RU2009117697A - Распыляемая мишень на основе оксида титана для прозрачной проводящей пленки, способ получения такой пленки и состав для использования в этом способе - Google Patents

Распыляемая мишень на основе оксида титана для прозрачной проводящей пленки, способ получения такой пленки и состав для использования в этом способе Download PDF

Info

Publication number
RU2009117697A
RU2009117697A RU2009117697/03A RU2009117697A RU2009117697A RU 2009117697 A RU2009117697 A RU 2009117697A RU 2009117697/03 A RU2009117697/03 A RU 2009117697/03A RU 2009117697 A RU2009117697 A RU 2009117697A RU 2009117697 A RU2009117697 A RU 2009117697A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
composition
mol
component
composition according
dioxide
Prior art date
Application number
RU2009117697/03A
Other languages
English (en)
Inventor
Ронг-чен Ричард ВУ (US)
Ронг-чен Ричард ВУ
Прабхат КУМАР (US)
Прабхат Кумар
Шувей САН (US)
Шувей САН
Original Assignee
Х.К. Штарк Инк. (US)
Х.К. Штарк Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Х.К. Штарк Инк. (US), Х.К. Штарк Инк. filed Critical Х.К. Штарк Инк. (US)
Publication of RU2009117697A publication Critical patent/RU2009117697A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
    • H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/64—Burning or sintering processes
    • C04B35/645—Pressure sintering
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/34—Sputtering
    • C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
    • C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3256—Molybdenum oxides, molybdates or oxide forming salts thereof, e.g. cadmium molybdate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
    • C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
    • C04B2235/3258—Tungsten oxides, tungstates, or oxide-forming salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
    • C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
    • C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
    • C04B2235/404—Refractory metals
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
    • C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
    • C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
    • C04B2235/9646—Optical properties
    • C04B2235/9653—Translucent or transparent ceramics other than alumina

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)

Abstract

1. Композиция, состоящая преимущественно из а) от примерно 80 до примерно 99 мол.% диоксида титана и б) от примерно 1 до примерно 20 мол.% одного или нескольких материалов, выбираемых из группы, состоящей из i) диоксида вольфрама, ii) оксида тантала состава Ta2O5, iii) оксида ниобия состава Nb2O5, iv) диоксида молибдена, v) молибдена, vi) тантала, vii) ниобия, viii) вольфрама и ix) их смесей, причем мольные проценты относятся ко всему продукту, а сумма компонент а) и б) составляет 100. ! 2. Композиция по п.1, когда компонента а) включает от примерно 90 до примерно 99 мол.%, а компонента б) включает от примерно 1 до примерно 10 мол.%. ! 3. Композиция по п.1, когда компонента б) представляет собой диоксид вольфрама. ! 4. Композиция по п.1, когда компонента б) представляет собой оксид тантала состава Ta2O5. ! 5. Агломерированный продукт, полученный спеканием композиции по п.1. ! 6. Распыляемая мишень, включающая продукт, полученный спеканием композиции по п.1. ! 7. Прозрачная электропроводящая пленка, полученная формированием на поверхности субстрата, прозрачный электропроводящий слой из композиции, включающей преимущественно композицию по п.1.

Claims (7)

1. Композиция, состоящая преимущественно из а) от примерно 80 до примерно 99 мол.% диоксида титана и б) от примерно 1 до примерно 20 мол.% одного или нескольких материалов, выбираемых из группы, состоящей из i) диоксида вольфрама, ii) оксида тантала состава Ta2O5, iii) оксида ниобия состава Nb2O5, iv) диоксида молибдена, v) молибдена, vi) тантала, vii) ниобия, viii) вольфрама и ix) их смесей, причем мольные проценты относятся ко всему продукту, а сумма компонент а) и б) составляет 100.
2. Композиция по п.1, когда компонента а) включает от примерно 90 до примерно 99 мол.%, а компонента б) включает от примерно 1 до примерно 10 мол.%.
3. Композиция по п.1, когда компонента б) представляет собой диоксид вольфрама.
4. Композиция по п.1, когда компонента б) представляет собой оксид тантала состава Ta2O5.
5. Агломерированный продукт, полученный спеканием композиции по п.1.
6. Распыляемая мишень, включающая продукт, полученный спеканием композиции по п.1.
7. Прозрачная электропроводящая пленка, полученная формированием на поверхности субстрата, прозрачный электропроводящий слой из композиции, включающей преимущественно композицию по п.1.
RU2009117697/03A 2006-10-13 2007-10-11 Распыляемая мишень на основе оксида титана для прозрачной проводящей пленки, способ получения такой пленки и состав для использования в этом способе RU2009117697A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/581,033 2006-10-13
US11/581,033 US20080087866A1 (en) 2006-10-13 2006-10-13 Titanium oxide-based sputtering target for transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2009117697A true RU2009117697A (ru) 2010-11-20

Family

ID=39302320

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009117697/03A RU2009117697A (ru) 2006-10-13 2007-10-11 Распыляемая мишень на основе оксида титана для прозрачной проводящей пленки, способ получения такой пленки и состав для использования в этом способе

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20080087866A1 (ru)
EP (1) EP2076618A2 (ru)
JP (1) JP2010506811A (ru)
KR (1) KR20090074032A (ru)
RU (1) RU2009117697A (ru)
WO (1) WO2008063774A2 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2525958C1 (ru) * 2013-01-10 2014-08-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН) Способ формирования покрытия пентаоксида тантала на подложке из титана или его сплавов
RU2534425C2 (ru) * 2013-01-09 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) СПОСОБ ЗАЩИТЫ p-n ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ ТИТАНА
RU2534389C2 (ru) * 2013-01-09 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ формирования диэлектрической пленки

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080011599A1 (en) 2006-07-12 2008-01-17 Brabender Dennis M Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control
KR101563197B1 (ko) * 2007-09-14 2015-10-26 카디날 씨지 컴퍼니 관리 용이한 코팅 및 이의 제조방법
CN101903557B (zh) * 2007-12-18 2014-04-30 Jx日矿日石金属株式会社 以氧化钛为主成分的薄膜、适于制造以氧化钛为主成分的薄膜的烧结体溅射靶以及以氧化钛为主成分的薄膜的制造方法
TWI477629B (zh) * 2010-08-23 2015-03-21 Hon Hai Prec Ind Co Ltd 複合靶材及其製備方法
TWI491753B (zh) * 2010-10-29 2015-07-11 鴻海精密工業股份有限公司 鍍膜件及其製備方法
US10604442B2 (en) 2016-11-17 2020-03-31 Cardinal Cg Company Static-dissipative coating technology
US11274363B2 (en) * 2019-04-22 2022-03-15 Nxp Usa, Inc. Method of forming a sputtering target

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4086157A (en) * 1974-01-31 1978-04-25 C. Conradty Electrode for electrochemical processes
JPS5999703A (ja) * 1982-11-30 1984-06-08 株式会社東芝 感湿素子
JPH0627328B2 (ja) * 1985-07-16 1994-04-13 ソニー株式会社 高誘電率薄膜
JPS6399867A (ja) * 1986-10-17 1988-05-02 ペルメレツク電極株式会社 リン酸カルシウム化合物被覆複合材及びその製造方法
US6193856B1 (en) * 1995-08-23 2001-02-27 Asahi Glass Company Ltd. Target and process for its production, and method for forming a film having a highly refractive index
CN1281544C (zh) * 1998-08-31 2006-10-25 出光兴产株式会社 透明导电膜用靶、透明导电材料、透明导电玻璃及透明导电薄膜
JP3721014B2 (ja) * 1999-09-28 2005-11-30 株式会社日鉱マテリアルズ スッパタリング用タングステンターゲットの製造方法
JP2001240960A (ja) * 1999-12-21 2001-09-04 Nippon Sheet Glass Co Ltd 光触媒膜が被覆された物品、その物品の製造方法及びその膜を被覆するために用いるスパッタリングターゲット
CN1158403C (zh) * 1999-12-23 2004-07-21 西南交通大学 一种人工器官表面改性方法
US6833058B1 (en) * 2000-10-24 2004-12-21 Honeywell International Inc. Titanium-based and zirconium-based mixed materials and sputtering targets
JP3708429B2 (ja) * 2000-11-30 2005-10-19 Ｈｏｙａ株式会社 蒸着組成物の製造方法、蒸着組成物及び反射防止膜を有する光学部品の製造方法
JP4033286B2 (ja) * 2001-03-19 2008-01-16 日本板硝子株式会社 高屈折率誘電体膜とその製造方法
US7449245B2 (en) * 2002-07-09 2008-11-11 Leibniz-Institut Fuer Neue Materialien Gemeinnuetzige Gmbh Substrates comprising a photocatalytic TiO2 layer
US20040009087A1 (en) * 2002-07-10 2004-01-15 Wuwen Yi Physical vapor deposition targets, and methods of forming physical vapor deposition targets
DE60326385D1 (de) * 2002-12-13 2009-04-09 Panasonic Corp Optisches informationsaufzeichnungsmedium und verfahren zu seiner herstellung
TWI306410B (en) * 2003-10-22 2009-02-21 Nippon Catalytic Chem Ind Method for treating exhaust gas
JP4110533B2 (ja) * 2004-02-27 2008-07-02 日立金属株式会社 Ｍｏ系ターゲット材の製造方法
JP2006193804A (ja) * 2005-01-17 2006-07-27 Nippon Sheet Glass Co Ltd スパッタリング用ターゲット、それを用いて形成した誘電体膜およびその製造方法
US7494583B2 (en) * 2005-06-29 2009-02-24 Oleh Weres Electrode with surface comprising oxides of titanium and bismuth and water purification process using this electrode
US7837929B2 (en) * 2005-10-20 2010-11-23 H.C. Starck Inc. Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2534425C2 (ru) * 2013-01-09 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) СПОСОБ ЗАЩИТЫ p-n ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ ТИТАНА
RU2534389C2 (ru) * 2013-01-09 2014-11-27 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) Способ формирования диэлектрической пленки
RU2525958C1 (ru) * 2013-01-10 2014-08-20 Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН) Способ формирования покрытия пентаоксида тантала на подложке из титана или его сплавов

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010506811A (ja) 2010-03-04
WO2008063774A2 (en) 2008-05-29
KR20090074032A (ko) 2009-07-03
US20080087866A1 (en) 2008-04-17
WO2008063774A3 (en) 2008-08-14
EP2076618A2 (en) 2009-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009117697A (ru) Распыляемая мишень на основе оксида титана для прозрачной проводящей пленки, способ получения такой пленки и состав для использования в этом способе
TWI674338B (zh) 用於銀薄層的蝕刻劑組合物，使用其形成金屬圖案的方法和使用其製作陣列基板的方法
Dongale et al. Nanostructured TiO2 thin film memristor using hydrothermal process
JP5895370B2 (ja) パネル用Ｃｕ電極保護膜用ＮｉＣｕ合金ターゲット材及び積層膜
RU2010141751A (ru) Элемент, покрытый твердым материалом
JP5780504B2 (ja) 電極およびこれを含む電子素子ならびに電極の製造方法
CN106059524B (zh) 体声波谐振器及包括该体声波谐振器的滤波器
TW201002124A (en) Organic electroluminescent device, illuminating device and display device
TW200949863A (en) Substrate bearing an electrode, organic light-emitting device incorporating it, and its manufacture
TW201131772A (en) Field-effect transistor, semiconductor memory, display element, image display device, and system
TW201205818A (en) Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor
JP2006303463A5 (ru)
RU2012131143A (ru) Кремниевый тонкопленочный солнечный элемент, имеющий усовершенствованное подстилающее покрытие
JP2007505465A (ja) ナノサイズの半球状凹部が形成された基板を用いた高効率の有機発光素子及びこの作製方法
EP3335241B1 (en) Electrode layer, thin film transistor, array substrate and display apparatus having the same, and fabricating method thereof
CN105789479B (zh) Oled及其制备方法、以及oled显示装置
CN101864592A (zh) 基于铁电金属异质结的忆阻器及其制备方法
CN108475727A (zh) 忆阻器装置以及制造忆阻器装置的方法
CN105185923A (zh) 水汽阻隔膜及其制作方法、柔性显示器件及其制作方法
RU2018103077A (ru) Стекло, содержащее функциональное покрытие, включающее серебро и индий
CN102560359A (zh) 镀膜件及其制备方法
RU2009120398A (ru) Мишень для распыления на основе оксида олова, обладающая низким удельным сопротивлением прозрачная электропроводящая пленка, способ изготовления такой пленки и композиция, предназначенная для применения в ней
WO2018180276A1 (ja) 圧電体膜、圧電素子、及び、圧電素子の製造方法
JPWO2011024343A1 (ja) Ｅｌ発光装置及びその製造方法
JP2004247106A (ja) 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法