RU2011122275A - Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, жидкокристаллическое устройство отображения и телевизионный приемник - Google Patents
Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, жидкокристаллическое устройство отображения и телевизионный приемник Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011122275A RU2011122275A RU2011122275/28A RU2011122275A RU2011122275A RU 2011122275 A RU2011122275 A RU 2011122275A RU 2011122275/28 A RU2011122275/28 A RU 2011122275/28A RU 2011122275 A RU2011122275 A RU 2011122275A RU 2011122275 A RU2011122275 A RU 2011122275A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- electrode
- capacitor electrode
- capacitor
- active matrix
- insulating film
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/134309—Electrodes characterised by their geometrical arrangement
- G02F1/134345—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy
- G02F1/134354—Subdivided pixels, e.g. for grey scale or redundancy the sub-pixels being capacitively coupled
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/40—Arrangements for improving the aperture ratio
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
1. Подложка активной матрицы, содержащая:линию сигнала данных;первую изолирующую пленку;вторую изолирующую пленку;транзистор;первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор;второй электрод пикселя;первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя;ивторой электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя,при этомвторой электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя,второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, ивторой электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.2. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая:линию сигнала развертки, расположенную в том же слое, что и первый электрод конденсатора.3. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой второй электрод конденсатора расположен в том же слое, что и линия сигнала данных.4. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой толщина второй изолирующей пленки не больше толщины первой изолирующей пленки.5. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первая изолирующая пленка является изолирующей пленкой затвора.6. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой вторая изолирующая пленка является межслойной изолирующей пленкой, покрывающей канал транзистора.7. Подложка �
Claims (31)
1. Подложка активной матрицы, содержащая:
линию сигнала данных;
первую изолирующую пленку;
вторую изолирующую пленку;
транзистор;
первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор;
второй электрод пикселя;
первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя;и
второй электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя,
при этом
второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя,
второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и
второй электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.
2. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая:
линию сигнала развертки, расположенную в том же слое, что и первый электрод конденсатора.
3. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой второй электрод конденсатора расположен в том же слое, что и линия сигнала данных.
4. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой толщина второй изолирующей пленки не больше толщины первой изолирующей пленки.
5. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первая изолирующая пленка является изолирующей пленкой затвора.
6. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой вторая изолирующая пленка является межслойной изолирующей пленкой, покрывающей канал транзистора.
7. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края первого электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев второго электрода конденсатора.
8. Подложка активной матрицы по п.1 или 2, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края второго электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев первого электрода конденсатора.
9. Подложка активной матрицы по п.1, дополнительно содержащая провод накопительного конденсатора, расположенный так, что его перекрывает первый электрод пикселя и второй электрод пикселя.
10. Подложка активной матрицы по п.1, в которой второй электрод пикселя и первый электрод конденсатора соединены через сквозное контактное отверстие в первой изолирующей пленке и второй изолирующей пленке.
11. Подложка активной матрицы по п.1, в которой транзистор содержит проводящий электрод, которым транзистор соединен с первым электродом пикселя через контактное отверстие, при этом первый электрод пикселя соединен со вторым электродом конденсатора через контактное отверстие, отличное от контактного отверстия, соединяющего проводящий электрод транзистора с первым электродом пикселя.
12. Подложка активной матрицы, содержащая:
линию сигнала данных;
первую изолирующую пленку;
вторую изолирующую пленку;
транзистор;
первый электрод пикселя, соединенный с линией сигнала данных через транзистор;
второй электрод пикселя;
первый электрод конденсатора, электрически соединенный с первым электродом пикселя; и
второй электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электродом пикселя,
при этом
второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и первым электродом пикселя,
второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и
первый электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и первым электродом пикселя.
13. Подложка активной матрицы по п.12, в которой первый электрод пикселя и первый электрод конденсатора соединены через сквозное контактное отверстие в первой изолирующей пленке и второй изолирующей пленке.
14. Подложка активной матрицы по п.12, дополнительно содержащая вытянутый электрод стока, отходящий от проводящего электрода транзистора, при этом вытянутый электрод стока соединен с первым электродом конденсатора и первым электродом пикселя через одно сквозное контактное отверстие в первой изолирующей пленке и второй изолирующей пленке.
15. Подложка активной матрицы по п.14, в которой вытянутый электрод стока содержит сквозной участок или участок с прорезью, перекрывающий проем контактного отверстия и первый электрод конденсатора.
16. Подложка активной матрицы по п.12, дополнительно содержащая:
линию сигнала развертки, расположенную в том же слое, что и первый электрод конденсатора.
17. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой второй электрод конденсатора расположен в том же слое, что и линия сигнала данных.
18. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой толщина второй изолирующей пленки не больше толщины первой изолирующей пленки.
19. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой первая изолирующая пленка является изолирующей пленкой затвора.
20. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой вторая изолирующая пленка является межслойной изолирующей пленкой, покрывающей канал транзистора.
21. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края первого электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев второго электрода конденсатора.
22. Подложка активной матрицы по п.12 или 16, в которой первый электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и второй электрод конденсатора имеет два края, параллельных друг другу, и на виде сверху подложки активной матрицы оба края второго электрода конденсатора расположены с внутренней стороны соответствующих краев первого электрода конденсатора.
23. Подложка активной матрицы по п.12, дополнительно содержащая провод накопительного конденсатора, расположенный так, что его перекрывает первый электрод пикселя и второй электрод пикселя.
24. Подложка активной матрицы, содержащая:
первую изолирующую пленку;
вторую изолирующую пленку;
транзистор;
первый электрод пикселя, электрически соединенный с транзистором;
второй электрод пикселя;
первый электрод конденсатора, электрически соединенный со вторым электрод пикселя; и
второй электрод конденсатора, электрически соединенный с транзистором,
при этом
второй электрод конденсатора находится в слое, расположенном между первым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя;
второй электрод конденсатора перекрывает первый электрод конденсатора через первую изолирующую пленку с формированием конденсатора между первым электродом конденсатора и вторым электродом конденсатора, и
второй электрод пикселя перекрывает второй электрод конденсатора через вторую изолирующую пленку с формированием другого конденсатора между вторым электродом конденсатора и вторым электродом пикселя.
25. Подложка активной матрицы по п.24, дополнительно содержащая:
третий электрод конденсатора, соединенный со вторым электродом конденсатора и расположенный в том же слое, что и второй электрод конденсатора; и
провод накопительного конденсатора для формирования конденсатора с третьим электродом конденсатора.
26. Жидкокристаллическая панель, содержащая подложку активной матрицы по любому из пп.1-25.
27. Жидкокристаллическая панель, содержащая:
подложку активной матрицы по любому из пп.1-25 и
противоподложку, имеющую линейный выступ для управления выравниванием, расположенный так, что по меньшей мере часть первого электрода конденсатора расположена под линейным выступом.
28. Жидкокристаллическая панель, содержащая:
подложку активной матрицы по любому из пп.1-25; и
противоподложку, включающую в себя общий электрод, содержащий прорезь для управления выравниванием, расположенную так, что по меньшей мере часть первого электрода конденсатора расположена под прорезью.
29. Модуль жидкокристаллического дисплея, содержащий:
жидкокристаллическую панель по любому из пп.26-28; и
модуль возбуждения.
30. Жидкокристаллическое устройство отображения, содержащее:
модуль жидкокристаллического дисплея по п.29; и
модуль источника света.
31. Телевизионный приемник, содержащий:
жидкокристаллическое устройство отображения по п.30 и
блок тюнера, выполненный с возможностью приема телевизионной широковещательной передачи.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008-284804 | 2008-11-05 | ||
JP2008284804 | 2008-11-05 | ||
PCT/JP2009/064488 WO2010052962A1 (ja) | 2008-11-05 | 2009-08-19 | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011122275A true RU2011122275A (ru) | 2012-12-10 |
RU2488152C2 RU2488152C2 (ru) | 2013-07-20 |
Family
ID=42152772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011122275/28A RU2488152C2 (ru) | 2008-11-05 | 2009-08-19 | Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, жидкокристаллическое устройство отображения и телевизионный приемник |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8441590B2 (ru) |
EP (1) | EP2352062A4 (ru) |
JP (1) | JP5107439B2 (ru) |
CN (1) | CN102197336A (ru) |
BR (1) | BRPI0919943A2 (ru) |
RU (1) | RU2488152C2 (ru) |
WO (1) | WO2010052962A1 (ru) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BRPI0917158A2 (pt) * | 2008-08-27 | 2015-11-17 | Sharp Kk | substrato de matriz ativa, painel de cristal líquido, unidade de exibição de cristal líquido, dispositivo de exibição de cristal líquido, receptor de televisão e método de fabricação de substrato de matriz ativa |
KR101240115B1 (ko) * | 2008-08-27 | 2013-03-11 | 샤프 가부시키가이샤 | 액티브 매트릭스 기판, 액정 패널, 액정 표시 장치, 액정 표시 유닛, 텔레비전 수상기 |
US8976209B2 (en) | 2009-03-05 | 2015-03-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, method for producing active matrix substrate, liquid crystal panel, method for producing liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, and television receiver |
WO2010100790A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
CN102998855B (zh) * | 2012-11-16 | 2015-06-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素单元、薄膜晶体管阵列基板及液晶显示器 |
KR102124025B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2020-06-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
CN105242469A (zh) * | 2015-11-02 | 2016-01-13 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种分担电容器、包括该分担电容器的像素及阵列基板 |
CN109755258B (zh) * | 2017-11-08 | 2021-02-19 | 元太科技工业股份有限公司 | 画素阵列基板与显示装置 |
CN109884828B (zh) * | 2019-04-17 | 2022-01-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及移动终端 |
RU2763690C1 (ru) * | 2019-11-15 | 2021-12-30 | Боэ Текнолоджи Груп Ко., Лтд. | Подложка матрицы и устройство отображения |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5777700A (en) * | 1993-07-14 | 1998-07-07 | Nec Corporation | Liquid crystal display with improved viewing angle dependence |
JP2590693B2 (ja) | 1993-07-14 | 1997-03-12 | 日本電気株式会社 | 液晶表示装置 |
US5953088A (en) * | 1997-12-25 | 1999-09-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display with shield electrodes arranged to alternately overlap adjacent pixel electrodes |
JP2002333870A (ja) * | 2000-10-31 | 2002-11-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置、el表示装置及びその駆動方法、並びに副画素の表示パターン評価方法 |
FR2826766B1 (fr) * | 2001-06-29 | 2003-10-31 | Thales Avionics Lcd | Matrice active de transistors en couches minces ou tft pour capteur optique ou ecran de visualisation |
KR100961945B1 (ko) * | 2003-03-26 | 2010-06-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판 |
KR101112539B1 (ko) * | 2004-07-27 | 2012-02-15 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판 |
KR101189266B1 (ko) * | 2004-09-24 | 2012-10-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
US7675582B2 (en) * | 2004-12-03 | 2010-03-09 | Au Optronics Corporation | Stacked storage capacitor structure for a thin film transistor liquid crystal display |
JP5143362B2 (ja) | 2005-02-07 | 2013-02-13 | 三星電子株式会社 | 液晶表示装置 |
KR20070074130A (ko) * | 2006-01-06 | 2007-07-12 | 삼성전자주식회사 | 표시패널 |
JP2008039982A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示素子およびその画素欠陥修復方法 |
KR101442147B1 (ko) * | 2008-01-30 | 2014-11-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
WO2009130826A1 (ja) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置、テレビジョン受像機 |
WO2010089922A1 (ja) * | 2009-02-03 | 2010-08-12 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
US8976209B2 (en) * | 2009-03-05 | 2015-03-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate, method for producing active matrix substrate, liquid crystal panel, method for producing liquid crystal panel, liquid crystal display device, liquid crystal display unit, and television receiver |
WO2010100790A1 (ja) * | 2009-03-05 | 2010-09-10 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、アクティブマトリクス基板の製造方法、液晶パネル、液晶パネルの製造方法、液晶表示装置、液晶表示ユニット、テレビジョン受像機 |
-
2009
- 2009-08-19 EP EP09824662A patent/EP2352062A4/en not_active Withdrawn
- 2009-08-19 WO PCT/JP2009/064488 patent/WO2010052962A1/ja active Application Filing
- 2009-08-19 US US13/126,571 patent/US8441590B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-19 CN CN2009801431083A patent/CN102197336A/zh active Pending
- 2009-08-19 BR BRPI0919943A patent/BRPI0919943A2/pt not_active IP Right Cessation
- 2009-08-19 JP JP2010536717A patent/JP5107439B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-08-19 RU RU2011122275/28A patent/RU2488152C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2352062A1 (en) | 2011-08-03 |
JPWO2010052962A1 (ja) | 2012-04-05 |
EP2352062A4 (en) | 2012-05-09 |
WO2010052962A1 (ja) | 2010-05-14 |
CN102197336A (zh) | 2011-09-21 |
RU2488152C2 (ru) | 2013-07-20 |
JP5107439B2 (ja) | 2012-12-26 |
BRPI0919943A2 (pt) | 2016-02-16 |
US20110211130A1 (en) | 2011-09-01 |
US8441590B2 (en) | 2013-05-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2011122275A (ru) | Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, жидкокристаллическое устройство отображения и телевизионный приемник | |
RU2469367C1 (ru) | Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, жидкокристаллический модуль отображения, жидкокристаллическое устройство отображения, телевизионный приемник и способ изготовления подложки активной матрицы | |
US20150287741A1 (en) | Array substrate, display panel and display apparatus | |
US9659978B2 (en) | Array substrate, method for manufacturing the same, and display device | |
US9823528B2 (en) | Array substrate and liquid crystal display device using same | |
KR101243114B1 (ko) | 수평 전계형 액정 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 | |
US10168593B2 (en) | Liquid crystal display panel having dual capacitors connected in parallel to shift register unit and array substrate thereof | |
KR102007833B1 (ko) | 프린지 필드 스위칭 모드 액정표시장치용 어레이 기판 | |
TW200703660A (en) | TFT array panel, liquid crystal display including same, and method of manufacturing TFT array panel | |
US20150192832A1 (en) | Liquid crystal display panel | |
RU2011122685A (ru) | Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, устройство жидкокристаллического дисплея и телевизионный приемник | |
US9229290B2 (en) | Pixel structure, array substrate and display device | |
RU2010139231A (ru) | Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, жидкокристаллическое дисплейное устройство, модуль жидкокристаллического дисплея и телевизионный приемник | |
TW200943530A (en) | Pixel structure of liquid crystal display panel and method of making the same | |
RU2011111082A (ru) | Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, модуль жидкокристаллического дисплея, устройство жидкокристаллического дисплея, телевизионный приемник и способ производства подложки активной матрицы | |
US11086452B2 (en) | Pixel array substrate | |
EP2096488A4 (en) | Liquid crystal display screen and liquid crystal display arrangement | |
US9978880B2 (en) | Display device | |
US10983634B2 (en) | Touch array substrate and touch display panel | |
JP2011221072A5 (ja) | 電気光学装置及び電子機器並びにトランジスター | |
US9536907B2 (en) | Thin film semiconductor device | |
JP2009271103A (ja) | 液晶表示装置 | |
WO2009037892A1 (ja) | アクティブマトリクス基板、液晶パネル、液晶表示ユニット、液晶表示装置、テレビジョン受像機、および、アクティブマトリクス基板の製造方法 | |
RU2468403C1 (ru) | Подложка с активной матрицей, способ изготовления подложки с активной матрицей, жидкокристаллическая панель, способ изготовления жидкокристаллической панели, жидкокристаллический дисплей, блок жидкокристаллического дисплея и телевизионный приемник | |
RU2011124028A (ru) | Подложка активной матрицы, жидкокристаллическая панель, жидкокристаллический дисплейный блок, жидкокристаллическое дисплейное устройство и телевизионный приемник |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20150820 |