RU2010148419A

RU2010148419A - Конфигурация смещенного верхнего пиксельного электрода

Info

Publication number: RU2010148419A
Application number: RU2010148419/28A
Authority: RU
Inventors: ВЕРНЕ Тим ФОН (GB); ВЕРНЕ Тим ФОН; Киран РЕЙНОЛДС (GB); Киран РЕЙНОЛДС; Боон Хеан ПУИ (GB); Боон Хеан ПУИ
Original assignee: Плэстик Лоджик Лимитед (Gb); Плэстик Лоджик Лимитед
Priority date: 2008-04-29
Filing date: 2009-04-27
Publication date: 2012-06-10
Also published as: EP2294619A1; RU2499326C2; WO2009133388A1; US8546807B2; GB0901970D0; EP2294619B1; GB0807767D0; JP2011519072A; JP5478608B2; US20110101361A1

Abstract

1. Многослойная электронная структура, содержащая: подложку, несущую по меньшей мере три проводящих слоя, причем смежные из упомянутых проводящих слоев разделены диэлектрическим слоем, первый из упомянутых проводящих слоев образует электроды стока и истока тонкопленочного транзистора (TFT) для управления пикселем оптоэлектронного прибора с активной матрицей, промежуточный второй из упомянутых проводящих слоев образует электрод затвора упомянутого транзистора и первую обкладку конденсатора для хранения заряда с целью поддержания электрического состояния упомянутого пикселя активной матрицы, а третий из упомянутых проводящих слоев образует вторую обкладку упомянутого конденсатора, при этом упомянутая вторая обкладка помещена в плане так, что она смещена в вертикальном направлении от упомянутого электрода затвора, и так, что она перекрывается в вертикальном направлении с упомянутой первой обкладкой и по меньшей мере электродом затвора другого тонкопленочного транзистора для управления соседним пикселем оптоэлектронного прибора с активной матрицей. ! 2. Многослойная электронная структура по п.1, дополнительно содержащая сквозное соединение между упомянутой второй обкладкой и контактной площадкой стока, связанной с упомянутым стоком, причем упомянутое сквозное соединение соединено практически по центру с поверхностью упомянутой контактной площадки стока. ! 3. Многослойная электронная структура по п.2, при этом упомянутое сквозное соединение расположено в плане так, чтобы проходить через упомянутую первую обкладку в вертикальном направлении. ! 4. Многослойная электронная структура по любому из пр�

Claims

1. Многослойная электронная структура, содержащая: подложку, несущую по меньшей мере три проводящих слоя, причем смежные из упомянутых проводящих слоев разделены диэлектрическим слоем, первый из упомянутых проводящих слоев образует электроды стока и истока тонкопленочного транзистора (TFT) для управления пикселем оптоэлектронного прибора с активной матрицей, промежуточный второй из упомянутых проводящих слоев образует электрод затвора упомянутого транзистора и первую обкладку конденсатора для хранения заряда с целью поддержания электрического состояния упомянутого пикселя активной матрицы, а третий из упомянутых проводящих слоев образует вторую обкладку упомянутого конденсатора, при этом упомянутая вторая обкладка помещена в плане так, что она смещена в вертикальном направлении от упомянутого электрода затвора, и так, что она перекрывается в вертикальном направлении с упомянутой первой обкладкой и по меньшей мере электродом затвора другого тонкопленочного транзистора для управления соседним пикселем оптоэлектронного прибора с активной матрицей.

2. Многослойная электронная структура по п.1, дополнительно содержащая сквозное соединение между упомянутой второй обкладкой и контактной площадкой стока, связанной с упомянутым стоком, причем упомянутое сквозное соединение соединено практически по центру с поверхностью упомянутой контактной площадки стока.

3. Многослойная электронная структура по п.2, при этом упомянутое сквозное соединение расположено в плане так, чтобы проходить через упомянутую первую обкладку в вертикальном направлении.

4. Многослойная электронная структура по любому из предшествующих пунктов, при этом между упомянутыми первым и вторым проводящими слоями предусмотрено множество диэлектрических слоев.

5. Многослойная электронная структура по п.4, при этом более близкий из множества диэлектрических слоев к активной области упомянутого тонкопленочного транзистора для управления пикселем обладает более низкой диэлектрической постоянной, чем более дальний из множества диэлектрических слоев.

6. Многослойная электронная структура по п.1, при этом упомянутый тонкопленочный транзистор содержит органический полупроводниковый материал.

7. Многослойная электронная структура по п.6, при этом электронная структура адаптирована к осаждению из раствора.

8. Многослойная электронная структура по п.1, при этом упомянутая подложка содержит гибкую подложку.

9. Структура управления пикселем для дисплея с активной матрицей, включающая в себя многослойную электронную структуру по любому из предшествующих пунктов, при этом упомянутая вторая обкладка упомянутого конденсатора содержит пиксельный управляющий электрод для управления пикселем упомянутого дисплея.

10. Структура управления пикселем по п.9, при этом упомянутая первая обкладка упомянутого конденсатора присоединена к шине опорного напряжения или межсоединению упомянутой структуры управления пикселем.

11. Дисплей с активной матрицей, содержащий множество линий структур управления пикселем по п.9 или 10 и множество шин истока, расположенных практически параллельно и чередующихся с упомянутыми линиями структур управления пикселем, при этом упомянутый соседний пиксель является соседом в одной и той же из упомянутых линий структур управления пикселем.

12. Дисплей с активной матрицей по п.11, при этом вторые обкладки каждой линии структур управления пикселем позиционированы так, что они плоскостно перекрываются с соответствующей смежной из шин истока.

13. Способ изготовления многослойной электронной структуры на подложке, включающий в себя:

нанесение и формирование рисунка первого проводящего слоя поверх упомянутой подложки с образованием электродов истока и стока тонкопленочного транзистора для управления пикселем оптоэлектронного прибора с активной матрицей;

нанесение органического полупроводящего слоя поверх упомянутого первого проводящего слоя;

нанесение первого диэлектрического слоя поверх упомянутого органического полупроводящего слоя;

нанесение и формирование рисунка первой части второго проводящего слоя поверх упомянутого первого диэлектрического слоя с образованием электрода затвора упомянутого тонкопленочного транзистора;

нанесение и формирование рисунка второй части упомянутого второго проводящего слоя практически копланарно с упомянутой первой частью с образованием первой обкладки конденсатора для хранения заряда с целью поддержания электрического состояния упомянутого пикселя активной матрицы;

нанесение второго диэлектрического слоя поверх упомянутого второго проводящего слоя;

нанесение и формирование рисунка третьего проводящего слоя поверх упомянутого второго диэлектрического слоя с образованием второй обкладки упомянутого конденсатора;

при этом упомянутую вторую обкладку размещают в плане так, что она смещена в вертикальном направлении от упомянутого электрода затвора, и так, что она перекрывается в вертикальном направлении с упомянутой первой обкладкой и по меньшей мере электродом затвора другого тонкопленочного транзистора для управления соседним пикселем оптоэлектронного прибора с активной матрицей.

14. Способ изготовления многослойной полупроводниковой структуры по п.13, при этом упомянутые нанесение и формирование рисунка первого проводящего слоя поверх упомянутой подложки дополнительно образует контактную площадку стока, связанную с упомянутым стоком.

15. Способ изготовления многослойной электронной структуры по п.14, при этом, перед нанесением и формированием рисунка упомянутого третьего проводящего слоя, способ дополнительно включает в себя формирование сквозного соединения с упомянутой контактной площадкой стока, и при этом упомянутое сквозное соединение формируют так, что оно соединяется практически по центру с верхней поверхностью упомянутой контактной площадки стока.

16. Способ изготовления многослойной электронной структуры по п.13, при этом между упомянутыми органическим полупроводящим слоем и вторым проводящим слоем наносят множество диэлектрических слоев.

17. Способ изготовления многослойной электронной структуры по п.13, при этом между упомянутыми вторым и третьим проводящими слоями наносят множество диэлектрических слоев.

18. Способ изготовления многослойной электронной структуры по п.16 или 17, при этом относительно упомянутого органического полупроводящего слоя, более близкий из множества диэлектрических слоев обладает более низкой диэлектрической постоянной, чем более дальний из множества диэлектрических слоев.

19. Способ изготовления многослойной электронной структуры по п.13, при этом по меньшей мере некоторые из упомянутых этапов нанесения и формирования рисунка используют технологию обработки раствором.

20. Способ изготовления дисплея с активной матрицей, включающий в себя изготовление структуры для практически каждого из множества пикселей упомянутого дисплея согласно способу по любому из пп.13-19.