JPH05251351A - 強誘電体薄膜の形成方法 - Google Patents
強誘電体薄膜の形成方法Info
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- JPH05251351A JPH05251351A JP166893A JP166893A JPH05251351A JP H05251351 A JPH05251351 A JP H05251351A JP 166893 A JP166893 A JP 166893A JP 166893 A JP166893 A JP 166893A JP H05251351 A JPH05251351 A JP H05251351A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 酸素空孔がなく、電界を印加してもリーク電
流の発生がなく誘電率を高く維持しうる強誘電性酸化膜
の結晶化方法を提供する。 【構成】 酸素原子雰囲気下で、ペロブスカイト構造の
結晶を形成しうる強誘電性酸化膜を所定温度に加熱する
ことによって結晶欠陥を補償して結晶化させる。
流の発生がなく誘電率を高く維持しうる強誘電性酸化膜
の結晶化方法を提供する。 【構成】 酸素原子雰囲気下で、ペロブスカイト構造の
結晶を形成しうる強誘電性酸化膜を所定温度に加熱する
ことによって結晶欠陥を補償して結晶化させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、強誘電性酸化膜の結
晶化方法に関する。近年、強誘電体材料の高い誘電率を
利用した高集積度ＤＲＡＭやヒステリシス特性を応用し
た不揮発性メモリーの開発が活発になっている。これら
の強誘電体を応用したメモリーのキャパシタ絶縁膜材料
としては、現在３成分系複合ペロブスカイト酸化物であ
るＰb（Ｚr，Ｔi）Ｏ3（ＰＺＴ）が最も有望視され、非
常に高い誘電率と良好なヒステリシス特性を有すること
で知られている。しかし、信頼性の高い強誘電体メモリ
ーデバイスを実現するにあたって、いかにして膜特性の
良いＰＺＴ膜を形成するかが課題となっている。本発明
はこのＰＺＴ膜の形成技術に関する。
晶化方法に関する。近年、強誘電体材料の高い誘電率を
利用した高集積度ＤＲＡＭやヒステリシス特性を応用し
た不揮発性メモリーの開発が活発になっている。これら
の強誘電体を応用したメモリーのキャパシタ絶縁膜材料
としては、現在３成分系複合ペロブスカイト酸化物であ
るＰb（Ｚr，Ｔi）Ｏ3（ＰＺＴ）が最も有望視され、非
常に高い誘電率と良好なヒステリシス特性を有すること
で知られている。しかし、信頼性の高い強誘電体メモリ
ーデバイスを実現するにあたって、いかにして膜特性の
良いＰＺＴ膜を形成するかが課題となっている。本発明
はこのＰＺＴ膜の形成技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、強誘電性酸化膜の結晶化は、ペロブ
スカイト構造の結晶を得るために基板上に低温でＰＺＴ
（ＰbＺrxＴi1-xＯ3）、ＰＬＺＴ（(Ｐb1-xＬax)(Ｚr1-
yＴiy)1-y/4Ｏ3）膜等の膜を形成後、６００〜７００℃
の熱処理により結晶化させる方法が知られている。強誘
電体キャパシタを形成するには、白金などの下部電極を
形成した後、反応性スパッタやゾルーゲル法でＰＺＴを
堆積させる。そのままの状態では結晶はアモルファスま
たはパイロクロア相になっているため、６００℃前後の
温度で３０分から１時間程度の熱処理を行い結晶をペロ
ブスカイト構造に変化させる必要がある。従来はこの熱
処理を常圧の酸素雰囲気中、あるいはアルゴンのような
不活性ガス中で行っていた。
スカイト構造の結晶を得るために基板上に低温でＰＺＴ
（ＰbＺrxＴi1-xＯ3）、ＰＬＺＴ（(Ｐb1-xＬax)(Ｚr1-
yＴiy)1-y/4Ｏ3）膜等の膜を形成後、６００〜７００℃
の熱処理により結晶化させる方法が知られている。強誘
電体キャパシタを形成するには、白金などの下部電極を
形成した後、反応性スパッタやゾルーゲル法でＰＺＴを
堆積させる。そのままの状態では結晶はアモルファスま
たはパイロクロア相になっているため、６００℃前後の
温度で３０分から１時間程度の熱処理を行い結晶をペロ
ブスカイト構造に変化させる必要がある。従来はこの熱
処理を常圧の酸素雰囲気中、あるいはアルゴンのような
不活性ガス中で行っていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、熱処理
時に膜構成元素が酸化物(ＰbＯ等)の形で蒸発し酸素空
孔が生じ、酸素空孔の生じた膜に電界を印加すると、こ
の欠陥を通してリーク電流が発生し、誘電率が低下する
という問題がある。この発明は上記問題を解決するため
になされたものであって、酸素空孔がなく、電界を印加
してもリーク電流の発生がなく誘電率を高く維持しうる
強誘電性酸化膜の結晶化方法を提供しようとするもので
ある。上記のような従来の方法では熱処理温度が高くな
ると、膜中元素のうち最も蒸気圧が高い鉛が抜けて膜に
ピンホールが形成され、組成は鉛不足となる。また、こ
の鉛の蒸発量をあらかじめ考慮して成膜時にやや鉛過剰
なＰＺＴ膜を形成しておく必要がある。本発明はこのよ
うな鉛の蒸発を防ぐためになされたもので、熱処理後も
組成が変動することなく、信頼性の高い強誘電体膜を有
する半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。
時に膜構成元素が酸化物(ＰbＯ等)の形で蒸発し酸素空
孔が生じ、酸素空孔の生じた膜に電界を印加すると、こ
の欠陥を通してリーク電流が発生し、誘電率が低下する
という問題がある。この発明は上記問題を解決するため
になされたものであって、酸素空孔がなく、電界を印加
してもリーク電流の発生がなく誘電率を高く維持しうる
強誘電性酸化膜の結晶化方法を提供しようとするもので
ある。上記のような従来の方法では熱処理温度が高くな
ると、膜中元素のうち最も蒸気圧が高い鉛が抜けて膜に
ピンホールが形成され、組成は鉛不足となる。また、こ
の鉛の蒸発量をあらかじめ考慮して成膜時にやや鉛過剰
なＰＺＴ膜を形成しておく必要がある。本発明はこのよ
うな鉛の蒸発を防ぐためになされたもので、熱処理後も
組成が変動することなく、信頼性の高い強誘電体膜を有
する半導体装置の製造方法を提供することを目的として
いる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、酸素
原子雰囲気下で、ペロブスカイト構造の結晶を形成しう
る強誘電性酸化膜を所定温度に加熱することによって結
晶欠陥を補償して結晶化させることを特徴とする強誘電
性酸化膜の結晶化方法が提供される。
原子雰囲気下で、ペロブスカイト構造の結晶を形成しう
る強誘電性酸化膜を所定温度に加熱することによって結
晶欠陥を補償して結晶化させることを特徴とする強誘電
性酸化膜の結晶化方法が提供される。
【０００５】上記酸素原子雰囲気は、所定温度に加熱さ
れることによって発生する強誘電性酸化膜の結晶欠陥を
補償するためのものであって、通常６５０℃において１
０〜５０Ｔorrに相当する量の酸素原子からなる。
れることによって発生する強誘電性酸化膜の結晶欠陥を
補償するためのものであって、通常６５０℃において１
０〜５０Ｔorrに相当する量の酸素原子からなる。
【０００６】この酸素原子雰囲気は、例えば次のように
して形成することができる。第１の方法は、オゾン又は
酸素ガス雰囲気に紫外線を照射して行なわれる。オゾン
又は酸素ガス雰囲気は、通常６５０℃において１０〜５
０Ｔorrの圧力に相当する量のオゾン又は酸素ガスから
なる。紫外線は、波長が好ましくは１８５nm以下であ
る。次の式で示すように、オゾンガスに紫外線が照射さ
れると、Ｏ(1Ｄ)が生成される。酸素ガスにも紫外線が
照射されるとＯ(1Ｄ)が生成される。 第２の方法は、オゾンガスを、通常６００〜７００℃で
熱分解して行なわれる。オゾンガスは、通常６５０℃に
おいて１０〜５０Ｔorrの圧力に相当する量が用いられ
る。この熱分解は、オゾン発生器により生成したＯ3を
次の式で示すようにＯ(3Ｐ)に変換することができる。 熱 Ｏ3→Ｏ(3Ｐ)＋Ｏ2 なお、酸素原子Ｏ(1Ｄ)は、Ｏ(3Ｐ)より１eＶ以上活性
化されたものでＯ(3Ｐ)に比べ、より反応を促進させ
る。このように形成された活性な酸素原子が膜中および
粒界を拡散し酸素空孔を埋め、欠陥の低減が実現でき
る。なお、第１〜第２の方法において、適宜不活性ガス
を混合してもよい。
して形成することができる。第１の方法は、オゾン又は
酸素ガス雰囲気に紫外線を照射して行なわれる。オゾン
又は酸素ガス雰囲気は、通常６５０℃において１０〜５
０Ｔorrの圧力に相当する量のオゾン又は酸素ガスから
なる。紫外線は、波長が好ましくは１８５nm以下であ
る。次の式で示すように、オゾンガスに紫外線が照射さ
れると、Ｏ(1Ｄ)が生成される。酸素ガスにも紫外線が
照射されるとＯ(1Ｄ)が生成される。 第２の方法は、オゾンガスを、通常６００〜７００℃で
熱分解して行なわれる。オゾンガスは、通常６５０℃に
おいて１０〜５０Ｔorrの圧力に相当する量が用いられ
る。この熱分解は、オゾン発生器により生成したＯ3を
次の式で示すようにＯ(3Ｐ)に変換することができる。 熱 Ｏ3→Ｏ(3Ｐ)＋Ｏ2 なお、酸素原子Ｏ(1Ｄ)は、Ｏ(3Ｐ)より１eＶ以上活性
化されたものでＯ(3Ｐ)に比べ、より反応を促進させ
る。このように形成された活性な酸素原子が膜中および
粒界を拡散し酸素空孔を埋め、欠陥の低減が実現でき
る。なお、第１〜第２の方法において、適宜不活性ガス
を混合してもよい。
【０００７】上記ペロブスカイト構造の結晶を形成しう
る強誘電性酸化膜は、ペロブスカイト構造の結晶からな
る誘電性酸化膜を形成するためのものであって、通常、
表面が導電性の基板上に、例えばＰＺＴ、ＰＬＺＴ等の
膜を形成して用いることができる。この膜は、通常０．
２〜０．５μmの膜厚を有する。また、この膜は、スパ
ッタリング法、ＭＯＣＶＤ法等によって形成することが
できる。上記所定温度の加熱は、強誘電性酸化膜にペロ
ブスカイト構造の結晶を生成させるためのものであっ
て、通常６００〜７００℃で行なわれる。得られたペロ
ブスカイト構造の結晶を有する強誘電性酸化膜が形成さ
れた基板は、更にこの上に導電膜を形成して、例えば半
導体記憶装置のキャパシタ絶縁膜等を作成することがで
きる。
る強誘電性酸化膜は、ペロブスカイト構造の結晶からな
る誘電性酸化膜を形成するためのものであって、通常、
表面が導電性の基板上に、例えばＰＺＴ、ＰＬＺＴ等の
膜を形成して用いることができる。この膜は、通常０．
２〜０．５μmの膜厚を有する。また、この膜は、スパ
ッタリング法、ＭＯＣＶＤ法等によって形成することが
できる。上記所定温度の加熱は、強誘電性酸化膜にペロ
ブスカイト構造の結晶を生成させるためのものであっ
て、通常６００〜７００℃で行なわれる。得られたペロ
ブスカイト構造の結晶を有する強誘電性酸化膜が形成さ
れた基板は、更にこの上に導電膜を形成して、例えば半
導体記憶装置のキャパシタ絶縁膜等を作成することがで
きる。
【０００８】さらに、この発明によれば、ＰＺＴ膜堆積
後の熱処理を２〜３気圧に加圧した雰囲気中で行うこと
により鉛の蒸気圧を下げることができる。また、酸素雰
囲気中で行うことにより、金属の鉛よりも蒸気圧の低い
酸化物ＰbＯが形成され、鉛の蒸発をさらに抑えること
ができる。
後の熱処理を２〜３気圧に加圧した雰囲気中で行うこと
により鉛の蒸気圧を下げることができる。また、酸素雰
囲気中で行うことにより、金属の鉛よりも蒸気圧の低い
酸化物ＰbＯが形成され、鉛の蒸発をさらに抑えること
ができる。
【０００９】
【作用】酸素原子が、ペロブスカイト構造の結晶を得る
ための加熱時に、膜中元素の蒸発によって生じる強誘電
性酸化膜の結晶欠陥に拡散して結晶欠陥を補償する。
ための加熱時に、膜中元素の蒸発によって生じる強誘電
性酸化膜の結晶欠陥に拡散して結晶欠陥を補償する。
【００１０】また、上記のような方法により、高温の熱
処理に対しても鉛がほとんど蒸発することなく、ピンホ
ールのない良質なＰＺＴ膜を形成することができる。
処理に対しても鉛がほとんど蒸発することなく、ピンホ
ールのない良質なＰＺＴ膜を形成することができる。
【００１１】
【実施例】実施例１ 表面に、スパッタリング法によって膜厚０．３μmのＰ
ＺＴ膜が形成された基板を反応室内に配置する。
ＺＴ膜が形成された基板を反応室内に配置する。
【００１２】次に、この反応室内を真空にした後、無声
放電型オゾン発生器により生成したオゾンガスを６５０
℃において５０Ｔorrの圧力に相当する量導入し、基板
を６５０℃に加熱して、低圧水銀ランプを用いて２５４
又は１８５nmの輝線を照射する結晶化処理を６０分間行
う。結晶化されたＰＺＴ膜は、誘電率が２０００〜３０
００であった。
放電型オゾン発生器により生成したオゾンガスを６５０
℃において５０Ｔorrの圧力に相当する量導入し、基板
を６５０℃に加熱して、低圧水銀ランプを用いて２５４
又は１８５nmの輝線を照射する結晶化処理を６０分間行
う。結晶化されたＰＺＴ膜は、誘電率が２０００〜３０
００であった。
【００１３】実施例２ 実施例１において、スパッタリング法の代わりにＭＯＣ
ＶＤ法によってＰＺＴ膜を形成し、５０Ｔorrのオゾン
ガスを用いる代わりに２０Ｔorrの酸素ガスを用い、こ
の他は実施例１と同様にしてＰＺＴ膜の結晶化処理を行
う。結晶化されたＰＺＴ膜は、誘電率が１０００〜２０
００であった。
ＶＤ法によってＰＺＴ膜を形成し、５０Ｔorrのオゾン
ガスを用いる代わりに２０Ｔorrの酸素ガスを用い、こ
の他は実施例１と同様にしてＰＺＴ膜の結晶化処理を行
う。結晶化されたＰＺＴ膜は、誘電率が１０００〜２０
００であった。
【００１４】実施例３ 実施例１において、低圧水銀ランプを用いず、この他は
実施例１と同様にして結晶化処理を行う。結晶化された
ＰＺＴ膜は、誘電率が１０００〜２０００であった。
実施例１と同様にして結晶化処理を行う。結晶化された
ＰＺＴ膜は、誘電率が１０００〜２０００であった。
【００１５】以下、図２に示すような、Ｓi基板の上に
順次ＳiＯ2(２０００Å)下部電極(１０００Å)、ＰＺＴ
(５０００Å)、上部電極(１０００Å)を積層して形成し
た構造の強誘電体キャパシタについて製造方法を説明す
る。なお、本発明は本実施例により限定されるものでは
ない。
順次ＳiＯ2(２０００Å)下部電極(１０００Å)、ＰＺＴ
(５０００Å)、上部電極(１０００Å)を積層して形成し
た構造の強誘電体キャパシタについて製造方法を説明す
る。なお、本発明は本実施例により限定されるものでは
ない。
【００１６】まず、拡散炉にて酸素雰囲気中Ｓi基板表面
を熱酸化させ、２０００ÅのＳiＯ2膜を形成した後、白
金の密着性を良くするため、基板を３００℃程度まで過
熱してから白金をターゲットとしてＤＣマグネトロンス
パッタ法により白金を1000Å程度堆積させ、下部電極を
形成する(図３)。次に、基板を５５０℃に加熱し、Ｐb
ＺrＯ3:ＰbＴiＯ3＝１:１のＰＺＴ焼結体をターゲット
として、Ａr:Ｏ2＝８:２のプラズマイオンを用いてＲＦ
スパッタリングを行い、ＰＺＴ膜を５０００Å程度堆積
させる(図４)。堆積直後の膜はアモルファスまたはパイ
ロクロア相になっているため、熱処理を行い結晶をペロ
ブスカイト構造に変化させる必要がある。
を熱酸化させ、２０００ÅのＳiＯ2膜を形成した後、白
金の密着性を良くするため、基板を３００℃程度まで過
熱してから白金をターゲットとしてＤＣマグネトロンス
パッタ法により白金を1000Å程度堆積させ、下部電極を
形成する(図３)。次に、基板を５５０℃に加熱し、Ｐb
ＺrＯ3:ＰbＴiＯ3＝１:１のＰＺＴ焼結体をターゲット
として、Ａr:Ｏ2＝８:２のプラズマイオンを用いてＲＦ
スパッタリングを行い、ＰＺＴ膜を５０００Å程度堆積
させる(図４)。堆積直後の膜はアモルファスまたはパイ
ロクロア相になっているため、熱処理を行い結晶をペロ
ブスカイト構造に変化させる必要がある。
【００１７】熱処理を行う装置は気密性の石英反応管と
電気ヒーターを有する加圧型電気炉で、酸素を流しなが
ら反応室内を数気圧に保つことができるものである。こ
の加圧型電気炉を用いて、堆積したＰＺＴ膜を２〜３気
圧に加圧した酸素中で６５０℃、３０分の熱処理を行
う。反応室内が加圧されているため、鉛の蒸気圧は低く
抑えられ、鉛がほとんど抜けることなく結晶をペロブス
カイト構造に変化させることができる。熱処理後、上記
と同様の方法で白金をターゲットとしてＤＣスパッタリ
ングを行うことにより上部電極を形成して強誘電体キャ
パシタが完成する(図２)。
電気ヒーターを有する加圧型電気炉で、酸素を流しなが
ら反応室内を数気圧に保つことができるものである。こ
の加圧型電気炉を用いて、堆積したＰＺＴ膜を２〜３気
圧に加圧した酸素中で６５０℃、３０分の熱処理を行
う。反応室内が加圧されているため、鉛の蒸気圧は低く
抑えられ、鉛がほとんど抜けることなく結晶をペロブス
カイト構造に変化させることができる。熱処理後、上記
と同様の方法で白金をターゲットとしてＤＣスパッタリ
ングを行うことにより上部電極を形成して強誘電体キャ
パシタが完成する(図２)。
【００１８】上記の如く、ＰＺＴ膜堆積後の熱処理を２
〜３気圧に加圧した雰囲気中で行うことにより鉛の蒸気
圧を下げることができる。また、酸素雰囲気中で行うこ
とにより、金属の鉛よりも蒸気圧の低い酸化物ＰbＯが
形成され、鉛の蒸発をさらに抑えることができる。
〜３気圧に加圧した雰囲気中で行うことにより鉛の蒸気
圧を下げることができる。また、酸素雰囲気中で行うこ
とにより、金属の鉛よりも蒸気圧の低い酸化物ＰbＯが
形成され、鉛の蒸発をさらに抑えることができる。
【００１９】上記のような方法により、図１のＰb／(Ｚ
r＋Ｔi)と熱処理温度(q)との関係曲線として常温での熱
処理(a)に比べて、３気圧の酸素雰囲気中での熱処理(b)
に示す如く、高温の熱処理に対しても鉛がほとんど蒸発
することなく、ピンホールのない良質なＰＺＴ膜を形成
することができる。
r＋Ｔi)と熱処理温度(q)との関係曲線として常温での熱
処理(a)に比べて、３気圧の酸素雰囲気中での熱処理(b)
に示す如く、高温の熱処理に対しても鉛がほとんど蒸発
することなく、ピンホールのない良質なＰＺＴ膜を形成
することができる。
【００２０】
【発明の効果】この発明においては、酸素空孔がなく、
電界を印加してもリーク電流の発生がなく、誘電率を高
く維持しうる強誘電性酸化膜の結晶化方法を提供するこ
とができる。本発明により熱処理後も組成のずれやピン
ホールの発生がなく、結晶性の優れた信頼性の高いＰＺ
Ｔ膜を容易に得ることが可能になるとともに、ＰＺＴ膜
を種々の半導体装置に応用することが可能となり、大容
量ＤＲＡＭや不揮発性メモリー等の高機能半導体装置を
容易に製造することが可能となる。
電界を印加してもリーク電流の発生がなく、誘電率を高
く維持しうる強誘電性酸化膜の結晶化方法を提供するこ
とができる。本発明により熱処理後も組成のずれやピン
ホールの発生がなく、結晶性の優れた信頼性の高いＰＺ
Ｔ膜を容易に得ることが可能になるとともに、ＰＺＴ膜
を種々の半導体装置に応用することが可能となり、大容
量ＤＲＡＭや不揮発性メモリー等の高機能半導体装置を
容易に製造することが可能となる。
【図１】 本発明と従来例との比較において、熱処理温
度と膜組成の関係を示す線図である。
度と膜組成の関係を示す線図である。
【図２】 本発明にかかる上記電極を形成した強誘電体
キャパシタの構造を示す断面図である。
キャパシタの構造を示す断面図である。
【図３】 本発明の下部電極形成の断面図である。
【図４】 本発明のＰＺＴ絶縁膜形成の断面図である。
１ Ｓi基板 ２ ＳiＯ2 ３ 下部電極 ４ ＰＺＴ ５ 上部電極
Claims (4)
- 【請求項１】 酸素原子雰囲気下で、ペロブスカイト構
造の結晶を形成しうる強誘電性酸化膜を所定温度に加熱
することによって結晶欠陥を補償して結晶化させること
を特徴とする強誘電性酸化膜の結晶化方法。 - 【請求項２】 酸素原子雰囲気が、オゾン又は酸素ガス
に紫外線を照射して形成される請求項１の方法。 - 【請求項３】 酸素原子雰囲気が、オゾンガスの加熱に
よって形成される請求項１の方法。 - 【請求項４】 電極が形成された半導体基板の上に複合
ペロブスカイト酸化物膜を堆積した後、高圧酸素雰囲気
中で熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4-1449 | 1992-01-08 | ||
| JP144992 | 1992-01-08 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05251351A true JPH05251351A (ja) | 1993-09-28 |
Family
ID=11501755
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP166893A Pending JPH05251351A (ja) | 1992-01-08 | 1993-01-08 | 強誘電体薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05251351A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5728603A (en) * | 1994-11-28 | 1998-03-17 | Northern Telecom Limited | Method of forming a crystalline ferroelectric dielectric material for an integrated circuit |
| KR19980031893A (ko) * | 1996-10-31 | 1998-07-25 | 김광호 | 계면 공학을 이용한 강유전체 캐패시터 및 그 제조 방법 |
| KR100360468B1 (ko) * | 1995-03-20 | 2003-01-24 | 삼성전자 주식회사 | 강유전성박막제조방법및이를적용한캐패시터및그제조방법 |
| JP2004207304A (ja) * | 2002-12-24 | 2004-07-22 | Seiko Epson Corp | セラミックス膜の製造方法および強誘電体キャパシタの製造方法、ならびにセラミックス膜、強誘電体キャパシタおよび半導体装置 |
| JP2004296681A (ja) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Seiko Epson Corp | 強誘電体膜、強誘電体膜の製造方法、強誘電体キャパシタおよび強誘電体キャパシタの製造方法ならびに強誘電体メモリ |
| JP2007103963A (ja) * | 2006-12-11 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | 強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタおよび半導体装置 |
| US7419837B2 (en) | 2004-02-19 | 2008-09-02 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing semiconductor device |
-
1993
- 1993-01-08 JP JP166893A patent/JPH05251351A/ja active Pending
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| JP2007103963A (ja) * | 2006-12-11 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | 強誘電体キャパシタの製造方法、強誘電体キャパシタおよび半導体装置 |
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