RU2012108576A - Сид с силиконовым слоем и листовым отдаленным слоем люминофора - Google Patents

Сид с силиконовым слоем и листовым отдаленным слоем люминофора Download PDF

Info

Publication number
RU2012108576A
RU2012108576A RU2012108576/28A RU2012108576A RU2012108576A RU 2012108576 A RU2012108576 A RU 2012108576A RU 2012108576/28 A RU2012108576/28 A RU 2012108576/28A RU 2012108576 A RU2012108576 A RU 2012108576A RU 2012108576 A RU2012108576 A RU 2012108576A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
phosphor layer
layer
silicone
phosphor
plate
Prior art date
Application number
RU2012108576/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Григорий БАСИН
Пол С. МАРТИН
Original Assignee
ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи, Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical ФИЛИПС ЛЮМИЛЕДС ЛАЙТИНГ КОМПАНИ ЭлЭлСи
Publication of RU2012108576A publication Critical patent/RU2012108576A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0041—Processes relating to semiconductor body packages relating to wavelength conversion elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Abstract

1. Способ производства светоизлучающего устройства, включающий в себя:предоставление множества матриц светоизлучающих диодов (СИД) на пластине подложки;формовку первого силиконового слоя над каждой матрицей СИД на пластине;формирование гибкого слоя люминофора отдельно от пластины;нанесение слоя люминофора на пластину таким образом, чтобы слой люминофора непосредственно контактировал и подстраивался к внешней поверхности первого силиконового слоя, причем слой люминофора преобразует длину волны света, излучаемого матрицами СИД; иформовку второго силиконового слоя над слоем люминофора.2. Способ по п.1, в котором второй силиконовый слой включает в себя линзу.3. Способ по п.1, в котором первый силиконовый слой является, по существу, полусферическим.4. Способ по п.1, в котором слой люминофора включает в себя порошок люминофора, добавленный в силикон.5. Способ по п.1, в котором первый силиконовый слой имеет первый коэффициент отражения, а второй силиконовый слой имеет второй коэффициент отражения, больший, чем первый коэффициент отражения.6. Способ по п.1, в котором слой люминофора занимает примерно ту же или большую площадь, чем площадь пластины.7. Способ по п.1, в котором слой люминофора имеет, по существу, однородную толщину.8. Способ по п.1, в котором слой люминофора включает в себя множество слоев, при этом, по меньшей мере, два слоя содержат различные люминофоры.9. Способ по п.1, в котором слой люминофора включает в себя множество слоев, при этом, по меньшей мере, один из слоев включает в себя отражатель.10. Способ по п.1, в котором слой люминофора формуется для того, чтобы иметь оптические свойства.11. Способ по п.1, в котором пре

Claims (15)

1. Способ производства светоизлучающего устройства, включающий в себя:
предоставление множества матриц светоизлучающих диодов (СИД) на пластине подложки;
формовку первого силиконового слоя над каждой матрицей СИД на пластине;
формирование гибкого слоя люминофора отдельно от пластины;
нанесение слоя люминофора на пластину таким образом, чтобы слой люминофора непосредственно контактировал и подстраивался к внешней поверхности первого силиконового слоя, причем слой люминофора преобразует длину волны света, излучаемого матрицами СИД; и
формовку второго силиконового слоя над слоем люминофора.
2. Способ по п.1, в котором второй силиконовый слой включает в себя линзу.
3. Способ по п.1, в котором первый силиконовый слой является, по существу, полусферическим.
4. Способ по п.1, в котором слой люминофора включает в себя порошок люминофора, добавленный в силикон.
5. Способ по п.1, в котором первый силиконовый слой имеет первый коэффициент отражения, а второй силиконовый слой имеет второй коэффициент отражения, больший, чем первый коэффициент отражения.
6. Способ по п.1, в котором слой люминофора занимает примерно ту же или большую площадь, чем площадь пластины.
7. Способ по п.1, в котором слой люминофора имеет, по существу, однородную толщину.
8. Способ по п.1, в котором слой люминофора включает в себя множество слоев, при этом, по меньшей мере, два слоя содержат различные люминофоры.
9. Способ по п.1, в котором слой люминофора включает в себя множество слоев, при этом, по меньшей мере, один из слоев включает в себя отражатель.
10. Способ по п.1, в котором слой люминофора формуется для того, чтобы иметь оптические свойства.
11. Способ по п.1, в котором предоставление множества матриц СИД на пластине подложки включает в себя соединение электродов на пластине подложки с соответствующими электродами множества матриц СИД.
12. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя разделение пластины подложки для разделения матриц СИД, установленных на их соответствующих частях подложки, после этапа формования второго силиконового слоя.
13. Светоизлучающее устройство, включающее в себя:
матрицу светоизлучающего диода (СИД), установленную на подложке;
первый силиконовый слой, покрывающий матрицу СИД, при этом первый силиконовый слой имеет форму, по существу, полусферы над матрицей СИД;
слой люминофора, нанесенный над первым силиконовым слоем для соответствия внешней поверхности первого силиконового слоя, причем слой люминофора проходит за матрицу СИД на подложку, причем слой люминофора включает в себя порошок люминофора, добавленный в силикон; и
второй силиконовый слой, сформированный над слоем люминофора.
14. Устройство по п.13, в котором слой люминофора включает в себя множество слоев различных люминофоров, добавленных в силикон.
15. Устройство по п.13, в котором слой люминофора имеет, по существу, постоянную толщину.
RU2012108576/28A 2009-08-07 2010-07-07 Сид с силиконовым слоем и листовым отдаленным слоем люминофора RU2012108576A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/537,909 US20110031516A1 (en) 2009-08-07 2009-08-07 Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer
US12/537,909 2009-08-07
PCT/IB2010/053113 WO2011015959A1 (en) 2009-08-07 2010-07-07 Led with silicone layer and laminated remote phosphor layer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2012108576A true RU2012108576A (ru) 2013-09-20

Family

ID=43017061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012108576/28A RU2012108576A (ru) 2009-08-07 2010-07-07 Сид с силиконовым слоем и листовым отдаленным слоем люминофора

Country Status (9)

Country Link
US (1) US20110031516A1 (ru)
EP (1) EP2462634A1 (ru)
JP (1) JP2013501372A (ru)
KR (1) KR20120056843A (ru)
CN (1) CN102473820A (ru)
BR (1) BR112012002431A2 (ru)
RU (1) RU2012108576A (ru)
TW (1) TW201123549A (ru)
WO (1) WO2011015959A1 (ru)

Families Citing this family (100)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8525207B2 (en) * 2008-09-16 2013-09-03 Osram Sylvania Inc. LED package using phosphor containing elements and light source containing same
US8912023B2 (en) 2009-04-08 2014-12-16 Ledengin, Inc. Method and system for forming LED light emitters
US8247248B2 (en) * 2009-05-15 2012-08-21 Achrolux Inc. Methods and apparatus for forming uniform layers of phosphor material on an LED encapsulation structure
WO2010151600A1 (en) 2009-06-27 2010-12-29 Michael Tischler High efficiency leds and led lamps
JP5379615B2 (ja) * 2009-09-09 2013-12-25 パナソニック株式会社 照明装置
JP2011082339A (ja) * 2009-10-07 2011-04-21 Nitto Denko Corp 光半導体封止用キット
US8384121B2 (en) 2010-06-29 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. Electronic devices with yielding substrates
US9480133B2 (en) 2010-01-04 2016-10-25 Cooledge Lighting Inc. Light-emitting element repair in array-based lighting devices
US8653539B2 (en) 2010-01-04 2014-02-18 Cooledge Lighting, Inc. Failure mitigation in arrays of light-emitting devices
US8771577B2 (en) * 2010-02-16 2014-07-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with molded wavelength converting layer
US8901586B2 (en) * 2010-07-12 2014-12-02 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US20120081000A1 (en) * 2010-10-05 2012-04-05 Power Data Communications Co., Ltd. Led encapsulation process and shield structure made thereby
TWI445216B (zh) * 2010-11-17 2014-07-11 Harvatek Corp 具有沈積式螢光批覆層之發光二極體封裝結構及其製作方法
DE102011013369A1 (de) * 2010-12-30 2012-07-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Halbleiterbauelementen
TWI441361B (zh) * 2010-12-31 2014-06-11 Interlight Optotech Corp 發光二極體封裝結構及其製造方法
WO2012100132A1 (en) * 2011-01-21 2012-07-26 Osram Sylvania Inc. Luminescent converter and led light source containing same
US8941137B2 (en) * 2011-03-06 2015-01-27 Mordehai MARGALIT Light emitting diode package and method of manufacture
WO2012131532A1 (en) * 2011-03-25 2012-10-04 Koninklijke Philips Electronics N.V. Patterned uv sensitive silicone-phosphor layer over leds
KR20120119350A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성전자주식회사 발광소자 모듈 및 이의 제조방법
US9029887B2 (en) 2011-04-22 2015-05-12 Micron Technology, Inc. Solid state lighting devices having improved color uniformity and associated methods
DE102011102350A1 (de) * 2011-05-24 2012-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optisches Element, optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung dieser
US8585243B2 (en) 2011-06-28 2013-11-19 Osram Sylvania Inc. LED lighting apparatus, systems and methods of manufacture
US8480267B2 (en) 2011-06-28 2013-07-09 Osram Sylvania Inc. LED lighting apparatus, systems and methods of manufacture
WO2013008157A1 (en) 2011-07-14 2013-01-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a phosphor-enhanced light source
KR101294415B1 (ko) 2011-07-20 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
CN102270730A (zh) * 2011-07-27 2011-12-07 晶科电子（广州）有限公司 一种无金线的led器件
US8952402B2 (en) 2011-08-26 2015-02-10 Micron Technology, Inc. Solid-state radiation transducer devices having flip-chip mounted solid-state radiation transducers and associated systems and methods
US8579451B2 (en) 2011-09-15 2013-11-12 Osram Sylvania Inc. LED lamp
US9349927B2 (en) * 2011-10-18 2016-05-24 Nitto Denko Corporation Encapsulating sheet and optical semiconductor element device
US9444024B2 (en) * 2011-11-10 2016-09-13 Cree, Inc. Methods of forming optical conversion material caps
US10043960B2 (en) * 2011-11-15 2018-08-07 Cree, Inc. Light emitting diode (LED) packages and related methods
JP2013135084A (ja) * 2011-12-26 2013-07-08 Nitto Denko Corp 発光ダイオード装置の製造方法
EP2812929B1 (en) * 2012-02-10 2020-03-11 Lumileds Holding B.V. Molded lens forming a chip scale led package and method of manufacturing the same
US8591076B2 (en) 2012-03-02 2013-11-26 Osram Sylvania Inc. Phosphor sheet having tunable color temperature
US9388959B2 (en) * 2012-03-02 2016-07-12 Osram Sylvania Inc. White-light emitter having a molded phosphor sheet and method of making same
JP5912712B2 (ja) * 2012-03-21 2016-04-27 スタンレー電気株式会社 照明用光学系
US9343613B2 (en) 2012-03-29 2016-05-17 Koninklijke Philips N.V. Phosphor in inorganic binder for LED applications
CN104185908B (zh) 2012-03-29 2017-12-22 皇家飞利浦有限公司 用于led应用的无机结合剂中的磷光体
US20130279194A1 (en) * 2012-04-22 2013-10-24 Liteideas, Llc Light emitting systems and related methods
CN103378260A (zh) * 2012-04-24 2013-10-30 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构的制造方法
US9231178B2 (en) 2012-06-07 2016-01-05 Cooledge Lighting, Inc. Wafer-level flip chip device packages and related methods
WO2014013406A1 (en) 2012-07-20 2014-01-23 Koninklijke Philips N.V. Led with ceramic green phosphor and protected red phosphor layer
JP6024957B2 (ja) * 2012-09-24 2016-11-16 東芝ライテック株式会社 発光装置および照明装置
US9543478B2 (en) 2012-11-07 2017-01-10 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device including a filter and a protective layer
JP6419077B2 (ja) 2012-11-07 2018-11-07 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． 波長変換発光デバイス
CN103022325B (zh) * 2012-12-24 2016-01-20 佛山市香港科技大学Led-Fpd工程技术研究开发中心 应用远距式荧光粉层的led封装结构及其制成方法
US10439107B2 (en) * 2013-02-05 2019-10-08 Cree, Inc. Chip with integrated phosphor
KR101319360B1 (ko) * 2013-03-04 2013-10-16 유버 주식회사 칩온보드형 ｕｖ ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
US8876312B2 (en) * 2013-03-05 2014-11-04 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lighting device and apparatus with spectral converter within a casing
US8928219B2 (en) 2013-03-05 2015-01-06 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Lighting device with spectral converter
US10400984B2 (en) * 2013-03-15 2019-09-03 Cree, Inc. LED light fixture and unitary optic member therefor
US9470395B2 (en) 2013-03-15 2016-10-18 Abl Ip Holding Llc Optic for a light source
TWI527274B (zh) * 2013-04-29 2016-03-21 新世紀光電股份有限公司 發光二極體封裝結構
KR20150025231A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
US20150226385A1 (en) * 2014-02-11 2015-08-13 Cree, Inc. Systems and Methods for Application of Coatings Including Thixotropic Agents onto Optical Elements, and Optical Elements Having Coatings Including Thixotropic Agents
US9590148B2 (en) 2014-03-18 2017-03-07 GE Lighting Solutions, LLC Encapsulant modification in heavily phosphor loaded LED packages for improved stability
US9680067B2 (en) 2014-03-18 2017-06-13 GE Lighting Solutions, LLC Heavily phosphor loaded LED packages having higher stability
DE102014106074A1 (de) * 2014-04-30 2015-11-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung
US20150325748A1 (en) * 2014-05-07 2015-11-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device
WO2015170514A1 (ja) * 2014-05-09 2015-11-12 富士高分子工業株式会社 蛍光体含有識別物体及びその製造方法
KR101641205B1 (ko) * 2014-05-12 2016-07-21 주식회사 케이케이디씨 발광각도 조절이 가능한 형광필름이 구비된 led 조명 모듈 제조 방법
US9997676B2 (en) 2014-05-14 2018-06-12 Genesis Photonics Inc. Light emitting device and manufacturing method thereof
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
TWI641285B (zh) 2014-07-14 2018-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光模組與發光單元的製作方法
TWI631733B (zh) * 2014-10-09 2018-08-01 新世紀光電股份有限公司 發光裝置
TW201828501A (zh) * 2014-10-09 2018-08-01 新世紀光電股份有限公司 發光裝置
US9985190B2 (en) 2016-05-18 2018-05-29 eLux Inc. Formation and structure of post enhanced diodes for orientation control
US10249599B2 (en) 2016-06-29 2019-04-02 eLux, Inc. Laminated printed color conversion phosphor sheets
US9755110B1 (en) 2016-07-27 2017-09-05 Sharp Laboratories Of America, Inc. Substrate with topological features for steering fluidic assembly LED disks
US9917226B1 (en) 2016-09-15 2018-03-13 Sharp Kabushiki Kaisha Substrate features for enhanced fluidic assembly of electronic devices
US9892944B2 (en) 2016-06-23 2018-02-13 Sharp Kabushiki Kaisha Diodes offering asymmetric stability during fluidic assembly
CN104485411A (zh) * 2014-11-14 2015-04-01 江苏脉锐光电科技有限公司 一种远程荧光粉透镜和制造方法及其应用
DE102015001723A1 (de) 2015-02-05 2016-08-11 Sergey Dyukin Die Methode der Verbesserung der Charakteristiken von Leuchtgeräten mit einer Stirnseitenbeleuchtung des Lichtleiters, die den Luminophor beinhalten, der mit Halbleiterstrukturen beleuchtet wird.
DE102015103835A1 (de) * 2015-03-16 2016-09-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines lichtemittierenden Bauelements
US10984735B2 (en) * 2015-04-17 2021-04-20 Nanosys, Inc. White point uniformity in display devices
US10217914B2 (en) * 2015-05-27 2019-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
CN106469772B (zh) * 2015-08-18 2018-01-05 江苏诚睿达光电有限公司 一种基于滚压式的热塑性树脂光转换体贴合封装led的工艺方法
US10816165B2 (en) 2015-11-19 2020-10-27 Lsi Industries, Inc. LED luminaire assembly
KR101836253B1 (ko) 2015-12-15 2018-03-08 현대자동차 주식회사 광원 모듈 및 이를 이용한 차량용 헤드 램프
USD781482S1 (en) 2015-12-28 2017-03-14 Lsi Industries, Inc. Luminaire
EP3205584B1 (en) * 2016-02-12 2020-06-03 Goodrich Lighting Systems GmbH Exterior aircraft light and aircraft comprising the same
US9627437B1 (en) 2016-06-30 2017-04-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Patterned phosphors in through hole via (THV) glass
US10290777B2 (en) 2016-07-26 2019-05-14 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
DE102016115533A1 (de) * 2016-08-22 2018-02-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips und Scheinwerfer mit einem optoelektronischen Halbleiterchip
US10243097B2 (en) 2016-09-09 2019-03-26 eLux Inc. Fluidic assembly using tunable suspension flow
US9837390B1 (en) 2016-11-07 2017-12-05 Corning Incorporated Systems and methods for creating fluidic assembly structures on a substrate
US10319889B2 (en) * 2016-12-27 2019-06-11 Nichia Corporation Light emitting device
JP7108171B2 (ja) * 2016-12-27 2022-07-28 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10361349B2 (en) * 2017-09-01 2019-07-23 Cree, Inc. Light emitting diodes, components and related methods
US11121298B2 (en) 2018-05-25 2021-09-14 Creeled, Inc. Light-emitting diode packages with individually controllable light-emitting diode chips
USD902448S1 (en) 2018-08-31 2020-11-17 Cree, Inc. Light emitting diode package
US11335833B2 (en) 2018-08-31 2022-05-17 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11233183B2 (en) 2018-08-31 2022-01-25 Creeled, Inc. Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices
US11201267B2 (en) * 2018-12-21 2021-12-14 Lumileds Llc Photoresist patterning process supporting two step phosphor-deposition to form an LED matrix array
US11101411B2 (en) 2019-06-26 2021-08-24 Creeled, Inc. Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures
US11032976B1 (en) 2020-03-16 2021-06-15 Hgci, Inc. Light fixture for indoor grow application and components thereof
USD933872S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture
USD933881S1 (en) 2020-03-16 2021-10-19 Hgci, Inc. Light fixture having heat sink
WO2021258006A1 (en) * 2020-06-18 2021-12-23 Myotek Industries Multi-injection molded optical grade silicone lens and method for producing incorporating a glow in the dark phosphor material
CN115411023B (zh) * 2022-08-22 2023-09-19 深圳市未林森科技有限公司 一种误差小的cob光源颜色均匀控制工艺方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6194742B1 (en) 1998-06-05 2001-02-27 Lumileds Lighting, U.S., Llc Strain engineered and impurity controlled III-V nitride semiconductor films and optoelectronic devices
US5959316A (en) * 1998-09-01 1999-09-28 Hewlett-Packard Company Multiple encapsulation of phosphor-LED devices
US6133589A (en) 1999-06-08 2000-10-17 Lumileds Lighting, U.S., Llc AlGaInN-based LED having thick epitaxial layer for improved light extraction
JP4122738B2 (ja) * 2001-07-26 2008-07-23 松下電工株式会社 発光装置の製造方法
JP4496774B2 (ja) * 2003-12-22 2010-07-07 日亜化学工業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2005259847A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Nitto Denko Corp 光半導体装置の製造方法
US7361938B2 (en) 2004-06-03 2008-04-22 Philips Lumileds Lighting Company Llc Luminescent ceramic for a light emitting device
TW200614548A (en) * 2004-07-09 2006-05-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Light-emitting device
US7352011B2 (en) * 2004-11-15 2008-04-01 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Wide emitting lens for LED useful for backlighting
US7858408B2 (en) * 2004-11-15 2010-12-28 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with phosphor tile and overmolded phosphor in lens
US20060171152A1 (en) * 2005-01-20 2006-08-03 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device and method of making the same
US7800123B2 (en) * 2005-05-25 2010-09-21 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescence device
US7754507B2 (en) 2005-06-09 2010-07-13 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Method of removing the growth substrate of a semiconductor light emitting device
US7319246B2 (en) * 2005-06-23 2008-01-15 Lumination Llc Luminescent sheet covering for LEDs
KR100665219B1 (ko) * 2005-07-14 2007-01-09 삼성전기주식회사 파장변환형 발광다이오드 패키지
US7344952B2 (en) * 2005-10-28 2008-03-18 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Laminating encapsulant film containing phosphor over LEDs
JP2007273562A (ja) * 2006-03-30 2007-10-18 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2008166782A (ja) * 2006-12-26 2008-07-17 Seoul Semiconductor Co Ltd 発光素子

Also Published As

Publication number Publication date
CN102473820A (zh) 2012-05-23
TW201123549A (en) 2011-07-01
WO2011015959A1 (en) 2011-02-10
JP2013501372A (ja) 2013-01-10
BR112012002431A2 (pt) 2019-09-24
US20110031516A1 (en) 2011-02-10
KR20120056843A (ko) 2012-06-04
EP2462634A1 (en) 2012-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012108576A (ru) Сид с силиконовым слоем и листовым отдаленным слоем люминофора
US10163975B2 (en) Light emitting apparatus
US8783915B2 (en) Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes
JP2013501372A5 (ru)
DE602006011204D1 (de) Leuchtstoff enthaltender Laminatfilm zur Verkapselung von LEDs
CN102171503A (zh) 照明设备及其制造方法
US9412915B2 (en) Lighting apparatus
WO2013064800A1 (en) Illumination apparatus
WO2005022654A3 (en) Semiconductor light emitting device, light emitting module, lighting apparatus, display element and manufacturing method of semiconductor light emitting device
KR102345751B1 (ko) 반도체 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20150002361A (ko) 반도체 발광소자 장치 및 광원 모듈의 제조 방법
US11374155B2 (en) Flip-chip SMT LEDs with variable number of emitting surfaces
WO2015011590A1 (en) Flip-chip side emitting led
US20150155427A1 (en) Method of manufacturing lighting device
KR20110129273A (ko) Ｌｅｄ 광원 모듈 및 이를 구비하는 조명 장치
US8643032B2 (en) Light emitting diode package array and method for fabricating light emitting diode package
KR20140110354A (ko) 조명 장치
KR20220048604A (ko) 칩 스케일 패키지 엘이디 및 그 제조방법
JP5884022B2 (ja) Ｌｅｄ照明器具
US20080293174A1 (en) Method for forming LED array
KR102035043B1 (ko) 삼면 발광 칩 스케일 패키지 및 그의 제조 방법
KR20140071612A (ko) Ｌｅｄ 어레이 칩 및 제조방법
KR101164967B1 (ko) 세라믹 코팅층이 형성된 광소자 패키지 및 그 제조 방법
TWI626403B (zh) 照明裝置