RU2013140469A - Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора и использующий его детектор излучения - Google Patents
Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора и использующий его детектор излучения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013140469A RU2013140469A RU2013140469/05A RU2013140469A RU2013140469A RU 2013140469 A RU2013140469 A RU 2013140469A RU 2013140469/05 A RU2013140469/05 A RU 2013140469/05A RU 2013140469 A RU2013140469 A RU 2013140469A RU 2013140469 A RU2013140469 A RU 2013140469A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- scintillator
- crystal
- garnet
- formula
- scintillator according
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7706—Aluminates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7767—Chalcogenides
- C09K11/7769—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
- C09K11/77—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals
- C09K11/7766—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing rare earth metals containing two or more rare earth metals
- C09K11/7774—Aluminates
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
- G01T1/2023—Selection of materials
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
- G01T1/249—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors specially adapted for use in SPECT or PET
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Nuclear Medicine (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
1. Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора, который представляет общая формула (1), (2) или (3),GdCeREAlGaO(1)причем в формуле (1) 0,0001 ≤ x ≤ 0,15, 0 ≤ y ≤ 0,1, 2 < z ≤ 4,5 и RE представляет собой, по меньшей мере, один элемент, выбранный из Y, Yb и Lu,GdCeLuAlGaO(2)причем в формуле (2) 0,0001 ≤ a ≤ 0,15, 0,1 < b ≤ 3 и 2 < c ≤ 4,5,GdCeRE'AlGaO(3)причем в формуле (3) 0,0001 ≤ p ≤ 0,15, 0,1 < q ≤ 3, 1 < r ≤ 4,5 и RE' представляет собой Y или Yb.2. Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора по п.1, в котором флуоресцентный компонент имеет продолжительность флуоресценции не более чем 100 нс.3. Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора по п.1, в котором интенсивность долговечного флуоресцентного компонента, у которого продолжительность флуоресценции превышает 100 нс, составляет не более чем 20% суммарной интенсивности флуоресцентных компонентов.4. Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора по п.1, в котором длина волны максимума излучения флуоресцентного компонента равняется или составляет более чем 460 нм и равняется или составляет менее чем 700 нм.5. Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора по п.1, в котором величина люминесценции составляет 20000 фотонов/МэВ или более.6. Детектор излучения, включающий:сцинтиллятор, который составляет кристалл со структурой граната для сцинтиллятора по любому из пп.1-5; иприемник света, который определяет люминесценцию от сцинтиллятора.
Claims (6)
1. Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора, который представляет общая формула (1), (2) или (3),
Gd3-x-yCexREyAl5-zGazO12 (1)
причем в формуле (1) 0,0001 ≤ x ≤ 0,15, 0 ≤ y ≤ 0,1, 2 < z ≤ 4,5 и RE представляет собой, по меньшей мере, один элемент, выбранный из Y, Yb и Lu,
Gd3-a-bCeaLubAl5-cGacO12 (2)
причем в формуле (2) 0,0001 ≤ a ≤ 0,15, 0,1 < b ≤ 3 и 2 < c ≤ 4,5,
Gd3-p-qCepRE'qAl5-rGarO12 (3)
причем в формуле (3) 0,0001 ≤ p ≤ 0,15, 0,1 < q ≤ 3, 1 < r ≤ 4,5 и RE' представляет собой Y или Yb.
2. Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора по п.1, в котором флуоресцентный компонент имеет продолжительность флуоресценции не более чем 100 нс.
3. Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора по п.1, в котором интенсивность долговечного флуоресцентного компонента, у которого продолжительность флуоресценции превышает 100 нс, составляет не более чем 20% суммарной интенсивности флуоресцентных компонентов.
4. Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора по п.1, в котором длина волны максимума излучения флуоресцентного компонента равняется или составляет более чем 460 нм и равняется или составляет менее чем 700 нм.
5. Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора по п.1, в котором величина люминесценции составляет 20000 фотонов/МэВ или более.
6. Детектор излучения, включающий:
сцинтиллятор, который составляет кристалл со структурой граната для сцинтиллятора по любому из пп.1-5; и
приемник света, который определяет люминесценцию от сцинтиллятора.
Applications Claiming Priority (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011-018583 | 2011-01-31 | ||
| JP2011-018586 | 2011-01-31 | ||
| JP2011-018579 | 2011-01-31 | ||
| JP2011018586 | 2011-01-31 | ||
| JP2011018583 | 2011-01-31 | ||
| JP2011018579 | 2011-01-31 | ||
| PCT/JP2012/000525 WO2012105202A1 (ja) | 2011-01-31 | 2012-01-27 | シンチレータ用ガーネット型結晶、及びこれを用いた放射線検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013140469A true RU2013140469A (ru) | 2015-03-10 |
| RU2622124C2 RU2622124C2 (ru) | 2017-06-13 |
Family
ID=46602428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013140469A RU2622124C2 (ru) | 2011-01-31 | 2012-01-27 | Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора и использующий его детектор излучения |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8969812B2 (ru) |
| EP (1) | EP2671940B1 (ru) |
| JP (1) | JP5952746B2 (ru) |
| CN (1) | CN103380194A (ru) |
| DK (1) | DK2671940T3 (ru) |
| ES (1) | ES2599727T3 (ru) |
| HU (1) | HUE030181T2 (ru) |
| PL (1) | PL2671940T3 (ru) |
| RU (1) | RU2622124C2 (ru) |
| TW (1) | TWI525228B (ru) |
| WO (1) | WO2012105202A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11624126B2 (en) | 2020-06-16 | 2023-04-11 | Ohio State Innovation Foundation | Deposition of single phase beta-(AlxGa1-x)2O3 thin films with 0.28< =x<=0.7 on beta Ga2O3(100) or (−201) substrates by chemical vapor deposition |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013065605A1 (ja) * | 2011-11-02 | 2013-05-10 | 株式会社東芝 | 固体シンチレータおよびそれを用いた電子線検出器 |
| JP6204785B2 (ja) * | 2012-10-24 | 2017-09-27 | 株式会社松風 | 可視光線硬化型の歯科用硬化性組成物及びその存在識別方法 |
| EP3489328A1 (en) * | 2012-11-14 | 2019-05-29 | Koninklijke Philips N.V. | Scintillator material |
| JP6590699B2 (ja) | 2013-01-23 | 2019-10-16 | ユニバーシティ オブ テネシー リサーチ ファウンデーション | ガーネット型シンチレータのシンチレーション及び光学特性を改変するための共ドーピング方法 |
| WO2015034957A1 (en) * | 2013-09-03 | 2015-03-12 | Prescient Imaging LLC | Low noise transmission scan simultaneous with positron emission tomography |
| US20150092912A1 (en) * | 2013-10-02 | 2015-04-02 | General Electric Company | Systems and methods for filtering emissions from scintillators |
| JP5620562B1 (ja) * | 2013-10-23 | 2014-11-05 | 株式会社光波 | 単結晶蛍光体及び発光装置 |
| JP6174797B2 (ja) * | 2013-12-17 | 2017-08-02 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． | ガーネットシンチレータ組成物 |
| US10174247B2 (en) | 2014-05-01 | 2019-01-08 | Tohoku Techno Arch Co., Ltd. | Illuminant and radiation detector |
| US20160033659A1 (en) * | 2014-07-29 | 2016-02-04 | Board Of Trustees Of Northern Illinois University | High performance computing for three dimensional proton computed tomography |
| JP5749845B2 (ja) * | 2014-09-18 | 2015-07-15 | 株式会社光波 | 蛍光体含有部材及び発光装置 |
| EP3202874B1 (en) * | 2014-09-30 | 2020-07-01 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, scintillator, scintillator array, and radiation detector |
| US9580650B1 (en) * | 2014-12-25 | 2017-02-28 | DM Lighting Technologies Inc. | Method of manufacturing Ce:YAG polycrystalline phosphor |
| US10809393B2 (en) * | 2015-04-23 | 2020-10-20 | Fermi Research Alliance, Llc | Monocrystal-based microchannel plate image intensifier |
| US10150914B2 (en) | 2015-11-25 | 2018-12-11 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Ceramic phoswich with fused optical elements, method of manufacture thereof and articles comprising the same |
| US10197685B2 (en) * | 2015-12-01 | 2019-02-05 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators |
| US10961452B2 (en) | 2015-12-01 | 2021-03-30 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Method for controlling gallium content in gadolinium-gallium garnet scintillators |
| US10000698B2 (en) | 2016-03-08 | 2018-06-19 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Transparent ceramic garnet scintillator detector for positron emission tomography |
| KR101754019B1 (ko) * | 2016-03-28 | 2017-08-11 | (주) 제이에스테크윈 | 섬광체에의 광증배관 장착구조 |
| JP6776671B2 (ja) * | 2016-07-08 | 2020-10-28 | 日立金属株式会社 | 蛍光材料、セラミックシンチレータおよび放射線検出器、並びに蛍光材料の製造方法 |
| CN106673639B (zh) * | 2017-01-03 | 2020-01-14 | 中国科学院上海光学精密机械研究所 | 共掺杂钇铝石榴石闪烁透明陶瓷及其制备方法 |
| RU2646407C1 (ru) * | 2017-06-02 | 2018-03-05 | Открытое акционерное общество "ФОМОС-МАТЕРИАЛС" | Монокристалл со структурой граната для сцинтилляционных датчиков и способ его получения |
| JP2019102456A (ja) * | 2017-11-30 | 2019-06-24 | ガタン インコーポレイテッドＧａｔａｎ Ｉｎｃ． | 電子顕微鏡法のための高密度高速発光体 |
| RU2682554C1 (ru) * | 2017-12-28 | 2019-03-19 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Институт химических реактивов и особо чистых химических веществ Национального исследовательского центра "Курчатовский институт" | Способ получения поликристаллических сцинтилляционных материалов в форме порошков |
| CN111886319A (zh) * | 2018-03-23 | 2020-11-03 | Tdk株式会社 | 荧光体以及光源装置 |
| JP6604453B2 (ja) | 2018-04-26 | 2019-11-13 | 三菱マテリアル株式会社 | α線測定装置 |
| CN113073388A (zh) * | 2019-08-21 | 2021-07-06 | 眉山博雅新材料有限公司 | 一种晶体 |
| US11326099B2 (en) | 2019-10-30 | 2022-05-10 | GE Precision Healthcare LLC | Ceramic scintillator based on cubic garnet compositions for positron emission tomography (PET) |
| JP7459593B2 (ja) * | 2020-03-19 | 2024-04-02 | 株式会社プロテリアル | セラミック蛍光材料、シンチレータアレイ、放射線検出器および放射線コンピュータ断層撮影装置 |
| EP3954810A4 (en) * | 2020-06-05 | 2022-05-04 | Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | METHOD AND DEVICE FOR GROWING HIGHLY UNIFORM CRYSTALS WITHOUT ANNEALING |
| RU2748274C1 (ru) * | 2020-09-01 | 2021-05-21 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт электрофизики Уральского отделения Российской академии наук | Состав и способ синтеза сцинтилляционной керамики на основе нанопорошка |
| US11994646B2 (en) * | 2021-03-12 | 2024-05-28 | Baker Hughes Oilfield Operations Llc | Garnet scintillator compositions for downhole oil and gas explorations |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1043383B2 (en) * | 1997-12-24 | 2007-05-30 | Hitachi Medical Corporation | Phosphors, and radiation detectors and x-ray ct unit made by using the same |
| JP4290282B2 (ja) * | 1999-06-23 | 2009-07-01 | 株式会社日立メディコ | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 |
| JP4623403B2 (ja) * | 2000-04-06 | 2011-02-02 | 日立金属株式会社 | セラミックス、セラミックス粉末の製造方法及びセラミックスの製造方法。 |
| JP4521929B2 (ja) * | 2000-04-26 | 2010-08-11 | 株式会社日立メディコ | 蛍光体及びそれを用いた放射線検出器及びｘ線ｃｔ装置 |
| JP4683719B2 (ja) | 2000-12-21 | 2011-05-18 | 株式会社日立メディコ | 酸化物蛍光体及びそれを用いた放射線検出器、並びにｘ線ｃｔ装置 |
| US6630077B2 (en) * | 2001-10-11 | 2003-10-07 | General Electric Company | Terbium- or lutetium - containing garnet phosphors and scintillators for detection of high-energy radiation |
| US6793848B2 (en) | 2001-10-11 | 2004-09-21 | General Electric Company | Terbium or lutetium containing garnet scintillators having increased resistance to radiation damage |
| US7008558B2 (en) * | 2001-10-11 | 2006-03-07 | General Electric Company | Terbium or lutetium containing scintillator compositions having increased resistance to radiation damage |
| JP2005095514A (ja) | 2003-09-26 | 2005-04-14 | Hitachi Medical Corp | 放射線検出器及びそれを用いたｘ線ｃｔ装置 |
| RU2389835C2 (ru) | 2004-11-08 | 2010-05-20 | Тохоку Текно Арч Ко., Лтд. | Pr-СОДЕРЖАЩИЙ СЦИНТИЛЛЯЦИОННЫЙ МОНОКРИСТАЛЛ, СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ, ДЕТЕКТОР ИЗЛУЧЕНИЯ И УСТРОЙСТВО ОБСЛЕДОВАНИЯ |
| CN101084290B (zh) | 2004-12-21 | 2012-07-18 | 日立金属株式会社 | 荧光材料以及其制造方法，使用荧光材料的放射线检测器，与x射线ct装置 |
| US7753553B2 (en) * | 2005-06-02 | 2010-07-13 | Koniklijke Philips Electronics N.V. | Illumination system comprising color deficiency compensating luminescent material |
| JP4692890B2 (ja) | 2006-02-14 | 2011-06-01 | 日立金属株式会社 | 蛍光材料およびそれを用いた放射線検出器 |
| US8013506B2 (en) * | 2006-12-12 | 2011-09-06 | Prysm, Inc. | Organic compounds for adjusting phosphor chromaticity |
| EP2128222B1 (en) | 2007-02-02 | 2014-08-20 | Hitachi Metals, Ltd. | Fluorescent material, scintillator using the fluorescent material, and radiation detector |
| JP5521273B2 (ja) * | 2007-06-01 | 2014-06-11 | 日立化成株式会社 | シンチレータ用単結晶、シンチレータ用単結晶を製造するための熱処理方法、及びシンチレータ用単結晶の製造方法 |
| JP2009046610A (ja) | 2007-08-21 | 2009-03-05 | Hitachi Metals Ltd | シンチレータ |
| US8269420B2 (en) * | 2007-10-12 | 2012-09-18 | Sony Corporation | Illuminating device having fluorescent lamp, display apparatus including the same, and light-diffusing film |
| TW200916559A (en) * | 2007-10-15 | 2009-04-16 | Univ Nat Cheng Kung | Fluorescent material having gadolinium aluminum garnet structure |
| RU2388017C1 (ru) * | 2009-02-12 | 2010-04-27 | Закрытое акционерное общество "СНИИП-КОНВЭЛ" | Пленочный сцинтиллятор для регистрации бета- и фотонного излучений |
-
2012
- 2012-01-27 US US13/982,653 patent/US8969812B2/en active Active
- 2012-01-27 HU HUE12742388A patent/HUE030181T2/en unknown
- 2012-01-27 CN CN2012800072441A patent/CN103380194A/zh active Pending
- 2012-01-27 ES ES12742388.7T patent/ES2599727T3/es active Active
- 2012-01-27 DK DK12742388.7T patent/DK2671940T3/en active
- 2012-01-27 JP JP2012555734A patent/JP5952746B2/ja active Active
- 2012-01-27 PL PL12742388T patent/PL2671940T3/pl unknown
- 2012-01-27 RU RU2013140469A patent/RU2622124C2/ru active
- 2012-01-27 WO PCT/JP2012/000525 patent/WO2012105202A1/ja active Application Filing
- 2012-01-27 EP EP12742388.7A patent/EP2671940B1/en active Active
- 2012-01-31 TW TW101103007A patent/TWI525228B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11624126B2 (en) | 2020-06-16 | 2023-04-11 | Ohio State Innovation Foundation | Deposition of single phase beta-(AlxGa1-x)2O3 thin films with 0.28< =x<=0.7 on beta Ga2O3(100) or (−201) substrates by chemical vapor deposition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DK2671940T3 (en) | 2016-10-10 |
| EP2671940A1 (en) | 2013-12-11 |
| RU2622124C2 (ru) | 2017-06-13 |
| HUE030181T2 (en) | 2017-04-28 |
| EP2671940A4 (en) | 2014-11-05 |
| JP5952746B2 (ja) | 2016-07-13 |
| TW201241247A (en) | 2012-10-16 |
| ES2599727T3 (es) | 2017-02-02 |
| PL2671940T3 (pl) | 2017-01-31 |
| WO2012105202A1 (ja) | 2012-08-09 |
| EP2671940B1 (en) | 2016-08-17 |
| TWI525228B (zh) | 2016-03-11 |
| US20130306874A1 (en) | 2013-11-21 |
| JPWO2012105202A1 (ja) | 2014-07-03 |
| US8969812B2 (en) | 2015-03-03 |
| CN103380194A (zh) | 2013-10-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013140469A (ru) | Кристалл со структурой граната для сцинтиллятора и использующий его детектор излучения | |
| Liu et al. | The trap states in the Sr2MgSi2O7 and (Sr, Ca) MgSi2O7 long afterglow phosphor activated by Eu2+ and Dy3+ | |
| ATE450591T1 (de) | Beleuchtungssystem mit einer strahlungsquelle und einem fluoreszierenden material | |
| Kim et al. | Eu2+, Mn2+ co-doped Ba9Y2Si6O24 phosphors based on near-UV-excitable LED lights | |
| TW200703403A (en) | Illumination system comprising ceramic luminescence converter | |
| TW200705716A (en) | Illumination system comprising a red-emitting ceramic luminescence converter | |
| RU2016151686A (ru) | Концентратор люминесценции с увеличенной эффективностью | |
| TW200636184A (en) | Illumination system comprising a radiation source and a luminescent material | |
| JP2013535531A5 (ru) | ||
| TW200644295A (en) | Illumination system comprising a ceramic luminescence converter | |
| Rejman et al. | Temperature dependence of CIE-x, y color coordinates in YAG: Ce single crystal phosphor | |
| TW200730605A (en) | Fluorescence material and manufacture thereof and luminaire | |
| DE602006009768D1 (de) | Beleuchtungssystem mit strahlenquelle und lumineszierendem material | |
| WO2009148176A8 (en) | Semiconductor light emitting apparatus and light source apparatus using the same | |
| RU2008111869A (ru) | Карбидонитридосиликатные люминофоры | |
| JP2014512424A5 (ru) | ||
| Yerpude et al. | Luminescence in trivalent rare earth activated Sr4Al2O7 phosphor | |
| Fan et al. | White light emission from γ-irradiated Ag/Eu co-doped phosphate glass under NUV light excitation | |
| PT2540797E (pt) | Luminóforo fosforescente e pigmento fosforescente | |
| EP2574653A3 (en) | Light emitting module and phosphor | |
| RU2016106009A (ru) | Улучшенный гранатовый светосостав и технология для его приготовления, а также источник света | |
| Zhang et al. | Yellow-emitting (Ca2Lu1− xCex)(ScMg) Si3O12 phosphor and its application for white LEDs | |
| Li et al. | White-blue long persistent luminescence in Ca2Ge7O16: Tb3+ via persistent energy transfer | |
| Li et al. | Optical properties of SrAl2− xSixO4− xNx: Eu2+, Dy3+ phosphors for AC-LEDs | |
| TW200708190A (en) | Compound, phosphor composition and light-emitting device containing the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| HZ9A | Changing address for correspondence with an applicant |