RU2009117697A - Распыляемая мишень на основе оксида титана для прозрачной проводящей пленки, способ получения такой пленки и состав для использования в этом способе - Google Patents
Распыляемая мишень на основе оксида титана для прозрачной проводящей пленки, способ получения такой пленки и состав для использования в этом способе Download PDFInfo
- Publication number
- RU2009117697A RU2009117697A RU2009117697/03A RU2009117697A RU2009117697A RU 2009117697 A RU2009117697 A RU 2009117697A RU 2009117697/03 A RU2009117697/03 A RU 2009117697/03A RU 2009117697 A RU2009117697 A RU 2009117697A RU 2009117697 A RU2009117697 A RU 2009117697A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- composition
- mol
- component
- composition according
- dioxide
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/64—Burning or sintering processes
- C04B35/645—Pressure sintering
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3251—Niobium oxides, niobates, tantalum oxides, tantalates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3256—Molybdenum oxides, molybdates or oxide forming salts thereof, e.g. cadmium molybdate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/32—Metal oxides, mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof, e.g. carbonates, nitrates, (oxy)hydroxides, chlorides
- C04B2235/3231—Refractory metal oxides, their mixed metal oxides, or oxide-forming salts thereof
- C04B2235/3258—Tungsten oxides, tungstates, or oxide-forming salts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
- C04B2235/404—Refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/70—Aspects relating to sintered or melt-casted ceramic products
- C04B2235/96—Properties of ceramic products, e.g. mechanical properties such as strength, toughness, wear resistance
- C04B2235/9646—Optical properties
- C04B2235/9653—Translucent or transparent ceramics other than alumina
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
Abstract
1. Композиция, состоящая преимущественно из а) от примерно 80 до примерно 99 мол.% диоксида титана и б) от примерно 1 до примерно 20 мол.% одного или нескольких материалов, выбираемых из группы, состоящей из i) диоксида вольфрама, ii) оксида тантала состава Ta2O5, iii) оксида ниобия состава Nb2O5, iv) диоксида молибдена, v) молибдена, vi) тантала, vii) ниобия, viii) вольфрама и ix) их смесей, причем мольные проценты относятся ко всему продукту, а сумма компонент а) и б) составляет 100. ! 2. Композиция по п.1, когда компонента а) включает от примерно 90 до примерно 99 мол.%, а компонента б) включает от примерно 1 до примерно 10 мол.%. ! 3. Композиция по п.1, когда компонента б) представляет собой диоксид вольфрама. ! 4. Композиция по п.1, когда компонента б) представляет собой оксид тантала состава Ta2O5. ! 5. Агломерированный продукт, полученный спеканием композиции по п.1. ! 6. Распыляемая мишень, включающая продукт, полученный спеканием композиции по п.1. ! 7. Прозрачная электропроводящая пленка, полученная формированием на поверхности субстрата, прозрачный электропроводящий слой из композиции, включающей преимущественно композицию по п.1.
Claims (7)
1. Композиция, состоящая преимущественно из а) от примерно 80 до примерно 99 мол.% диоксида титана и б) от примерно 1 до примерно 20 мол.% одного или нескольких материалов, выбираемых из группы, состоящей из i) диоксида вольфрама, ii) оксида тантала состава Ta2O5, iii) оксида ниобия состава Nb2O5, iv) диоксида молибдена, v) молибдена, vi) тантала, vii) ниобия, viii) вольфрама и ix) их смесей, причем мольные проценты относятся ко всему продукту, а сумма компонент а) и б) составляет 100.
2. Композиция по п.1, когда компонента а) включает от примерно 90 до примерно 99 мол.%, а компонента б) включает от примерно 1 до примерно 10 мол.%.
3. Композиция по п.1, когда компонента б) представляет собой диоксид вольфрама.
4. Композиция по п.1, когда компонента б) представляет собой оксид тантала состава Ta2O5.
5. Агломерированный продукт, полученный спеканием композиции по п.1.
6. Распыляемая мишень, включающая продукт, полученный спеканием композиции по п.1.
7. Прозрачная электропроводящая пленка, полученная формированием на поверхности субстрата, прозрачный электропроводящий слой из композиции, включающей преимущественно композицию по п.1.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/581,033 US20080087866A1 (en) | 2006-10-13 | 2006-10-13 | Titanium oxide-based sputtering target for transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
US11/581,033 | 2006-10-13 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2009117697A true RU2009117697A (ru) | 2010-11-20 |
Family
ID=39302320
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2009117697/03A RU2009117697A (ru) | 2006-10-13 | 2007-10-11 | Распыляемая мишень на основе оксида титана для прозрачной проводящей пленки, способ получения такой пленки и состав для использования в этом способе |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20080087866A1 (ru) |
EP (1) | EP2076618A2 (ru) |
JP (1) | JP2010506811A (ru) |
KR (1) | KR20090074032A (ru) |
RU (1) | RU2009117697A (ru) |
WO (1) | WO2008063774A2 (ru) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2525958C1 (ru) * | 2013-01-10 | 2014-08-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН) | Способ формирования покрытия пентаоксида тантала на подложке из титана или его сплавов |
RU2534425C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | СПОСОБ ЗАЩИТЫ p-n ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ ТИТАНА |
RU2534389C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ формирования диэлектрической пленки |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
KR101563197B1 (ko) * | 2007-09-14 | 2015-10-26 | 카디날 씨지 컴퍼니 | 관리 용이한 코팅 및 이의 제조방법 |
JP4970550B2 (ja) | 2007-12-18 | 2012-07-11 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 酸化チタンを主成分とする薄膜、酸化チタンを主成分とする薄膜の製造に適した焼結体スパッタリングターゲット及び酸化チタンを主成分とする薄膜の製造方法 |
TWI477629B (zh) * | 2010-08-23 | 2015-03-21 | Hon Hai Prec Ind Co Ltd | 複合靶材及其製備方法 |
TWI491753B (zh) * | 2010-10-29 | 2015-07-11 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 鍍膜件及其製備方法 |
EP3541762B1 (en) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Static-dissipative coating technology |
US11274363B2 (en) * | 2019-04-22 | 2022-03-15 | Nxp Usa, Inc. | Method of forming a sputtering target |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4086157A (en) * | 1974-01-31 | 1978-04-25 | C. Conradty | Electrode for electrochemical processes |
JPS5999703A (ja) * | 1982-11-30 | 1984-06-08 | 株式会社東芝 | 感湿素子 |
JPH0627328B2 (ja) * | 1985-07-16 | 1994-04-13 | ソニー株式会社 | 高誘電率薄膜 |
JPS6399867A (ja) * | 1986-10-17 | 1988-05-02 | ペルメレツク電極株式会社 | リン酸カルシウム化合物被覆複合材及びその製造方法 |
WO1997008359A1 (fr) * | 1995-08-23 | 1997-03-06 | Asahi Glass Company Ltd. | Cible, son procede de production et procede de formation d'une couche tres refringente |
WO2000012445A1 (fr) * | 1998-08-31 | 2000-03-09 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Cible pour film electroconducteur transparent, matiere electroconductrice transparente, verre electroconducteur transparent et film electroconducteur transparent |
JP3721014B2 (ja) * | 1999-09-28 | 2005-11-30 | 株式会社日鉱マテリアルズ | スッパタリング用タングステンターゲットの製造方法 |
JP2001240960A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-09-04 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 光触媒膜が被覆された物品、その物品の製造方法及びその膜を被覆するために用いるスパッタリングターゲット |
CN1158403C (zh) * | 1999-12-23 | 2004-07-21 | 西南交通大学 | 一种人工器官表面改性方法 |
US6833058B1 (en) * | 2000-10-24 | 2004-12-21 | Honeywell International Inc. | Titanium-based and zirconium-based mixed materials and sputtering targets |
JP3708429B2 (ja) * | 2000-11-30 | 2005-10-19 | Hoya株式会社 | 蒸着組成物の製造方法、蒸着組成物及び反射防止膜を有する光学部品の製造方法 |
JP4033286B2 (ja) * | 2001-03-19 | 2008-01-16 | 日本板硝子株式会社 | 高屈折率誘電体膜とその製造方法 |
US7449245B2 (en) * | 2002-07-09 | 2008-11-11 | Leibniz-Institut Fuer Neue Materialien Gemeinnuetzige Gmbh | Substrates comprising a photocatalytic TiO2 layer |
US20040009087A1 (en) * | 2002-07-10 | 2004-01-15 | Wuwen Yi | Physical vapor deposition targets, and methods of forming physical vapor deposition targets |
CN100378835C (zh) * | 2002-12-13 | 2008-04-02 | 松下电器产业株式会社 | 光学信息记录介质及其制造方法 |
TWI306410B (en) * | 2003-10-22 | 2009-02-21 | Nippon Catalytic Chem Ind | Method for treating exhaust gas |
JP4110533B2 (ja) * | 2004-02-27 | 2008-07-02 | 日立金属株式会社 | Mo系ターゲット材の製造方法 |
JP2006193804A (ja) * | 2005-01-17 | 2006-07-27 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | スパッタリング用ターゲット、それを用いて形成した誘電体膜およびその製造方法 |
US7494583B2 (en) * | 2005-06-29 | 2009-02-24 | Oleh Weres | Electrode with surface comprising oxides of titanium and bismuth and water purification process using this electrode |
US7837929B2 (en) * | 2005-10-20 | 2010-11-23 | H.C. Starck Inc. | Methods of making molybdenum titanium sputtering plates and targets |
-
2006
- 2006-10-13 US US11/581,033 patent/US20080087866A1/en not_active Abandoned
-
2007
- 2007-10-11 RU RU2009117697/03A patent/RU2009117697A/ru unknown
- 2007-10-11 KR KR1020097007322A patent/KR20090074032A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-10-11 JP JP2009532572A patent/JP2010506811A/ja active Pending
- 2007-10-11 EP EP07868419A patent/EP2076618A2/en not_active Withdrawn
- 2007-10-11 WO PCT/US2007/081074 patent/WO2008063774A2/en active Application Filing
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2534425C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | СПОСОБ ЗАЩИТЫ p-n ПЕРЕХОДОВ НА ОСНОВЕ ОКИСИ ТИТАНА |
RU2534389C2 (ru) * | 2013-01-09 | 2014-11-27 | Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту) | Способ формирования диэлектрической пленки |
RU2525958C1 (ru) * | 2013-01-10 | 2014-08-20 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии Дальневосточного отделения Российской академии наук (ИХ ДВО РАН) | Способ формирования покрытия пентаоксида тантала на подложке из титана или его сплавов |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010506811A (ja) | 2010-03-04 |
US20080087866A1 (en) | 2008-04-17 |
WO2008063774A2 (en) | 2008-05-29 |
WO2008063774A3 (en) | 2008-08-14 |
EP2076618A2 (en) | 2009-07-08 |
KR20090074032A (ko) | 2009-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2009117697A (ru) | Распыляемая мишень на основе оксида титана для прозрачной проводящей пленки, способ получения такой пленки и состав для использования в этом способе | |
TWI674338B (zh) | 用於銀薄層的蝕刻劑組合物,使用其形成金屬圖案的方法和使用其製作陣列基板的方法 | |
Dongale et al. | Nanostructured TiO2 thin film memristor using hydrothermal process | |
JP4440267B2 (ja) | ナノサイズの半球状凹部が形成された基板を用いた高効率の有機発光素子及びこの作製方法 | |
JP5895370B2 (ja) | パネル用Cu電極保護膜用NiCu合金ターゲット材及び積層膜 | |
RU2010141751A (ru) | Элемент, покрытый твердым материалом | |
JP5780504B2 (ja) | 電極およびこれを含む電子素子ならびに電極の製造方法 | |
CN106059524B (zh) | 体声波谐振器及包括该体声波谐振器的滤波器 | |
TW201002124A (en) | Organic electroluminescent device, illuminating device and display device | |
TW200949863A (en) | Substrate bearing an electrode, organic light-emitting device incorporating it, and its manufacture | |
TW201131772A (en) | Field-effect transistor, semiconductor memory, display element, image display device, and system | |
TW201205818A (en) | Oxide for semiconductor layer of thin-film transistor, sputtering target, and thin-film transistor | |
JP2006303463A5 (ru) | ||
RU2012131143A (ru) | Кремниевый тонкопленочный солнечный элемент, имеющий усовершенствованное подстилающее покрытие | |
EP3335241B1 (en) | Electrode layer, thin film transistor, array substrate and display apparatus having the same, and fabricating method thereof | |
CN105789479B (zh) | Oled及其制备方法、以及oled显示装置 | |
CN101864592A (zh) | 基于铁电金属异质结的忆阻器及其制备方法 | |
CN108475727A (zh) | 忆阻器装置以及制造忆阻器装置的方法 | |
CN105185923A (zh) | 水汽阻隔膜及其制作方法、柔性显示器件及其制作方法 | |
RU2018103077A (ru) | Стекло, содержащее функциональное покрытие, включающее серебро и индий | |
CN102560359A (zh) | 镀膜件及其制备方法 | |
RU2009120398A (ru) | Мишень для распыления на основе оксида олова, обладающая низким удельным сопротивлением прозрачная электропроводящая пленка, способ изготовления такой пленки и композиция, предназначенная для применения в ней | |
KR20160065667A (ko) | 유기전계발광 표시장치 및 그 제조방법 | |
WO2018180276A1 (ja) | 圧電体膜、圧電素子、及び、圧電素子の製造方法 | |
JP5209794B2 (ja) | El発光装置及びその製造方法 |