RU2008135359A - Миниатюризованный пружинный элемент и способ его изготовления - Google Patents
Миниатюризованный пружинный элемент и способ его изготовления Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008135359A RU2008135359A RU2008135359/28A RU2008135359A RU2008135359A RU 2008135359 A RU2008135359 A RU 2008135359A RU 2008135359/28 A RU2008135359/28 A RU 2008135359/28A RU 2008135359 A RU2008135359 A RU 2008135359A RU 2008135359 A RU2008135359 A RU 2008135359A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- spring element
- deposition
- zone
- substrate
- precursor materials
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 10
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract 9
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract 2
- 239000012084 conversion product Substances 0.000 claims abstract 2
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 claims abstract 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims abstract 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims abstract 2
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 claims abstract 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims abstract 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract 2
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims 3
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- OBOXTJCIIVUZEN-UHFFFAOYSA-N [C].[O] Chemical class [C].[O] OBOXTJCIIVUZEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- 150000002483 hydrogen compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 claims 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
- G01Q60/38—Probes, their manufacture, or their related instrumentation, e.g. holders
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q20/00—Monitoring the movement or position of the probe
- G01Q20/04—Self-detecting probes, i.e. wherein the probe itself generates a signal representative of its position, e.g. piezoelectric gauge
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y35/00—Methods or apparatus for measurement or analysis of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01Q—SCANNING-PROBE TECHNIQUES OR APPARATUS; APPLICATIONS OF SCANNING-PROBE TECHNIQUES, e.g. SCANNING PROBE MICROSCOPY [SPM]
- G01Q60/00—Particular types of SPM [Scanning Probe Microscopy] or microscopes; Essential components thereof
- G01Q60/24—AFM [Atomic Force Microscopy] or apparatus therefor, e.g. AFM probes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/84—Manufacture, treatment, or detection of nanostructure
- Y10S977/89—Deposition of materials, e.g. coating, cvd, or ald
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S977/00—Nanotechnology
- Y10S977/902—Specified use of nanostructure
- Y10S977/932—Specified use of nanostructure for electronic or optoelectronic application
- Y10S977/953—Detector using nanostructure
- Y10S977/956—Of mechanical property
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Nuclear Medicine, Radiotherapy & Molecular Imaging (AREA)
- Radiology & Medical Imaging (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Micromachines (AREA)
- Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)
- Springs (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления пружинного элемента (1, 1') с гибким основным телом (4), который имеет детекторную зону (10), электрическая проводимость (σ) которой определяется посредством электронных туннельных, ионизационных или прыжковых процессов, при котором детекторная зона (10) изготавливается посредством локального приложения энергии, причем некоторое число материалов-предшественников (50), подведенных в газообразной форме от зоны (54) осаждения вблизи подожки (52) энергетически возбуждаются для преобразования, причем продукты преобразования (56) в твердой и нелетучей форме осаждаются на подложке (52). ! 2. Способ по п.1, в котором основное тело (4) изготавливают посредством локального приложения энергии. ! 3. Способ по п.1, в котором детекторная зона (10) и/или основное тело (4) изготавливают посредством индуцированного электронным пучком осаждения. ! 4. Способ по любому из пп.1-3, при котором в качестве материалов-предшественников (50) применяют органические, неорганические, диэлектрические или металлорганические мономеры, олигомеры и/или полимеры. ! 5. Способ по любому из пп.1-3, при котором предусмотренный для энергетического возбуждения материалов-предшественников (50) пучок ионов, фотонов или электронов по отношению к подложке (52) направляют латерально или трехмерно, в зависимости от заданной номинальной геометрии отложения (56). ! 6. Способ по любому из пп.1-3, при котором температуру подложки (52) и/или температуру источника предшественника во время осаждения регулируют в зависимости от давления паров материалов-предшественников (50), определенного в зоне (54) осаждения. ! 7. Способ по любому из пп.1-3, при котором некоторое число параметров, �
Claims (15)
1. Способ изготовления пружинного элемента (1, 1') с гибким основным телом (4), который имеет детекторную зону (10), электрическая проводимость (σ) которой определяется посредством электронных туннельных, ионизационных или прыжковых процессов, при котором детекторная зона (10) изготавливается посредством локального приложения энергии, причем некоторое число материалов-предшественников (50), подведенных в газообразной форме от зоны (54) осаждения вблизи подожки (52) энергетически возбуждаются для преобразования, причем продукты преобразования (56) в твердой и нелетучей форме осаждаются на подложке (52).
2. Способ по п.1, в котором основное тело (4) изготавливают посредством локального приложения энергии.
3. Способ по п.1, в котором детекторная зона (10) и/или основное тело (4) изготавливают посредством индуцированного электронным пучком осаждения.
4. Способ по любому из пп.1-3, при котором в качестве материалов-предшественников (50) применяют органические, неорганические, диэлектрические или металлорганические мономеры, олигомеры и/или полимеры.
5. Способ по любому из пп.1-3, при котором предусмотренный для энергетического возбуждения материалов-предшественников (50) пучок ионов, фотонов или электронов по отношению к подложке (52) направляют латерально или трехмерно, в зависимости от заданной номинальной геометрии отложения (56).
6. Способ по любому из пп.1-3, при котором температуру подложки (52) и/или температуру источника предшественника во время осаждения регулируют в зависимости от давления паров материалов-предшественников (50), определенного в зоне (54) осаждения.
7. Способ по любому из пп.1-3, при котором некоторое число параметров, тип, количество и/или состав веществ-предшественников (50), давление газа в зоне (54) осаждения, интенсивность локального приложения энергии, длительность облучения пучком электронов, степень фокусировки пучка электронов, материал подложки и/или температура подложки устанавливают таким образом, что пружинный элемент (1, 1') имеет заданный коэффициент жесткости пружины и/или заданное качество, и/или детекторная зона (10) имеет заданную электрическую проводимость.
8. Мини а тюри зеванный пружинный элемент (1, 1'), изготовленный способом по любому из пп.1-7 для использования в качестве сенсорного элемента, в частности для определения изменений длины или сил отклонения.
9. Пружинный элемент (1, 1') по п.8, в котором температурная зависимость электрической проводимости (σ) детекторной зоны определяется приближенно соотношением ln σ~t-γ, причем характеристическая экспонента y имеет значение между 0 и 1, предпочтительно значение равное примерно 0,25, примерно 0,5 или примерно 1.
10. Пружинный элемент (1, 1') по п.8, в котором детекторная зона (10) образована из внедренных в матрицу (12) наночастиц с электрической проводимостью, более высокой по сравнению с материалом матрицы.
11. Пружинный элемент (1, 1') по п.10, в котором наночастицы (14) являются металлическими.
12. Пружинный элемент (1, 1') по п.10, в котором матрица (12) образована из полимерного материала, предпочтительно из органических или неорганических структурных элементов, из соединений на углеродной основе, из углеродно-кислородных соединений, из водородных соединений, из соединений фтора и/или из содержащих металл структурных элементов.
13. Пружинный элемент (1, 1') по любому из пп.10-12, в котором наночастицы (14) имеют среднюю величину частиц до 100 нм, предпочтительно до 10 нм.
14. Балочный зонд для растрового микроскопа атомарных сил со снабженной щупом (20) зонда консолью (2), причем консоль (2) выполнена как пружинный элемент (1, 1'), изготовленный способом по одному из пп.1-7.
15. Растровый микроскоп (22) атомарных сил с балочным зондом по п.14, имеющий блок оценки, который с помощью данных управления или измерения балочного зонда формирует блок данных, характерный для топографии объекта (24) измерения, причем блок оценки при выработке блока данных принимает во внимание параметры, характерные для проводимости (σ) консоли (2).
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102006004922.5 | 2006-02-01 | ||
| DE102006004922A DE102006004922B4 (de) | 2006-02-01 | 2006-02-01 | Miniaturisiertes Federelement und Verfahren zu dessen Herstellung, Balkensonde, Rasterkraftmikroskop sowie Verfahren zu dessen Betrieb |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008135359A true RU2008135359A (ru) | 2010-03-10 |
| RU2420747C2 RU2420747C2 (ru) | 2011-06-10 |
Family
ID=37987742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008135359/28A RU2420747C2 (ru) | 2006-02-01 | 2007-01-29 | Миниатюризованный пружинный элемент и способ его изготовления |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7997125B2 (ru) |
| EP (1) | EP2179266B1 (ru) |
| JP (1) | JP5137852B2 (ru) |
| KR (1) | KR101328064B1 (ru) |
| CN (1) | CN101379383B (ru) |
| AU (1) | AU2007211688A1 (ru) |
| CA (1) | CA2640702A1 (ru) |
| DE (1) | DE102006004922B4 (ru) |
| RU (1) | RU2420747C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007088018A1 (ru) |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10330581B2 (en) | 2007-09-17 | 2019-06-25 | Rave Llc | Debris removal from high aspect structures |
| US10384238B2 (en) | 2007-09-17 | 2019-08-20 | Rave Llc | Debris removal in high aspect structures |
| KR100958070B1 (ko) * | 2008-06-26 | 2010-05-13 | 주식회사 코리아 인스트루먼트 | 탐침 및 탐침 제조 방법 |
| DE102008052645A1 (de) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Nanoscale Systems Nanoss Gmbh | Elektrochemischer Sensor und Verfahren zu dessen Herstellung |
| US10260968B2 (en) | 2013-03-15 | 2019-04-16 | Nano Composite Products, Inc. | Polymeric foam deformation gauge |
| CA2901848C (en) | 2013-03-15 | 2018-09-18 | Brigham Young University | Composite material used as a strain gauge |
| RU2579805C2 (ru) * | 2014-08-12 | 2016-04-10 | Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации (Минпромторг России) | Способ повышения чувствительности электромагнитных датчиков пульсаций скорости преобразователей гидрофизических полей |
| US9857246B2 (en) | 2014-09-17 | 2018-01-02 | Sensable Technologies, Llc | Sensing system including a sensing membrane |
| US10405779B2 (en) | 2015-01-07 | 2019-09-10 | Nano Composite Products, Inc. | Shoe-based analysis system |
| JP6757748B2 (ja) | 2015-02-26 | 2020-09-23 | クサレント リミテッド ライアビリティー カンパニー | ナノ電気機械システム探針を製造するシステム及び方法 |
| EP3262426A1 (en) * | 2015-02-26 | 2018-01-03 | Xallent, LLC | Multiple integrated tips scanning probe microscope |
| DE102018206278A1 (de) * | 2018-04-24 | 2019-10-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Entfernen eines Partikels von einer photolithographischen Maske |
| DE102020107918B4 (de) | 2020-03-23 | 2021-11-18 | Digital Diagnostics AG | Detektion von viren |
| DE102021107254B4 (de) | 2021-03-23 | 2024-06-27 | digid GmbH | Digitale Sensorvorrichtung zur Detektion eines Analyten in einer Probe |
| DE102021107255B4 (de) | 2021-03-23 | 2024-06-27 | digid GmbH | Digitaler Sensor mit Referenzkantilever zur Umwandlung chemischer und/oder biochemischer Information |
| DE102022005110B4 (de) | 2022-08-22 | 2024-06-27 | digid GmbH | Digitale Sensorvorrichtung zur Detektion von Analyten in einer Probe |
| DE102022121188B3 (de) | 2022-08-22 | 2024-01-18 | digid GmbH | Sensor zur Umwandlung chemischer und/oder biochemischer Information eines Analyten |
| DE102022121187B3 (de) | 2022-08-22 | 2024-01-18 | digid GmbH | Digitale Sensorvorrichtung zur Detektion von Analyten in einer Probe |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SU907885A1 (ru) | 1980-06-27 | 1982-02-23 | Пензенский Филиал Всесоюзного Научно-Исследовательского Технологического Института Приборостроения | Зондова головка |
| DE3603449A1 (de) | 1986-02-05 | 1987-08-06 | Basf Ag | Dehnungsmessstreifen mit einer duennen diskontinuierlichen metallschicht |
| JP3248606B2 (ja) * | 1994-10-05 | 2002-01-21 | 松下電器産業株式会社 | 力学量センサーおよび歪抵抗素子及びそれらの製造方法 |
| US5679888A (en) * | 1994-10-05 | 1997-10-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dynamic quantity sensor and method for producing the same, distortion resistance element and method for producing the same, and angular velocity sensor |
| US5540958A (en) | 1994-12-14 | 1996-07-30 | Vlsi Technology, Inc. | Method of making microscope probe tips |
| JPH08327636A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Olympus Optical Co Ltd | Ａｆｍカンチレバー及びその製造方法 |
| DE19713719C2 (de) * | 1997-04-03 | 2002-11-14 | Kuehn Hans R | Sensor zur Messung physikalischer und / oder chemischer Größen und Verfahren zur Herstellung eines Sensors |
| JP4089082B2 (ja) * | 1998-07-28 | 2008-05-21 | 株式会社デンソー | 感圧変換装置 |
| KR20010073134A (ko) * | 1998-09-07 | 2001-07-31 | 추후제출 | 연장 콘덕터간의 터널링 전류를 이용하는 측정 |
| KR20090038040A (ko) * | 1998-12-02 | 2009-04-17 | 폼팩터, 인크. | 전기 접촉 구조체의 제조 방법 |
| AU7549700A (en) | 1999-11-03 | 2001-05-14 | International Business Machines Corporation | Cantilever sensors and transducers |
| RU2220429C2 (ru) | 2000-05-22 | 2003-12-27 | Закрытое акционерное общество "НТ-МДТ" | Способ формирования сенсорного элемента сканирующего зондового микроскопа |
| AT410032B (de) | 2000-06-09 | 2003-01-27 | Lugstein Alois Dr | Verfahren zur herstellung einer vorrichtung für die gleichzeitige durchführung einer elektrochemischen und einer topographischen nahfeldmikroskopie |
| CN1599939B (zh) * | 2002-01-15 | 2010-08-11 | 国际商业机器公司 | 形成微观结构的方法 |
| JP2004134370A (ja) * | 2002-07-26 | 2004-04-30 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | スイッチ |
| KR100597067B1 (ko) | 2003-11-20 | 2006-07-07 | 한국기계연구원 | 탐침 팁에의 나노물질 조립장치 및 이 장치가 적용된주사탐침 현미경 |
| KR100736358B1 (ko) | 2004-11-12 | 2007-07-06 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 탐침 현미경의 탐침 끝 부분에 나노구조가 선택적으로흡착되는 방법 및 그 탐침이 장착된 탐침 현미경 |
| JP4150013B2 (ja) * | 2005-03-31 | 2008-09-17 | Ｔｄｋ株式会社 | トンネル効果素子 |
| JP4200147B2 (ja) * | 2005-06-09 | 2008-12-24 | Ｔｄｋ株式会社 | 微細構造体、カンチレバー、走査型プローブ顕微鏡及び微細構造体の変形量測定方法 |
| US7974871B2 (en) | 2006-12-29 | 2011-07-05 | International Business Machines Corporation | System and method for reordering meeting agenda items prior to the occurrence of the meeting based upon partial participation by the meeting participants |
-
2006
- 2006-02-01 DE DE102006004922A patent/DE102006004922B4/de not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-01-29 WO PCT/EP2007/000738 patent/WO2007088018A1/de active Application Filing
- 2007-01-29 CN CN2007800042820A patent/CN101379383B/zh active Active
- 2007-01-29 KR KR1020087021151A patent/KR101328064B1/ko active IP Right Grant
- 2007-01-29 CA CA002640702A patent/CA2640702A1/en not_active Abandoned
- 2007-01-29 RU RU2008135359/28A patent/RU2420747C2/ru active
- 2007-01-29 EP EP07703098A patent/EP2179266B1/de active Active
- 2007-01-29 AU AU2007211688A patent/AU2007211688A1/en not_active Abandoned
- 2007-01-29 JP JP2008552730A patent/JP5137852B2/ja active Active
-
2008
- 2008-08-01 US US12/184,679 patent/US7997125B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101379383B (zh) | 2012-11-14 |
| CA2640702A1 (en) | 2007-08-09 |
| JP5137852B2 (ja) | 2013-02-06 |
| KR101328064B1 (ko) | 2013-11-13 |
| DE102006004922B4 (de) | 2008-04-30 |
| JP2009525473A (ja) | 2009-07-09 |
| US7997125B2 (en) | 2011-08-16 |
| EP2179266A1 (de) | 2010-04-28 |
| US20090025465A1 (en) | 2009-01-29 |
| DE102006004922A1 (de) | 2007-08-09 |
| EP2179266B1 (de) | 2012-10-17 |
| RU2420747C2 (ru) | 2011-06-10 |
| AU2007211688A1 (en) | 2007-08-09 |
| WO2007088018A1 (de) | 2007-08-09 |
| KR20090027186A (ko) | 2009-03-16 |
| CN101379383A (zh) | 2009-03-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008135359A (ru) | Миниатюризованный пружинный элемент и способ его изготовления | |
| JP2009525473A5 (ru) | ||
| Chen et al. | Field emission from vertically aligned conductive IrO 2 nanorods | |
| Hou et al. | Synthesis, optical and electrochemical properties of ZnO nanorod hybrids loaded with high-density gold nanoparticles | |
| Kunuku et al. | Development of long lifetime cathode materials for microplasma application | |
| Tripathi et al. | Structural, nanomechanical, field emission and ammonia gas sensing properties of nitrogenated amorphous carbon films deposited by filtered anodic jet carbon arc technique | |
| TWI734605B (zh) | 高熵奈米材料及其製備方法 | |
| Pomogailo et al. | Polymer-matrix nanocomposite gas-sensing materials | |
| Jang et al. | Polypyrrole film synthesis via solution plasma polymerization of liquid pyrrole | |
| Choi et al. | Generation of carbon nanowhiskers, nanotips, and nanodots by controlling plasma environment: Ion energy and radical effects | |
| Hosseinnejad et al. | Characterization and hydrogen gas sensing performance of Al-doped ZnO thin films synthesized by low energy plasma focus device | |
| Marton et al. | Study of self-masking nanostructuring of boron doped diamond films by RF plasma etching | |
| Huang et al. | Construction of WO3 coatings with micro-nano hybrid structures by liquid precursor flame spray for enhanced sensing performances to sub-ppm ozone | |
| Panahi et al. | Fabrication, characterization and hydrogen gas sensing performance of nanostructured V 2 O 5 thin films prepared by plasma focus method | |
| RU2011120331A (ru) | Электрохимический сенсор и способ его получения | |
| JP2012506543A5 (ru) | ||
| Chen et al. | Characterization and enhanced field emission properties of carbon nanotube bundle arrays coated with N-doped nanocrystalline anatase TiO2 | |
| Wang et al. | Structure and surface effect of field emission from gallium nitride nanowires | |
| Park et al. | X-ray images obtained from cold cathodes using carbon nanotubes coated with gallium-doped zinc oxide thin films | |
| Zheng et al. | Vertically aligned boron-doped diamond hollow nanoneedle arrays for enhanced field emission | |
| JP2007179867A (ja) | 繊維状炭素物質を用いた電子源 | |
| Late et al. | Synthesis of LaB 6 micro/nano structures using picosecond (Nd: YAG) laser and its field emission investigations | |
| Sulania et al. | Low energy bombardment induced formation of Ge nanoparticles | |
| Marciano et al. | Oxygen plasma etching of silver-incorporated diamond-like carbon films | |
| Di Mundo et al. | On the “G rowth” of Nano‐S tructures on c‐S ilicon via Self‐M asked Plasma Etching Processes |