RU2011143240A - Магниторезистивный преобразователь - Google Patents

Abstract

1. Магниторезистивный преобразователь, содержащий подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре параллельно расположенные в ряд относительно друг друга тонкопленочные магниторезистивные полоски, содержащие каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположены две ферромагнитные пленки с осью легкого намагничивания вдоль длины тонкопленочной магниторезистивной полоски, между которыми расположен разделительный слой, поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок расположен первый изолирующий слой, на котором сформирован проводник управления с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль каждой полоски, отличающийся тем, что на поверхности первого изолирующего слоя расположены четыре наномагнита в виде прямоугольных магнитожестких полосок и расположенных вдоль них, содержащих каждая вспомогательный слой хрома с нанесенной поверх него магнитожесткой пленкой с коэрцитивной силой, не менее чем втрое превышающей поле магнитной анизотропии ферромагнитной пленки, и защитный слой, при этом наномагниты расположены в один ряд с расстоянием, равным ширине полоски наномагнита, а период повторения наномагнитов равен удвоенному периоду повторения тонкопленочных магниторезистивных полосок, причем тонкопленочные магниторезистивные полоски расположены симметрично между соседними наномагнитами или относительно ширины магнитожесткой полоски магнита.2. Магниторезистивный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что между наномагнитами и проводником у�

Claims (2)

1. Магниторезистивный преобразователь, содержащий подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре параллельно расположенные в ряд относительно друг друга тонкопленочные магниторезистивные полоски, содержащие каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположены две ферромагнитные пленки с осью легкого намагничивания вдоль длины тонкопленочной магниторезистивной полоски, между которыми расположен разделительный слой, поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок расположен первый изолирующий слой, на котором сформирован проводник управления с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль каждой полоски, отличающийся тем, что на поверхности первого изолирующего слоя расположены четыре наномагнита в виде прямоугольных магнитожестких полосок и расположенных вдоль них, содержащих каждая вспомогательный слой хрома с нанесенной поверх него магнитожесткой пленкой с коэрцитивной силой, не менее чем втрое превышающей поле магнитной анизотропии ферромагнитной пленки, и защитный слой, при этом наномагниты расположены в один ряд с расстоянием, равным ширине полоски наномагнита, а период повторения наномагнитов равен удвоенному периоду повторения тонкопленочных магниторезистивных полосок, причем тонкопленочные магниторезистивные полоски расположены симметрично между соседними наномагнитами или относительно ширины магнитожесткой полоски магнита.

2. Магниторезистивный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что между наномагнитами и проводником управления расположен дополнительный изолирующий слой.