RU2013142885A - Способ и средства улучшенного освещения теплиц - Google Patents

Способ и средства улучшенного освещения теплиц Download PDF

Info

Publication number
RU2013142885A
RU2013142885A RU2013142885/28A RU2013142885A RU2013142885A RU 2013142885 A RU2013142885 A RU 2013142885A RU 2013142885/28 A RU2013142885/28 A RU 2013142885/28A RU 2013142885 A RU2013142885 A RU 2013142885A RU 2013142885 A RU2013142885 A RU 2013142885A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
quantum dot
peak
wavelength
light
lighting device
Prior art date
Application number
RU2013142885/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Ларс АЙКАЛА
Илькка КИВИМЯКИ
Original Assignee
Валоя Ой
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Валоя Ой filed Critical Валоя Ой
Publication of RU2013142885A publication Critical patent/RU2013142885A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • A—HUMAN NECESSITIES
    • A01—AGRICULTURE; FORESTRY; ANIMAL HUSBANDRY; HUNTING; TRAPPING; FISHING
    • A01G—HORTICULTURE; CULTIVATION OF VEGETABLES, FLOWERS, RICE, FRUIT, VINES, HOPS OR SEAWEED; FORESTRY; WATERING
    • A01G7/00—Botany in general
    • A01G7/04—Electric or magnetic or acoustic treatment of plants for promoting growth
    • A01G7/045—Electric or magnetic or acoustic treatment of plants for promoting growth with electric lighting
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P60/00—Technologies relating to agriculture, livestock or agroalimentary industries
    • Y02P60/14—Measures for saving energy, e.g. in green houses

Abstract

1. Осветительный прибор для растениеводства, содержащий по меньшей мере один СИД (101) (светоизлучающий диод), отличающийся тем, что осветительный прибор (100) содержит множество разноразмерных квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160), выполненных с возможностью ап-конверсии света СИД с увеличением его длины волны.2. Осветительный прибор по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один СИД (101) и распределение по размеру указанного множества квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160) выполнены с возможностью создания суммарного спектра излучения, аналогичного спектру фотосинтетически активного излучения (ФАИ), за исключением того, что в указанном спектре излучения отсутствует или имеет очень низкую интенсивность составляющая зелено-желтой области (500-600 нм) и содержится высокоинтенсивная составляющая дальней красной области 700-800 нм.3. Осветительный прибор по п.1, отличающийся тем, что размер по меньшей мере одной квантовой точки (110, 120, 130, 140, 150, 160) таков, что указанная квантовая точка выполнена с возможностью поглощать фотоны и испускать фотоны в полосе фотонного спектра, оказывающей определенное фотоморфогенетическое воздействие на растения (310, 311).4. Осветительный прибор по п.1, отличающийся тем, что указанное воздействие может быть оказано на фотоморфогенетическую переменную, которая может быть любым из следующих биологических параметров: вес, количество листьев, масса корня, высота стебля, химический состав (например, содержание и/или концентрация витаминов, минералов и/или нутриентов) растения (310, 311) в различные моменты времени или при потребительской зрелости.5. Осветительный прибор по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере �

Claims (45)

1. Осветительный прибор для растениеводства, содержащий по меньшей мере один СИД (101) (светоизлучающий диод), отличающийся тем, что осветительный прибор (100) содержит множество разноразмерных квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160), выполненных с возможностью ап-конверсии света СИД с увеличением его длины волны.
2. Осветительный прибор по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере один СИД (101) и распределение по размеру указанного множества квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160) выполнены с возможностью создания суммарного спектра излучения, аналогичного спектру фотосинтетически активного излучения (ФАИ), за исключением того, что в указанном спектре излучения отсутствует или имеет очень низкую интенсивность составляющая зелено-желтой области (500-600 нм) и содержится высокоинтенсивная составляющая дальней красной области 700-800 нм.
3. Осветительный прибор по п.1, отличающийся тем, что размер по меньшей мере одной квантовой точки (110, 120, 130, 140, 150, 160) таков, что указанная квантовая точка выполнена с возможностью поглощать фотоны и испускать фотоны в полосе фотонного спектра, оказывающей определенное фотоморфогенетическое воздействие на растения (310, 311).
4. Осветительный прибор по п.1, отличающийся тем, что указанное воздействие может быть оказано на фотоморфогенетическую переменную, которая может быть любым из следующих биологических параметров: вес, количество листьев, масса корня, высота стебля, химический состав (например, содержание и/или концентрация витаминов, минералов и/или нутриентов) растения (310, 311) в различные моменты времени или при потребительской зрелости.
5. Осветительный прибор по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере одна из указанных квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160) выполнена из одного из следующих сплавов: селенид кадмия, сульфид кадмия, арсенид индия, фосфид индия и/или селенид сульфид кадмия.
6. Осветительный прибор по п.1, отличающийся тем, что указанное распределение по размерам квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160) содержит квантовые точки различного размера от 1 нм до 20 нм.
7. Осветительный прибор по п.1, отличающийся тем, что по меньшей мере одна квантовая точка (110, 120, 130, 140, 150, 160) получена коллоидным синтезом.
8. Осветительный прибор по п.1, отличающийся тем, что размер по меньшей мере одной квантовой точки (110, 120, 130, 140, 150, 160) выполнен таковым, что она излучает в красной или дальней красной полосе 600-800 нм.
9. Способ освещения растений, содержащий этапы:
- освещения по меньшей мере одним светоизлучающим диодом (101) по меньшей мере одного растения (310, 311) и множества разноразмерных квантовых точек (110,120,130, 140,150,160),
- поглощения света указанным множеством разноразмерных квантовых точек (110,120,130,140,150, 160),
- излучения света указанным множеством разноразмерных квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160) на длинах волн, превышающих длину волны поглощенного излучения.
10. Способ освещения по п.9, отличающийся тем, что имеющее определенное распределение по размеру множество квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160) и по меньшей мере один светоизлучающий диод (101) дают итоговый спектр излучения, аналогичный спектру фотосинтетически активного излучения (ФАИ), за исключением того, что в указанном спектре излучения отсутствует или имеет очень низкую интенсивность составляющая зелено-желтой области (500-600 нм) и содержится высокоинтенсивная составляющая дальней красной области 700-800 нм.
11. Способ освещения по п.9, отличающийся тем, что размер по меньшей мере одной из квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160) подбирают таким образом, чтобы в результате получалось фотонное излучение в полосе или в различных полосах с заданными относительными интенсивностями в фотонном спектре с определенным фотоморфогенетическим воздействием на растения (310, 311).
12. Способ освещения по п.11, отличающийся тем, что указанное воздействие может быть оказано на фотоморфогенетическую переменную, которая может быть любым из следующих биологических параметров: вес, количество листьев, масса корня, высота стебля, химический состав (например, содержание и/или концентрация витаминов, минералов и/или нутриентов) растения (310, 311) в различные моменты времени или при потребительской зрелости.
13. Способ освещения по п.9, отличающийся тем, что по меньшей мере одна из указанных квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160) выполнена из одного из следующих сплавов: селенид кадмия, сульфид кадмия, арсенид индия, фосфид индия и/или селенид сульфид кадмия.
14. Способ освещения по п.9, отличающийся тем, что по меньшей мере одна из указанных квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160) является квантовой точкой с ядром и оболочкой и выполнена из одного из следующих сплавов: селенид кадмия, сульфид кадмия, арсенид индия, фосфид индия и/или селенид и сульфид кадмия.
15. Способ освещения по п.9, отличающийся тем, что в указанном распределении по размерам квантовых точек (110, 120, 130, 140, 150, 160) содержатся квантовые точки различного размера в пределах от 1 нм до 20 нм.
16. Способ освещения по п.9, отличающийся тем, что по меньшей мере одна квантовая точка (110, 120, 130, 140, 150, 160) получена коллоидным синтезом.
17. Способ освещения по п.9, отличающийся тем, что размер по меньшей мере одной квантовой точки (110, 120, 130, 140, 150, 160) выполнен таковым, что она излучает в красной или дальней красной полосе 600-800 нм.
18. Осветительный прибор для теплиц, отличающийся тем, что он содержит по меньшей мере одну квантовую точку (110, 120, 130, 140, 150, 160) и по меньшей мере один СИД (101).
19. Светильник для растениеводства, содержащий по меньшей мере одну квантовую точку и по меньшей мере один СИД, и имеющий:
а) первую спектральную характеристику с пиком в интервале длин волн от 600 до 700 мм, предусматривающую полную ширину на полувысоте максимума, равную по меньшей мере 50 нм и более;
b) вторую спектральную характеристику с максимумом 50 нм полной ширины на полувысоте максимума, предусматривающую длину волны пика в интервале от 440 до 500 нм; и
c) полную или частичную генерацию излучения с длиной волны 600-800 нм полной или частичной ап-конверсией по длине волны излучения кристалла СИД по меньшей мере одной квантовой точкой.
20. Светильник по п.19, в котором по меньшей мере частично или полностью излучение с длиной волны 500-600 нм минимизировано и/или отсутствует и/или снижено ниже интенсивности в полосе 400-500 нм и ниже интенсивности в полосе 600-700 нм.
21. Светильник по п.19, в котором квантовая точка имеет спектральную характеристику со свободно настраиваемым в интервале длин волн от 500 до 800 мм пиком с предусмотренной полной шириной на полувысоте максимума, равной по меньшей мере 30 нм.
22. Светильник по п.19, в котором интенсивности первой, второй и, факультативно, третьей спектральной характеристики светоизлучающего диода и/или квантовой точки настраиваемы.
23. Светильник по п.19, содержащий второй светоизлучающий диод и/или квантовую точку с по меньшей мере с одной спектральной характеристикой с пиком в интервале длин волн от 400 до 500 нм, полная ширина которого на полувысоте составляет максимум 50 нм, и, факультативно, содержащая вторую и третью спектральные характеристики, в которых предусмотрена свободная настраиваемая длина волн пиков в интервале от 450 до 800 нм.
24. Светильник по п.19, в котором значение ФФП (Фотосинтетического Фотонного Потока) на ватт составляет 0,35 мкмоль∙с-1∙м-2 или выше.
25. Светильник по п.19, в котором спектральные характеристики излучения: интенсивность, длина волны пика и ширина пика на полувысоте регулируемы размером, количеством и видом квантовых точек.
26. Светильник по п.19, в котором:
a) первая квантовая точка имеет первую спектральную характеристику с пиком в интервале длин волн от 600 до 700 мм и шириной пика на полувысоте по меньшей мере 50 нм;
b) первый светоизлучающий диод также имеет вторую спектральную характеристику с пиком в интервале длин волн от 440 до 500 нм; и
c) первая квантовая точка, факультативно, имеет третью спектральную характеристику со свободно настраиваемой в интервале от 500 до 800 нм длиной волны пика с предусмотренной шириной пика на полувысоте, равной по меньшей мере 30 нм;
а) интенсивности излучения первой, второй и третьей факультативной спектральной характеристики являются регулируемыми в любых пропорциях.
27. Светильник по п.26, содержащий второй светоизлучающий диод и/или квантовую точку по меньшей мере с одной спектральной характеристикой с пиком в интервале длин волн от 400 до 500 нм и шириной на полувысоте, максимально равной 50 нм, а также факультативными второй и третьей спектральными характеристиками со свободно настраиваемой в интервале от 450 до 800 нм длиной волны пиков.
28. Светильник для растениеводства, содержащий по меньшей мере один СИД и по меньшей мере одну квантовую точку, выполненную с возможностью ап-конверсии излучения СИД с увеличением ее длины волны, и имеющий:
a) первую спектральную характеристику с пиком в интервале длин волн от 600 до 700 нм, и предусматривающую полную ширину на полувысоте максимума, равную по меньшей мере 50 нм или более;
b) вторую спектральную характеристику с максимумом 50 нм полной ширины на полувысоте максимума, предусматривающую длину волны пика в интервале от 440 до 500 нм, и
c) причем излучение в интервале длин волн 500-600 нм по меньшей мере частично или полностью минимизировано и/или отсутствует и/или снижено ниже интенсивности в полосе 400-500 нм и ниже интенсивности в полосе 600-700 нм.
29. Светильник по п.28, в котором квантовая точка имеет спектральную характеристику со свободно настраиваемым в интервале длин волн от 500 до 800 мм пиком с предусмотренной полной шириной на полувысоте максимума, равной по меньшей мере 30 нм.
30. Светильник по п.28, в котором интенсивности первой, второй и, факультативно, третьей спектральных характеристик светоизлучающего диода и/или квантовой точки настраиваемы.
31. Светильник по п.28, содержащий второй светоизлучающий диод и/или квантовую точку с по меньшей мере одной спектральной характеристикой с пиком в интервале длин волн от 400 до 500 нм, полная ширина которого на полувысоте составляет максимум 50 нм, и, факультативно, содержащая вторую и третью спектральные характеристики, в которых предусмотрена свободная настраиваемая длина волн пиков в интервале от 450 до 800 нм.
32. Светильник по п.28, в котором значение ФФП (Фотосинтетического Фотонного Потока) на ватт составляет 0,35 мкмоль∙с-1∙м-2 или выше.
33. Светильник по п.28, в котором спектральные характеристики излучения: интенсивность, длина волны пика и ширина пика на полувысоте регулируемы размером, количеством и видом квантовых точек.
34. Светильник по п.28, в котором:
a) первая квантовая точка имеет первую спектральную характеристику с пиком в интервале длин волн от 600 до 700 мм и шириной пика на полувысоте по меньшей мере 50 нм;
b) первый светоизлучающий диод также имеет вторую спектральную характеристику с пиком в интервале длин волн от 440 до 500 нм; и
c) первая квантовая точка, факультативно, имеет третью спектральную характеристику со свободно настраиваемой в интервале от 500 до 800 нм длиной волны пика с предусмотренной шириной пика на полувысоте, равной по меньшей мере 30 нм;
d) интенсивности излучения первой, второй и третьей, факультативно, спектральных характеристик являются регулируемыми в любых пропорциях.
35. Светильник по п.34, содержащий второй светоизлучающий диод и/или квантовую точку по меньшей мере с одной спектральной характеристикой с пиком в интервале длин волн от 400 до 500 нм и шириной на полувысоте, максимально равной 50 нм, а также факультативными второй и третьей спектральными характеристиками со свободно настраиваемой в интервале от 450 до 800 нм длиной волны пиков.
36. Светоизлучающий компонент светильника для растениеводства, содержащий:
- полупроводниковый кристалл светоизлучающего диода (СИД); и
- квантовую точку, выполняющую ап-конверсию по длине волны и расположенную в непосредственной близости от кристалла полупроводникового СИД;
причем указанный компонент выполнен с возможностью излучать свет с двумя характеристическими пиками излучения, причем излучение в интервале длин волн 500-600 нм по меньшей мере частично или полностью минимизировано и/или исключено и/или уменьшено ниже уровня интенсивности в полосе 400-500 нм и ниже уровня интенсивности в полосе 600-700 нм.
37. Светоизлучающий компонент по п.36, в котором квантовая точка, преобразующая свет с увеличением длины волны, расположена непосредственно на поверхности СИД или отделена другим оптическим материалом.
38. Светоизлучающий компонент по любому из п.п.36 или 37, в котором пик излучения полупроводникового кристалла светоизлучающего диода (СИД) находится в интервале длин волн от 440 до 500 нм.
39. Светоизлучающий компонент по п.36, в котором квантовая точка, выполняющая ап-конверсию по длине волны, выполнена с возможностью преобразования части мощности световой энергии, излучаемой кристаллом полупроводниковой квантовой точки с увеличением длины волны до 600-700 нм.
40. Светоизлучающий компонент по п.36, в котором два характеристических пика светового излучения находятся в интервалах 440-500 нм и 600-700 нм соответственно.
41. Светоизлучающий компонент по п.36, в котором в двух характеристических пиках светового излучения отсутствуют спектральные характеристики, - в одном по меньшей мере на 50 нм ширины на полувысоте, а в другом - максимум на 50 нм ширины на полувысоте, а в обоих - в различных интервалах длин волн.
42. Применение осветительного прибора или светильника по п.1, или 19, или 28 для освещения по меньшей мере одного растения, находящегося либо в условиях естественного освещения, либо в темном помещении, где указанный осветительный прибор или светильник является единственным источником света.
43. Применение светоизлучающего компонента по п.36 для освещения по меньшей мере одного растения, находящегося либо в условиях окружающего освещения, либо в темном помещении, где указанный осветительный прибор или светильник является единственным источником света.
44. Способ улучшения роста растения, в котором по меньшей мере один осветительный прибор или светильник по п.1, или 19, или 28 излучает свет на по меньшей мере одно растение, находящееся либо в условиях окружающего освещения, либо в темном помещении, где указанный осветительный прибор или светильник является единственным источником света.
45. Способ улучшения роста растения, в котором по меньшей мере один светоизлучающий компонент по п.36 излучает свет на по меньшей мере одно растение, находящееся либо в условиях окружающего освещения, либо в темном помещении, где указанный осветительный прибор или светильник является единственным источником света.
RU2013142885/28A 2011-03-17 2012-02-08 Способ и средства улучшенного освещения теплиц RU2013142885A (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP11158648.3 2011-03-17
EP11158648A EP2499900A1 (en) 2011-03-17 2011-03-17 Method and means for enhancing greenhouse lights
US201161468777P 2011-03-29 2011-03-29
US61/468,777 2011-03-29
PCT/FI2012/050117 WO2012123626A1 (en) 2011-03-17 2012-02-08 Method and means for enhancing greenhouse lights

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2013142885A true RU2013142885A (ru) 2015-04-27

Family

ID=44455904

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013142885/28A RU2013142885A (ru) 2011-03-17 2012-02-08 Способ и средства улучшенного освещения теплиц

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9318648B2 (ru)
EP (1) EP2499900A1 (ru)
JP (1) JP2014510527A (ru)
KR (1) KR20140010423A (ru)
CN (1) CN103503173B (ru)
AU (2) AU2012228151A1 (ru)
CA (1) CA2827820C (ru)
RU (1) RU2013142885A (ru)
SG (2) SG193319A1 (ru)
TW (1) TW201240159A (ru)
WO (1) WO2012123626A1 (ru)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20170110171A (ko) * 2012-04-05 2017-10-10 나노코 테크놀로지스 리미티드 광합성 유기체의 성장을 향상시키는 양자점 발광다이오드
FR2999432B1 (fr) * 2012-12-17 2014-12-12 Ethypharm Sa Comprimes orodispersibles obtenus par compression moulage
JP6367828B2 (ja) 2013-01-11 2018-08-01 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ 植物の成長及び植物のバイオリズムを刺激する園芸用照明装置並びに方法
US9844209B1 (en) 2014-11-24 2017-12-19 Xiant Technologies, Inc. Photon modulation management system for stimulation of a desired response in birds
US9560837B1 (en) 2013-03-05 2017-02-07 Xiant Technologies, Inc. Photon modulation management system for stimulation of a desired response in birds
US10182557B2 (en) 2013-03-05 2019-01-22 Xiant Technologies, Inc. Photon modulation management system for stimulation of a desired response in birds
WO2014138262A1 (en) 2013-03-05 2014-09-12 Xiant Technologies, Inc. Photon modulation management system
US11278009B2 (en) 2013-03-05 2022-03-22 Xiant Technologies, Inc. Photon modulation management system for stimulation of a desired response in birds
WO2014201329A1 (en) * 2013-06-14 2014-12-18 Solartrack, Llc Apparatuses, systems and methods for enhancing plant growth
US9184350B2 (en) 2013-06-21 2015-11-10 Venntis Technologies LLC Light emitting device for illuminating plants
JP2015033367A (ja) * 2013-08-09 2015-02-19 シャープ株式会社 植物用照明装置、栽培棚、植物工場、及び植物栽培方法
JP6268516B2 (ja) * 2013-11-13 2018-01-31 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 作物育成システム
CN103869796A (zh) * 2014-03-31 2014-06-18 常熟理工学院 食用菌生产环境监控方法及监控系统
JP2017528130A (ja) 2014-08-29 2017-09-28 シャント テクノロジーズ， インコーポレイテッドＸｉａｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ，Ｉｎｃ． 光子変調管理システム
US10959381B2 (en) * 2015-03-31 2021-03-30 Signify Holding B.V. Systems and methods of illuminating plants
CN105485619A (zh) * 2015-12-31 2016-04-13 广州达森灯光股份有限公司 一种全光谱育苗灯
CN105570821A (zh) * 2016-02-17 2016-05-11 广东伟照业光电节能有限公司 促进植物生长的方法和led植物生长灯
US11218644B2 (en) 2016-11-30 2022-01-04 Sherpa Space Inc. Image-based component measurement system using light emitting device that outputs variable wavelength and method thereof, and method of plant cultivation method using the same
KR101730965B1 (ko) * 2016-11-30 2017-04-27 주식회사 쉘파스페이스 양자점을 이용한 가변 파장을 가지는 식물 생장용 발광 장치
US11058889B1 (en) 2017-04-03 2021-07-13 Xiant Technologies, Inc. Method of using photon modulation for regulation of hormones in mammals
EP3635793A4 (en) 2017-05-09 2021-01-20 Ubiqd Inc. LUMINESCENT OPTICAL ELEMENTS FOR AGRICULTURAL APPLICATIONS
CN108739979B (zh) * 2018-04-27 2021-11-19 苏州星烁纳米科技有限公司 光合保鲜灯以及装置
CN111200051B (zh) * 2018-11-16 2021-08-17 佛山市国星光电股份有限公司 照明设备
CN109863902A (zh) * 2018-12-12 2019-06-11 福建省中科生物股份有限公司 促进植物生长的光照方法和植物灯及其应用
US11961247B2 (en) 2019-02-22 2024-04-16 Sherpa Space Inc. Image-based component measurement system using light emitting device that outputs variable wavelength and method thereof, and method of plant cultivation method using the same
CN109819802B (zh) * 2019-03-28 2023-09-08 杭州驭光科技有限公司 基于植物特征光谱数据的植物光照装置、系统及方法
US11262063B2 (en) 2019-06-05 2022-03-01 Light Source Engineering Llc Horticulture light panel assembly
US11402089B2 (en) 2019-06-06 2022-08-02 Abundant Lighting Technology, Llc LED growth light
RU2765922C1 (ru) * 2021-05-04 2022-02-04 Константин Павлович Горбенко Способ снижения вредного воздействия на человека излучения полноспектрального светодиодного светильника
CN115597014A (zh) * 2022-10-21 2023-01-13 广州市巨宏光电有限公司（Cn） 一种健康照明灯

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6501091B1 (en) * 1998-04-01 2002-12-31 Massachusetts Institute Of Technology Quantum dot white and colored light emitting diodes
US7323721B2 (en) * 2004-09-09 2008-01-29 Blue Photonics Inc. Monolithic multi-color, multi-quantum well semiconductor LED
US20060113895A1 (en) 2004-11-30 2006-06-01 Baroky Tajul A Light emitting device with multiple layers of quantum dots and method for making the device
TWI344314B (en) * 2005-10-14 2011-06-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light-emitting element, plane light source and direct-type backlight module
US20080173886A1 (en) * 2006-05-11 2008-07-24 Evident Technologies, Inc. Solid state lighting devices comprising quantum dots
WO2009014707A2 (en) * 2007-07-23 2009-01-29 Qd Vision, Inc. Quantum dot light enhancement substrate and lighting device including same
JP5437253B2 (ja) 2007-10-12 2014-03-12 エイジェンシー フォア サイエンス テクノロジー アンド リサーチ 蛍光体を含まない赤色及び白色窒化物ベースのｌｅｄの作製
KR100982991B1 (ko) * 2008-09-03 2010-09-17 삼성엘이디 주식회사 양자점 파장변환체, 양자점 파장변환체의 제조방법 및 양자점 파장변환체를 포함하는 발광장치
KR101018111B1 (ko) * 2008-10-07 2011-02-25 삼성엘이디 주식회사 양자점-금속산화물 복합체, 양자점-금속산화물 복합체의 제조방법 및 양자점-금속산화물 복합체를 포함하는 발광장치
LT5688B (lt) 2008-11-07 2010-09-27 Uab "Hortiled" Konversijos fosfore šviesos diodas, skirtas augalų fotomorfogeneziniams poreikiams tenkinti
KR101562022B1 (ko) * 2009-02-02 2015-10-21 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 유닛, 이를 포함하는 표시 장치 및 발광 다이오드 유닛 제조 방법
JP5393790B2 (ja) * 2009-08-07 2014-01-22 昭和電工株式会社 植物育成用の多色発光ダイオードランプ、照明装置および植物育成方法
FI20095967A (fi) * 2009-09-18 2011-03-19 Valoya Oy Valaisinsovitelma
KR100993074B1 (ko) * 2009-12-29 2010-11-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광소자의 제조방법 및 발광소자 패키지
GB201009773D0 (en) * 2010-06-11 2010-07-21 Karpinski Stanislaw Method and apparatus for plant protection
EP2656728A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-30 Valoya Oy A tilting horticultural light and method of plant cultivation
WO2014138262A1 (en) * 2013-03-05 2014-09-12 Xiant Technologies, Inc. Photon modulation management system
US20140268635A1 (en) * 2013-03-14 2014-09-18 Valoya Oy Phosphoric horticultural light
WO2014201329A1 (en) * 2013-06-14 2014-12-18 Solartrack, Llc Apparatuses, systems and methods for enhancing plant growth

Also Published As

Publication number Publication date
WO2012123626A1 (en) 2012-09-20
CA2827820A1 (en) 2012-09-20
JP2014510527A (ja) 2014-05-01
US20130047503A1 (en) 2013-02-28
KR20140010423A (ko) 2014-01-24
AU2012101935A4 (en) 2015-09-17
CN103503173B (zh) 2017-05-17
SG10201502309WA (en) 2015-05-28
AU2012228151A1 (en) 2013-09-12
US9318648B2 (en) 2016-04-19
CA2827820C (en) 2018-02-20
TW201240159A (en) 2012-10-01
SG193319A1 (en) 2013-10-30
EP2499900A1 (en) 2012-09-19
CN103503173A (zh) 2014-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2013142885A (ru) Способ и средства улучшенного освещения теплиц
RU2013142886A (ru) Осветительное устройство для выращивания растений и способ стимулирования роста растений
RU2013142884A (ru) Осветительное устройство для выращивания растений и способ освещения растений
RU2543979C2 (ru) Осветительный прибор
US20190191634A1 (en) Arrangement and device for improving plant productivity through enhancing insect pollination success in plant cultivation
US20180132429A1 (en) Plant growth lamp
US11953195B2 (en) Solid-state grow-lights for plant cultivation
Runkle Red light and plant growth
JP3171248U (ja) 植物育成灯
Goto et al. Measurements of the photosynthetic rates in vegetables under various qualities of light from light-emitting diodes
RU2668841C1 (ru) Светильник
RU153425U1 (ru) Светильник для теплиц
RU2675320C2 (ru) Светильник
RU2725003C1 (ru) Система облучения растений в теплице
RU2692648C2 (ru) Светильник
RU2690647C2 (ru) Светильник
TW201621975A (zh) Ｌｅｄ電絲型燈泡
RU2660245C1 (ru) Светильник
Ghate An overview of led lighting in agriculture for the growth and development of plants
RU209987U1 (ru) Светодиодный облучатель для растений
RU2666454C1 (ru) Светильник
RU2660244C1 (ru) Светильник
JP3181156U (ja) 発光ダイオード照明装置
Erokhin et al. STUDY OF CHARACTERISTICS OF LEDS FOR PHYTOIRRADIATORS.
JP3177186U (ja) ライト装置

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20150209