TW201240159A - Method and means for enhancing greenhouse lights - Google Patents

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201240159 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種產生供植物栽培用之人造光之改良 方法更特疋吕之’本發明係關於—種具有半導體光發射 溶液之照明裝s ’該半導體光發射溶液具有波長上轉換特 徵且適用於溫室環境中植物栽培。 【先前技術】 僅約50%到達地面之輻射為光合作用有效輻射 (PAR)。PAR被視為包含介於電磁波譜3〇〇 nm與8〇〇打爪 之間的波長範圍。光合作用連同光週期性、向光性及光形 態形成為與輻射與植物之間相互作用有關之四個代表性過 程。以下表達式展示光合作用之簡化的化學方程式： 0H20 + 0C02(+ 光子能）4 c6H1206+ 6 02。 圖1A中呈現最常見光合及光形態形成感光器（諸如葉 綠素曱（chlorophyll a)、葉綠素乙（chlorophyll b)及沒 胡蘿蔔素（betacarotene)以及植物色素（phytochrome)之 兩種可互相轉換之形式（Pfr及Pr ))之典型吸收光譜。 與光合作用相反，光形態形成反應可以極低之光量達 成。不同類型之光合及光形態形成感光器可分為至少三組 已知光系統：光合、植物色素及隱花色素（cryptochrome ) 或藍/UV-A (紫外線A)。 在光合光系統中，存在之色素為葉綠素及類胡蘿蔔素 201240159 (carotenoid )。葉綠素位於處於植物葉葉肉細胞中之葉綠 體之層狀體中。輻射之數量或能量為最顯著態樣，因為彼 等色素之活性與光採集緊密有關。葉綠素之兩個最主要的 吸收峰分別位於625 nm至675 nm及425 nm至475 nm之 紅區及藍區中。另外，亦存在近uv區（30〇11111至4〇〇nm) 及遠紅外區（ 700 nm至800 nm)處之其他局部峰。類胡蘿 «素（諸如葉黃素（xanthophyll)及胡蘿蔔素）位於植物細 胞上之有色體質體細胞器中且主要在藍區中吸收。 植物色素光系統包括植物色素之兩種可互相轉換的形 式Pr及Pfr，其分別在66〇 nm下紅光及73〇 nm下遠紅外 光中具有其敏感峰。由植物色素介導之光形態形成反應通 常與經由紅光（R) /遠紅外光（FR)比率（r/fr)感測光 品質有關。植物色素之重要性可藉由其所涉及之不同生理 性反應（諸如展葉、相鄰感知（neighb〇ur percepti〇n )、避 陰、莖伸長、種子發芽及成花誘導）來評估。儘管避陰反 應通常由植物色素經感測R/FR比率來控制，然而藍光及 PAR程度亦與相關適應性形態反應有關。 及LJ V A (备、外線a )敏感性感光器可見於隱花色素 光系統。吸收藍光之色素包括隱花色素及向光素 (phot〇tr〇pin)。其涉及數種不同任務，諸如監測光之品質、 數量、方向及週期性。藍及UV-A敏感性感光器之不同群組 "導重要形嘘學反應'，諸如内在周律、器官定向、莖伸長 及氣：：放、，"、展葉、根生長及向光性。向光素調節 色素含1以及光合器官及細胞器之定位以便優化光採集及 201240159 光抑制。如同曝露於連續遠紅外輻射一樣，藍光亦經由介 導隱花色素感光器促進開花。此外，藍光敏感性感光器（例 如黃素（flavin )及類胡蘿蔔素）亦對近紫外線輻射敏感， 其中在約370 nm下可發現局部敏感峰。 隱花色素不僅為所有植物物種所共有。隱花色素介導 多種光反應，包括導致開花植物（諸如芥菜屬（Arabid〇psis)) 中之晝夜節律。儘管低於300 nm波長之輻射可對分子之化 學鍵及DNA結構高度有害’然而植物亦吸收此區域内之輻 射。PAR區域内之輻射品質可能對降低uv輻射之破壞作用 較為重要。此等感光器被研究最多且因此已相當熟知其在 控制光合作用及生長方面之作用。然而，有證據表明存在 其他感光器，其活性可能在介導植物重要生理性反應方面 具有重要作用。另外，並不充分瞭解感受器之某些群组之 間之相互作用以及相互依賴性。 許多植物可藉助於溫室栽培利用人造光在與其天然生 境不同之地理位置中生县。6 7 ^ i 丁王负。自Zukauskas等人之w〇 2010/053341 A1中已知發央-搞雕〆Ttrr4、—r 丄 %尤—極胆（LED )可與磷光體轉換 一起使用以滿足植物之一此朵拟能 ' . ^ 二九形態形成需要。磷光體轉換 運作以致存在發射短波長的諸如 戈之光，其接近於吸收 及再發射較長波長之輻射的磷光 J π尤髖組为。由此，可調諧眧 明裝置之聚集體發射光譜，以# … M便楗供至植物之光子允許植 物以特定方式生長，你丨士、，龙g 滿足某些形態學目的（諸如莖高 度）。此處引用此文獻作為參考。 "'问 發光二極體（led)日漸並月r ^ 斩曰及。LED所用之特有新結構 6 201240159 為里u亦即激子受限於全部三個空間維度之半導體。 在論述包含量子點之多量子井結構（MQW )之WO 2009/048425中已建議使用量子點以捨棄磷光體。根據此公 開案MQW、’。構可用來製造基於無磷光體紅色及白色氮化 物之LED。此處亦引用此文獻作為參考。 先引技術有大量缺點。先前技術[ED及墙光體配置不 允卉對發射光4進行足夠高的解析調諧。先前技術Mq w及 S子點照明裝置主要關注於替代對園藝家鮮有幫助之不利 結構特徵（諸如磷）。 十分明顯地’需要不僅僅替代不期望之技術特徵（亦 即亦增強栽培生產力）之更複雜的植物照明技術。 【發明内容】 所研究之本發明係針對一種以量子點有效上轉換L E D 發射來產生供植物栽培用之最佳化光譜的系統及方法。 本發明之另一目標為提供一種以量子點有效上轉換 LED發射來產生用於溫室環境中之植物栽培的最佳化光譜 的系統及方法，在溫室環境中需要以本發明人造光補充過 遽、之日光。 在本發明之一個態樣中，量子侷限以量子點之形式實 現（亦即侷限於全部三個空間維度令）或實際上以複數個 量子點之形式實現。除使用量子點之外，量子線（2-D空間 侷限）及量子井（1-D空間侷限）在一些具體實例中可用於 例如藉由替代來自該等具體實例之一或多個量子點來實施 本發明。 201240159 根據本發明之一個態樣，至少一個習知led經配置以 ’’、、月不同尺寸之量子點。纟量子點中，尺寸與發射能量負 相關，亦即較小量子點發射較高能量。量子點經配置以吸 收由LED發射之光子，且隨後再發射較長波長之光子。在 本發明之一個態樣中，量子點之尺寸分佈經選擇以便其與 LED起產生聚集體發射光譜，對以由該led及量子點系且 合發射之人造光培養之植物產生有利光形態形成效應。 本發明之一目的為消除與此項技術有關之至少一部分 問題且提供-種以組合形式使用LED及量子點作為該等 L E D之上轉換器來促進植物生長的新穎方式。 本發明之第一目標為提供一種光合作用過程充分響應 之基於單一光發射源之LED及量子點裝置。 ‘ 本發明之第二目標為提供一種基於光合作用光子通量 (PPF )經優化之LED及量子點里 *且、711/皿至栽培的眧 明器具。 不赞听之第 工/入里卞點裝置 提供300 nm至800 nm .、念|益阁咖Λ , nm波長軏圍内之至少兩個發射峰」 射峰中至少一者具有 ο王夕nm或50 nm以上夕生. (FWHM)。 牛 r 本發明之第四目桓盔怛版 _ „ ^知為如供一種基於LED及量子 室栽培照明器具，其中土搞政l β — 、T兩種發射頻率（300 nm至5〇〇 60〇11111至80〇11111)之路舢2全你匕丄 〇, 务射強度比在10，_小時操 小不到20%。 Λ f 本發明之第五目栲盔坦似 ^ 铋為k供一種技術溶液，其與由· 8 201240159 栽培中通常所用之習知高壓鈉燈或LED燈所獲得者相比提 供較好的每瓦特PPF值（亦即ppF相對於所用功率瓦特 數），且因此為溫室栽培過程及其中所用之人工照明提供 能量有效光源。 本發明之第六目標為提供一種單一光發射源其中在 300 nm至500 nm頻率之發射由半導體LED晶片產生且在 600 〇〇1至80〇nm頻率之發射使用上轉換量子點晶片產生。 本發明者已發現例如黃瓜及萵苣植物在用包括遠紅外光 (700 nm至8 00 nm )之本發明園藝光照明時達到較大長度 及/或質量。 本發明之第七目標為提供一種單一光發射源，其中在 300 nm至500 nm頻率之發射由半導體LED晶片產生且在 600 nm至800 nm頻率之發射使用量子點晶片產生，該量子 點晶片部分由光發射電流驅動或完全以該LED晶片之波長 上轉換器形式操作。藉由使用鄰近LED晶片發射源之一或 夕個波長上轉換量子點來獲得用於產生6 〇 〇 n m至8 0 0 n m 輻射之波長上轉換。 在此申请案中’ 「上轉換（Up-conversi〇n )」被視為使 入射吸收光之波長變為較長波長之發射光。 本發明之第八目標為提供半導體LED晶片輻射之400 nm至5 00 nm、60 0 nm至8 00 nm或兩種頻率範圍部分或完 王波長上轉換’該晶片在3 〇 〇 n m至5 0 0 n m範圍之發射範 圍下發射。波長上轉換藉由使用有機、無機或兩種類型材 料組合之量子點來實現。 201240159 用之奈米尺寸顆粒 用之分子樣材料來 本發明之第九目標為使用供上轉換 材料來提供波長上轉換。 本發明之第十目標為使用供上轉換 提供波長上轉換。 本發明之第十一 結至提供波長上轉換 上轉換。 目標為使用上轉換材料以共價方式鍵 之聚合物基f之聚合材料來提供波長 本發明之第十二目標為提供一種基於led及量子點之 照明器具，其中光譜帶500 _至6〇〇謂受抑制。在此受 抑制譜帶中’幾乎無發射或完全無發射，或在任何情況下 比相鄰譜帶400請至5〇〇 _、600 nm至700 _中任一者 中發射少。㈣可根據本發明藉由在譜帶4〇〇_至5〇〇謂 中無任何或僅少量原發射且藉由確保任何上轉換均引起使 波長偏移超出_ nm之波長偏移來達成。通常已知綠色植 勿…、法利用綠光（5〇〇 nm i 6GG nm )輕射以及相鄰譜帶中 之轄射’ ®為此輻射僅自植物反射而非被吸收用於光合轉 換。 ，本^明之第十三目標為提供一種基於LED及量子點之 ’’’、月器具，其藉由提供所需遠紅外光使植物之合成代謝生 長最大化’而其使自植物栽培觀點來看為浪費能量之輻射 ’亲光最小化。在本發明一個態樣中，此目標利用藍色lED 光發射體與波長上轉換量子點裝置一起來實現，該波長上 轉換置子點裝置將-部分發射之藍光（300 nm至500 nm ) 上轉換為&廣紅光光譜分量（600 nm至800 nm )，該較廣 10 201240159 紅光光譜分量具有遠紅外組分’但省去及/或最小化綠色细 分（500 nm 至 600 nm )。 本發明提供適用於溫室栽培之LED及量子點及相關照 明器具。根據本發明，LED &量子點均具有特定發射頻率 模式’即其具有至少兩種光譜特性；—種特性為發射峰具 有至少50 nm或50 nm以上之半高寬且具有在6〇〇 至7⑻ 謂範圍内之峰值波長，且第二光譜特性具有· _範圍 以下之峰值波長。LED〗量子點之發射峰與植物光合作用 響應光譜充分匹配’且因此尤其適用於高效人工照明。 以針對該受影響之光形態形成變數使發射光譜最優化 之LED及里子點尺寸分佈產生本發明之某些或所有前述優 點’該受影響的光形態形成變數可為以下生物參數中的任 :者：不同時間點或採收成熟度之植物的重量 '葉數、根 質量、莖高度、化學組成（諸如維生素、礦物質，及/或營 養分含量及/或濃度）。 士包含LED之用於植物栽培之照明裝置係根據本發明且 其特徵在於該照明裝置包含複數個經配置以將LED光上轉 換為較長波長之不同尺寸的量子點。 一用於植物栽培之照明方法係根據本發明且包含以至少 個led照明植物及量子點之步驟且其特徵在於： _光由複數個不同尺寸之量子點所吸收， -光由複數個不同尺寸之量子點在比所吸收之輻射長 之波長下發射。 用於植物栽培之照明方法係根據本發明且包含以下步 201240159

-用至少一個LED照明至少 寸之量子點， 個植物及複數個 不同尺 -光由該等複數個不 -光由該等複數個不 射長之波長下發射。 同尺寸之量子點所吸收， 同尺寸之量子點在比所 吸收之賴 溫室及/或生長箱照明裝置俏舻 ^ 1係根據本發明且其特徵在於 §玄照明裝置包含至少一個量子@ 、 里于點及至少—個LED。 少一個量子點及 園藝照明器具係根據本發明且包含 至少一個具有以下特性之LED : Ο包括在6〇〇_至7()()_波長範圍内之峰且經配置 員不出至少50〇爪或50nm以上之半高寬的第—光譜特性； b)具有最大50 nm半高甯且妳财苗, 门見立經配置顯不出在440 nm 至500 nm範圍内之峰值波長的第二光譜特性，及 Ο在6〇〇請至__頻率之所有或部分發射係利用 至少-個量子點對LED晶m射功率進行全部或部 上轉換來產生。 口 73 園藝照明器具係根據本發明且包含具有如下特性 、 少一個LED及至少一個經配置以上轉換夾 锊侠木自该LED之發射 輻射的量子點： a )包括在000 nm至7〇〇 nm波長範圍内之聲且經配置 顯示出至少50 nm或50 nm以上之半高寬的第—光譜特性； b )具有最大50 nm半高寬且經配置顯示出 山仕44U nm 至500 nm範圍内之峰值波長的第二光譜特性，及 12 201240159 c)在500 〇„1至60〇11111波長之至少一部分或全 經配置以最小化及/或省去及/或減少至低於4〇〇 _。至二 _譜帶中之強度且低於__至7⑽_譜帶中之強户 =段中任-段之照明裝置或器具之用途係根據：發 月，3亥用途在於為至少—個植物提供光，胃至少— 在環境光中或在以該照明裝置或器具作為獨單光源之—腔 二：似地’前五段之增進植物生長之方法係根據：發 光心至：一個照明裝置或器具向至少-個植物發射 作為二Γ 一個植物在環境光中或在以該照明裝置或器具 作為獨早光源之暗腔室中。 一種園藝光之發光組件，其包含： -發光二極體（LED)半導體晶片；及 Y沈積在直接鄰近該LED晶片之光波長上轉換量子點； 該組件能夠發射兩種特性光發射峰，且 . 配晋在：° _至600 nm波長之至少一部分或全部發射經 =最小化及/或省去及/或減少至低於4。。_至50。請 5曰、：之強度且低於60“m至700 _譜帶中之強度。 前述段落之發丼έ且杜夕田、公％ & & , 於為至少-個植物本發明，途在 在_ Λ 物在環境光中或 -飞為具作為獨早光源之暗腔室中。類似 進t物生長之方法係根據本發明’其中至少一個前 光組件向至少一個植物發射光，該至少一個植 ;%境先辛或在以該照明裝置或器具作為獨單光源之暗 201240159 …本發明之基於LED發射體及量子點上轉換器之實施允 2對發射光譜進行極精細的光譜調諧’且因此允許極佳能 里效率及依賴人造光之植物栽培中的改良光形態形成控 制。此優勢在使用僅用於上轉換之極精細分佈量子點時: 至更顯著，因為由其提供之光譜調譜優於習知LED。另外， 收穫物之品質經本發明之照明裝置顯著改良且由此帶來與 暗生長箱或環境光極有限之箱中之栽培有關的多種優勢. 首先，植物可更接近於消費場所生長，例如在大城市之住 宅地下室中，從而消除運輸成本。其次，植物可在傳統上 不可能發生農業生產之地形中生長，例如夏季熱沙漠條 件。第三，由於植物之品質經改良，故個別植物之間的一 致性亦經改良，其使收穫更容易。此係因為存在較少不合 ::個體且基於機器視覺之收穫設備可在植物具有—致品 貝、尺寸及顏色時較好地將其識別。第四，植物之性質可 以文控方式改變，因為幾乎所有的生長參數均在控制中， 其在栽培花及觀賞植物時尤其有利。第五，植物之每日恆 5光子劑量有助於營養素之投與，因為營養素劑量可維持 4相同《第六’在極熱及陽光充足地形中’植物可在反 射日光之暗的不透明生長箱中生長。本發明之人工照明中 所耗用能量與空氣調節或冷卻日光下植物所消耗之能量相 比少得多。 應注意暗腔室被視為具有零或較低量日光及/或環境光 ^無發射光子之本發明人造光源之光約束空間，但該腔室 可為任何尺寸，顯微級微小、花盆尺寸、1 Om2住宅/商業地 14 201240159 下室、運輸貨櫃、足球場尺寸（例如足球運動場之地下室) 二0層摩天樓(其中充足蔬菜生長在-或多層供整個城 帀用）。 此外且參照前述產生優勢之具體實例’認為本發明之 :佳模式為具有藍色LED及上轉換二元合金量子點之照明 裝置，該等量子點利用膠體法製備以產生量子點尺寸分 佈’產生與光合作用有效輕射（PAR)光譜類似的發射光错 但。玄發射光譜省去黃綠光（500 nm纟6〇〇 _)或在黃綠光 (500 nm至600 nm)中提供極低強度且包含遠紅外光7㈧ nm至800 nm譜帶中之高強度光譜特徵。 【實施方式】 圖1展示包含複數個不同尺寸之量子點丨1〇、12〇、丨3()、 140、150及160之照明裝置1〇〇。量子點之尺寸分佈包含 在2 nm至200 nm範圍内之不同尺寸的量子點，亦即量子 點1丨〇典型地具有200 nm之直徑且量子點16〇具有約2门⑺ 的直徑。照明裝置典型地亦包含LED丨〇丨，其較佳為藍色或 具有一些其他較短波長。 隨著LED 1 〇 1發光，一些發射之光子為量子點n 〇、 120、丨30、140、150及160所吸收。隨著光子被吸收，量 子點I 10、120、130、140、150及160中之電子被激發至 較高能態。隨後，此等電子藉由發射能量等於該等較高能 ‘悲與較低此悲之間差值之一或多個光子來自較高能態弛豫 至較低能態。 在一些具體實例中’量子點丨5〇、i 60經配置以透射在 201240159 250 nm至400 nm範圍内之uv/藍光或經澈底移除，量子點 140及丨30經配置以透射4〇〇 nm至600 nm綠光及/或黃光 或經澈底移除’且量子點12〇經配置以透射6〇〇 nm至700 n m、，工光’且里子點1 1 〇經配置以透射在7 〇 〇 〇 m至8 0 0 n m 谱帶中的遠紅外光。 在一些具體實例中，改變特定尺寸之量子點n 0、1 20、 1 30、1 40、1 50及1 60之相對發射強度及數目以產生與光合 作用有效輻射（PAR )光譜類似及/或相同之與[ED 1 0丨發 射光譜合併的聚集體發射光f普。甚至更佳地，該類似於p A R 之發射光譜省去黃綠光（500 nm至600 nm )或在黃綠光（500 nm至600 nm )中提供極低強度且包含在遠紅外光7〇〇 nm 至800 nm譜帶中之高強度光譜特徵。 在一些具體實例中，全部或一些量子點1丨〇、120、130、 140、150及160典型地由以下合金中之任一者製成：祕化 錄、硫化編、钟化銦、破化銦及/或硫砸化録。 應注意’在更詳細描述之具體實例中，選擇至少一個 該量子點丨丨0、120、130、140、150及/或丨60之尺寸以便 該量子點於在植物中具有特定光形態形成效應之譜帶中產 生光子發射。在本發明之一些具體實例中，該受影響之光 形態形成變數可為以下生物參數中之任一者：不同時間點 或採收成熟度的植物的重量、葉數、根質量、莖高度、化 學組成（諸如維生素、礦物質，及/或營養分含量及/或濃 度）。 在一些具體實例中，至少一個該量子點丨1 〇、1 2 0、丨3 0、 16 201240159 140、150 及 / 或 ία 错由膠體合成法製得。在膠體合成 膠狀半導體夸半a ^/ί: τ 1 “ Β曰體係自溶解於溶液中之前驅體化合 成，更像傳統化學製鞀趿駚旦2 人 〇 I耘膠體1子點之合成典型地係基於 由如驅物、有樓兴二、 1面活性劑及溶劑組成之三成分系。將反 應介質加埶至足糾一 ^ 體。一 、％溫/前驅物以化學方式轉化成單 ^到足夠高的過飽和程度，奈米晶體生即 以成核過程開妒。户iL «®玍長即 产為石t 一 —二具體實例中’生長過程期間之溫 “在“米晶體生長之最佳條件的關 典型地足夠高至允畔爲工—人 /孤度 士 允5午原子在合成過程期間重排及退火，同 足夠低至促進晶I* *且 5 曰曰體生長。在一些具體實例中， 生長期間受到栌制夕£ ，丁、木日日月旦 才制之另一關鍵因素為單體濃度。 不米日日之生長過程可以兩種不同方 述為「聚焦（f〇cusing)」及「今隹id f 較古星蝴，曾电 g J」及月丈焦（def〇cuslng )」。在 ^ .. '、（不米晶體既不生長亦不縮減

t尺寸）相對較]、，ξ| 4p拙T 引起幾乎所有顆粒之生長。在此方式 車乂小顆粒比較大顆粒生長 a ^ α 贫权Κ 因為較大晶體與較小 曰日體相比需要較多原 ^ 生長，且此引起尺寸分佈之「聚 …、」以得到幾乎單分勒之& I#，t ^ #. "。尺寸聚焦典型地在保持單 丑展度使仔存在之平均夺半曰雕 拄屏yg 卡曰日體尺寸始終略大於臨界尺寸 當單體漠度在生長期間耗盡時，臨界尺 、二而之「平均尺寸，且分佈因奥氏熟化一 nPenmg)而「散焦」。 存在產生許多不同半導體 點係由二元合金製成，^體之勝體法。本發明之典型的 u σ孟灰成，s者如砸仆钾 化知硫化鎘、砷化銦及鱗 17 201240159 化銦。不㉟’在本發明之—些具體實例中，點亦可由三元 合金製成’諸如硫硒化鎘。此等量子點在量子點體積内可 含有低至100 1 1〇〇,〇〇〇個原子，具有丨〇至5〇個原子的直 徑。此相當於約2奈米至】〇奈米。 $據本發明利用膠體合成法之不同方法或其他方法來 產生量子點之不同群體，且隨後將料群體與—或多個⑽ 組合’得到提供較佳用於植物栽培之所需總發射光譜的尺 寸分佈。 另外亦應注意，具體實例1〇可易於與具體實例2〇、3〇、 31 ' 40' 50、60、7〇及/或8〇中之任一者置換及/或組合。 圖2展示本發明之照明裝置例如在溫室環境中之操 作。在階段200中，光發射由LED導向至少一個植物及至 少一個量子點。 在階段2 1 0中，量子點吸收光子，其典型地為已由LE[) 發射且具有250 nm至400 nm範圍内之波長的光子。在階 段220中，此光子將量子點中之電子激發至較高能態。 在階2 3 0及2 4 0中’隨著電子弛豫至較低能態，其 發射波長由激發態與弛豫態之間能差決定的光子。此等發 射之光子與未吸收之LED光子一起直接在植物處終結，且 產生自照明裝置透射之發射光譜。 在一些具體實例中’ 250 nm至400 nm範圍内之UV/ 藍光、400 nm至600 nm範圍内之綠光及/或黃光、6〇0 nm 至700 nm紅光及/或在700 nm至800 nm譜帶中的遠紅外光 係由本發明方法中的至少一個LED及至少一個不同尺寸的 18 201240159 里子點發射。在本發明之—些具體實例中，典型地，較大 里子點發射較長波長之紅光且較小量子點及led發射較短 波長的藍光。因此，在較佳波長上轉換具體實例中，至少 個LED透射在250 nm至4〇〇 nm範圍内之uv/藍光且 主要存在吸收全部或部分該等25〇 〇111至4〇〇 〇山波長光子 之與LED相關聯之較大量子點，且發射在_至_ 範圍中之光、紅光60〇11„1至7〇〇nm&/或在7〇〇nmi 8〇〇 n m譜帶中的遠紅外光。 另外亦應注意，具體實例2〇可易於與具體實例丨〇、3〇、 31、40、50、60、70及/或80中之任—者置換及/或組合。 圖3展示本發明人工溫室照明裝置及方法之不同用途 組’怒具體實例3 0及3 1。在一個具體實例3 〇中，植物3 j j 栽L在具有透明壁3 0 1之溫室地面上。具有LED及複數個 里子點之照明裝置322位於由其所發射之光子可以最大發 射通里到達儘可能多之植物3 11的位置。在一些具體實例 中，照明裝置之發射光譜350經調節以補充自然光光譜（亦 即透射穿過壁30 1之日光）。在一些具體實例中，根據本 發明，照明裝置322可包含經配置以透射彼等由溫室壁過 濾及/或減弱之波長的LED及量子點。 在具體實例3 1中，待栽培之植物堆疊於溫室3〇〇之生 長箱360中。在一些具體實例中，各生長箱均具有照明裝 置32丨^即使植物堆疊於透明生長箱中，與具體實例中 相比亦存在日光之較大減少及/或減弱，因為一些光子需要 透射穿過一個以上透明壁。因此’具有至少一個LED及量 19 201240159 子點之照明裝置3 2 1典型地補充如上多次透射之自然光光 譜’或在不透明箱之情況下向植物3 1 〇提供全部光輪射。 在一些具體實例中，存在生長箱專用照明裝置及由_或多 個生長箱360中之一種以上植物共享之至少—個照明裝置 320 〇 在一些具體實例中，至少一個LED及量子點經配置以 產生在與透射光譜340合併時與光合作用有效輕射 光5普類似之發射光5普。甚至更佳地’光譜3 4 〇與p a r光譜 類似但省去黃綠光（500 nm至600 nm)或在黃綠光（500 „m 至6 0 0 n m )中提供極低強度且包含在遠紅外光7 〇 〇 n⑴至 800 nm谱》ip*中之南強度光5普特徵。在一些具體實例中，選 擇照明裝置中至少一個LED及/或量子點以便其發射光子光 譜中某一譜帶的光子’該譜帶在植物中具有特定光形態形 成效應。a亥受影響之光形態形成變數可為以下生物參數中 之任一者：不同時間點或採收成熟度之植物3 1 〇、3丨丨的重 量、葉數、根質量、莖高度、化學組成（諸如維生素、礦 物質，及/或營養分含量及/或濃度）。 具體貫例3 0、3 1亦適於在任何程度之不透明或透明生 長箱3 6 0的情況下實施。 另外亦應注意具體實例3 0及3 1可易於彼此及/或與具 體實例10、20、40、50、60、70及/或80中之任一者置換 及/或組合。 在圖4中，半導體LED晶片發射頻率在45 7 nm波長下 到達最高點，其中發射峰半高寬（FWHM )為25 nm。在此 20 201240159 情形中，波長上轉換藉由使用兩種量子點上轉換材料來完 成。此等兩種波長上轉換材料在66〇 nm及6〇4 下具有 個別發射峰。圖4展示在651 nm波長下到達最高點且發射 峰FWHM ^ i(H nm之來自此等兩種波長上轉換材料之合併 之發射峰。在此情形中，、約40% (自峰強度計算）半導體 LED晶片發射由兩種個別上轉換量子點材料上轉換為 n m發射。 應注意光譜40可與習知LED 一起使用及實施。根據本 發明’光譜40可利用呈組合形式之至少一個量子點及至少 -個LED來實施。光譜4〇尤其適合用於在暗生長腔室或具 有幸父低量環境光之腔室中照明至少一個植物。 另外亦應注意，具體實例4〇可易於與具體實例1〇、2〇、 3〇 31 5〇、6〇、70及/或80中之任一者置換及/或組合。 在圖5中，半導體LED晶片發射頻率在47〇 nm波長下 2達最高點’其中發射峰半高寬（fwhm)為⑽疆。在此 h幵v中，波長上轉換藉由使用兩種量子點上轉換材料來完 成。此等兩種波長上轉換材料在660 nm及604 nm下具有 個別發射峰。圖5展示在66〇麵波長下到達最高點且發射 奢FWHM為丨〇5 nm之來自此等兩種波長上轉換材料之合併 之龟射峰。在此情形中’約6〇% (自峰強度計算）半導體 LED B曰曰片發射由兩種個別量子點「上轉換」材料上轉換為 66 0 nm發射。 應注意光譜50可與習知lED 一起使用及實施。根據本 發明’光譜50亦可利用呈組合形式之至少一個量子點及至 21 201240159 >、個LED來貫知。光譜5〇尤其適合用於在暗生長腔室或 具有較低量環境光之腔室中照明至少一個植物。 另外亦應注意，具體實例5 0可易於與具體實例1 〇、2 〇、 30 Μ A AO ' Μ、7〇及/或SO中之任一者置換及/或組合。 在圖6中，半導體[ED晶片發射頻率在452 nm波長下 達最问點其中發射峰半高寬（FWHM )為；25 nm (圖6 曰未不）。在此情形中，波長上轉換藉由使用一種上轉換 里子點材料來完成。圖6展示在658麵波長下到達最高點 且發射峰FWHM 4 80 nm之來自此上轉換材料的發射峰。 在此：形中’請％ (自峰強度計算）半導體led晶片發 射由S子點上轉換材料上轉換為658 發射。此可自圖6 '主意到，因為無452 nm發射離開LED及量子點裝置。 應’主思光谱60可與習知LED 一起使用及實施。根據本 ::，光譜60亦可利用呈組合形式之至少一個量子點及至 個LED來實施。光譜6〇尤其適合用於在暗生長腔室或 具有較低量環境光之腔室中照明至少一個植物。 3另外亦應注意’具體實例60可易於與具體實例丨〇、20、 〇 3|、40、5〇、7〇及/或8〇中之任一者置換及/或組合。 在圖7中’半導體LED晶片發射頻率在452 nm波長處 =達最高點’其中發射峰半高寬—為…二二 :形中’ >皮長上轉換藉由使用—種上轉換量子點材料來完 為。圖7展示在602 nm波長下到達最高點且發射峰f咖 Q 8 _之來自此上轉換材料的發射峰。在此情形中，約 % (自峰強度計算）半導體LED晶片發射由波長上轉換 22 201240159 量子點材料上轉換為602 nm發射。 應注意光譜70可與習知led —起使用及實施。根據本 發明’光譜7 0亦可利用呈組合形式之至少一個量子點及至 少一個LED來實施。光譜70尤其適合用於在暗生長腔室或 具有較低量環境光之腔室中照明至少一個植物。 另外亦應注意，具體實例7〇可易於與具體實例丨0、2〇、 30、31、40' 50、60及/或80中之任一者置換及/或組合。 圖8展示使植物中生物質產生最大化之最佳化光譜 8 〇 °最佳化光譜較佳用本申請案中所述之本發明照明裝置 來產生。光譜80在生長箱栽培中具有特殊優勢，其中該生 長相為暗箱’亦即具有零或低量日光及/或環境光。根據本 發明’產生光譜8 0之本發明照明裝置可置於該箱中且使生 物質產生最大化。本發明者已實驗上發現光譜之生物質 最大化特徵。 另外亦應注意，具體實例8〇可易於與具體實例1 〇、2〇、 30、31、40、50、60及/或70中之任一者置換及/或組合。 所用LED及上轉換量子點材料及尺寸應以自LED及量 子點裝置獲得所需發射光譜之方式選擇。 概括而言’藉由調諧led波長、[ED光譜及強度、量 子點種類及/或量子點尺寸分佈，有可能自LED及量子點裝 置调諧所需發射光譜，且藉由調諧量子點數目，有可能調 證組合之LED及f子點纟置之所需上轉換量子點晶片發射 數量/量。 本^明亦關於一種促進植物生長之照明器具，其包含 23 201240159 至少-個上轉換量子點，該量子點具有包括在6〇〇_至7〇〇 n⑴波長範圍内之峰的光譜特性。 糟由使用此方法，光源可經設計以在與現有技術相比 時達到較好的PPF及每瓦特ppF效率及性能及極低功率消 耗及極長操作壽命。 在一些具體實例中，在3〇〇 nm至5〇〇 nm頻率之發射 由半導《a LED曰曰片產生且在4〇〇 _至8〇〇⑽頻率之發射 使用LED晶片輻射功率之完全或部分波長上轉換來產生。 部分波長上轉換可經選擇以在5%至95%、較佳35%至65% 半導體LED晶片輻射範圍内。在一些具體實例中，產生4〇〇 nm至800 nm輻射之波長上轉換藉由使用鄰近led發射源 之一或多種量子點上轉換材料來達成。 在本申請案中，如上文中「可調節（adjustab|e )」峰 值波長被視為可在於工廠裝配照明器具期間調節之峰值波 長及/或如在用於現場峰值波長調節之照明器具中的可調度 盤中亦「可調節」。此外，在裝置製造過程期間調節LED 及/或里子點之峰值波長亦根據本發明，且「可調節」應視 為亦包括在L E D及/或量子點製造過程期間作出之調節。可 调節峰值波長之所有前述具體實例或任何其他可調節光源 或LED及/或量子點變數均在本專利申請案之範疇内。 在本發明之一個特殊例示性具體實例中，具有6 6 nm 平均尺寸及約+/-0.5 nm尺寸分佈之CdSe_ZnS (核_殼）量 子點奈米顆粒與雙組分聚矽氧密封樹脂一起混合。混合比 率為聚矽氧樹脂中含0.2重量％奈米顆粒。含有奈米顆粒之 24 201240159 樹脂以密封物之形式分配至塑膠引線晶片載體（PLcc)中， 組成PLCC腔室中之InGaN發光二極體。發光二極體經測 定在4 5 0 n m波長範圍下具有電致發光發射。 將具有含奈米顆粒之密封材料之含有InGaN的pLCC 封裝連接至正向電壓為3·2 V且電流為350 mA的Dc電壓 電源。裝置光學發射光譜經特性化以引起兩個發射峰，一 個在450 nm波長範圍下且第二個在66〇 nm波長範圍下。 觀察到660 nm波長範圍發射峰之半高寬超過約6〇 。45〇 nm與660 nm峰之強度比為〇5:1。前述實驗已由申請人進 行0

根據本發明，在一個燈具中包括具有不同發射峰之LED 及量子點’且控制此等LED及量子點以便提供所需光譜發 射以獲得確定之生長結果或生理反應。以此方式，照；系 統將允許對照明強度及光譜進行多樣化控制。最終，其他 非生物參數（諸如C〇2濃度、溫度、晝光可用性及濕度） 之控制可與照明一起整合在同一控制系統内，優化作物生 產力且全面管理溫室。 上文已參照前述具體實例解釋本發明且已展示數種商 f及工業優勢。本發明之方法及配置允許對植物栽培中所 用光之發射光譜進行更精確光譜調諧。因此，本發明實現 在植物生長之光形態形成控制方面之出乎意外的^良及在 植物生產方面之進一步改良。本發明亦顯著改良依賴人造 光之植物栽培之能量效率。另外’收穫物之品質經本發明 之照明裝置顯著改良且由此帶也彻成4 e μ ; m 25 201240159 限=相中之栽培有關的多種優勢：首先，植物可接近於消 費努斤生長，例如在大城市之住宅地下室中，從而消除運 輸成本人’植物可在傳統上不可能發生農業生產之地 /中生長例如夏季熱沙漠條件。第三，由於植物之品質 71良故個別植物之間的一致性亦經改良，其使收穫更 夺易此知因為存在較少不合格個體且基於機器視覺之收 4。又備可在植物具有一致品質、尺寸及顏色時較好地將其 識別第四，植物之性質可以受控方式改變，因為幾乎所 有的生長參數均在控制巾’其在栽培花及觀f植物時尤其 有利。第五，植物之每日恆定光子劑量有助於營養素之投 與，因為營養素劑量可維持全年相同。第六，在極熱及陽 光充足地形中，植物可在反射日光之不透明生長箱中生 長。根據本發明之植物人工照明中所耗用能量與空氣調節 或冷卻日光下植物所消耗之能量相比少得多。本發明對於 已/、有舊版L E D系統之溫室尤其有利。此等[£ 〇系統通常 藉由添加本發明之量子點陣列以獲得本發明之照明溶液即 可升級。 上文已參照前述具體實例解釋本發明。然而，本發明 顯然不僅侷限於此等具體實例’而且包含在本發明思想及 以下專利申凊專利範圍之精神及範鳴内的所有可能具體實 例0 參考文獻 WO 2010/053341 Al,「Phosph〇f· conversi〇n light-emitting diode for meeting phot〇m〇rph〇genetic 26 201240159 needs of plants」，Zukauskas 等人，2010 ° WO 2009/048425 Al，「Fabrication of Phosphor free red and white nitride-based LEDs」，Soh 等人，2009。 【圖式簡單說明】 在下文中’將根據隨附圖式參照例示性具體實例更詳 細地描述本發明。 圖〗A展示綠色植物中最常見光合作用及光形態形成感 光為之相對吸收光譜。 圖1 B以方塊圖之形式展示本發明照明裝置之具體實例 10 ° 圖2以叫权圖之形式展示根據本發明之照明方法之具 體實例2 0。 圖3以方塊圖之形式展示本發明照明裝置用途之具體 實例3 0及3 1。 圖4展不根據本發明之第一單一光發射源led及量子 點裝置之具有發射峰的具體實例。 圖展不根據本發明之第二單一光發射源及量子 點裝置之具有發射峰的具體實例5〇。 /展7Γ根據本發明之第三單一光發射源[ED及量子 點裝置之具有發射峰的具體實例6〇。 i展丁根據本發明之第四單-光發射源LED及量子 ▲置之具有發射峰的具體實例70。 大仆圖8展示根據本發明之具有已經發現使植物生物質最 大化之光譜的具體實例8〇。 27 201240159 一些具體實例描述於附屬申請專利範圍内。 【主要元件符號說明】 »»*> 28

Claims (1)

1. 201240159 七、申請專利範圍： 種用於植物栽培之照明裝置，其包含至少一個匕E D (丨〇丨），其特徵在於該照明裝置（1〇〇)包含複數個經配 置以將LED光上轉換為較長波長之不同尺寸的量子點 (丨丨〇、丨20、130、14〇、15〇、16〇)。 2.如申請專利範圍第丨項之照明裝置，其特徵在於該至 少一個LED ( 101 )及該等複數個量子（ιι〇、ι2〇、丨、 140、150、160)點之尺寸分佈經配置以產生與光合作用有 效賴射（PAR)光譜類似之聚集體發射㈣，但該發射光譜 經配置以省去黃綠光（500 _600 ) nm或在黃綠光（5〇〇 6〇〇) nm提供極低強度且包含在遠紅外光7〇〇11〇1至8〇〇nm譜帶 中的高強度光譜特徵。 3 _如申請專利範圍第i項之照明裝置’其特徵在於至少 一個該量子點（110、120、130、140、15〇、16〇)之尺寸經 配置以使該量子點經配置以吸收光子且發射光子至在植物 (3丨0、3 1 1 )中具有特定光形態形成效應之光子光譜的譜帶。 4. 如申請專利範圍第4項之照明裝置，其特徵在於所影 響之光形態形成變數為以下生物參數中之任一者：不同時 間點或採收成熟度之該植物（3 10、3丨〖）的重量、葉數、根 質量、莖高度、化學組成（諸如維生素 '礦物質及/或營養 分含量及/或濃度）。 5. 如申請專利範圍第1項之照明裝置，其特徵在於該等 里子點（110、120、130、140、150、160)中至少一者係由 以下合金中之任一者製成：硒化鎘、硫化鎘、砷化銦、碟 29 201240159 化銦及/或硫硒化鎘。 6. 如申請專利範圍第1項之照明裝置，其特徵在於該量 子點（1 10、120、130、140、150、160 )之尺寸分佈包含在 1 nm至20 nm範圍内之不同尺寸量子點。 7. 如申請專利範圍第1項之照明裝置，其特徵在於至少 一個該量子點（1 1〇、丨2〇、13〇、丨4〇、15〇、16〇 )係藉由膠 體合成法製得。 8. 如申請專利範圍第1項之照明裝置，其特徵在於該至 少一個量子點（11〇、12〇、〇〇、140、150、160)之尺寸經 配置以使其在紅或遠紅外6〇〇 nm至800 nm譜帶中發射。 9. 一種用於植物栽培之照明方法，其包含以下步驟： 用至少一個LED ( 1 〇 1 )照明至少一個植物（3丨〇、3丨]) 及複數個不同尺寸之量子點（n〇、12〇、13〇、丨4〇、丨5〇、 160)， 光由該等複數個不同尺寸之量子點（11〇、丨2〇、丨3〇、 140、150、160)吸收， 光由該等複數個不同尺寸之量子點（1丨〇、丨2〇、丨3〇、 1 40、1 50、1 60 )在比吸收輻射長的波長下發射。 1 0 _如申請專利範圍第9項之照明方法，其特徵在於該 等複數個量子點（11〇、12〇、13〇、14〇、15〇、丨6〇)之尺寸 分佈及該至少一個LED ( 1〇1 )產生與光合作用有效輻射 (PAR )光譜類似之聚集體發射光譜，但該發射光譜省去黃 綠光（500-600 ) nm或在黃綠光（5〇〇_6〇〇 ) nm提供極低強 度且包含在紅光及遠紅外光6〇〇 nm至800 nm譜帶中的高 30 201240159 強度光譜特徵。 1 1 ·如申請專利範圍第9項之照明方法，其特徵在於至 少一個該量子點（110、120、130、14〇、15〇、16〇)之尺寸 經選擇以致對植物（310、311)造成特定光形態形成效應之 光子光譜中的具有預置相對強度譜帶或多種譜帶之發射光 子。 1 2.如申請專利範圍第丨丨項之照明方法，其特徵在於所 影響之光形態形成變數為以下生物參數中之任一者：不同 時間點或採收成熟度之該植物（3 1〇、3丨〖）的重量、葉數、 根質量、莖高度、化學組成（諸如維生素、礦物質及/或營 養分含量及/或濃度）。 1 3.如申請專利範圍第9項之照明方法’其特徵在於該 等量子點（110、120、130、140、150、160)中至少一者係 由以下合金中之任一者製成：砸化録、硫化録、砰化銦、 磷化銦及/或硫砸化錢。 1 4.如申請專利範圍第9項之照明方法，其特徵在於該 等 3：子點（110、120、130、140、150、160)中至少一者為 核-殼量子點且由以下合金中之任一者製成：硒化鎘、硫化 鎘' 砷化銦、磷化銦及/或硫硒化鎘。 】5.如申請專利範圍第9項之照明方法，其特徵在於該 量子點（1 10、120、130、140、150、160)之尺寸分佈包含 在丨nm至20nm範圍内之不同尺寸量子點。 1 6.如申請專利範圍第9項之照明方法，其特徵在於至 少一個該量子點（110、12〇、13〇、14〇、15〇、16〇)係藉由 31 201240159 膠體合成法產生。 1 7.如申請專利範圍第9項之照明方法，其特徵在於至 少一個量子點（1】〇、丨2〇、130、140、150、160 )之尺寸經 配置以使該量子點在紅及遠紅外6 0 0 n m至8 0 0 n m错帶中 發射。 1 8. —種溫室照明裝置，其特徵在於該照明裝置包含至 少一個量子點（11〇、12〇、130、140 ' 150、160)及至少一 個 LED ( 1 〇 1 )。 19. 一種園藝照明器具，其包含至少一個量子點及至少 一個具有以下特性之LED : a) 包括在600 nm至700 nm波長範圍内之峰且經配置 顯示出至少50 nm或50 nm以上之半高寬的第一光譜特性； b) 具有最大50 nm半高寬且經配置顯示出在44〇 _ 至500 nm範圍内之峰值波長的第二光譜特性，及 c )在600 nm至800 nm頻率之所有或部分發射係利用 該至少-個量子點對該LED晶片輻射功率進行全部或部分 波長上轉換來產生。 20.—種園藝照明器具，其包含具有如下特性之至少 個LED及至少-個經配置以對來自該led之發㈣㈣ 上轉換的量子點： a) 包括在600 nm至70〇11111波長範圍内之峰且經配 顯示出至少50 nm或50 nm以上之车古宮AA姑 上之牛问寬的第一光譜特，丨 b) 具有最大50 nm半高寬且經配置顯示出在4利 至500 nm範圍内之峰值波長的第二光譜特性，及 32 201240159 c)在500 nm至600 nm波長之至少一部分或全部發射 經配置以最小化及/或省去及/或減少至低於4〇〇 nm至500 n m έ晋帶中之強度且低於6〇〇 nm至700 nm譜帶中之強度。 2 1.如申請專利範圍第19項之照明器具，其中在5〇〇 nm 至600 nm波長之至少一部分或全部該發射經配置以最小化 及/或省去及/或減少至低於4〇〇nm至500nm譜帶中之強度 且低於600 nm至700 nm譜帶中之強度。 2 2.如申请專利範圍第1 9、2 〇及/或2 1項之照明器具， 其中忒I子點具有在500 nm至800 nm波長範圍内具有可 自由調節峰且經配置以顯示至少3〇 nm之半高寬之光譜特 性。 23.如申請專利範圍第19、20、21及/或22項之照明器 具，其中該LED及/或量子點之該第一、第二及視情況選用 之第二光譜特性的發射強度經配置以可調節。 2 4 ·如申凊專利範圍第19至2 3項中任一項之照明器 具，其包含具有最大50 nm半高寬及在4〇〇 nm至5〇〇 nm 範圍内之峰值波長中的至少一個光譜特性及經配置以在 450 nm至800 nm範圍内具有可自由調節之峰值波長的視情 況遠用之第—及第三光谱特性的第二LED及/或量子點。 25·如申請專利範圍第丨9至24項中任一項之照明器 具’其中每瓦特該器具之PPF值為〇 35或〇 35以上。 26·如申請專利範圍第19至25項中任一項之照明器 具’其中該等光譜發射特性；強度、峰值波長及半高寬以 量子點之尺寸、數目及種類控制。 33 201240159 7 ·々申°月專利範圍第1 9至2 ό項中任一項之照明器 具，其中 ~ )X第置子點具有包含在600nm至700nm波長範 圍内之峰值波長且經配置以至少顯示至少5〇 nm之半高寬 之第一光譜特性； b) s玄第一 LED另外具有包含在440 nm至500 nm波長 範圍内之峰的第二光譜特性；及 )°玄第里子點視情況具有在5 0 0 n m至8 0 0 n m範圍 之fe圍内之可自由調節峰值波長且經配置顯示出至少Μ nm半高寬的第三光譜特性； d)該第一、第二及視情況選用之第三光譜特性之發射 強度可以任何比率調節。 28. 如申請專利範圍第27項之照明器具’其包含具有最 大50 nm半高寬及在400 nm至5〇〇 nm範圍内之峰值波長 中之至少一個光譜特性及在450 nm至800 nm範圍内具有 可自由調節之峰值波長之視情況選用之第二及第三光譜特 性的第二LED及/或量子點。 29. —種園藝光之發光組件，其包含： -發光二極體（LED)半導體晶片；及 -沈積在直接鄰近該量子點晶片之光波長上轉換量子 點； 該組件能夠發射兩種特性光發射峰，且 在5 00 nm至600 nm波長之至少一部分或全部發射經 配置以最小化及/或省去及/或減少至低於4〇〇 nm至5〇〇 nm 34 201240159 譜帶中之強度且低於600 nm至7〇〇 nm譜帶中之強度。 30·如申請專利範圍第29項之發光組件，其中該光波長 上轉換量子點直接沈積在該LED晶片之表面上或與其他光 學材料間隔開。 3 1 ’々申專利範圍第2 9或3 0項中任一項之發光組 件，其中該發光二極體（LED)半導體晶片具有在440 nm 至500 nm範圍内之峰發射。 32.如申π專利範圍第29至3丨項中任一項之發光組 件其中。玄波長上轉換量子點經配置以將一部分由該量子 點半導體晶片發射之弁路处曰姑& 対丁疋九电射s轉換為6〇〇 nm至7〇〇 nm 的南波長。 33.如申請專利範圍 件’其中該等兩個特性 及 600 nm 至 7〇〇 nm。 第2 9至3 2項中任一項之發光組 光發射峰分別在440 rm至500 nm 34.如申請專利範圍 件’其中該等兩個特性 寬及另一個最大50 nm 長fe圍。 第29至33項中任一項之發光組 光發射峰省去一個至少50 nm半高 半高寬的光譜特性且兩者在不同波 35.—種如申請專利範圍第 置或器具之用途，其用於為至 至少一個植物在環境光中或在 獨光源之暗腔室中。 36.—種如申請專利範圍第 用於為至少一個植物提供光， 1、19及/或20項之照明裝 少一個植物提供光，其中該 以該照明裝置或器具作為單 29項之發光組件之用途，其 其中該至少一個植物在環境 201240159 光中或在以該照明裝置或器具 37.—種增進植物生長之方為獨單光源之暗腔室中。 利範圍第卜19及/或2〇項之日/ =中至少一個如申請專 物發射光，該至少一個植物在;上置或器具向至少-個植 十。。，曰a， 在衣1兄光中或在以該照明裝置 或益_作為獨單光源之暗腔室中。 3 8.—種增進植物生長之 ,_ 伩之方法，其中至少一個如申請專 利範圍第2 9項之發光袓株6 5 . t九，件向至少-個植物發射光，該至少 ::物在環境光中或在以該照明裝置或器 源之暗腔室中。 q词早先 从如申請專利範圍第丨、19、2〇及/或2 之發井护恶 、〒任一項 、置、15具及’或組件’其中該發光裝置' 足，·且件由可視情況經蓋密閉之遮光腔室包圍。 …' 八、圖式： (如次頁） 36