RU2008121922A - Способ получения поликристаллического кремния - Google Patents
Способ получения поликристаллического кремния Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008121922A RU2008121922A RU2008121922/15A RU2008121922A RU2008121922A RU 2008121922 A RU2008121922 A RU 2008121922A RU 2008121922/15 A RU2008121922/15 A RU 2008121922/15A RU 2008121922 A RU2008121922 A RU 2008121922A RU 2008121922 A RU2008121922 A RU 2008121922A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- reactors
- gas mixture
- series
- silicon
- reactor
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/03—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition of silicon halides or halosilanes or reduction thereof with hydrogen as the only reducing agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
- C01B33/035—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds in the presence of heated filaments of silicon, carbon or a refractory metal, e.g. tantalum or tungsten, or in the presence of heated silicon rods on which the formed silicon is deposited, a silicon rod being obtained, e.g. Siemens process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/10773—Halogenated silanes obtained by disproportionation and molecular rearrangement of halogenated silanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J2219/00002—Chemical plants
- B01J2219/00027—Process aspects
- B01J2219/0004—Processes in series
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
1. Способ получения поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы, включающий подачу в реактор восстановления через систему патрубков газовой смеси на основе кремнийсодержащего газа и осаждение кремния на нагретых поверхностях с образованием отходящей газовой смеси, отличающийся тем, что процесс осаждения кремния осуществляют одновременно в, по крайней мере, двух реакторах, которые соединяют между собой последовательно системой патрубков для транспортирования газовой смеси, подают на вход первого реактора газовую смесь, предназначенную для работы всех реакторов, и осуществляют непрерывное прохождение газовой смеси через все последовательно соединенные реакторы. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, по крайней мере, один раз в течение проведения процесса осаждения направление прохождения газовой смеси через последовательно соединенные реакторы изменяют на противоположное. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакторы различной конструкции соединяют между собой последовательно в порядке убывания значений времени, необходимого для проведения процесса осаждения в реакторах в автономном режиме. ! 4. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакторы соединяют между собой последовательно в порядке возрастания значений их рабочих температур. ! 5. Способ по п.1, отличающийся тем, что расход газовой смеси на входе в первый реактор удовлетворяет соотношению ! ! где Q - расход газовой смеси на входе в первый реактор; ! Qi - расход газовой смеси, необходимый для работы одного из последовательно соединенный реакторов в автономном режиме; ! n - количество последовательно соединенных реакторов. ! 6. Способ по п.1, о�
Claims (10)
1. Способ получения поликристаллического кремния осаждением из газовой фазы, включающий подачу в реактор восстановления через систему патрубков газовой смеси на основе кремнийсодержащего газа и осаждение кремния на нагретых поверхностях с образованием отходящей газовой смеси, отличающийся тем, что процесс осаждения кремния осуществляют одновременно в, по крайней мере, двух реакторах, которые соединяют между собой последовательно системой патрубков для транспортирования газовой смеси, подают на вход первого реактора газовую смесь, предназначенную для работы всех реакторов, и осуществляют непрерывное прохождение газовой смеси через все последовательно соединенные реакторы.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что, по крайней мере, один раз в течение проведения процесса осаждения направление прохождения газовой смеси через последовательно соединенные реакторы изменяют на противоположное.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакторы различной конструкции соединяют между собой последовательно в порядке убывания значений времени, необходимого для проведения процесса осаждения в реакторах в автономном режиме.
4. Способ по п.1, отличающийся тем, что реакторы соединяют между собой последовательно в порядке возрастания значений их рабочих температур.
5. Способ по п.1, отличающийся тем, что расход газовой смеси на входе в первый реактор удовлетворяет соотношению
где Q - расход газовой смеси на входе в первый реактор;
Qi - расход газовой смеси, необходимый для работы одного из последовательно соединенный реакторов в автономном режиме;
n - количество последовательно соединенных реакторов.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве кремнийсодержащего газа используют хлорсиланы или их смесь.
7. Способ по п.1, отличающийся тем, что газовую смесь, необходимую для работы всех реакторов, готовят в одном общем для всех реакторов блоке.
8. Способ по п.1, отличающийся тем, что патрубки для транспортирования газовой смеси между реакторами снабжают теплоизоляцией.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве начальных нагретых поверхностей для осаждения кремния используют поверхности полых тел.
10. Способ по п.1, отличающийся тем, что в качестве начальных нагретых поверхностей для осаждения кремния используют поверхности пластин.
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008121922A RU2388690C2 (ru) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | Способ получения поликристаллического кремния |
| PCT/RU2009/000185 WO2009142538A1 (ru) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | Способ получения поликристаллического кремния |
| US12/993,534 US9102538B2 (en) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | Method for producing polycrystalline silicon |
| EP09750847.7A EP2298701B1 (en) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | Method for producing polycrystalline silicon |
| JP2011510452A JP5668193B2 (ja) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | 多結晶シリコンの製造方法 |
| KR1020107026102A KR101395249B1 (ko) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | 다결정 실리콘 생성 방법 |
| CA 2722068 CA2722068C (en) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | Method for production of polycrystalline silicon |
| CN200980117592.2A CN102026919B (zh) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | 制造多晶硅的方法 |
| UAA201011068A UA102244C2 (ru) | 2008-05-22 | 2009-04-20 | Способ получения поликристаллического кремния |
| HK11109035.5A HK1154841A1 (en) | 2008-05-22 | 2011-08-26 | Method for producing polycrystalline silicon |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2008121922A RU2388690C2 (ru) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | Способ получения поликристаллического кремния |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008121922A true RU2008121922A (ru) | 2009-11-27 |
| RU2388690C2 RU2388690C2 (ru) | 2010-05-10 |
Family
ID=41340327
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008121922A RU2388690C2 (ru) | 2008-05-22 | 2008-05-22 | Способ получения поликристаллического кремния |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9102538B2 (ru) |
| EP (1) | EP2298701B1 (ru) |
| JP (1) | JP5668193B2 (ru) |
| KR (1) | KR101395249B1 (ru) |
| CN (1) | CN102026919B (ru) |
| CA (1) | CA2722068C (ru) |
| HK (1) | HK1154841A1 (ru) |
| RU (1) | RU2388690C2 (ru) |
| UA (1) | UA102244C2 (ru) |
| WO (1) | WO2009142538A1 (ru) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010040293A1 (de) | 2010-09-06 | 2012-03-08 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Herstellung von polykristallinem Silicium |
| JP2014040330A (ja) * | 2010-12-22 | 2014-03-06 | Asahi Glass Co Ltd | シリコン製造装置及びシリコン製造方法 |
| DE102011078676A1 (de) * | 2011-07-05 | 2013-01-10 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Produktion von Polysilicium |
| DE102011120210A1 (de) | 2011-12-05 | 2013-06-06 | Centrotherm Sitec Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen von Silicium |
| KR101281102B1 (ko) | 2011-12-19 | 2013-07-02 | 한화케미칼 주식회사 | 폴리실리콘의 제조 방법 |
Family Cites Families (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4048955A (en) * | 1975-09-02 | 1977-09-20 | Texas Instruments Incorporated | Continuous chemical vapor deposition reactor |
| DE2541215C3 (de) * | 1975-09-16 | 1978-08-03 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft Fuer Elektronik-Grundstoffe Mbh, 8263 Burghausen | Verfahren zur Herstellung von Siliciumhohlkörpern |
| DE2918066A1 (de) * | 1979-05-04 | 1980-11-13 | Siemens Ag | Verfahren zur siliciumherstellung durch gasphasenabscheidung unter wiederverwendung der restgase |
| US5382419A (en) * | 1992-09-28 | 1995-01-17 | Advanced Silicon Materials, Inc. | Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications |
| JPH06127928A (ja) * | 1992-10-20 | 1994-05-10 | Tonen Chem Corp | 多結晶シリコンの製造方法 |
| KR100210261B1 (ko) * | 1997-03-13 | 1999-07-15 | 이서봉 | 발열반응을 이용한 다결정 실리콘의 제조 방법 |
| DE19882883B4 (de) * | 1997-12-15 | 2009-02-26 | Advanced Silicon Materials LLC, (n.d.Ges.d.Staates Delaware), Moses Lake | System für die chemische Abscheidung aus der Gasphase zum Herstellen polykristalliner Siliziumstangen |
| US6544333B2 (en) | 1997-12-15 | 2003-04-08 | Advanced Silicon Materials Llc | Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production |
| KR100411180B1 (ko) * | 2001-01-03 | 2003-12-18 | 한국화학연구원 | 다결정실리콘의 제조방법과 그 장치 |
| GB0113078D0 (en) * | 2001-05-30 | 2001-07-18 | Kvaerner Process Tech Ltd | Process and plant |
| AU2004266934B2 (en) * | 2003-08-22 | 2010-03-11 | Tokuyama Corporation | Silicon manufacturing apparatus |
| JP4780271B2 (ja) * | 2004-04-30 | 2011-09-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 多結晶シリコンの製造方法 |
| DE102004038718A1 (de) * | 2004-08-10 | 2006-02-23 | Joint Solar Silicon Gmbh & Co. Kg | Reaktor sowie Verfahren zur Herstellung von Silizium |
| DE502006008382D1 (de) * | 2005-03-05 | 2011-01-05 | Jssi Gmbh | Reaktor und verfahren zur herstellung von silizium |
| US20080206970A1 (en) * | 2005-04-10 | 2008-08-28 | Franz Hugo | Production Of Polycrystalline Silicon |
| EP1847523A1 (en) * | 2006-04-18 | 2007-10-24 | INEOS Phenol GmbH & Co. KG | Method for treating phenol |
| US7820126B2 (en) * | 2006-08-18 | 2010-10-26 | Iosil Energy Corporation | Method and apparatus for improving the efficiency of purification and deposition of polycrystalline silicon |
-
2008
- 2008-05-22 RU RU2008121922A patent/RU2388690C2/ru active
-
2009
- 2009-04-20 WO PCT/RU2009/000185 patent/WO2009142538A1/ru active Application Filing
- 2009-04-20 KR KR1020107026102A patent/KR101395249B1/ko active IP Right Grant
- 2009-04-20 US US12/993,534 patent/US9102538B2/en active Active
- 2009-04-20 CA CA 2722068 patent/CA2722068C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-04-20 CN CN200980117592.2A patent/CN102026919B/zh active Active
- 2009-04-20 EP EP09750847.7A patent/EP2298701B1/en active Active
- 2009-04-20 JP JP2011510452A patent/JP5668193B2/ja active Active
- 2009-04-20 UA UAA201011068A patent/UA102244C2/ru unknown
-
2011
- 2011-08-26 HK HK11109035.5A patent/HK1154841A1/xx unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20110104035A1 (en) | 2011-05-05 |
| CA2722068C (en) | 2014-09-23 |
| EP2298701A4 (en) | 2013-05-15 |
| JP2011520757A (ja) | 2011-07-21 |
| HK1154841A1 (en) | 2012-05-04 |
| US9102538B2 (en) | 2015-08-11 |
| KR20110020778A (ko) | 2011-03-03 |
| JP5668193B2 (ja) | 2015-02-12 |
| RU2388690C2 (ru) | 2010-05-10 |
| WO2009142538A1 (ru) | 2009-11-26 |
| EP2298701B1 (en) | 2017-06-28 |
| CN102026919B (zh) | 2014-05-28 |
| CA2722068A1 (en) | 2009-11-26 |
| UA102244C2 (ru) | 2013-06-25 |
| CN102026919A (zh) | 2011-04-20 |
| KR101395249B1 (ko) | 2014-05-15 |
| EP2298701A1 (en) | 2011-03-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008121922A (ru) | Способ получения поликристаллического кремния | |
| JP5406384B2 (ja) | 熱化学プロセス用の誘導機構、ならびにそれに関するシステムおよび方法 | |
| JP2015071616A (ja) | 水素燃料および構造的物質を効率的に生成する化学プロセスおよび反応器、ならびに関連するシステムおよび方法 | |
| WO2007018992A3 (en) | Recuperative reforming reactor | |
| MX2011006717A (es) | Metodo para una operacion ciclica de grupos e hornos de coque compuestos de camaras de horno de coque de "recuperacion de calor". | |
| MY161052A (en) | Gas cleaning unit and method for cleaning gas | |
| RU2016135766A (ru) | Компактная система селективного каталитического восстановления для восстановления оксида азота в обогащенных кислородом выхлопных газах двигателей внутреннего сгорания мощностью 500-4500 квт | |
| CN207891422U (zh) | 一种SiC纤维表面沉积BN界面层的设备 | |
| MY180614A (en) | Apparatus and method for conversion of silicon tetrachloride to trichlorosilane | |
| MX2014002631A (es) | Sistema de generacion de energia electrica a partir de energia termica solar. | |
| WO2012012268A3 (en) | Systems and methods for high efficiency regenerative selective cayalytic reduction | |
| CN103835747A (zh) | 一种低浓瓦斯综合利用的系统及方法 | |
| CN202705048U (zh) | 一种石墨烯的连续生产装置 | |
| CN102425511B (zh) | 碳氢燃料的加热方法 | |
| CN205331613U (zh) | 用于燃气轮机排气的管道 | |
| CN204220028U (zh) | 一种高效处理废气的蓄热式催化净化设备 | |
| JP2011204722A5 (ru) | ||
| CN202881181U (zh) | 用于焦炉上升管荒煤气余热回收系统 | |
| CN105525996B (zh) | 基于降低热应力的排气管道 | |
| CN202717584U (zh) | 一种石墨烯的生产装置 | |
| CN203214199U (zh) | 节油器 | |
| RU140760U1 (ru) | Устройство для утилизации тепловых отходов процесса конверсии природного газа | |
| CN211476792U (zh) | 一种简便快捷气体急冷装置 | |
| CN203785471U (zh) | 一种推板窑炉余热回收利用装置 | |
| RU2016142530A (ru) | Способ подготовки попутных нефтяных и природных газов для использования в энергоустановках |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PC43 | Official registration of the transfer of the exclusive right without contract for inventions |
Effective date: 20120802 |
|
| PD4A | Correction of name of patent owner |