RU2012120750A - Монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор - Google Patents
Монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012120750A RU2012120750A RU2012120750/05A RU2012120750A RU2012120750A RU 2012120750 A RU2012120750 A RU 2012120750A RU 2012120750/05 A RU2012120750/05 A RU 2012120750/05A RU 2012120750 A RU2012120750 A RU 2012120750A RU 2012120750 A RU2012120750 A RU 2012120750A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- single crystal
- crystal according
- chemical formula
- optical
- satisfy
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/16—Oxides
- C30B29/22—Complex oxides
- C30B29/28—Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/09—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on magneto-optical elements, e.g. exhibiting Faraday effect
Abstract
1. Монокристалл, который представляет собой монокристалл алюмотербиевого граната и в котором основная часть алюминия замещена лютецием (Lu).2. Монокристалл по п.1, представленный следующей химической формулой:(TbL)(MN)AlO(I)(в которой L представляет собой M или N, M представляет собой, по меньшей мере, один тип элемента, выбранного из группы, состоящей из Sc и Y, N содержит Lu, и a и b удовлетворяют следующим формулам:2,8 ≤ a ≤ 3,2; и1,8 ≤ b ≤ 2,2).3. Монокристалл по п.2, в котором N в химической формуле представляет собой Lu.4. Монокристалл по п.2, в котором N в химической формуле дополнительно содержит, по меньшей мере, один тип элемента, выбранного из группы, состоящей из Yb и Tm.5. Монокристалл по п.2 или 3, в котором M в химической формуле представляет собой Sc, N представляет собой Lu, и x удовлетворяет следующей формуле:0,01 ≤ x ≤ 0,6.6. Монокристалл по п.5, в котором y и z в химической формуле удовлетворяют следующим формулам:0 ≤ y ≤ 0,5; и-0,5 ≤ z ≤ 0,5.7. Монокристалл по п.6, в котором y и z в химической формуле удовлетворяют следующим формулам:0 ≤ y ≤ 0,2; и-0,2 ≤ z ≤ 0,2.8. Монокристалл по п.6 или 7, в котором y равен 0.9. Способ изготовления монокристалла для изолятора, содержащий: нагревание и плавление порошкообразного исходного материала, содержащего оксид тербия, оксид алюминия и оксид лютеция; и получение монокристалла по п.1 из итогового расплава способом выращивания из расплава.10. Оптический изолятор, содержащий монокристалл по любому из пп.1-8.11. Оптический процессор, содержащий:источник лазерного излучения; иоптический изолятор, расположеный на световом пути лазерного излучения, излучаемого из источника лазерного излучения,в котором оптический изолятор представляе�
Claims (13)
1. Монокристалл, который представляет собой монокристалл алюмотербиевого граната и в котором основная часть алюминия замещена лютецием (Lu).
2. Монокристалл по п.1, представленный следующей химической формулой:
(Tba-yLy)(Mb-xNx)Al3-zO12 
(I)
(в которой L представляет собой M или N, M представляет собой, по меньшей мере, один тип элемента, выбранного из группы, состоящей из Sc и Y, N содержит Lu, и a и b удовлетворяют следующим формулам:
2,8 ≤ a ≤ 3,2; и
1,8 ≤ b ≤ 2,2).
3. Монокристалл по п.2, в котором N в химической формуле представляет собой Lu.
4. Монокристалл по п.2, в котором N в химической формуле дополнительно содержит, по меньшей мере, один тип элемента, выбранного из группы, состоящей из Yb и Tm.
5. Монокристалл по п.2 или 3, в котором M в химической формуле представляет собой Sc, N представляет собой Lu, и x удовлетворяет следующей формуле:
0,01 ≤ x ≤ 0,6.
6. Монокристалл по п.5, в котором y и z в химической формуле удовлетворяют следующим формулам:
0 ≤ y ≤ 0,5; и
-0,5 ≤ z ≤ 0,5.
7. Монокристалл по п.6, в котором y и z в химической формуле удовлетворяют следующим формулам:
0 ≤ y ≤ 0,2; и
-0,2 ≤ z ≤ 0,2.
8. Монокристалл по п.6 или 7, в котором y равен 0.
9. Способ изготовления монокристалла для изолятора, содержащий: нагревание и плавление порошкообразного исходного материала, содержащего оксид тербия, оксид алюминия и оксид лютеция; и получение монокристалла по п.1 из итогового расплава способом выращивания из расплава.
10. Оптический изолятор, содержащий монокристалл по любому из пп.1-8.
11. Оптический процессор, содержащий:
источник лазерного излучения; и
оптический изолятор, расположеный на световом пути лазерного излучения, излучаемого из источника лазерного излучения,
в котором оптический изолятор представляет собой оптический изолятор по п.10.
12. Оптический процессор по п.11, в котором длина волны излучения источника лазерного излучения составляет 1064 нм.
13. Оптический процессор по п.11, в котором длина волны излучения источника лазерного излучения составляет от 400 нм до 700 нм.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009-242433 | 2009-10-21 | ||
| JP2009242433 | 2009-10-21 | ||
| PCT/JP2010/068422 WO2011049102A1 (ja) | 2009-10-21 | 2010-10-20 | 単結晶、その製造方法、光アイソレータ及びこれを用いた光加工器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012120750A true RU2012120750A (ru) | 2013-12-10 |
| RU2527082C2 RU2527082C2 (ru) | 2014-08-27 |
Family
ID=43900325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012120750/05A RU2527082C2 (ru) | 2009-10-21 | 2010-10-20 | Монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9051662B2 (ru) |
| EP (1) | EP2492379B1 (ru) |
| JP (3) | JP5681113B2 (ru) |
| CN (1) | CN102575382B (ru) |
| CA (1) | CA2778173C (ru) |
| RU (1) | RU2527082C2 (ru) |
| WO (1) | WO2011049102A1 (ru) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102834554B (zh) * | 2010-04-20 | 2016-04-13 | 株式会社藤仓 | 石榴石型单晶、光隔离器以及光加工器 |
| AU2011283819B2 (en) | 2010-07-26 | 2013-11-14 | Fujikura Ltd. | Garnet single crystal, optical isolator and laser processing machine |
| JP5907538B2 (ja) | 2011-03-28 | 2016-04-27 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | 光加工器 |
| JP2013230958A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | National Institute For Materials Science | 光アイソレータ材料、その製造方法、光アイソレータ及び光加工器 |
| JP6029095B2 (ja) * | 2012-05-01 | 2016-11-24 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | Ｕｖ光励起黄色発光材料、その製造方法及び発光装置 |
| US9617470B2 (en) | 2012-05-01 | 2017-04-11 | National Institute For Materials Science | Optical material used in light-emitting device, optical isolator, and optical processing apparatus, and manufacturing method thereof |
| GB201218681D0 (en) | 2012-10-17 | 2012-11-28 | Tomtom Int Bv | Methods and systems of providing information using a navigation apparatus |
| JP5935764B2 (ja) * | 2013-06-17 | 2016-06-15 | 住友金属鉱山株式会社 | ガーネット型単結晶とその製造方法 |
| US9744578B2 (en) * | 2015-04-20 | 2017-08-29 | Siemens Medical Solutions Usa, Inc. | Crystal growth crucible re-shaper |
| CN108085743A (zh) * | 2017-12-25 | 2018-05-29 | 吉林建筑大学 | 掺镱镥钇钆铝石榴石晶体及其制备方法 |
| JP6894865B2 (ja) * | 2018-04-09 | 2021-06-30 | 信越化学工業株式会社 | ガーネット型結晶の製造方法 |
| JP6881390B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2021-06-02 | 信越化学工業株式会社 | 常磁性ガーネット型透明セラミックス、磁気光学材料及び磁気光学デバイス |
| WO2020219554A1 (en) * | 2019-04-23 | 2020-10-29 | Regents Of The University Of Minnesota | High gyrotropy photonic isolators directly on substrate |
| WO2023112508A1 (ja) * | 2021-12-17 | 2023-06-22 | 信越化学工業株式会社 | 磁気光学素子用透明セラミックス、及び磁気光学素子 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3342205A1 (de) * | 1983-11-23 | 1985-05-30 | Günter Prof. Dr. 2000 Hamburg Huber | Durchstimmbare cr-al-granat- und cr-sensibilisierte nd-al-granat-laser |
| US5245689A (en) | 1991-05-28 | 1993-09-14 | Allied-Signal Inc. | Magneto-optical waveguides of aluminum garnet |
| US5175787A (en) | 1991-05-28 | 1992-12-29 | Allied-Signal Inc. | Birefringent optical waveguides of aluminum garnet |
| US5113472A (en) | 1991-05-28 | 1992-05-12 | Allied-Signal Inc. | Optical waveguides of aluminum garnet |
| JPH0789797A (ja) * | 1993-09-20 | 1995-04-04 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | テルビウムアルミニウムガーネット単結晶の製造方法 |
| JPH07206593A (ja) * | 1994-01-07 | 1995-08-08 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 光アイソレータ用ファラデー回転子 |
| JP2001226196A (ja) * | 2000-02-17 | 2001-08-21 | Tokin Corp | テルビウム・アルミニウム・ガーネット単結晶およびその製造方法 |
| JP2002293693A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Nec Tokin Corp | テルビウム・アルミニウム・ガーネット単結晶及びその製造方法 |
| US6596195B2 (en) * | 2001-06-01 | 2003-07-22 | General Electric Company | Broad-spectrum terbium-containing garnet phosphors and white-light sources incorporating the same |
| US6793848B2 (en) | 2001-10-11 | 2004-09-21 | General Electric Company | Terbium or lutetium containing garnet scintillators having increased resistance to radiation damage |
| US6630077B2 (en) | 2001-10-11 | 2003-10-07 | General Electric Company | Terbium- or lutetium - containing garnet phosphors and scintillators for detection of high-energy radiation |
| US7008558B2 (en) | 2001-10-11 | 2006-03-07 | General Electric Company | Terbium or lutetium containing scintillator compositions having increased resistance to radiation damage |
| US7166162B2 (en) * | 2002-09-27 | 2007-01-23 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Terbium type paramagnetic garnet single crystal and magneto-optical device |
| CN1245472C (zh) * | 2003-04-09 | 2006-03-15 | 南帝化学工业股份有限公司 | 磁光晶体荧光粉及其制造方法 |
| US7054408B2 (en) * | 2003-04-30 | 2006-05-30 | General Electric Company | CT detector array having non pixelated scintillator array |
| US7560046B2 (en) | 2005-12-22 | 2009-07-14 | General Electric Company | Scintillator material and radiation detectors containing same |
| JP2008013607A (ja) | 2006-07-03 | 2008-01-24 | Fujifilm Corp | Ｔｂ含有発光性化合物、これを含む発光性組成物と発光体、発光素子、固体レーザ装置 |
| CN1927996B (zh) * | 2006-09-08 | 2012-05-09 | 北京宇极科技发展有限公司 | 一种荧光粉材料及其制备方法和白光led电光源 |
-
2010
- 2010-10-20 CA CA2778173A patent/CA2778173C/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-10-20 EP EP10824951.7A patent/EP2492379B1/en active Active
- 2010-10-20 RU RU2012120750/05A patent/RU2527082C2/ru active
- 2010-10-20 WO PCT/JP2010/068422 patent/WO2011049102A1/ja active Application Filing
- 2010-10-20 JP JP2011537270A patent/JP5681113B2/ja active Active
- 2010-10-20 CN CN201080046622.8A patent/CN102575382B/zh active Active
-
2012
- 2012-04-20 US US13/451,953 patent/US9051662B2/en active Active
-
2014
- 2014-01-14 JP JP2014003917A patent/JP5715271B2/ja active Active
- 2014-09-06 JP JP2014181798A patent/JP2015057365A/ja active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CA2778173C (en) | 2015-10-13 |
| JP5681113B2 (ja) | 2015-03-04 |
| AU2010309004A1 (en) | 2012-04-26 |
| CN102575382A (zh) | 2012-07-11 |
| WO2011049102A1 (ja) | 2011-04-28 |
| US20120200920A1 (en) | 2012-08-09 |
| US9051662B2 (en) | 2015-06-09 |
| JP5715271B2 (ja) | 2015-05-07 |
| EP2492379A4 (en) | 2013-08-28 |
| CA2778173A1 (en) | 2011-04-28 |
| CN102575382B (zh) | 2015-07-01 |
| JP2014097926A (ja) | 2014-05-29 |
| EP2492379A8 (en) | 2012-10-24 |
| EP2492379A1 (en) | 2012-08-29 |
| JPWO2011049102A1 (ja) | 2013-03-14 |
| EP2492379B1 (en) | 2018-02-28 |
| JP2015057365A (ja) | 2015-03-26 |
| RU2527082C2 (ru) | 2014-08-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012120750A (ru) | Монокристалл, способ его изготовления, оптический изолятор и использующий его оптический процессор | |
| RU2012149213A (ru) | Монокристалл граната, оптический изолятор и оптический процессор | |
| Chai et al. | Color-tunable upconversion photoluminescence and highly performed optical temperature sensing in Er 3+/Yb 3+ co-doped ZnWO 4 | |
| Alahraché et al. | Perfectly transparent Sr3Al2O6 polycrystalline ceramic elaborated from glass crystallization | |
| Zekri et al. | Experimental and theoretical studies of Dy3+ doped alkaline earth aluminosilicate glasses | |
| Dawaud et al. | Optical and structural properties of lithium sodium borate glasses doped Dy3+ ions | |
| Martín-Rodríguez et al. | Upconversion luminescence in nanocrystals of Gd3Ga5O12 and Y3Al5O12 doped with Tb3+− Yb3+ and Eu3+− Yb3+ | |
| Karunakaran et al. | Structural, optical absorption and luminescence properties of Nd3+ ions in NaO-NaF borate glasses | |
| Kaur et al. | Modifier role of cerium in lithium aluminium borate glasses | |
| Li et al. | Nd3+, Y3+-codoped SrF2 laser ceramics | |
| RU2013107008A (ru) | Монокристалл со структурой типа граната, оптический изолятор и устройство для лазерной обработки | |
| Zhang et al. | Investigation of dopant concentration and excitation power on sensitivities of Y4. 67 (SiO4) 3O: Yb3+, Er3+ upconversion phosphors for optical thermometer | |
| Ge et al. | Tunable dual-mode photoluminescences from SrAl2O4: Eu/Yb nanofibers by different atmospheric annealing | |
| Kesavulu et al. | Optical and upconversion properties of Er3+-doped oxyfluoride transparent glass-ceramics containing SrF2 nanocrystals | |
| Souza et al. | Heavy metal oxide glass-ceramics containing luminescent gallium-garnets single crystals for photonic applications | |
| Hong et al. | Luminescence properties of Ce/Tb/Sm co-doped Tellurite glass for White Leds application | |
| Obayes et al. | Strontium ion concentration effects on structural and spectral properties of Li4Sr (BO3) 3 glass | |
| Urata et al. | Fiber-like lanthanum tungstate crystal for efficient stimulated Raman scattering | |
| CN104386730A (zh) | 一种Ho3+/Yb3+双掺杂α-NaYF4激光晶体及其制备方法 | |
| Chen et al. | Luminescence properties and energy transfer of Ce3+/Eu3+ doped GSBA glass | |
| Lu et al. | Growth and spectroscopic properties of Er3+/Yb3+: LaCa4O (BO3) 3 crystals | |
| Yu et al. | Near infrared photoluminescence of Mg, Ca doped Bi4Ge3O12 crystals and glasses | |
| Yang et al. | Luminescent properties of stoichiometric Er: LiTaO3 submicron particles synthesized by a modified solid-state combustion route | |
| Kesavulu et al. | Upconversion properties of Er3+-doped oxyfluoride glass-ceramics containing SrF2 nanocrystals | |
| Xu et al. | Enhanced photoluminescence of Eu2+–Pr3+ ions in Ga2S3 nanocrystals embedded chalcohalide glasses ceramics |