RU2011122275A - Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, жидкокристаллическое устройство отображения и телевизионный приемник - Google Patents

Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, жидкокристаллическое устройство отображения и телевизионный приемник Download PDF

Info

Publication number
RU2011122275A
RU2011122275A RU2011122275/28A RU2011122275A RU2011122275A RU 2011122275 A RU2011122275 A RU 2011122275A RU 2011122275/28 A RU2011122275/28 A RU 2011122275/28A RU 2011122275 A RU2011122275 A RU 2011122275A RU 2011122275 A RU2011122275 A RU 2011122275A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
electrode
capacitor electrode
capacitor
active matrix
insulating film
Prior art date
Application number
RU2011122275/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2488152C2 (ru
Inventor
Тосихиде ЦУБАТА
Original Assignee
Шарп Кабусики Кайся
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Шарп Кабусики Кайся filed Critical Шарп Кабусики Кайся
Publication of RU2011122275A publication Critical patent/RU2011122275A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2488152C2 publication Critical patent/RU2488152C2/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136286Wiring, e.g. gate line, drain line
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134345Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134345Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
    • G02F1/134354Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy the sub-pixels being capacitively coupled
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/40Arrangements for improving the aperture ratio

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

1. Подложка активной матрицы, содержащая:линию сигнала данных;первую изолирующую пленку;вторую изолирующую пленку;транзистор;первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор;второй электрод пикселя;первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя;ивторой электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя,при этомвторой электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя,второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, ивторой электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.2. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая:линию сигнала развертки, расположенную в том же слое, что и первый электрод конденсатора.3. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой второй электрод конденсатора расположен в том же слое, что и линия сигнала данных.4. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой толщина второй изолирующей пленки не больше толщины первой изолирующей пленки.5. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первая изолирующая пленка является изолирующей пленкой затвора.6. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой вторая изолирующая пленка является межслойной изолирующей пленкой, покрывающей канал транзистора.7. Подложка �

Claims (31)

1. Подложка активной матрицы, содержащая:
линию сигнала данных;
первую изолирующую пленку;
вторую изолирующую пленку;
транзистор;
первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор;
второй электрод пикселя;
первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя;и
второй электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя,
при этом
второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя,
второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и
второй электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.
2. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая:
линию сигнала развертки, расположенную в том же слое, что и первый электрод конденсатора.
3. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой второй электрод конденсатора расположен в том же слое, что и линия сигнала данных.
4. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой толщина второй изолирующей пленки не больше толщины первой изолирующей пленки.
5. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первая изолирующая пленка является изолирующей пленкой затвора.
6. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой вторая изолирующая пленка является межслойной изолирующей пленкой, покрывающей канал транзистора.
7. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края первого электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев второго электрода конденсатора.
8. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края второго электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев первого электрода конденсатора.
9. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая провод накопительного конденсатора, расположенный так, что его перекрывает первый электрод пикселя и второй электрод пикселя.
10. Подложка активной матрицы по п.1, в которой второй электрод пикселя и первый электрод конденсатора соединены через сквозное контактное отверстие в первой изолирующей пленке и второй изолирующей пленке.
11. Подложка активной матрицы по п.1, в которой транзистор содержит проводящий электрод, которым транзистор соединен с первым электродом пикселя через контактное отверстие, при этом первый электрод пикселя соединен со вторым электродом конденсатора через контактное отверстие, отличное от контактного отверстия, соединяющего проводящий электрод транзистора с первым электродом пикселя.
12. Подложка активной матрицы, содержащая:
линию сигнала данных;
первую изолирующую пленку;
вторую изолирующую пленку;
транзистор;
первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор;
второй электрод пикселя;
первый электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя; и
второй электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя,
при этом
второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и первым электродом пикселя,
второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и
первый электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и первым электродом пикселя.
13. Подложка активной матрицы по п.12, в которой первый электрод пикселя и первый электрод конденсатора соединены через сквозное контактное отверстие в первой изолирующей пленке и второй изолирующей пленке.
14. Подложка активной матрицы по п.12, дополнительно содержащая вытянутый электрод стока, отходящий от проводящего электрода транзистора, при этом вытянутый электрод стока соединен с первым электродом конденсатора и первым электродом пикселя через одно сквозное контактное отверстие в первой изолирующей пленке и второй изолирующей пленке.
15. Подложка активной матрицы по п.14, в которой вытянутый электрод стока содержит сквозной участок или участок с прорезью, перекрывающий проем контактного отверстия и первый электрод конденсатора.
16. Подложка активной матрицы по п.12, дополнительно содержащая:
линию сигнала развертки, расположенную в том же слое, что и первый электрод конденсатора.
17. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой второй электрод конденсатора расположен в том же слое, что и линия сигнала данных.
18. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой толщина второй изолирующей пленки не больше толщины первой изолирующей пленки.
19. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой первая изолирующая пленка является изолирующей пленкой затвора.
20. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой вторая изолирующая пленка является межслойной изолирующей пленкой, покрывающей канал транзистора.
21. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края первого электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев второго электрода конденсатора.
22. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края второго электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев первого электрода конденсатора.
23. Подложка активной матрицы по п.12, дополнительно содержащая провод накопительного конденсатора, расположенный так, что его перекрывает первый электрод пикселя и второй электрод пикселя.
24. Подложка активной матрицы, содержащая:
первую изолирующую пленку;
вторую изолирующую пленку;
транзистор;
первый электрод пикселя, электрически соединенный с транзистором;
второй электрод пикселя;
первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электрод пикселя; и
второй электрод конденсатора, электрически соединенный с транзистором,
при этом
второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя;
второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и
второй электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.
25. Подложка активной матрицы по п.24, дополнительно содержащая:
третий электрод конденсатора, соединенный со вторым электродом конденсатора и расположенный в том же слое, что и второй электрод конденсатора; и
провод накопительного конденсатора для формирования конденсатора с третьим электродом конденсатора.
26. Жидкокристаллическая панель, содержащая подложку активной матрицы по любому из пп.1-25.
27. Жидкокристаллическая панель, содержащая:
подложку активной матрицы по любому из пп.1-25 и
противоподложку, имеющую линейный выступ для управления выравниванием, расположенный так, что по меньшей мере часть первого электрода конденсатора расположена под линейным выступом.
28. Жидкокристаллическая панель, содержащая:
подложку активной матрицы по любому из пп.1-25; и
противоподложку, включающую в себя общий электрод, содержащий прорезь для управления выравниванием, расположенную так, что по меньшей мере часть первого электрода конденсатора расположена под прорезью.
29. Модуль жидкокристаллического дисплея, содержащий:
жидкокристаллическую панель по любому из пп.26-28; и
модуль возбуждения.
30. Жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее:
модуль жидкокристаллического дисплея по п.29; и
модуль источника света.
31. Телевизионный приемник, содержащий:
жидкокристаллическое устройство отображения по п.30 и
блок тюнера, выполненный с возможностью приема телевизионной широковещательной передачи.
RU2011122275/28A 2008-11-05 2009-08-19 Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, жидкокристаллическое устройство отображения и телевизионный приемник RU2488152C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-284804 2008-11-05
JP2008284804 2008-11-05
PCT/JP2009/064488 WO2010052962A1 (ja) 2008-11-05 2009-08-19 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011122275A true RU2011122275A (ru) 2012-12-10
RU2488152C2 RU2488152C2 (ru) 2013-07-20

Family

ID=42152772

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011122275/28A RU2488152C2 (ru) 2008-11-05 2009-08-19 Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, жидкокристаллическое устройство отображения и телевизионный приемник

Country Status (7)

Country Link
US (1) US8441590B2 (ru)
EP (1) EP2352062A4 (ru)
JP (1) JP5107439B2 (ru)
CN (1) CN102197336A (ru)
BR (1) BRPI0919943A2 (ru)
RU (1) RU2488152C2 (ru)
WO (1) WO2010052962A1 (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
BRPI0917158A2 (pt) * 2008-08-27 2015-11-17 Sharp Kk substrato de matriz ativa, painel de cristal líquido, unidade de exibição de cristal líquido, dispositivo de exibição de cristal líquido, receptor de televisão e método de fabricação de substrato de matriz ativa
KR101240115B1 (ko) * 2008-08-27 2013-03-11 샤프 가부시키가이샤 액티브 매트릭스 기판, 액정 패널, 액정 표시 장치, 액정 표시 유닛, 텔레비전 수상기
US8976209B2 (en) 2009-03-05 2015-03-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method for producing active matrix substrate, liquid crystal panel, method for producing liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, and television receiver
WO2010100790A1 (ja) * 2009-03-05 2010-09-10 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機
CN102998855B (zh) * 2012-11-16 2015-06-17 京东方科技集团股份有限公司 像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器
KR102124025B1 (ko) * 2013-12-23 2020-06-17 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법
CN105242469A (zh) * 2015-11-02 2016-01-13 深圳市华星光电技术有限公司 一种分担电容器、包括该分担电容器的像素及阵列基板
CN109755258B (zh) * 2017-11-08 2021-02-19 元太科技工业股份有限公司 画素阵列基板与显示装置
CN109884828B (zh) * 2019-04-17 2022-01-11 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及移动终端
RU2763690C1 (ru) * 2019-11-15 2021-12-30 Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд. Подложка матрицы и устройство отображения

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5777700A (en) * 1993-07-14 1998-07-07 Nec Corporation Liquid crystal display with improved viewing angle dependence
JP2590693B2 (ja) 1993-07-14 1997-03-12 日本電気株式会社 液晶表示装置
US5953088A (en) * 1997-12-25 1999-09-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Liquid crystal display with shield electrodes arranged to alternately overlap adjacent pixel electrodes
JP2002333870A (ja) * 2000-10-31 2002-11-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置、el表示装置及びその駆動方法、並びに副画素の表示パターン評価方法
FR2826766B1 (fr) * 2001-06-29 2003-10-31 Thales Avionics Lcd Matrice active de transistors en couches minces ou tft pour capteur optique ou ecran de visualisation
KR100961945B1 (ko) * 2003-03-26 2010-06-08 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
KR101112539B1 (ko) * 2004-07-27 2012-02-15 삼성전자주식회사 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판
KR101189266B1 (ko) * 2004-09-24 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
US7675582B2 (en) * 2004-12-03 2010-03-09 Au Optronics Corporation Stacked storage capacitor structure for a thin film transistor liquid crystal display
JP5143362B2 (ja) 2005-02-07 2013-02-13 三星電子株式会社 液晶表示装置
KR20070074130A (ko) * 2006-01-06 2007-07-12 삼성전자주식회사 표시패널
JP2008039982A (ja) * 2006-08-03 2008-02-21 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示素子およびその画素欠陥修復方法
KR101442147B1 (ko) * 2008-01-30 2014-11-03 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
WO2009130826A1 (ja) * 2008-04-25 2009-10-29 シャープ株式会社 液晶表示装置、テレビジョン受像機
WO2010089922A1 (ja) * 2009-02-03 2010-08-12 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機
US8976209B2 (en) * 2009-03-05 2015-03-10 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, method for producing active matrix substrate, liquid crystal panel, method for producing liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, and television receiver
WO2010100790A1 (ja) * 2009-03-05 2010-09-10 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機

Also Published As

Publication number Publication date
EP2352062A1 (en) 2011-08-03
JPWO2010052962A1 (ja) 2012-04-05
EP2352062A4 (en) 2012-05-09
WO2010052962A1 (ja) 2010-05-14
CN102197336A (zh) 2011-09-21
RU2488152C2 (ru) 2013-07-20
JP5107439B2 (ja) 2012-12-26
BRPI0919943A2 (pt) 2016-02-16
US20110211130A1 (en) 2011-09-01
US8441590B2 (en) 2013-05-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011122275A (ru) Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, жидкокристаллическое устройство отображения и телевизионный приемник
RU2469367C1 (ru) Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, жидкокристаллический модуль отображения, жидкокристаллическое устройство отображения, телевизионный приемник и способ изготовления подложки активной матрицы
US20150287741A1 (en) Array substrate, display panel and display apparatus
US9659978B2 (en) Array substrate, method for manufacturing the same, and display device
US9823528B2 (en) Array substrate and liquid crystal display device using same
KR101243114B1 (ko) 수평 전계형 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법
US10168593B2 (en) Liquid crystal display panel having dual capacitors connected in parallel to shift register unit and array substrate thereof
KR102007833B1 (ko) 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판
TW200703660A (en) TFT array panel, liquid crystal display including same, and method of manufacturing TFT array panel
US20150192832A1 (en) Liquid crystal display panel
RU2011122685A (ru) Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, устройство жидкокристаллического дисплея и телевизионный приемник
US9229290B2 (en) Pixel structure, array substrate and display device
RU2010139231A (ru) Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, жидкокристаллическое дисплейное устройство, модуль жидкокристаллического дисплея и телевизионный приемник
TW200943530A (en) Pixel structure of liquid crystal display panel and method of making the same
RU2011111082A (ru) Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, устройство жидкокристаллического дисплея, телевизионный приемник и способ производства подложки активной матрицы
US11086452B2 (en) Pixel array substrate
EP2096488A4 (en) Liquid crystal display screen and liquid crystal display arrangement
US9978880B2 (en) Display device
US10983634B2 (en) Touch array substrate and touch display panel
JP2011221072A5 (ja) 電気光学装置及び電子機器並びにトランジスター
US9536907B2 (en) Thin film semiconductor device
JP2009271103A (ja) 液晶表示装置
WO2009037892A1 (ja) アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機、および、アクティブマトリクス基板の製造方法
RU2468403C1 (ru) Подложка с активной матрицей, способ изготовления подложки с активной матрицей, жидкокристаллическая панель, способ изготовления жидкокристаллической панели, жидкокристаллический дисплей, блок жидкокристаллического дисплея и телевизионный приемник
RU2011124028A (ru) Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, жидкокристаллический дисплейный блок, жидкокристаллическое дисплейное устройство и телевизионный приемник

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150820