RU2012101247A

RU2012101247A - Пленки с переменным углом наблюдения из кристаллических коллоидных массивов

Info

Publication number: RU2012101247A
Application number: RU2012101247/28A
Authority: RU
Inventors: Шон ПЁРДИ; Кэлам Х. МАНРО; Сянлин СЮЙ
Original assignee: Ппг Индастриз Огайо, Инк.
Priority date: 2009-06-16
Filing date: 2010-06-08
Publication date: 2013-07-27
Also published as: CA2765243A1; MX2011013963A; US8252412B2; CN102802962A; EP2442986A1; AU2010260398A1; SG176771A1; AU2010260398B2; RU2504804C2; BRPI1010058A2; JP2012530277A; CA2765243C; CN102802962B; KR20120044974A; US20100315703A1; WO2010147793A1; HK1177919A1

Abstract

1. Дифрагирующая излучение пленка, имеющая поверхность наблюдения, где по меньшей мере часть упомянутой поверхности наблюдения расположена в плоскости наблюдения, которая включает упорядоченный периодический массив частиц, включенных в материал матрицы, где массив частиц обладает кристаллической структурой и упомянутая кристаллическая структура имеет (i) множество первых плоскостей кристалла из упомянутых частиц, которые дифрагируют инфракрасное излучение, и (ii) множество вторых плоскостей кристалла из упомянутых частиц, которые дифрагируют видимое излучение.2. Пленка по п.1, в которой упомянутые первые плоскости кристалла расположены под углом к упомянутым вторым плоскостям кристалла.3. Пленка по п.1, в которой расстояния между упомянутыми первыми плоскостями кристалла в упомянутой кристаллической структуре являются большими, чем расстояния между упомянутыми вторыми плоскостями кристалла в упомянутой кристаллической структуре.4. Пленка по п.3, в которой упомянутые частицы имеют такие размеры, что упомянутые первые плоскости кристалла дифрагируют инфракрасное излучение, а упомянутые вторые плоскости кристалла дифрагируют видимое излучение.5. Пленка по п.3, в которой упомянутые первые плоскости кристалла параллельны упомянутой плоскости наблюдения.6. Пленка по п.3, в которой упомянутые вторые плоскости кристалла расположены под углом к упомянутой плоскости наблюдения.7. Пленка по п.6, в которой упомянутая кристаллическая структура включает множество наборов вторых плоскостей кристалла.8. Пленка по п.7, в которой упомянутая кристаллическая структура включает три набора вторых плоскостей кристалла.9. Пле

Claims

1. Дифрагирующая излучение пленка, имеющая поверхность наблюдения, где по меньшей мере часть упомянутой поверхности наблюдения расположена в плоскости наблюдения, которая включает упорядоченный периодический массив частиц, включенных в материал матрицы, где массив частиц обладает кристаллической структурой и упомянутая кристаллическая структура имеет (i) множество первых плоскостей кристалла из упомянутых частиц, которые дифрагируют инфракрасное излучение, и (ii) множество вторых плоскостей кристалла из упомянутых частиц, которые дифрагируют видимое излучение.

2. Пленка по п.1, в которой упомянутые первые плоскости кристалла расположены под углом к упомянутым вторым плоскостям кристалла.

3. Пленка по п.1, в которой расстояния между упомянутыми первыми плоскостями кристалла в упомянутой кристаллической структуре являются большими, чем расстояния между упомянутыми вторыми плоскостями кристалла в упомянутой кристаллической структуре.

4. Пленка по п.3, в которой упомянутые частицы имеют такие размеры, что упомянутые первые плоскости кристалла дифрагируют инфракрасное излучение, а упомянутые вторые плоскости кристалла дифрагируют видимое излучение.

5. Пленка по п.3, в которой упомянутые первые плоскости кристалла параллельны упомянутой плоскости наблюдения.

6. Пленка по п.3, в которой упомянутые вторые плоскости кристалла расположены под углом к упомянутой плоскости наблюдения.

7. Пленка по п.6, в которой упомянутая кристаллическая структура включает множество наборов вторых плоскостей кристалла.

8. Пленка по п.7, в которой упомянутая кристаллическая структура включает три набора вторых плоскостей кристалла.

9. Пленка по п.7, в которой при постоянном угле наблюдения по вертикали к упомянутой плоскости наблюдения видимое излучение дифрагируется с дискретными положениями видимости на упомянутой поверхности наблюдения пленки.

10. Пленка по п.9, в которой видимое излучение в упомянутой плоскости наблюдения дифрагируется с интервалами, равными приблизительно 60°.

11. Пленка по п.1, дополнительно включающая еще один упорядоченный периодический массив частиц, включенных в материал матрицы, при этом упомянутый еще один массив частиц обладает кристаллической структурой, имеющей (i) еще одно множество первых плоскостей кристалла из упомянутых частиц, которые дифрагируют инфракрасное излучение, и (ii) еще одно множество вторых плоскостей кристалла из упомянутых частиц, которые дифрагируют видимое излучение.

12. Пленка по п.11, в которой упомянутые вторые плоскости кристалла упомянутых двух массивов дифрагируют различные длины волн излучения.

13. Пленка по п.11, в которой упомянутые вторые плоскости кристалла упомянутых двух массивов дифрагируют излучение с различными положениями видимости на упомянутой поверхности наблюдения пленки.

14. Пленка по п.1, в которой частицы содержат полистирол, полиуретан, акриловый полимер, алкидный полимер, сложный полиэфир, силоксансодержащий полимер, полисульфид, эпоксисодержащий полимер и/или полимер, произведенный из эпоксисодержащего полимера, и в которой матрица содержит материал, выбираемый из группы, состоящей из полиуретана, акрилового полимера, алкидного полимера, сложного полиэфира, силоксансодержащего полимера, полисульфида, эпоксисодержащего полимера и/или полимера, произведенного из эпоксисодержащего полимера.

15. Пленка по п.14, в которой матрица дополнительно содержит неорганический материал.

16. Пленка по п.1, в которой упомянутые частицы органического полимера включают ядро, окруженное оболочкой, имеющей состав, отличный от состава упомянутого ядра.

17. Пленка по п.16, в которой ядра частиц содержат полистирол, полиуретан, акриловый полимер, алкидный полимер, сложный полиэфир, силоксансодержащий полимер, полисульфид, эпоксисодержащий полимер и/или полимер, произведенный из эпоксисодержащего полимера, и в которой и матрица, и оболочка содержат полиуретан, акриловый полимер, алкидный полимер, сложный полиэфир, силоксансодержащий полимер, полисульфид, эпоксисодержащий полимер и/или полимер, произведенный из эпоксисодержащего полимера.

18. Изделие, включающее подложку и устройство системы безопасности, в котором упомянутое устройство системы безопасности включает дифрагирующую излучение пленку по п.1.

19. Изделие по п.18, в котором изделие включает ценный документ, изделие промышленного производства, упаковку изделия промышленного производства и/или документ, удостоверяющий личность.

20. Изделие по п.19, в котором пленку получают отдельно от изделия и наносят на изделие.

21. Изделие по п.20, в котором массив имеет дисперсную форму для нанесения на изделие.

22. Способ получения устройства для борьбы с контрафактом, включающий

получение дисперсии монодисперсных частиц;

нанесение дисперсии частиц на подложку таким образом, чтобы частицы самовыравнивались в виде упорядоченного периодического массива, который дифрагирует излучение;

нанесение на массив частиц покрытия из композиции матрицы; и

фиксацию имеющего покрытие массива частиц для получения пленки, включающей кристаллическую структуру, где частицы имеют такие размеры, чтобы кристаллическая структура имела (i) множество первых плоскостей кристалла из частиц, которые дифрагируют инфракрасное излучение, и (ii) множество вторых плоскостей кристалла из частиц, которые дифрагируют видимое излучение.

23. Способ по п.22, в котором частицы имеют такие размеры, что расстояния между первыми плоскостями кристалла в кристаллической структуре являются большими, чем расстояния между вторыми плоскостями кристалла в кристаллической структуре.

24. Способ по п.23, в котором пленка имеет поверхность наблюдения, где по меньшей мере часть поверхности наблюдения располагается в плоскости наблюдения, и в котором первые плоскости кристалла параллельны плоскости наблюдения, а вторые плоскости кристалла расположены под углом к плоскости наблюдения.

25. Способ по п.24, дополнительно включающий

получение другой дисперсии монодисперсных частиц;

нанесение другой дисперсии частиц на подложку таким образом, чтобы частицы самовыравнивались в виде другого упорядоченного периодического массива, который дифрагирует излучение;

нанесение на другой массив частиц покрытия из композиции матрицы; и

фиксацию другого имеющего покрытие массива частиц для получения другой пленки, включающей другой упорядоченный периодический массив частиц, включенных в материал матрицы, где другой массив частиц обладает кристаллической структурой, имеющей (i) другое множество первых плоскостей кристалла из частиц, которые дифрагируют инфракрасное излучение, и (ii) другое множество вторых плоскостей кристалла из частиц, которые дифрагируют видимое излучение; и

складывание пленок таким образом, чтобы вторые плоскости кристалла двух массивов располагались бы под углом друг к другу.