RU2008138748A - Коррозионный кислотный раствор для получения поликремниевой замши и способ приготовления поликремниевой замши - Google Patents
Коррозионный кислотный раствор для получения поликремниевой замши и способ приготовления поликремниевой замши Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008138748A RU2008138748A RU2008138748/28A RU2008138748A RU2008138748A RU 2008138748 A RU2008138748 A RU 2008138748A RU 2008138748/28 A RU2008138748/28 A RU 2008138748/28A RU 2008138748 A RU2008138748 A RU 2008138748A RU 2008138748 A RU2008138748 A RU 2008138748A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- acid solution
- preparing
- polysilicon
- nitrite
- solution
- Prior art date
Links
- 239000002253 acid Substances 0.000 title claims abstract 15
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 title claims abstract 3
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 title claims abstract 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract 16
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract 16
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 12
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract 8
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 4
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N nitrate group Chemical group [N+](=O)([O-])[O-] NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N potassium nitrate Chemical compound [K+].[O-][N+]([O-])=O FGIUAXJPYTZDNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N sodium nitrate Chemical group [Na+].[O-][N+]([O-])=O VWDWKYIASSYTQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M sodium nitrite Chemical group [Na+].[O-]N=O LPXPTNMVRIOKMN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract 4
- PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 2-(3-bromo-2-fluorophenyl)acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=CC(Br)=C1F PAWQVTBBRAZDMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- AZFNGPAYDKGCRB-XCPIVNJJSA-M [(1s,2s)-2-amino-1,2-diphenylethyl]-(4-methylphenyl)sulfonylazanide;chlororuthenium(1+);1-methyl-4-propan-2-ylbenzene Chemical compound [Ru+]Cl.CC(C)C1=CC=C(C)C=C1.C1=CC(C)=CC=C1S(=O)(=O)[N-][C@@H](C=1C=CC=CC=1)[C@@H](N)C1=CC=CC=C1 AZFNGPAYDKGCRB-XCPIVNJJSA-M 0.000 claims abstract 2
- CAMXVZOXBADHNJ-UHFFFAOYSA-N ammonium nitrite Chemical compound [NH4+].[O-]N=O CAMXVZOXBADHNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 2
- 235000010333 potassium nitrate Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 239000004323 potassium nitrate Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000010289 potassium nitrite Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 239000004304 potassium nitrite Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims abstract 2
- 235000010344 sodium nitrate Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 239000004317 sodium nitrate Substances 0.000 claims abstract 2
- 235000010288 sodium nitrite Nutrition 0.000 claims abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract 2
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
- C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
- C09K13/08—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid containing a fluorine compound
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
- H01L31/02363—Special surface textures of the semiconductor body itself, e.g. textured active layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Weting (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
1. Коррозионный кислотный раствор для приготовления поликремниевой текстуры, содержащий смешанные окислитель и раствор фтористоводородной кислоты, где окислителем является нитрат или нитрит. ! 2. Коррозионный кислотный раствор для приготовления поликремниевой текстуры по п.1, где нитрат является нитратом натрия, нитратом калия или нитратом аммония, нитрит является нитритом натрия, нитритом калия или нитритом аммония. ! 3. Коррозионный кислотный раствор для приготовления поликремниевой текстуры по п.1, где окислитель имеет концентрацию от 0,1 до 10 моль/л, а раствор фтористоводородной кислоты имеет концентрацию от 10 до 25 моль/л. ! 4. Коррозионный кислотный раствор для приготовления поликремниевой текстуры по п.1, где окислитель имеет концентрацию от 0,3 до 5 моль/л, а раствор фтористоводородной кислоты имеет концентрацию от 15 до 22 моль/л. !5. Способ приготовления поликремниевой текстуры путем применения коррозионного кислотного раствора по любому из пп.1, 2 или 3, включающий: установление температуры коррозионного кислотного раствора в пределах от - 10 до 25°C; и погружение зачищенных поликремниевых пластин в коррозионный кислотный раствор для выполнения реакции коррозии на время от 30 с до 20 мин. ! 6. Способ приготовления поликремниевой текстуры по п.4, где температура реакции составляет от 0 до 15°C. ! 7. Способ приготовления поликремниевой текстуры по п.4, где время реакции составляет от 1 до 10 мин.
Claims (7)
1. Коррозионный кислотный раствор для приготовления поликремниевой текстуры, содержащий смешанные окислитель и раствор фтористоводородной кислоты, где окислителем является нитрат или нитрит.
2. Коррозионный кислотный раствор для приготовления поликремниевой текстуры по п.1, где нитрат является нитратом натрия, нитратом калия или нитратом аммония, нитрит является нитритом натрия, нитритом калия или нитритом аммония.
3. Коррозионный кислотный раствор для приготовления поликремниевой текстуры по п.1, где окислитель имеет концентрацию от 0,1 до 10 моль/л, а раствор фтористоводородной кислоты имеет концентрацию от 10 до 25 моль/л.
4. Коррозионный кислотный раствор для приготовления поликремниевой текстуры по п.1, где окислитель имеет концентрацию от 0,3 до 5 моль/л, а раствор фтористоводородной кислоты имеет концентрацию от 15 до 22 моль/л.
5. Способ приготовления поликремниевой текстуры путем применения коррозионного кислотного раствора по любому из пп.1, 2 или 3, включающий: установление температуры коррозионного кислотного раствора в пределах от - 10 до 25°C; и погружение зачищенных поликремниевых пластин в коррозионный кислотный раствор для выполнения реакции коррозии на время от 30 с до 20 мин.
6. Способ приготовления поликремниевой текстуры по п.4, где температура реакции составляет от 0 до 15°C.
7. Способ приготовления поликремниевой текстуры по п.4, где время реакции составляет от 1 до 10 мин.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CNB2006100656764A CN100467670C (zh) | 2006-03-21 | 2006-03-21 | 一种用于制备多晶硅绒面的酸腐蚀溶液及其使用方法 |
| CN200610065676.4 | 2006-03-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008138748A true RU2008138748A (ru) | 2010-04-27 |
| RU2400862C2 RU2400862C2 (ru) | 2010-09-27 |
Family
ID=36923011
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008138748/28A RU2400862C2 (ru) | 2006-03-21 | 2006-05-24 | Коррозионный кислотный раствор для получения поликремниевой текстуры и способ приготовления поликремниевой текстуры |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8298438B2 (ru) |
| EP (1) | EP2006892A4 (ru) |
| JP (1) | JP4916546B2 (ru) |
| KR (1) | KR101028000B1 (ru) |
| CN (1) | CN100467670C (ru) |
| AU (1) | AU2006340678B2 (ru) |
| RU (1) | RU2400862C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007107053A1 (ru) |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB0601319D0 (en) | 2006-01-23 | 2006-03-01 | Imp Innovations Ltd | A method of fabricating pillars composed of silicon-based material |
| GB0709165D0 (en) | 2007-05-11 | 2007-06-20 | Nexeon Ltd | A silicon anode for a rechargeable battery |
| GB0713898D0 (en) | 2007-07-17 | 2007-08-29 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silcon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
| US20090236317A1 (en) * | 2008-03-21 | 2009-09-24 | Midwest Research Institute | Anti-reflection etching of silicon surfaces catalyzed with ionic metal solutions |
| GB2464157B (en) | 2008-10-10 | 2010-09-01 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material |
| GB2464158B (en) * | 2008-10-10 | 2011-04-20 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
| GB2470056B (en) | 2009-05-07 | 2013-09-11 | Nexeon Ltd | A method of making silicon anode material for rechargeable cells |
| GB2470190B (en) | 2009-05-11 | 2011-07-13 | Nexeon Ltd | A binder for lithium ion rechargeable battery cells |
| US9853292B2 (en) | 2009-05-11 | 2017-12-26 | Nexeon Limited | Electrode composition for a secondary battery cell |
| JP5304477B2 (ja) * | 2009-06-23 | 2013-10-02 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハのエッチング方法 |
| GB201005979D0 (en) | 2010-04-09 | 2010-05-26 | Nexeon Ltd | A method of fabricating structured particles composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
| GB201009519D0 (en) | 2010-06-07 | 2010-07-21 | Nexeon Ltd | An additive for lithium ion rechargeable battery cells |
| GB201014706D0 (en) | 2010-09-03 | 2010-10-20 | Nexeon Ltd | Porous electroactive material |
| GB201014707D0 (en) | 2010-09-03 | 2010-10-20 | Nexeon Ltd | Electroactive material |
| JP5527417B2 (ja) * | 2010-09-14 | 2014-06-18 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池及びその製造方法 |
| CN102181936A (zh) * | 2010-10-26 | 2011-09-14 | 江阴浚鑫科技有限公司 | 一种制作多晶硅绒面的方法及腐蚀液 |
| CN102479868B (zh) * | 2010-11-25 | 2014-04-02 | 浙江贝盛光伏股份有限公司 | 快速调节多晶制绒减薄量的方法 |
| CN102330091B (zh) * | 2011-07-27 | 2012-07-04 | 常州时创能源科技有限公司 | 一种多晶硅片酸性制绒液的添加剂及使用方法 |
| CN102330154B (zh) * | 2011-07-27 | 2012-08-01 | 常州时创能源科技有限公司 | 一种用于多晶硅片制绒的酸性制绒液及其使用方法 |
| JP2013084835A (ja) * | 2011-10-12 | 2013-05-09 | Hikari Kobayashi | シリコンウェハの表面処理方法及び半導体装置の製造方法並びに太陽電池 |
| CN109414155B (zh) * | 2016-08-16 | 2022-04-29 | 直观外科手术操作公司 | 使用第一和第二光纤感测柔性工具的形状 |
| CN108330545A (zh) * | 2018-01-24 | 2018-07-27 | 浙江向日葵光能科技股份有限公司 | 一种用于金刚线切割多晶硅片制绒的添加剂及方法 |
| CN110592681A (zh) * | 2019-09-30 | 2019-12-20 | 四川英发太阳能科技有限公司 | 一种提升返工片效率良率的制绒工艺 |
| CN111607399A (zh) * | 2020-04-29 | 2020-09-01 | 苏州美法光电科技有限公司 | 一种用于硅片晶圆再生技术的表层腐蚀液制备方法 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US2653085A (en) * | 1952-08-09 | 1953-09-22 | Westinghouse Electric Corp | Etching solution and process |
| BE671953A (ru) * | 1964-11-05 | |||
| DD206168B1 (de) * | 1982-06-09 | 1986-12-10 | Funkwerk Erfurt Veb K | Aetzmittel fuer polykristalline siliciumschichten |
| DD240552A1 (de) * | 1985-08-29 | 1986-11-05 | Buna Chem Werke Veb | Verfahren zur aufarbeitung der mutterlauge der polyvinylacetat-verseifung |
| JPH06283720A (ja) * | 1993-03-30 | 1994-10-07 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5685946A (en) * | 1993-08-11 | 1997-11-11 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method of producing buried porous silicon-geramanium layers in monocrystalline silicon lattices |
| FR2741194B1 (fr) * | 1995-11-13 | 1998-01-30 | Photowatt Int | Cellule solaire comportant du silicium multicristallin et procede de texturisation de la surface du silicium multicristallin de type p |
| JP2000160367A (ja) * | 1998-11-24 | 2000-06-13 | Daikin Ind Ltd | エッチレートが高速化されたエッチング液 |
| GB2373367A (en) * | 2000-12-12 | 2002-09-18 | Univ Montfort | Formation and processing of porous semiconductors using etching solution of oxidant and fluorine-containing Lewis acid |
| JP2005136081A (ja) * | 2003-10-29 | 2005-05-26 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| JP3925867B2 (ja) * | 2003-12-17 | 2007-06-06 | 関西ティー・エル・オー株式会社 | 多孔質層付きシリコン基板を製造する方法 |
| CN100344001C (zh) * | 2004-09-30 | 2007-10-17 | 无锡尚德太阳能电力有限公司 | 一种制备多晶硅绒面的方法 |
-
2006
- 2006-03-21 CN CNB2006100656764A patent/CN100467670C/zh active Active
- 2006-05-24 RU RU2008138748/28A patent/RU2400862C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2006-05-24 EP EP06741966A patent/EP2006892A4/en not_active Withdrawn
- 2006-05-24 AU AU2006340678A patent/AU2006340678B2/en not_active Ceased
- 2006-05-24 US US12/225,382 patent/US8298438B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-24 WO PCT/CN2006/001078 patent/WO2007107053A1/zh active Application Filing
- 2006-05-24 JP JP2009500687A patent/JP4916546B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-05-24 KR KR1020087025607A patent/KR101028000B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2006892A4 (en) | 2012-02-29 |
| CN100467670C (zh) | 2009-03-11 |
| US20100224593A1 (en) | 2010-09-09 |
| JP2009530834A (ja) | 2009-08-27 |
| US8298438B2 (en) | 2012-10-30 |
| CN1821446A (zh) | 2006-08-23 |
| JP4916546B2 (ja) | 2012-04-11 |
| KR20090005016A (ko) | 2009-01-12 |
| WO2007107053A1 (fr) | 2007-09-27 |
| AU2006340678B2 (en) | 2010-12-16 |
| EP2006892A1 (en) | 2008-12-24 |
| RU2400862C2 (ru) | 2010-09-27 |
| AU2006340678A1 (en) | 2007-09-27 |
| KR101028000B1 (ko) | 2011-04-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008138748A (ru) | Коррозионный кислотный раствор для получения поликремниевой замши и способ приготовления поликремниевой замши | |
| RU2008132685A (ru) | Способ травления материала на основе кремния | |
| JP2009052142A5 (ru) | ||
| CN104860541A (zh) | 一种抛光液及抛光方法 | |
| SG170108A1 (en) | Composition and method to polish silicon nitride | |
| NO20045474L (no) | Fremgangsmate for syrebehandlingsstimulering ved anvendelse av viskoelastisk gelatineringsmiddel | |
| TW200603262A (en) | Post-dry etching cleaning liquid composition and process for fabricating semiconductor device | |
| ATE410784T1 (de) | Verfahren zum texturieren von oberflächen von silizium-scheiben | |
| CN101586239A (zh) | 多晶硅酸蚀化学绒面制备添加剂 | |
| WO2008129944A1 (ja) | エッチング液 | |
| RU2011121882A (ru) | Жидкость для химической конверсионной обработки металлического материала и способ обработки | |
| GB2474187A (en) | Silicon etchant and etching method | |
| WO2008111163A1 (ja) | 金属ガラス部品の表面処理方法と該方法で表面処理された金属ガラス部品 | |
| RU2006109914A (ru) | Способ получения супрамолекулярного геля | |
| CN102677064A (zh) | 铝合金两酸抛光用添加剂 | |
| CN102337102A (zh) | 一种化学研磨去除钢铁件毛剌的工艺方法 | |
| MY164438A (en) | Polishing composition | |
| RU2007129597A (ru) | Способ получения металлоалмазных химических покрытий | |
| JPS5945756B2 (ja) | アルカリ性アルミニウム化学研磨液 | |
| RU2005103190A (ru) | Способ химической стабилизации гальванических шламов, длительное время находящихся на хранении | |
| KR20040015082A (ko) | 제청용 조성물 및 그를 사용하는 제청방법 | |
| CN102337573A (zh) | 一种铝合金喷玻璃珠粉尘清洗剂及其去尘方法 | |
| CN104562022A (zh) | 一种不锈钢化学抛光液及其制备方法 | |
| RU2008138808A (ru) | Способ получения органофильного бентонита | |
| TW200716798A (en) | Method for preparing zing oxide crystalline |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130525 |