JPH0627328B2 - 高誘電率薄膜 - Google Patents
高誘電率薄膜Info
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- JPH0627328B2 JPH0627328B2 JP60156519A JP15651985A JPH0627328B2 JP H0627328 B2 JPH0627328 B2 JP H0627328B2 JP 60156519 A JP60156519 A JP 60156519A JP 15651985 A JP15651985 A JP 15651985A JP H0627328 B2 JPH0627328 B2 JP H0627328B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/405—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、コンデンサ等の誘電体として使用して好適な
高誘電率薄膜に関する。
高誘電率薄膜に関する。
基板上にTa及びTiのそれぞれの酸化物の混合した薄膜
を、Ti／Taが 0.1〜４at％になるように気相成長法によ
り形成したもので、高誘電率を有し、かつ高耐圧を有す
るものである。
を、Ti／Taが 0.1〜４at％になるように気相成長法によ
り形成したもので、高誘電率を有し、かつ高耐圧を有す
るものである。
Ta (OC2H5)5 の熱分解により得られる気相成長Ta酸化物
(Ta2O5)薄膜は、 SiO2 又はSi3N4 等の薄膜よりも高い
比誘電率（εｒ＝25〜28）を有し、容量素子即ちコンデ
ンサの小型化や、ＩＣの集積度向上に有利である。ちな
みに SiO2 のεｒは３．７，Si3N4 のそれは７程度であ
る。
(Ta2O5)薄膜は、 SiO2 又はSi3N4 等の薄膜よりも高い
比誘電率（εｒ＝25〜28）を有し、容量素子即ちコンデ
ンサの小型化や、ＩＣの集積度向上に有利である。ちな
みに SiO2 のεｒは３．７，Si3N4 のそれは７程度であ
る。
又Ta2O5 の薄膜形成法としてスパッタ法、気相成長法及
びTa膜の陽極酸化法が知られており、このうち気相成長
法は量産性において他法より優れている。
びTa膜の陽極酸化法が知られており、このうち気相成長
法は量産性において他法より優れている。
上述したように、Ta2O5 薄膜は気相成長法により量産が
できるが、一般的に実用に供される膜厚 300〜 500Åで
は絶縁性が悪く、即ち耐圧が低く、このまゝでは実用に
供しない問題点がある。
できるが、一般的に実用に供される膜厚 300〜 500Åで
は絶縁性が悪く、即ち耐圧が低く、このまゝでは実用に
供しない問題点がある。
更に、このTa2O5 気相成長膜は、これを容量として使用
する場合の両面の電極として、Au及びPt等の貴金属を使
用する場合には高い絶縁耐圧が得られるが、他の金属や
半導体例えばAl，Cr，Si等を使用した場合には絶縁性が
劣化する問題点を有している。
する場合の両面の電極として、Au及びPt等の貴金属を使
用する場合には高い絶縁耐圧が得られるが、他の金属や
半導体例えばAl，Cr，Si等を使用した場合には絶縁性が
劣化する問題点を有している。
TaとTiとの比Ti／Taが 0.1〜４at％になるように、Ta及
びTiのそれぞれの酸化物の混合した薄膜を、気相成長法
により基板上に被着形成する。
びTiのそれぞれの酸化物の混合した薄膜を、気相成長法
により基板上に被着形成する。
以下、本発明による高誘電率薄膜を、その製法について
一実施例を説明する。第１図はこの製法に使用する装置
の略図である。(1)は反応管であって、排気ポンプ(2)即
ち真空ポンプにより内部はほゞ真空となされ、かかる反
応管(1)内には酸化ガス源(3)より O2 ガスと、キャリア
ガス源(4)よりAr（又はHe）ガス（以下キャリアガスと
云う）とが第１及び第２の流量制御弁（11）及び（12）
をそれぞれ通じて送給され、同じくキャリアガス源(4)
からキャリアガスが第３及び第４の流量制御弁（13）及
び（14）を通じてそれぞれ第１及び第２のバブラ（15）
及び（16）に送給され、これらにおいて得られた蒸気が
上述した反応管(1)内に送給されるようになされてい
る。（17）及び（18）はそれぞれ第１及び第２バブラ
（15）及び（16）の恒温槽、（19）及び（20）は第１及
び第２のバブラ容器である。
一実施例を説明する。第１図はこの製法に使用する装置
の略図である。(1)は反応管であって、排気ポンプ(2)即
ち真空ポンプにより内部はほゞ真空となされ、かかる反
応管(1)内には酸化ガス源(3)より O2 ガスと、キャリア
ガス源(4)よりAr（又はHe）ガス（以下キャリアガスと
云う）とが第１及び第２の流量制御弁（11）及び（12）
をそれぞれ通じて送給され、同じくキャリアガス源(4)
からキャリアガスが第３及び第４の流量制御弁（13）及
び（14）を通じてそれぞれ第１及び第２のバブラ（15）
及び（16）に送給され、これらにおいて得られた蒸気が
上述した反応管(1)内に送給されるようになされてい
る。（17）及び（18）はそれぞれ第１及び第２バブラ
（15）及び（16）の恒温槽、（19）及び（20）は第１及
び第２のバブラ容器である。
そして第１のバブラ容器（19）内には純度６ＮのTa−ア
ルコオキサイド即ちTa (OC2H5)5 が収納されて加熱さ
れ、又第２のバブラ容器（20）内には純度５ＮのTi−ア
ルコオキサイド即ちTi(isoOC3H7)4が収納されて加熱さ
れる。
ルコオキサイド即ちTa (OC2H5)5 が収納されて加熱さ
れ、又第２のバブラ容器（20）内には純度５ＮのTi−ア
ルコオキサイド即ちTi(isoOC3H7)4が収納されて加熱さ
れる。
反応管(1)内にはグラファイトよりなる支持台(5)が配置
され、これが反応管(1)外に設けられたワークコイル(6)
よりの高周波誘導によって加熱されるようになされ、こ
の加熱温度が温度センサ(7)により検出され、その出力
によって温度調節回路(8)が制御され、これにより高周
波発振回路(9)よりワークコイル(6)への電流を制御し
て、支持台(5)の温度が所望値となるように制御され
る。（21）は支持台(5)に取付けられた基板、(10)は反
応管(1)の上記ガスの入口附近を加熱するプレヒータで
ある。
され、これが反応管(1)外に設けられたワークコイル(6)
よりの高周波誘導によって加熱されるようになされ、こ
の加熱温度が温度センサ(7)により検出され、その出力
によって温度調節回路(8)が制御され、これにより高周
波発振回路(9)よりワークコイル(6)への電流を制御し
て、支持台(5)の温度が所望値となるように制御され
る。（21）は支持台(5)に取付けられた基板、(10)は反
応管(1)の上記ガスの入口附近を加熱するプレヒータで
ある。
上述した装置は、以下の条件で動作される。
反応管(1)内の圧力 ‥‥‥‥‥‥‥ 0.3Torr 第１流量制御弁（11）の流量‥‥‥‥ 100SCCM 第２流量制御弁（12）の流量‥‥‥‥ 500SCCM 第３流量制御弁（13）の流量‥‥‥‥ 150SCCM 第４流量制御弁（14）の流量‥‥‥‥ 50SCCM 第１バブラ（15）の温度 ‥‥‥‥‥ 125℃ 第２バブラ（16）の温度 ‥‥‥‥‥ 20℃ プレヒータ(10)の温度 ‥‥‥‥‥‥‥ 250℃ 支持台(5)の温度 ‥‥‥‥‥‥‥‥‥ 620℃ 尚、第１バブラ（15）より反応管(1)迄の送給管は 170
℃に保温されているものとする。
℃に保温されているものとする。
第１バブラ（15）内のTa (OC2H5)5 は常温〜 200℃程度
で液状であるが、0.3Torrの気圧下にあっては 125℃で
気化し、その反応管(1)内への輸送量は第３流量制御弁
（13）によるキャリアガスの流量によって制御される。
勿論第１バブラ（15）の温度によっても制御される。か
くして第１バブラ（15）によって気化されたTa (OC2H5)
5 蒸気は、再凝集しないように保温された送給管を通じ
て反応管(1)内に送給される。
で液状であるが、0.3Torrの気圧下にあっては 125℃で
気化し、その反応管(1)内への輸送量は第３流量制御弁
（13）によるキャリアガスの流量によって制御される。
勿論第１バブラ（15）の温度によっても制御される。か
くして第１バブラ（15）によって気化されたTa (OC2H5)
5 蒸気は、再凝集しないように保温された送給管を通じ
て反応管(1)内に送給される。
一方、第２バブラ（16）内のTi(isoOC3H7)4 は上記した
気圧下においては20℃で気化し、同様に第４流量制御弁
（14）によるキャリアガズの流量によって反応管(1)内
への蒸気の流量が制御される。
気圧下においては20℃で気化し、同様に第４流量制御弁
（14）によるキャリアガズの流量によって反応管(1)内
への蒸気の流量が制御される。
以上の条件下において６分間反応を行わせることにより
基板（21）上に約1000Åの厚味を有するTa2O5 薄膜を得
ることができた。
基板（21）上に約1000Åの厚味を有するTa2O5 薄膜を得
ることができた。
上記した温度等の条件は一例であるが、このような条件
に選ばれた理由について説明する。
に選ばれた理由について説明する。
先ず、上例において、第２バブラ（16）を除去した状態
で支持台(5)即ち基板（21）の加熱温度を変えて基板（2
1）上にTa2O5 薄膜を形成して見た。尚、この場合の基
板（21）としては、石英板上に下地電極としてPtを電子
ビーム蒸着により約2000Åの厚味に被着したものを使用
した。又これと対向する電極（上側の電極）も同様にし
て同様の厚味に形成した。
で支持台(5)即ち基板（21）の加熱温度を変えて基板（2
1）上にTa2O5 薄膜を形成して見た。尚、この場合の基
板（21）としては、石英板上に下地電極としてPtを電子
ビーム蒸着により約2000Åの厚味に被着したものを使用
した。又これと対向する電極（上側の電極）も同様にし
て同様の厚味に形成した。
第２図Ａ，Ｂ，Ｃはそれぞれ横軸にこの基板（21）の温
度即ち成長温度を目盛り、縦軸に関して、Ａ図はＸ線回
折強度を、Ｂ図は屈折率を、Ｃ図は漏れ電流が１μＡ／
cm2となる電界（Ｖ／cm）をそれぞれ示したものであ
る。
度即ち成長温度を目盛り、縦軸に関して、Ａ図はＸ線回
折強度を、Ｂ図は屈折率を、Ｃ図は漏れ電流が１μＡ／
cm2となる電界（Ｖ／cm）をそれぞれ示したものであ
る。
この第２図より明らかなように高耐圧のTa2O5 薄膜が得
られるのは成長温度即ち基板（21）の温度が 550℃〜 6
50℃の範囲であり、好ましくは 600℃〜 650℃であるこ
とが判った。そして 650℃以上の高温側で耐圧が劣化す
るのはＸ線回折より明らかなように、成長薄膜に多結晶
化が生じて薄膜の構造が不均質になることによるもので
ある。又 550℃以下の低温側で耐圧が劣化するのは成長
薄膜の屈折率の低下より明らかなように、成長薄膜内に
空孔部分が多いか、又は未反応物の混入による低密度の
膜しか形成されないことによるものと考えられる。
られるのは成長温度即ち基板（21）の温度が 550℃〜 6
50℃の範囲であり、好ましくは 600℃〜 650℃であるこ
とが判った。そして 650℃以上の高温側で耐圧が劣化す
るのはＸ線回折より明らかなように、成長薄膜に多結晶
化が生じて薄膜の構造が不均質になることによるもので
ある。又 550℃以下の低温側で耐圧が劣化するのは成長
薄膜の屈折率の低下より明らかなように、成長薄膜内に
空孔部分が多いか、又は未反応物の混入による低密度の
膜しか形成されないことによるものと考えられる。
以上の結果より明らかなように、高耐圧のTa2O5薄膜を
得るには、非晶質膜が得られる範囲内で、できるだけ高
温で膜成長を行うのがよいことが確認された。ちなみ
に、基板（21）の温度を 620℃で２分間成長を行った結
果、約 200Åの厚味のTa2O5薄膜を得、これに１mm２のP
t電極を形成したところ tamδが 0.5％である0.0116μ
Ｆの容量を得、絶縁破壊電圧は 6.0Ｖであった。
得るには、非晶質膜が得られる範囲内で、できるだけ高
温で膜成長を行うのがよいことが確認された。ちなみ
に、基板（21）の温度を 620℃で２分間成長を行った結
果、約 200Åの厚味のTa2O5薄膜を得、これに１mm２のP
t電極を形成したところ tamδが 0.5％である0.0116μ
Ｆの容量を得、絶縁破壊電圧は 6.0Ｖであった。
以上のようにして成長温度を選ぶことによって、耐圧の
高いTa2O5 薄膜が得られることが判ったが、この場合、
冒頭にも説明したようにこの薄膜の両面に被着する電極
としてAu，Pt等の貴金属を使用する場合は高い絶縁耐圧
が得られるが、その他の金属や半導体（例えばAl，Cr，
Si等）を使用する場合には、絶縁性が劣化することが知
られている。
高いTa2O5 薄膜が得られることが判ったが、この場合、
冒頭にも説明したようにこの薄膜の両面に被着する電極
としてAu，Pt等の貴金属を使用する場合は高い絶縁耐圧
が得られるが、その他の金属や半導体（例えばAl，Cr，
Si等）を使用する場合には、絶縁性が劣化することが知
られている。
そこで、本発明においては第１図に示すように第２のバ
ブラ（16）を設けて、これによりTi(isoOC3H7)4 の蒸気
を反応管(1)内に供給するようにしたものである。この
ようにして得られた薄膜中のTi(isoOC3H7)4 の濃度を、
ＩＣＰ発光分光分析法によりTi／Ta（at％）として測定
したところ、第４流量制御弁を通ずる流量と添加量との
間には、第３図に示すように比例関係が認められ、即ち
バブリング流量即ち第４流量制御弁（14）を制御するこ
とにより、添加量を所望の値に制御できることが認めら
れた。勿論第２バブラ（16）の温度を変更しても添加濃
度が変わることも判った。
ブラ（16）を設けて、これによりTi(isoOC3H7)4 の蒸気
を反応管(1)内に供給するようにしたものである。この
ようにして得られた薄膜中のTi(isoOC3H7)4 の濃度を、
ＩＣＰ発光分光分析法によりTi／Ta（at％）として測定
したところ、第４流量制御弁を通ずる流量と添加量との
間には、第３図に示すように比例関係が認められ、即ち
バブリング流量即ち第４流量制御弁（14）を制御するこ
とにより、添加量を所望の値に制御できることが認めら
れた。勿論第２バブラ（16）の温度を変更しても添加濃
度が変わることも判った。
次にかゝる薄膜の直流電界Ｅに対する漏れ電流密度Ｊの
関係を、濃度比Ti／Taを３種類に選び、かつ電極の材料
と電極の極性とを変えて測定したところ第４図に示す結
果を得た。尚第４Ａ図はTi／Ta＝０、第４図Ｂは同1.9a
t ％、第４図Ｃは同3.7at ％の場合を示し、電極の材料
としてAu及び Al を使用し、それぞれ極性をプラス側
（＋）とマイナス側（−）とに選んだ。
関係を、濃度比Ti／Taを３種類に選び、かつ電極の材料
と電極の極性とを変えて測定したところ第４図に示す結
果を得た。尚第４Ａ図はTi／Ta＝０、第４図Ｂは同1.9a
t ％、第４図Ｃは同3.7at ％の場合を示し、電極の材料
としてAu及び Al を使用し、それぞれ極性をプラス側
（＋）とマイナス側（−）とに選んだ。
尚、いずれの場合も、基板（21）側電極として比抵抗ρ
が0.02Ωcmであるｎ−タイプのSi基板を直接電極として
使用した場合であり、その(111)面上にTa (OC2H5)5 薄
膜を成長させている。これら第４図では横軸に直流電界
Ｅの平方根 を目盛り、縦軸に漏れ電流密度Ｊの対数 logＪを目盛っ
て示している。
が0.02Ωcmであるｎ−タイプのSi基板を直接電極として
使用した場合であり、その(111)面上にTa (OC2H5)5 薄
膜を成長させている。これら第４図では横軸に直流電界
Ｅの平方根 を目盛り、縦軸に漏れ電流密度Ｊの対数 logＪを目盛っ
て示している。
第４図Ａより明らかなように、Ti／Taが０の場合は、電
極の材料及び印加する電界の極性によって大きく異なる
特性を示し、特に容量構造として通常最もよく考えられ
る Al −Ta2O5 −Siの構成では高い耐圧が得られず、実
用に供することは困難である。
極の材料及び印加する電界の極性によって大きく異なる
特性を示し、特に容量構造として通常最もよく考えられ
る Al −Ta2O5 −Siの構成では高い耐圧が得られず、実
用に供することは困難である。
第４図ＢはTi／Taが1.9at ％の場合であるが、これを見
ると、本例では電極の材料にも、又直流電界の極性にも
ほとんど影響されず、かつ全体的に高耐圧である容量が
得られる。そして特にAuに代えてAlを使用できること
は、実用上大きな利点である。
ると、本例では電極の材料にも、又直流電界の極性にも
ほとんど影響されず、かつ全体的に高耐圧である容量が
得られる。そして特にAuに代えてAlを使用できること
は、実用上大きな利点である。
第４図ＣはTi／Taが3.7at ％の場合であるが、この例で
は、第４図Ｂの場合に比して漏れ電流が増加し、特にAl
電極の場合では大きくなる傾向にある。
は、第４図Ｂの場合に比して漏れ電流が増加し、特にAl
電極の場合では大きくなる傾向にある。
第５図は横軸に濃度即ちTi／Ta（at％）を目盛り、縦軸
に電界Ｅｂを目盛り、Ti／Ta（at％）の変化に対する漏
れ電流密度Ｊが10-3Ａ／cm2となる点の電界強度Ｅｂの
変化を測定したものであり、漏れ電流密度Ｊとして10-3
Ａ／cm2を耐圧の目安として選んだものである。この図
から見れば実用に供し得る耐圧を２×10６Ｖ／cmに選定
すれば、Ti／Ta（at％）は0.5at ％＜Ti／Ta＜３at％と
なる。
に電界Ｅｂを目盛り、Ti／Ta（at％）の変化に対する漏
れ電流密度Ｊが10-3Ａ／cm2となる点の電界強度Ｅｂの
変化を測定したものであり、漏れ電流密度Ｊとして10-3
Ａ／cm2を耐圧の目安として選んだものである。この図
から見れば実用に供し得る耐圧を２×10６Ｖ／cmに選定
すれば、Ti／Ta（at％）は0.5at ％＜Ti／Ta＜３at％と
なる。
尚、Ta2O5 薄膜の製法として、スパッタ法が良く知られ
ている。第６図はこのスパッタ法による薄膜と本発明に
よる薄膜とについて、その膜厚と平均的な誘電率との関
係を見たもので、いずれもSiを基板としたものである。
図において曲線ａが本発明による薄膜の場合、曲線ｂが
スパッタ法による薄膜の場合である。
ている。第６図はこのスパッタ法による薄膜と本発明に
よる薄膜とについて、その膜厚と平均的な誘電率との関
係を見たもので、いずれもSiを基板としたものである。
図において曲線ａが本発明による薄膜の場合、曲線ｂが
スパッタ法による薄膜の場合である。
これより明らかなようにスパッタ法による薄膜では、本
発明による薄膜に比して誘電率は大きく低下している。
これはスパッタ法では、 SiO2 層と考えられる 170Å程
度の厚味を有する低誘電率層が生じるためである。これ
に対して気相成長法による場合には、ほとんど低誘電率
層が発生しないために高誘電率が得られる。尚このａ曲
線は、 SiO2 膜が約12Å発生したとした場合の計算値を
示している。
発明による薄膜に比して誘電率は大きく低下している。
これはスパッタ法では、 SiO2 層と考えられる 170Å程
度の厚味を有する低誘電率層が生じるためである。これ
に対して気相成長法による場合には、ほとんど低誘電率
層が発生しないために高誘電率が得られる。尚このａ曲
線は、 SiO2 膜が約12Å発生したとした場合の計算値を
示している。
第７図は本発明による薄膜と、従来より知られている薄
膜との直流電界Ｅに対する漏れ電流密度Ｊの関係を示し
たものであり、横軸及び縦軸のスケールは、第４図と同
様である。本図において曲線ｃは本発明による場合、同
ｄはマグネトロンスパッタ法による場合、同ｅはTa熱酸
化法による場合、同ｆはＣＶＤ法による場合であり、こ
の曲線からしても、本発明による場合は、その他の場合
に比してきわめて高い耐圧を有することが確認された。
膜との直流電界Ｅに対する漏れ電流密度Ｊの関係を示し
たものであり、横軸及び縦軸のスケールは、第４図と同
様である。本図において曲線ｃは本発明による場合、同
ｄはマグネトロンスパッタ法による場合、同ｅはTa熱酸
化法による場合、同ｆはＣＶＤ法による場合であり、こ
の曲線からしても、本発明による場合は、その他の場合
に比してきわめて高い耐圧を有することが確認された。
以上説明したように、本発明による高誘電率薄膜は、高
誘電率を有するは勿論のこと、高い耐圧を有するいわゆ
るＭＩＳ容量となり、よってコンデンサの小型化が可能
となり、又ＩＣ等のいわゆる集積度の向上に役立つもの
である。
誘電率を有するは勿論のこと、高い耐圧を有するいわゆ
るＭＩＳ容量となり、よってコンデンサの小型化が可能
となり、又ＩＣ等のいわゆる集積度の向上に役立つもの
である。
第１図は本発明による高誘電率薄膜を製造する装置の一
例を示す略線図、第２図は薄膜の成長温度と薄膜のＸ線
回折強度、屈折率、漏れ電流との関係を示す曲線図、第
３図はTi−アルコオキサイドのバブリング流量とTi／Ta
との関係を示す曲線図、第４図は電界強度と漏れ電流と
の関係を示す曲線図、第５図はTi／Taと漏れ電流との関
係を示す曲線図、第６図は膜厚と誘電率との関係を示す
曲線図、第７図は電界強度と漏れ電流との関係を示す曲
線図である。 (1)は反応管、(5)は支持台、（21）は基板、（15）は第
１バブラ、（16）は第２バブラである。
例を示す略線図、第２図は薄膜の成長温度と薄膜のＸ線
回折強度、屈折率、漏れ電流との関係を示す曲線図、第
３図はTi−アルコオキサイドのバブリング流量とTi／Ta
との関係を示す曲線図、第４図は電界強度と漏れ電流と
の関係を示す曲線図、第５図はTi／Taと漏れ電流との関
係を示す曲線図、第６図は膜厚と誘電率との関係を示す
曲線図、第７図は電界強度と漏れ電流との関係を示す曲
線図である。 (1)は反応管、(5)は支持台、（21）は基板、（15）は第
１バブラ、（16）は第２バブラである。
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に、Taの酸化物とTiの酸化物との混
合した薄膜を、 上記TaとTiとの比Ti／Taが 0.1〜４at％になるように気
相成長法により形成したTiを含有するTaの酸化物よりな
る高誘電率薄膜。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60156519A JPH0627328B2 (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 高誘電率薄膜 |
| EP86305403A EP0210033B1 (en) | 1985-07-16 | 1986-07-14 | Dielectric thin films |
| US06/885,020 US4734340A (en) | 1985-07-16 | 1986-07-14 | Dielectric thin film |
| DE8686305403T DE3683807D1 (de) | 1985-07-16 | 1986-07-14 | Dielektrische duennschichten. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60156519A JPH0627328B2 (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 高誘電率薄膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6217177A JPS6217177A (ja) | 1987-01-26 |
| JPH0627328B2 true JPH0627328B2 (ja) | 1994-04-13 |
Family
ID=15629556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60156519A Expired - Lifetime JPH0627328B2 (ja) | 1985-07-16 | 1985-07-16 | 高誘電率薄膜 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4734340A (ja) |
| EP (1) | EP0210033B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0627328B2 (ja) |
| DE (1) | DE3683807D1 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
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| JP3047256B2 (ja) * | 1991-06-13 | 2000-05-29 | 株式会社豊田中央研究所 | 誘電体薄膜 |
| KR930012120B1 (ko) * | 1991-07-03 | 1993-12-24 | 삼성전자 주식회사 | 반도체장치 및 그의 제조방법 |
| US5569619A (en) * | 1992-06-24 | 1996-10-29 | Lg Semicon Co., Ltd. | Method for forming a capacitor of a semiconductor memory cell |
| KR960004462B1 (ko) * | 1992-08-07 | 1996-04-06 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 커패시터 제조방법 |
| US5390072A (en) * | 1992-09-17 | 1995-02-14 | Research Foundation Of State University Of New York | Thin film capacitors |
| US5587870A (en) * | 1992-09-17 | 1996-12-24 | Research Foundation Of State University Of New York | Nanocrystalline layer thin film capacitors |
| DE69624042T2 (de) * | 1995-06-16 | 2003-06-05 | At&T Ipm Corp., Coral Gables | TiO2 dotiertes, Ta2O5 enthaltendes dielektrisches Material und dieses enthaltende Bauteile |
| US6218300B1 (en) | 1998-06-12 | 2001-04-17 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for forming a titanium doped tantalum pentaoxide dielectric layer using CVD |
| US6727148B1 (en) * | 1998-06-30 | 2004-04-27 | Lam Research Corporation | ULSI MOS with high dielectric constant gate insulator |
| KR100282487B1 (ko) | 1998-10-19 | 2001-02-15 | 윤종용 | 고유전 다층막을 이용한 셀 캐패시터 및 그 제조 방법 |
| US6583057B1 (en) * | 1998-12-14 | 2003-06-24 | Motorola, Inc. | Method of forming a semiconductor device having a layer deposited by varying flow of reactants |
| US6221712B1 (en) * | 1999-08-30 | 2001-04-24 | United Microelectronics Corp. | Method for fabricating gate oxide layer |
| KR100705926B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2007-04-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조방법 |
| KR100494322B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2005-06-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 캐패시터 제조 방법 |
| US20070158178A1 (en) * | 2002-07-23 | 2007-07-12 | Tosoh Smd, Inc. | Method and apparatus for deposition of low-k dielectric materials |
| US20050070126A1 (en) * | 2003-04-21 | 2005-03-31 | Yoshihide Senzaki | System and method for forming multi-component dielectric films |
| US20080087866A1 (en) * | 2006-10-13 | 2008-04-17 | H.C. Stark Inc. | Titanium oxide-based sputtering target for transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2899345A (en) * | 1959-08-11 | Method of making titanium dioxide capacitors | ||
| US2960642A (en) * | 1958-04-17 | 1960-11-15 | Quartz & Silice S A | Dielectric films and capacitors employing the same |
| US3320500A (en) * | 1965-12-27 | 1967-05-16 | Bell Telephone Labor Inc | Tantalum alloy capacitor |
| JPS59102201A (ja) * | 1982-12-06 | 1984-06-13 | Nippon Soda Co Ltd | 高耐久性多層膜の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-16 JP JP60156519A patent/JPH0627328B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-07-14 US US06/885,020 patent/US4734340A/en not_active Expired - Fee Related
- 1986-07-14 EP EP86305403A patent/EP0210033B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-07-14 DE DE8686305403T patent/DE3683807D1/de not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4734340A (en) | 1988-03-29 |
| JPS6217177A (ja) | 1987-01-26 |
| DE3683807D1 (de) | 1992-03-19 |
| EP0210033B1 (en) | 1992-02-05 |
| EP0210033A1 (en) | 1987-01-28 |
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|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |