JP5478608B2 - オフセット上部画素電極構成 - Google Patents
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- 多層電子構造であって、
少なくとも3層の導電層を支持する基板であり、前記導電層がそれぞれ誘電層によって隣接層から分離される、前記基板と、
前記導電層のうちの第1の層であり、アクティブマトリクス光電子素子の画素を駆動するための薄膜トランジスタ(TFT)のドレイン電極およびソース電極を画定する前記第1の層と、
前記導電層のうちの中間の第2の層であり、前記トランジスタのゲート電極と、前記アクティブマトリクス画素の電気的状態を維持するために電荷を蓄積するコンデンサの第1のプレートとを画定する前記第2の層と、
前記導電層のうちの第3の層であり、前記コンデンサの第2のプレートとしての画素電極を画定する前記第3の層とを備え、
前記画素電極は、前記ゲート電極に対して垂直方向にオフセットされて、前記ゲート電極に重ならないように、かつ、前記第1のプレートと、アクティブマトリクス光電子素子の隣接画素を駆動するための薄膜トランジスタの少なくとも隣接のゲート電極とに垂直方向に重なるように、水平方向に配置されることを特徴とする多層電子構造。 - 前記第2のプレートと、前記ドレインに結合されたドレインパッドとの間にビアを有し、前記ビアは前記ドレインパッドの表面のほぼ中央に接続されることを特徴とする請求項1に記載の電子構造。
- 前記ビアは、前記第1のプレートを垂直方向に通るように水平方向に配置されることを特徴とする請求項2に記載の電子構造。
- 前記第1および第2の導電層の間に複数の誘電層が設けられることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項に記載の多層電子構造。
- 前記複数の誘電層のうち、画素を駆動する前記薄膜トランジスタの活性領域に近い誘電層は、複数の誘電層のうちの遠い誘電層よりも誘電率が低いことを特徴とする請求項4に記載の多層電子構造。
- 前記薄膜トランジスタは有機半導体材料からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の電子構造。
- 前記電子構造は溶液成膜に適合されることを特徴とする請求項6に記載の電子構造。
- 前記基板はフレキシブル基板からなることを特徴とする請求項1〜7のいずれか一項に記載の電子構造。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の多層電子構造を備えるアクティブマトリクス表示装置の画素駆動構造であって、前記コンデンサの前記第2のプレートは、前記表示装置の画素を駆動する画素駆動電極を有することを特徴とする画素駆動構造。
- 前記コンデンサの前記第1のプレートは、前記画素駆動構造の基準電位線または接続部に接続されることを特徴とする請求項9に記載の画素駆動構造。
- 複数ラインの、請求項9または10に記載の画素駆動構造と、前記複数ラインの画素駆動構造に対してほぼ平行かつ交互に配置される複数のソース線とを備え、前記隣接画素は、前記複数ラインの画素駆動構造のうちの同一ラインにおける隣接画素であることを特徴とするアクティブマトリクス表示装置。
- 各ラインの画素駆動構造における第2のプレートは、ソース線のうち対応する隣接ソース線に対して平面上に重なるように配置されることを特徴とする請求項9〜11のいずれか一項に記載のアクティブマトリクス表示装置。
- 基板上の多層電子構造の製造方法であって、
前記基板上に第1の導電層を成膜パターニングして、アクティブマトリクス光電子表示装置の画素を駆動する薄膜トランジスタのソース電極およびドレイン電極を画定し、
前記第1の導電層の上に有機半導体層を成膜し、
前記有機半導体層の上に第1の誘電層を成膜し、
前記第1の誘電層の上に第2の導電層の第1の部分を成膜パターニングして、前記薄膜トランジスタのゲート電極を画定し、
前記第1の部分とほぼ同一平面上に前記第2の導電層の第2の部分を成膜パターニングして、前記アクティブマトリクス画素の電気的状態を維持するために電荷を蓄積するコンデンサの第1のプレートを画定し、
前記第2導電層の上に第2の誘電層を成膜し、
前記第2の誘電層の上に第3の導電層を成膜パターニングして、前記コンデンサの第2のプレートとしての画素電極を画定し、
前記画素電極は、前記ゲート電極に対して垂直方向にオフセットされて、前記ゲート電極に重ならないように、かつ、前記第1のプレートと、アクティブマトリクス光電子素子の隣接画素を駆動するための薄膜トランジスタの少なくとも隣接のゲート電極とに垂直方向に重なるように、水平方向に配置されることを特徴とする多層電子構造の製造方法。 - 前記基板上への前記第1の導電層の成膜パターニングは、さらに、前記ドレインに結合されたドレインパッドを画定することを特徴とする請求項13に記載の多層電子構造の製造方法。
- 前記第3の導電層を成膜パターニングする前に前記ドレインパッドにビアを形成し、前記ビアは、前記ドレインパッドの上面のほぼ中央に接続するように形成されることを特徴とする請求項14に記載の多層電子構造の製造方法。
- 前記有機半導体層と第2の導電層との間に複数の誘電層が成膜されることを特徴とする請求項13〜15のいずれか一項に記載の多層電子構造の製造方法。
- 前記第2および第3の導電層の間に複数の誘電層が成膜されることを特徴とする請求項13〜16のいずれか一項に記載の多層電子構造の製造方法。
- 前記複数の誘電層のうち、前記有機半導体層に近い層は、前記誘電層のうちの遠い層よりも誘電率が低いことを特徴とする請求項16または17に記載の多層電子構造の製造方法。
- 前記成膜パターニングのうち少なくともいくつかのステップは、溶液処理法を用いることを特徴とする請求項13〜18のいずれか一項に記載の多層電子構造の製造方法。
- 複数画素を含むアクティブマトリクス表示装置の製造方法であって、
前記表示装置の前記複数画素のそれぞれについて、前記請求項13〜19のいずれか一項の方法により、多層電子構造を製造することを含むことを特徴とする、複数画素を含むアクティブマトリクス表示装置の製造方法。
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