RU2011143240A - Магниторезистивный преобразователь - Google Patents
Магниторезистивный преобразователь Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011143240A RU2011143240A RU2011143240/28A RU2011143240A RU2011143240A RU 2011143240 A RU2011143240 A RU 2011143240A RU 2011143240/28 A RU2011143240/28 A RU 2011143240/28A RU 2011143240 A RU2011143240 A RU 2011143240A RU 2011143240 A RU2011143240 A RU 2011143240A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- thin
- nanomagnets
- strips
- film
- magnetoresistive
- Prior art date
Links
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract 4
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 claims abstract 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims abstract 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
1. Магниторезистивный преобразователь, содержащий подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре параллельно расположенные в ряд относительно друг друга тонкопленочные магниторезистивные полоски, содержащие каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположены две ферромагнитные пленки с осью легкого намагничивания вдоль длины тонкопленочной магниторезистивной полоски, между которыми расположен разделительный слой, поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок расположен первый изолирующий слой, на котором сформирован проводник управления с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль каждой полоски, отличающийся тем, что на поверхности первого изолирующего слоя расположены четыре наномагнита в виде прямоугольных магнитожестких полосок и расположенных вдоль них, содержащих каждая вспомогательный слой хрома с нанесенной поверх него магнитожесткой пленкой с коэрцитивной силой, не менее чем втрое превышающей поле магнитной анизотропии ферромагнитной пленки, и защитный слой, при этом наномагниты расположены в один ряд с расстоянием, равным ширине полоски наномагнита, а период повторения наномагнитов равен удвоенному периоду повторения тонкопленочных магниторезистивных полосок, причем тонкопленочные магниторезистивные полоски расположены симметрично между соседними наномагнитами или относительно ширины магнитожесткой полоски магнита.2. Магниторезистивный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что между наномагнитами и проводником у�
Claims (2)
1. Магниторезистивный преобразователь, содержащий подложку с диэлектрическим слоем, на котором расположены соединенные в мостовую схему немагнитными низкорезистивными перемычками четыре параллельно расположенные в ряд относительно друг друга тонкопленочные магниторезистивные полоски, содержащие каждая верхний и нижний защитные слои, между которыми расположены две ферромагнитные пленки с осью легкого намагничивания вдоль длины тонкопленочной магниторезистивной полоски, между которыми расположен разделительный слой, поверх тонкопленочных магниторезистивных полосок расположен первый изолирующий слой, на котором сформирован проводник управления с рабочими частями, расположенными над тонкопленочными магниторезистивными полосками вдоль каждой полоски, отличающийся тем, что на поверхности первого изолирующего слоя расположены четыре наномагнита в виде прямоугольных магнитожестких полосок и расположенных вдоль них, содержащих каждая вспомогательный слой хрома с нанесенной поверх него магнитожесткой пленкой с коэрцитивной силой, не менее чем втрое превышающей поле магнитной анизотропии ферромагнитной пленки, и защитный слой, при этом наномагниты расположены в один ряд с расстоянием, равным ширине полоски наномагнита, а период повторения наномагнитов равен удвоенному периоду повторения тонкопленочных магниторезистивных полосок, причем тонкопленочные магниторезистивные полоски расположены симметрично между соседними наномагнитами или относительно ширины магнитожесткой полоски магнита.
2. Магниторезистивный преобразователь по п.1, отличающийся тем, что между наномагнитами и проводником управления расположен дополнительный изолирующий слой.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011143240/28A RU2483393C1 (ru) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | Магниторезистивный преобразователь |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2011143240/28A RU2483393C1 (ru) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | Магниторезистивный преобразователь |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011143240A true RU2011143240A (ru) | 2013-05-10 |
RU2483393C1 RU2483393C1 (ru) | 2013-05-27 |
Family
ID=48788467
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011143240/28A RU2483393C1 (ru) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | Магниторезистивный преобразователь |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2483393C1 (ru) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60158681A (ja) * | 1984-01-27 | 1985-08-20 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗素子 |
US5196821A (en) * | 1992-03-09 | 1993-03-23 | General Motors Corporation | Integrated magnetic field sensor |
RU2139602C1 (ru) * | 1998-04-02 | 1999-10-10 | Войсковая часть 35533 | Магниторезистивный датчик |
RU2175797C1 (ru) * | 2000-11-08 | 2001-11-10 | Институт проблем управления РАН | Магниторезистивный датчик |
FR2830621B1 (fr) * | 2001-10-09 | 2004-05-28 | Commissariat Energie Atomique | Structure pour capteur et capteur de champ magnetique |
RU2216823C1 (ru) * | 2002-04-09 | 2003-11-20 | Войсковая часть 35533 | Магниторезистивный датчик |
JP2005534198A (ja) * | 2002-07-26 | 2005-11-10 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 磁気抵抗層システムおよび該層システムを備えたセンサ素子 |
-
2011
- 2011-10-27 RU RU2011143240/28A patent/RU2483393C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
RU2483393C1 (ru) | 2013-05-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
FR2963153B1 (fr) | Element magnetique inscriptible | |
JP2011523506A5 (ru) | ||
KR970063046A (ko) | 자기저항 효과 헤드 | |
JP7099731B2 (ja) | 多層磁気変調構造を有する低ノイズ磁気抵抗センサ | |
FR2973163B1 (fr) | Dispositif constitue de différentes couches minces et utilisation d'un tel dispositif | |
CN113167840B (zh) | 磁传感器及磁传感器的制造方法 | |
JP2018006598A5 (ru) | ||
WO2008081797A1 (ja) | 磁気検出装置 | |
RU2436200C1 (ru) | Магниторезистивный датчик | |
JP2013080551A5 (ru) | ||
JP2013073980A (ja) | 磁気メモリ素子 | |
JP2022150856A (ja) | 磁気センサ | |
RU2011143240A (ru) | Магниторезистивный преобразователь | |
JP2015197388A (ja) | フラックスゲート型磁気センサ | |
RU2366038C1 (ru) | Магниторезистивная головка-градиометр | |
JP4110468B2 (ja) | 磁気インピーダンス素子 | |
JP2007093350A (ja) | 磁気検出素子 | |
RU2433422C1 (ru) | Высокочастотный магниточувствительный наноэлемент | |
JP2011123944A (ja) | Tmrリード・ヘッドの製造方法及びtmr積層体 | |
RU2433507C1 (ru) | Магниторезистивный датчик | |
RU2391747C1 (ru) | Высокочастотный магниточувствительный наноэлемент | |
JP2005012215A5 (ru) | ||
RU2601360C1 (ru) | Магниторезистивный элемент | |
JP2017194367A5 (ru) | ||
RU156559U1 (ru) | Магниторезистивный преобразователь |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20181028 |