RU2010109438A - Форма для гальванопластики и способ ее изготовления - Google Patents

Форма для гальванопластики и способ ее изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2010109438A
RU2010109438A RU2010109438/02A RU2010109438A RU2010109438A RU 2010109438 A RU2010109438 A RU 2010109438A RU 2010109438/02 A RU2010109438/02 A RU 2010109438/02A RU 2010109438 A RU2010109438 A RU 2010109438A RU 2010109438 A RU2010109438 A RU 2010109438A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
specified
cavity
layer
lower layer
substrate
Prior art date
Application number
RU2010109438/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2526108C2 (ru
Inventor
Пьер КЮЗЕН (CH)
Пьер КЮЗЕН
Клэр ГОЛЬФЬЕ (CH)
Клэр ГОЛЬФЬЕ
Жан-Филипп ТЬЕБО (CH)
Жан-Филипп ТЬЕБО
Original Assignee
Ниварокс-Фар С.A. (Ch)
Ниварокс-Фар С.A.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ниварокс-Фар С.A. (Ch), Ниварокс-Фар С.A. filed Critical Ниварокс-Фар С.A. (Ch)
Publication of RU2010109438A publication Critical patent/RU2010109438A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2526108C2 publication Critical patent/RU2526108C2/ru

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D1/00Electroforming
    • C25D1/10Moulds; Masks; Masterforms
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81CPROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • B81C99/0075Manufacture of substrate-free structures
    • B81C99/009Manufacturing the stamps or the moulds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/03Microengines and actuators
    • B81B2201/035Microgears

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)

Abstract

1. Способ (3) изготовления формы (39, 39', 39''), включающий следующие этапы: ! a) обеспечение (10) подложки (9, 9'), которая имеет верхний слой (21, 21') и нижний слой (23, 23'), которые изготавливаются из электропроводящего материала на основе кремния и скрепляются друг с другом через электроизолирующий промежуточный слой (22, 22'); ! b) травление (11, 12, 14, 2, 4) в верхнем слое (21, 21') до промежуточного слоя (22, 22') по меньшей мере одного шаблона (26, 26', 27) с тем, чтобы образовать в указанной форме по меньшей мере одну полость (25, 25'); ! c) нанесение (6, 16) на верхнюю часть указанной подложки электроизолирующего покрытия (30, 30'); ! d) направленное травление (8, 18) указанного покрытия и указанного промежуточного слоя с тем, чтобы ограничить их наличие исключительно на вертикальных стенках (31, 31', 33), образующихся в указанном верхнем слое. ! 2. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что на этапе b) выполняется травление по второму шаблону (27) для получения по меньшей мере одной выемки (28), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие на указанном верхнем слое второго уровня. ! 3. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что после этапа d) устанавливается часть (27') для получения по меньшей мере одной выемки (28'), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие в указанной форме второго уровня. ! 4. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что он включает следующий завершающий этап: ! e) получение (8, 18) с помощью фотолитографии в указанной по меньшей мере одной полости стержня (29, 29') для образования в будущей изготавливаемой в указанной форме детали (41, 41') отверстия (42, 42'). ! 5. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что после пред

Claims (18)

1. Способ (3) изготовления формы (39, 39', 39''), включающий следующие этапы:
a) обеспечение (10) подложки (9, 9'), которая имеет верхний слой (21, 21') и нижний слой (23, 23'), которые изготавливаются из электропроводящего материала на основе кремния и скрепляются друг с другом через электроизолирующий промежуточный слой (22, 22');
b) травление (11, 12, 14, 2, 4) в верхнем слое (21, 21') до промежуточного слоя (22, 22') по меньшей мере одного шаблона (26, 26', 27) с тем, чтобы образовать в указанной форме по меньшей мере одну полость (25, 25');
c) нанесение (6, 16) на верхнюю часть указанной подложки электроизолирующего покрытия (30, 30');
d) направленное травление (8, 18) указанного покрытия и указанного промежуточного слоя с тем, чтобы ограничить их наличие исключительно на вертикальных стенках (31, 31', 33), образующихся в указанном верхнем слое.
2. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что на этапе b) выполняется травление по второму шаблону (27) для получения по меньшей мере одной выемки (28), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие на указанном верхнем слое второго уровня.
3. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что после этапа d) устанавливается часть (27') для получения по меньшей мере одной выемки (28'), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие в указанной форме второго уровня.
4. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что он включает следующий завершающий этап:
e) получение (8, 18) с помощью фотолитографии в указанной по меньшей мере одной полости стержня (29, 29') для образования в будущей изготавливаемой в указанной форме детали (41, 41') отверстия (42, 42').
5. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что после предыдущих этапов он включает следующие этапы:
a') осаждения электропроводящего материала на донной части указанной по меньшей мере одной полости;
b') травления (11, 12, 14, 2, 4) нижнего слоя (23, 23') по шаблону (26, 26', 27) так, чтобы осажденный проводящий материал (33) образовал в указанной форме по меньшей мере одну полость (35);
c') нанесения (6, 16) на пакет второго электроизолирующего покрытия (38).
6. Способ (3) по п.5, отличающийся тем, что после этапа c') он включает следующий этап:
d') направленного травления (8, 18) указанного второго покрытия для ограничения его наличия исключительно на вертикальных стенках (39), образующихся в указанном нижнем слое.
7. Способ (3) по п.6, отличающийся тем, что на этапе b') выполняется травление по второму шаблону для получения по меньшей мере одной выемки, которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие на указанном нижнем слое второго уровня.
8. Способ (3) по п.6, отличающийся тем, что после этапа d') устанавливается часть для получения по меньшей мере одной выемки, которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и обеспечивает наличие в указанной форме второго уровня.
9. Способ (3) по п.5, отличающийся тем, что он включает следующий завершающий этап:
e') образование с помощью фотолитографии стержня (37) в указанной по меньшей мере одной полости нижнего слоя (23, 23') для получения отверстия (42'') в будущей изготавливаемой в указанной форме детали (41'').
10. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что из одной и той же подложки (9, 9', 9'') изготавливается несколько форм (39, 39', 39'').
11. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что проводящие слои (21, 21', 23, 23') образуются из легированного кристаллического кремния.
12. Способ (3) по п.1, отличающийся тем, что этап c) осуществляется посредством окисления верхней стороны указанной подложки.
13. Способ (3) по п.12, отличающийся тем, что электроизолирующее покрытие (30, 30′) образуется из диоксида кремния.
14. Способ (1) изготовления микромеханической детали (41, 41', 41'') с помощью гальванопластики, отличающийся тем, что он включает следующие этапы:
i) изготовление формы (39, 39', 39'') согласно способу (3) по любому из пп.1-13;
j) выполнение (5) электролитического осаждения присоединением электрода к проводящему слою (23, 23') на нижней поверхности подложки (9, 9', 9'') для получения указанной детали в указанной форме;
k) извлечения детали (41, 41', 41'') из указанной формы.
15. Форма (39, 39', 39'') для изготовления микромеханической детали (41, 41', 41'') с помощью гальванопластики, отличающаяся тем, что она включает подложку (9, 9', 9''), которая имеет верхний слой (21, 21') и нижний слой (23, 23'), которые изготавливаются из легированного кристаллического кремния, являются электропроводящими и прикрепленными друг к другу через электроизолирующий промежуточный слой (22, 22'), при этом верхний слой (21, 21') включает по меньшей мере одну полость (25, 25'), которая раскрывает часть нижнего слоя (23, 23') указанной подложки и включает электроизолирующие стенки (31, 31') из диоксида кремния, делая возможным прохождение электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной полости.
16. Форма (39, 39', 39'') по п.15, отличающаяся тем, что верхний слой (21, 21') также имеет по меньшей мере одну выемку (28, 28'), которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью и имеет электроизолирующие стенки (32, 32') для продолжения электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной выемке после завершения заполнения указанной по меньшей мере одной полости.
17. Форма (39'') по п.15 или 16, отличающаяся тем, что нижний слой (23, 23') имеет по меньшей мере одну полость (35), который раскрывает часть электроизолирующего слоя (33) указанной подложки и имеет электроизолирующие стенки (40) из диоксида кремния, делая возможным прохождение электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной полости (23, 23') нижнего слоя.
18. Форма по п.17, отличающийся тем, что нижний слой (23, 23') также включает по меньшей мере одну выемку, которая соединяется с указанной по меньшей мере одной полостью в нижнем слое (23, 23') и имеет электроизолирующие стенки для продолжения электролитического осаждения в указанной по меньшей мере одной выемке после завершения заполнения указанной по меньшей мере одной полости в нижнем слое (23, 23').
RU2010109438/02A 2009-03-13 2010-03-12 Форма для гальванопластики и способ ее изготовления RU2526108C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP20090155125 EP2230207A1 (fr) 2009-03-13 2009-03-13 Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication
EP09155125.9 2009-03-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010109438A true RU2010109438A (ru) 2011-09-20
RU2526108C2 RU2526108C2 (ru) 2014-08-20

Family

ID=41047360

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010109438/02A RU2526108C2 (ru) 2009-03-13 2010-03-12 Форма для гальванопластики и способ ее изготовления

Country Status (8)

Country Link
US (2) US8512539B2 (ru)
EP (2) EP2230207A1 (ru)
JP (1) JP5443220B2 (ru)
KR (1) KR20100103434A (ru)
CN (1) CN101831672B (ru)
HK (1) HK1148561A1 (ru)
RU (1) RU2526108C2 (ru)
TW (1) TWI598206B (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2682446C2 (ru) * 2013-11-08 2019-03-19 Ниварокс-Фар С.А. Цельная полая микромеханическая деталь с несколькими функциональными уровнями, образованная из материала на основе аллотропа синтетического углерода

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2230206B1 (fr) * 2009-03-13 2013-07-17 Nivarox-FAR S.A. Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication
EP2263971A1 (fr) * 2009-06-09 2010-12-22 Nivarox-FAR S.A. Pièce de micromécanique composite et son procédé de fabrication
JP5773624B2 (ja) 2010-01-08 2015-09-02 キヤノン株式会社 微細構造体の製造方法
EP2655700A1 (en) * 2010-12-23 2013-10-30 Centre de Recherche Public - Gabriel Lippmann An ecpr master electrode and a method for providing such ecpr master electrode
CN102167282A (zh) * 2011-04-07 2011-08-31 天津海鸥表业集团有限公司 一种硅与金属复合材料的微结构加工方法
KR101351221B1 (ko) * 2011-09-21 2014-01-14 한국전력공사 테이프 캐스팅을 이용한 지지체식 코팅막의 제조방법
WO2013072955A1 (ja) * 2011-11-15 2013-05-23 株式会社Leap 多段転写金型の製造方法、その多段転写金型、及びそれによる部品
EP2767869A1 (fr) * 2013-02-13 2014-08-20 Nivarox-FAR S.A. Procédé de fabrication d'une pièce de micromécanique monobloc comportant au moins deux niveaux distincts
CH710107B1 (fr) * 2014-09-09 2019-06-14 Seiko Instr Lnc Composant mécanique, mouvement, pièce d'horlogerie et méthode de fabrication du composant mécanique.
EP3109199B1 (fr) * 2015-06-25 2022-05-11 Nivarox-FAR S.A. Piece a base de silicium avec au moins un chanfrein et son procede de fabrication
CN105729683B (zh) * 2016-03-18 2017-12-01 宁波双林模具有限公司 一种注塑模具型腔精密仿真皮纹型面的制作方法
EP3467151B1 (fr) * 2017-10-06 2020-06-17 Nivarox-FAR S.A. Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication
JP7317637B2 (ja) * 2019-08-30 2023-07-31 シチズンファインデバイス株式会社 電鋳金型製造方法
EP3839624B1 (fr) * 2019-12-18 2023-09-13 Nivarox-FAR S.A. Procede de fabrication d'un composant horloger

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4142001A1 (de) * 1991-12-19 1993-06-24 Microparts Gmbh Verfahren zum herstellen gestufter formeinsaetze, gestufte formeinsaetze und damit abgeformte mikrostrukturkoerper
DE4001399C1 (en) * 1990-01-19 1991-07-25 Kernforschungszentrum Karlsruhe Gmbh, 7500 Karlsruhe, De Metallic microstructures - formed on substrates, by putting poly:methyl methacrylate] between moulding tool and silicon substrate
US5529681A (en) * 1993-03-30 1996-06-25 Microparts Gesellschaft Fur Mikrostrukturtechnik Mbh Stepped mould inserts, high-precision stepped microstructure bodies, and methods of producing the same
US5944974A (en) * 1995-07-01 1999-08-31 Fahrenberg; Jens Process for manufacturing mold inserts
US6214245B1 (en) * 1999-03-02 2001-04-10 Eastman Kodak Company Forming-ink jet nozzle plate layer on a base
US7052117B2 (en) * 2002-07-03 2006-05-30 Dimatix, Inc. Printhead having a thin pre-fired piezoelectric layer
JP3990307B2 (ja) * 2003-03-24 2007-10-10 株式会社クラレ 樹脂成形品の製造方法、金属構造体の製造方法、チップ
CN100548692C (zh) * 2003-10-10 2009-10-14 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司 具有薄膜的打印头
RU2254403C1 (ru) * 2004-02-02 2005-06-20 Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство Российской Федерации по атомной энергии Гальванопластический способ изготовления сложнорельефных деталей со щелевой структурой
JP4469194B2 (ja) 2004-03-12 2010-05-26 セイコーインスツル株式会社 電鋳用型、電鋳方法、及びその電鋳用型の製造方法
JP4550569B2 (ja) * 2004-12-20 2010-09-22 セイコーインスツル株式会社 電鋳型とその製造方法
JP4840756B2 (ja) * 2005-01-14 2011-12-21 セイコーインスツル株式会社 電鋳型とその製造方法及び電鋳部品の製造方法
JP4834426B2 (ja) * 2006-03-06 2011-12-14 キヤノン株式会社 インクジェット記録ヘッドの製造方法
US7448277B2 (en) * 2006-08-31 2008-11-11 Evigia Systems, Inc. Capacitive pressure sensor and method therefor
JP5144127B2 (ja) * 2007-05-23 2013-02-13 キヤノン株式会社 ナノインプリント用のモールドの製造方法
EP2060534A1 (fr) * 2007-11-16 2009-05-20 Nivarox-FAR S.A. Pièce de micromécanique composite silicium - métal et son procédé de fabrication
US8197029B2 (en) * 2008-12-30 2012-06-12 Fujifilm Corporation Forming nozzles
EP2230206B1 (fr) 2009-03-13 2013-07-17 Nivarox-FAR S.A. Moule pour galvanoplastie et son procédé de fabrication

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2682446C2 (ru) * 2013-11-08 2019-03-19 Ниварокс-Фар С.А. Цельная полая микромеханическая деталь с несколькими функциональными уровнями, образованная из материала на основе аллотропа синтетического углерода

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010216014A (ja) 2010-09-30
CN101831672A (zh) 2010-09-15
US8512539B2 (en) 2013-08-20
KR20100103434A (ko) 2010-09-27
EP2230208B1 (fr) 2014-01-08
EP2230208A1 (fr) 2010-09-22
CN101831672B (zh) 2013-01-16
JP5443220B2 (ja) 2014-03-19
US20130213800A1 (en) 2013-08-22
RU2526108C2 (ru) 2014-08-20
TW201100224A (en) 2011-01-01
EP2230207A1 (fr) 2010-09-22
US9139925B2 (en) 2015-09-22
US20100236934A1 (en) 2010-09-23
HK1148561A1 (en) 2011-09-09
TWI598206B (zh) 2017-09-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010109438A (ru) Форма для гальванопластики и способ ее изготовления
US10321577B2 (en) Wafer-level manufacturing method for embedding passive element in glass substrate
RU2010124426A (ru) Составной микромеханический компонент из кремния с металлом и способ изготовления компонента
RU2010123368A (ru) Композиционный микромеханический компонент и способ его изготовления
RU2007133922A (ru) Микромеханический компонент и способ его изготовления
US20110236580A1 (en) Three dimensional decoration method
EP1712514A3 (en) Method for forming anti-stiction bumps on a micro-electro mechanical structure
RU2010109439A (ru) Форма для гальванопластики и способы ее изготовления
WO2011066055A3 (en) Formation of electrically conductive pattern by surface energy modification
JP2012096329A5 (ru)
CN103474394B (zh) 免金属cmp的tsv工艺方法
CN105679770A (zh) 阵列基板及其制造方法
JP2012019205A5 (ru)
FR2922899B1 (fr) Procede de fabrication d'une structure poreuse ordonnee a partir d'un substrat d'aluminium
RU2016122531A (ru) Цельная полая микромеханическая деталь с несколькими функциональными уровнями, образованная из материала на основе аллотропа синтетического углерода
CN103474393B (zh) 免cmp的电镀面铜去除及阻挡层复用的工艺方法
CN106328625B (zh) 封装基板及其制作方法
US9748136B2 (en) Method for forming an electrically conductive via in a substrate
IN2015DN00439A (ru)
CN104270701B (zh) 一种mems麦克风中的振膜结构及其制造方法
FR2965659B1 (fr) Procédé de fabrication d'un circuit intégré
US8641883B2 (en) Polymer-based high surface area multi-layered three-dimensional structures and method of making same
CN103137601B (zh) 半导体元件及其制造方法
JP5073879B1 (ja) 多段転写金型の製造方法、その多段転写金型、及びそれによる部品
US20140361412A1 (en) Cavity Structure Using Patterned Sacrificial Layer