시모스 이미지 센서 및 그 동작방법
US7732846B2 (en) Semiconductor device including solid state image pickup device, and portable electronic apparatus
CN103839952A (zh) 影像感测装置
KR101095945B1 (ko) 상이한 파장을 균일하게 수광하기 위한 흡광 재료를 포함하는 이면 조사 센서 패키지
TW201233167A (en) Image sensor with dual element color filter array and three channel color output
JP6017311B2 (ja) マルチスペクトル感光部材およびその製作方法
JP2010114323A (ja) 固体撮像装置、及び電子機器
WO2023051475A1 (zh) 图像传感器、摄像设备及显示装置
KR20170007736A (ko) 이종 화소 구조를 갖는 이미지 센서
US20170287981A1 (en) Image sensor including nanostructure color filter
US8866947B2 (en) Double pass back side image sensor systems and methods
KR101557495B1 (ko) 상이한 파장을 균일하게 수광하기 위한 차등 높이 실리콘을 포함하는 이면 조사 센서 패키지
KR102610609B1 (ko) 이미지 센서
CN102244083B (zh) 一种混合多光谱感光象素组、感光器件、及感光系统
JP2022067391A5 (ru)
US20240006436A1 (en) Image sensor and method of manufacturing an image sensor

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20150730