RU2011105239A - Способ рафинирования металлургического кремния - Google Patents
Способ рафинирования металлургического кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2011105239A RU2011105239A RU2011105239/05A RU2011105239A RU2011105239A RU 2011105239 A RU2011105239 A RU 2011105239A RU 2011105239/05 A RU2011105239/05 A RU 2011105239/05A RU 2011105239 A RU2011105239 A RU 2011105239A RU 2011105239 A RU2011105239 A RU 2011105239A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- silicon
- melt
- temperature
- crucible
- water vapor
- Prior art date
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Способ, включающий разогрев в тигле неочищенного кремния до получения расплава и обработку расплава плазменным факелом, содержащим инертный газ, восстановительный газ и пары воды, отличающийся тем, что обработку кремния производят с помощью струи плазмы аргона с примесью паров воды, направленной вертикально снизу вверх через отверстие в дне кварцевого тигля в вакууме, предварительный нагрев кремния до температуры 1400°С производят с помощью индукционного нагревателя и графитового цилиндра, температуру стенки графитового цилиндра контролируют с помощью оптического пирометра, охлаждение и направленную кристаллизацию кремния в направлении от стенок тигля к центру воронки в расплаве производят посредством постепенного уменьшения температуры струи плазмы, далее отключают индукционный нагреватель и, после полного охлаждения, извлекают слиток, от которого отрезают нижнюю часть с гарнисажным слоем, оставшуюся часть подвергают размолу.
Claims (1)
- Способ, включающий разогрев в тигле неочищенного кремния до получения расплава и обработку расплава плазменным факелом, содержащим инертный газ, восстановительный газ и пары воды, отличающийся тем, что обработку кремния производят с помощью струи плазмы аргона с примесью паров воды, направленной вертикально снизу вверх через отверстие в дне кварцевого тигля в вакууме, предварительный нагрев кремния до температуры 1400°С производят с помощью индукционного нагревателя и графитового цилиндра, температуру стенки графитового цилиндра контролируют с помощью оптического пирометра, охлаждение и направленную кристаллизацию кремния в направлении от стенок тигля к центру воронки в расплаве производят посредством постепенного уменьшения температуры струи плазмы, далее отключают индукционный нагреватель и, после полного охлаждения, извлекают слиток, от которого отрезают нижнюю часть с гарнисажным слоем, оставшуюся часть подвергают размолу.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011105239/05A RU2465200C1 (ru) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | Способ рафинирования металлургического кремния |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2011105239/05A RU2465200C1 (ru) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | Способ рафинирования металлургического кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2011105239A true RU2011105239A (ru) | 2012-08-20 |
| RU2465200C1 RU2465200C1 (ru) | 2012-10-27 |
Family
ID=46936260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2011105239/05A RU2465200C1 (ru) | 2011-02-14 | 2011-02-14 | Способ рафинирования металлургического кремния |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2465200C1 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2588627C1 (ru) * | 2015-03-30 | 2016-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" | Способ рафинирования металлургического кремния |
| RU2693172C1 (ru) * | 2018-10-09 | 2019-07-01 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" ФГБОУ ВО "РГРТУ" | Способ очистки металлургического кремния от примесей |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA2232777C (en) * | 1997-03-24 | 2001-05-15 | Hiroyuki Baba | Method for producing silicon for use in solar cells |
| RU2159213C2 (ru) * | 1999-02-25 | 2000-11-20 | Абдюханов Мансур Абдрахманович | Способ очистки кремния и устройство для его осуществления |
| CN101070159A (zh) * | 2007-05-24 | 2007-11-14 | 成都晶硅科技有限公司 | 一种去除金属硅中p、b杂质的新方法 |
| RU2381990C1 (ru) * | 2008-09-15 | 2010-02-20 | Анатолий Александрович Кравцов | Способ вакуумной очистки кремния |
| RU2403299C1 (ru) * | 2009-03-20 | 2010-11-10 | Анатолий Александрович Кравцов | Способ вакуумной очистки кремния и устройство для его осуществления (варианты) |
-
2011
- 2011-02-14 RU RU2011105239/05A patent/RU2465200C1/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2465200C1 (ru) | 2012-10-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2014190165A3 (en) | Methods for producing low oxygen silicon ingots | |
| SG166718A1 (en) | A method and an apparatus for growing a silicon single crystal from a melt | |
| JP2013519619A5 (ru) | ||
| WO2010065401A3 (en) | Purification of silicon by electric induction melting and directional partial cooling of the melt | |
| WO2011100578A3 (en) | Apparatus and method for purifying metallurgical silicon for solar cells | |
| JP2014527577A (ja) | 方向性凝固により高純度アルミニウムを準備する方法及びそのための溶鉱炉 | |
| WO2010024541A3 (ko) | 잉곳 제조 장치 및 제조 방법 | |
| CN105478690B (zh) | 用于上引法结晶器的石墨模具 | |
| RU2017115945A (ru) | Монокристаллический материал интерметаллического соединения титана и алюминия и методы его получения | |
| RU2011105239A (ru) | Способ рафинирования металлургического кремния | |
| MY170263A (en) | Weir for improved crystal growth in a continuous czochralski process | |
| JP2011520760A5 (ru) | ||
| JP6015397B2 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法及びその製造装置 | |
| WO2012108618A3 (ko) | 마이크로 웨이브를 이용한 단결정 성장장치 및 그 성장방법 | |
| CA2845068A1 (en) | Method of fabrication of a crystalline material by directional solidification provided with an additional lateral heat source | |
| RU2010146688A (ru) | Способ рафинирования металлургического кремния плазмой сухого аргона с инжекцией воды на поверхность расплава с последующей направленной кристаллизацией | |
| JP2016056026A (ja) | シリコン単結晶製造方法及びシリコン単結晶 | |
| JP2010269992A (ja) | 金属シリコンの精製方法及びその精製装置｛Ｍｅｔｈｏｄａｎｄａｐｐａｒａｔｕｓｆｏｒｒｅｆｉｎｉｎｇｓｉｌｉｃｏｎ｝ | |
| RU2465201C1 (ru) | Способ получения слитков поликристаллического кремния | |
| JP2007308355A (ja) | 炭化ケイ素単結晶の製造装置及びその製造方法 | |
| RU2016105398A (ru) | Устройство и способ для последовательной плавки и рафинирования непрерывным методом | |
| RU2565198C1 (ru) | Способ очистки технического кремния | |
| WO2013032703A3 (en) | Purification of a metalloid by consumable electrode vacuum arc remelt process | |
| RU2012126092A (ru) | Способ модифицирования и устройство | |
| MD402Z (ru) | Способ быстрого выращивания монокристалла висмута |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130215 |
|
| NF4A | Reinstatement of patent |
Effective date: 20150910 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180215 |