RU2013101589A - Датчик и способ его изготовления - Google Patents
Датчик и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2013101589A RU2013101589A RU2013101589/28A RU2013101589A RU2013101589A RU 2013101589 A RU2013101589 A RU 2013101589A RU 2013101589/28 A RU2013101589/28 A RU 2013101589/28A RU 2013101589 A RU2013101589 A RU 2013101589A RU 2013101589 A RU2013101589 A RU 2013101589A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- circuit
- supporting
- support
- components
- tape
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract 9
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims abstract 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract 5
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 claims 4
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims 3
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 235000010210 aluminium Nutrition 0.000 claims 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 2
- 230000006835 compression Effects 0.000 claims 2
- 238000007906 compression Methods 0.000 claims 2
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims 2
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims 2
- 235000014692 zinc oxide Nutrition 0.000 claims 2
- RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N zinc;oxygen(2-) Chemical class [O-2].[Zn+2] RNWHGQJWIACOKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N zirconium(iv) silicate Chemical compound [Zr+4].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] GFQYVLUOOAAOGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0051—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance
- G01L9/0052—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance of piezoresistive elements
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/147—Details about the mounting of the sensor to support or covering means
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/148—Details about the circuit board integration, e.g. integrated with the diaphragm surface or encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/84—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by variation of applied mechanical force, e.g. of pressure
Landscapes
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Abstract
1. Способ для изготовления множества датчиков, в частности датчиков давления, содержащий операции:i) обеспечения множества опорных корпусов (10);ii) обеспечения множества схемных компоновок (4), при этом каждая схемная компоновка содержит компоненты (3а, 3b, 3с, 3d) схемы, среди которых есть средство (3с, 12) детектирования для генерации электрических сигналов, представляющих детектируемую величину;iii) обеспечения множества опорных элементов (4а) схемы, каждый из которых имеет поверхность, на которой сформировано множество (3а, 3b, 3с, 3d) упомянутых компонентов (3а, 3b, 3с, 3d) схемы, среди которых есть электропроводящие дорожки (3а, 3b); иiv) подсоединения каждого опорного элемента (4а) схемы к соответственному опорному корпусу (10, 10', 10");причем- операция i) содержит этап:а) формирования каждого из упомянутых опорных корпусов (10) с полостью (11) и задания в опорных корпусах (10) на соответственной первой поверхности (10а) недеформируемого периферийного участка и центрального упруго деформируемого участка (12) мембраны, который закрывает упомянутую полость (11) на ее конце;- операции ii) и iii) содержат этапы:b) обеспечения ленты (1), выполненной из электроизоляционного материала, в частности из диэлектрического материала;c) осаждения по длине ленты (1) одного или более материалов, необходимых для формирования множества рисунков (3) схемы, каждый из которых включает в себя множество (3а, 3b, 3с, 3d) упомянутых компонентов (3а, 3b, 3с, 3d) схемы;d) подвержения сушке длины ленты (1), несущей множество рисунков (3) схемы;e) подвержения разделению длины ленты (1), то есть удалению из самой длины отдельных ее подучастков, каждый из которых включает в себя соответственный рисуно
Claims (17)
1. Способ для изготовления множества датчиков, в частности датчиков давления, содержащий операции:
i) обеспечения множества опорных корпусов (10);
ii) обеспечения множества схемных компоновок (4), при этом каждая схемная компоновка содержит компоненты (3а, 3b, 3с, 3d) схемы, среди которых есть средство (3с, 12) детектирования для генерации электрических сигналов, представляющих детектируемую величину;
iii) обеспечения множества опорных элементов (4а) схемы, каждый из которых имеет поверхность, на которой сформировано множество (3а, 3b, 3с, 3d) упомянутых компонентов (3а, 3b, 3с, 3d) схемы, среди которых есть электропроводящие дорожки (3а, 3b); и
iv) подсоединения каждого опорного элемента (4а) схемы к соответственному опорному корпусу (10, 10', 10");
причем
- операция i) содержит этап:
а) формирования каждого из упомянутых опорных корпусов (10) с полостью (11) и задания в опорных корпусах (10) на соответственной первой поверхности (10а) недеформируемого периферийного участка и центрального упруго деформируемого участка (12) мембраны, который закрывает упомянутую полость (11) на ее конце;
- операции ii) и iii) содержат этапы:
b) обеспечения ленты (1), выполненной из электроизоляционного материала, в частности из диэлектрического материала;
c) осаждения по длине ленты (1) одного или более материалов, необходимых для формирования множества рисунков (3) схемы, каждый из которых включает в себя множество (3а, 3b, 3с, 3d) упомянутых компонентов (3а, 3b, 3с, 3d) схемы;
d) подвержения сушке длины ленты (1), несущей множество рисунков (3) схемы;
e) подвержения разделению длины ленты (1), то есть удалению из самой длины отдельных ее подучастков, каждый из которых включает в себя соответственный рисунок (3) схемы, при этом каждый подучасток образует один упомянутый опорный элемент (4 а) схемы;
- операция iv) содержит этап:
f) фиксации посредством ламинирования каждого опорного элемента (4а) схемы на первой поверхности (10а) соответствующего опорного корпуса (10), в частности, посредством горячего ламинирования или компрессии с последующей термообработкой таким образом, чтобы область опорного элемента (4а) схемы была наложена на участок (12) мембраны соответственного опорного корпуса (10), при этом упомянутая область включает в себя некоторые из упомянутых компонентов (3а, 3b, 3c, 3d) схемы.
2. Способ по п.1, в котором после этапа f) предусмотрен этап:
g) осаждения на каждый опорный элемент (4а) схемы, ламинированный на соответствующий опорный корпус (10; 10"), одного или более материалов, необходимых для формирования одного или более дополнительных компонентов (3с, 3d) схемы с возможной последующей сушкой.
3. Способ по п.1, в котором этап с) выполняют посредством трафаретной печати или струйного осаждения.
4. Способ по п.1, в котором этап b) содержит формирование ленты, выполненной из электроизоляционного материала (1),
- из диэлектрического материала с основой из одного или более оксидов и/или керамических компонентов, в частности, выбранных из оксидов алюминия, диоксида кремния, оксидов цинка, силиката циркония, фритт или порошкового стекла, и/или
- с толщиной, заключенной между приблизительно 0,05 мм и приблизительно 1 мм, в частности с толщиной заключенной между приблизительно 0,05 мм и приблизительно 0,3 мм.
5. Способ по п.1, в котором этап а) содержит формирование опорных корпусов (10; 10") из электроизоляционного материала, такого как керамический материал, стекло, полимер, материал с основой из одного или более оксидов, таких как оксид алюминия (Al2O3).
6. Способ по п.1, в котором этап а) содержит формирование опорных корпусов (10) из электропроводящего материала, такого как металл или электропроводящий полимер.
7. Способ по п.2, в котором этап g) выполняют посредством трафаретной печати или струйного осаждения.
8. Способ для изготовления множества датчиков, в частности датчиков давления, содержащий операции:
i) обеспечения множества опорных корпусов (10");
ii) обеспечения множества схемных компоновок (4), при этом каждая схемная компоновка содержит компоненты (3а, 3b, 15) схемы, среди которых есть средство (15") детектирования для генерации электрических сигналов, представляющих детектируемую величину; и
iii) обеспечения множества опорных элементов (4а) схемы, каждый из которых имеет поверхность, на которой сформировано множество (3а, 3b) упомянутых компонентов (3а, 3b, 15) схемы, среди которых есть электропроводящие дорожки (3а, 3b); и
iv) подсоединения каждого опорного элемента (4а) схемы к первой поверхности (10а") соответственного опорного корпуса (10"),
причем
- операция i) содержит этап:
a) формирования каждого из упомянутых опорных корпусов (10") с, по существу, плоской первой поверхностью (10а") и сквозным проходом (11'), один конец которого открывается на первой поверхности (10а");
- операции ii) и iii) содержат этапы:
b) обеспечения ленты (1), выполненной из электроизоляционного материала, в частности из диэлектрического материала;
c) осаждения по длине ленты (1) одного или более материалов, необходимых для формирования множества рисунков (3) схемы, каждый из которых включает в себя множество (3а, 3b) упомянутых компонентов (3а, 3b) схемы;
d) подвержения сушке длины ленты (1), несущей множество рисунков (3) схемы;
e) подвержения разделению длины ленты (1), то есть удалению из самой длины отдельных ее подучастков, каждый из которых включает в себя соответственный рисунок (3) схемы, при этом каждый подучасток образует один упомянутый опорный элемент (4а) схемы;
причем по длине ленты (1) формируют множество сквозных отверстий (4b), каждое в соответственном рисунке (3) схемы, таким образом, что каждый опорный элемент (4а) схемы имеет соответственное сквозное отверстие (4b);
- операция iv) содержит этап:
f) фиксации посредством ламинирования каждого опорного элемента (4а) схемы на первой поверхности (10а") соответствующего опорного корпуса (10"), в частности, посредством горячего ламинирования или компрессии с последующей термообработкой;
причем после этапа f) на упомянутой первой поверхности (10а") каждого опорного корпуса (10") устанавливают микросхему или кристалл (15) в области, ограниченной сквозным отверстием (4b) соответствующего опорного элемента (4а) схемы, в которое открывается соответственный сквозной проход (11').
9. Способ по п.8, в котором после этапа f) предусмотрен этап:
g) осаждения на каждый опорный элемент (4а) схемы, ламинированный на соответствующий опорный корпус (10; 10"), одного или более материалов, необходимых для формирования одного или более дополнительных компонентов (3c, 3d) схемы с возможной последующей сушкой.
10. Способ по п.8, в котором этап c) выполняют посредством трафаретной печати или струйного осаждения.
11. Способ по п.9, в котором этап g) выполняют посредством трафаретной печати или струйного осаждения.
12. Способ по п.8, в котором этап b) содержит формирование ленты, выполненной из электроизоляционного материала (1),
- из диэлектрического материала с основой из одного или более оксидов и/или керамических компонентов, в частности, выбранных из оксидов алюминия, диоксида кремния, оксидов цинка, силиката циркония, фритт или порошкового стекла, и/или
- с толщиной, заключенной между приблизительно 0,05 мм и приблизительно 1 мм, в частности с толщиной, заключенной между приблизительно 0,05 мм и приблизительно 0,3 мм.
13. Способ по п.8, также содержащий подсоединение кристалла (15) к электропроводящим дорожкам (3а) соответственного опорного элемента (4а) схемы посредством присоединения проволочных выводов, а именно с помощью тонких соединительных проводов (17), выполненных из электропроводящего материала, в частности гибких микропроводов, имеющих толщину или диаметр, заключенный приблизительно между 5 и 100 мкм, предпочтительно от приблизительно 25 мкм до приблизительно 35 мкм.
14. Способ по п.8, в котором этап а) содержит формирование опорных корпусов (10; 10") из электроизоляционного материала, такого как керамический материал, стекло, полимер, материал с основой из одного или более оксидов, таких как оксид алюминия (Al2O3).
15. Способ по п.8, в котором этап а) содержит формирование опорных корпусов (10) из электропроводящего материала, такого как металл или электропроводящий полимер.
16. Датчик, полученный посредством способа по п.1, имеющий
- конструкцию, которая содержит опорный корпус (10);
- схемную компоновку (4), содержащую компоненты (3а, 3b, 3с, 3d) схемы, среди которых есть средство (3с, 12) детектирования для генерации электрических сигналов, представляющих детектируемую величину; и
- по меньшей мере один опорный элемент (4а) схемы, ламинированный на первую поверхность (10а) опорного корпуса (10) и имеющий поверхность, на которой сформировано множество (3а, 3b, 3с, 3d) упомянутых компонентов (3а, 3b, 3с, 3d) схемы, среди которых есть электропроводящие дорожки (3а, 3b),
причем детектируемой величиной является давление текучей среды, и средства (3с, 12) детектирования содержат мембрану (12), которая является упругодеформируемой в зависимости от давления текучей среды,
отличающийся тем, что
- упомянутый опорный корпус является опорным корпусом (10), имеющим общую цилиндрическую форму, с глухой полостью (11), которая на одном конце закрыта упомянутой мембраной (12), причем упомянутая мембрана (12) на упомянутой первой поверхности (10а) задана опорным корпусом (10), и
- средства (3с) детектирования сформированы в области опорного элемента (4а) схемы, который прикреплен посредством ламинирования поверх мембраны (12).
17. Датчик, полученный посредством способа по п.8, имеющий
- конструкцию, которая содержит опорный корпус (10");
- схемную компоновку (4), содержащую компоненты (3а, 3b, 15) схемы, среди которых есть средство (15, 15") детектирования для генерации электрических сигналов, представляющих детектируемую величину; и
- по меньшей мере один опорный элемент (4а) схемы на первой поверхности (10а") опорного корпуса (10"), и имеющий поверхность, на которой сформировано множество (3а, 3b) упомянутых компонентов (3а, 3b, 15) схемы, среди которых есть электропроводящие дорожки (3а, 3b),
причем детектируемой величиной является давление текучей среды, и средства детектирования (15, 15") содержат мембрану (15"), которая является упругодеформируемой в зависимости от давления текучей среды,
причем средства детектирования, включающие в себя упомянутую мембрану (15"), встроены в кристалл с основанием из полупроводникового материала (15), в частности кремния,
причем опорный элемент (4 а) схемы имеет сквозное отверстие (4b), а опорный корпус является опорным корпусом (10") со сквозным проходом (11"), имеющим один конец, который открывается на первой поверхности (10а") в ее области, ограниченной сквозным отверстием (4b) опорного элемента (4а) схемы, и
причем кристалл (15) установлен на первой поверхности (10а") опорного корпуса (10") на упомянутом конце прохода (11") в пределах упомянутой области, ограниченной сквозным отверстием (4b) опорного элемента (4а) схемы,
причем упомянутая первая поверхность (10а") является, по существу, плоской поверхностью опорного корпуса (10"), на которую посредством ламинирования прикреплен опорный элемент (4а) схемы.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| ITTO2010A000616A IT1401220B1 (it) | 2010-07-15 | 2010-07-15 | Sensore e metodo di fabbricazione. |
| ITTO2010A000616 | 2010-07-15 | ||
| PCT/IB2011/053154 WO2012007922A1 (en) | 2010-07-15 | 2011-07-14 | Sensor and method of manufacture thereof |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2013101589A true RU2013101589A (ru) | 2014-08-20 |
| RU2556751C2 RU2556751C2 (ru) | 2015-07-20 |
Family
ID=43530809
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2013101589/28A RU2556751C2 (ru) | 2010-07-15 | 2011-07-14 | Датчик и способ его изготовления |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8815625B2 (ru) |
| EP (1) | EP2593764A1 (ru) |
| CN (1) | CN103229033A (ru) |
| BR (1) | BR112013001053A2 (ru) |
| IT (1) | IT1401220B1 (ru) |
| RU (1) | RU2556751C2 (ru) |
| WO (1) | WO2012007922A1 (ru) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| ITMI20120456A1 (it) * | 2012-03-23 | 2013-09-24 | Microtel Tecnologie Elettroniche S P A | Sensore di pressione ceramico e relativo metodo di produzione, e trasduttore che incorpora un sensore di pressione ceramico |
| US9546928B2 (en) * | 2014-05-30 | 2017-01-17 | General Electric Company | Methods for producing strain sensors on turbine components |
| US9410868B2 (en) * | 2014-05-30 | 2016-08-09 | General Electric Company | Methods for producing strain sensors on turbine components |
| US10415964B2 (en) * | 2014-05-30 | 2019-09-17 | General Electric Company | Methods for producing passive strain indicator on turbine components |
| EP3012596A1 (de) | 2014-10-21 | 2016-04-27 | wenglor fluid GmbH | Messeinrichtung zur Bestimmung der Fließgeschwindigkeit eines Mediums in einem Rohr |
| MX2017007728A (es) | 2014-12-19 | 2018-03-06 | Gruma S A B De C V | Proceso que ahorra agua y energia para fabricar harina de trigo entero y de grano entero libre de gluten. |
| US9583406B2 (en) * | 2015-03-17 | 2017-02-28 | Infineon Technologies Austria Ag | System and method for dual-region singulation |
| ITUB20150460A1 (it) * | 2015-04-16 | 2016-10-16 | Metallux Sa | Sensore per la rilevazione di una o piu' grandezze di un fluido, particolarmente un sensore di pressione |
| TW201641461A (zh) * | 2015-04-28 | 2016-12-01 | 賀利氏貴金屬北美康舍霍肯有限責任公司 | 介電物帶組合物 |
| FR3041430B1 (fr) * | 2015-09-17 | 2017-11-24 | Sagem Defense Securite | Dispositif de mesure et systeme de mesure d'une pression comprenant un tel capteur |
| FR3041431B1 (fr) * | 2015-09-17 | 2019-04-05 | Safran Electronics & Defense | Capteur de pression, dispositif de mesure et systeme de mesure d'une pression comprenant un tel capteur |
| CN109490033B (zh) * | 2018-11-12 | 2020-11-03 | 中国石油大学(北京) | 一种用于去除岩样中无机碳的预处理装置 |
| US11385118B2 (en) * | 2018-12-07 | 2022-07-12 | Vitesco Technologies USA, LLC | Pressure sensor with external vertical electrical interconnection system |
| EP3671160A1 (de) * | 2018-12-21 | 2020-06-24 | Exentis Knowledge GmbH | Formkörper sowie verfahren zur herstellung eines formkörpers |
| RU197682U1 (ru) * | 2019-12-27 | 2020-05-21 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) | Полупроводниковый датчик давления |
| CN111665165B (zh) * | 2020-05-26 | 2021-09-24 | 中国地质大学（武汉） | 一种基于感应电荷的天然气水合物密度传感器 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5142915A (en) * | 1990-07-06 | 1992-09-01 | Siemens Automotive L.P. | Method for fabrication of force sensing elements by laminating dielectric tape |
| US5285690A (en) | 1992-01-24 | 1994-02-15 | The Foxboro Company | Pressure sensor having a laminated substrate |
| US5634999A (en) | 1994-09-06 | 1997-06-03 | Ngk Insulators, Ltd. | Method of producing ceramic diaphragm structure having convex diaphragm portion |
| US7600433B2 (en) * | 2007-02-23 | 2009-10-13 | Silicon Micro Sensors Gmbh | Pressure sensor with roughened and treated surface for improving adhesive strength and method of manufacturing the sensor |
| US7513164B1 (en) * | 2007-12-18 | 2009-04-07 | Honeywell International Inc. | Single diaphragm ATF differential pressure transducer |
-
2010
- 2010-07-15 IT ITTO2010A000616A patent/IT1401220B1/it active
-
2011
- 2011-07-14 RU RU2013101589/28A patent/RU2556751C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2011-07-14 US US13/810,385 patent/US8815625B2/en active Active
- 2011-07-14 EP EP11751941.3A patent/EP2593764A1/en not_active Withdrawn
- 2011-07-14 WO PCT/IB2011/053154 patent/WO2012007922A1/en active Application Filing
- 2011-07-14 CN CN2011800446657A patent/CN103229033A/zh active Pending
- 2011-07-14 BR BR112013001053A patent/BR112013001053A2/pt not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| ITTO20100616A1 (it) | 2012-01-16 |
| BR112013001053A2 (pt) | 2016-05-24 |
| WO2012007922A1 (en) | 2012-01-19 |
| IT1401220B1 (it) | 2013-07-12 |
| CN103229033A (zh) | 2013-07-31 |
| EP2593764A1 (en) | 2013-05-22 |
| RU2556751C2 (ru) | 2015-07-20 |
| US20130168785A1 (en) | 2013-07-04 |
| US8815625B2 (en) | 2014-08-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2013101589A (ru) | Датчик и способ его изготовления | |
| KR101740113B1 (ko) | 주변압에서의 변화 및 압력파를 센싱하기 위한 mems 센서 구조체 | |
| US10015841B2 (en) | Micro heater and micro sensor and manufacturing methods thereof | |
| JP5763682B2 (ja) | Ｍｅｍｓ及びａｓｉｃを備える小型化した電気的デバイス及びその製造方法 | |
| EP2579616B1 (en) | Acoustic transducer and microphone using the acoustic transducer | |
| JP4766143B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| TWI530885B (zh) | 具有外露顏料層之全平面感測器及使用其之電子裝置 | |
| US9309105B2 (en) | Sensor structure for sensing pressure waves and ambient pressure | |
| US20180097172A1 (en) | Mems component and method for encapsulating mems components | |
| WO2007047571A3 (en) | Integrated cmos-mems technology for wired implantable sensors | |
| US10024738B2 (en) | Capacitive micro-electro-mechanical force sensor and corresponding force sensing method | |
| CN107404697A (zh) | 具有梳齿式电极的mems声换能器及对应的制造方法 | |
| KR101339909B1 (ko) | 마이크로폰 패키지 | |
| JP2007127612A (ja) | 湿度センサ装置及びその製造方法 | |
| KR102210634B1 (ko) | 마이크로 히터 및 마이크로 센서 | |
| CN104422553A (zh) | 微机械传感器装置及相应的制造方法 | |
| TWI455265B (zh) | 具微機電元件之封裝結構及其製法 | |
| KR101224448B1 (ko) | 센서 패키지 및 그의 제조 방법 | |
| CN104822227A (zh) | 嵌入式印刷电路板 | |
| KR20160032132A (ko) | 표면 센서 | |
| CN102730623A (zh) | 微机电感测装置及其制作方法 | |
| US10705064B2 (en) | Micro sensor package | |
| US20160366767A1 (en) | Printed circuit board, waterproof microphone and production process thereof | |
| KR20170047379A (ko) | 전기 부품, 부품 어레인지먼트, 그리고 전기 부품 및 부품 어레인지먼트의 제조 방법 | |
| CA2929270C (en) | High temperature flexural mode piezoelectric dynamic pressure sensor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20200715 |