RU2007147628A - Способ формирования рисунка - Google Patents

Способ формирования рисунка Download PDF

Info

Publication number
RU2007147628A
RU2007147628A RU2007147628/15A RU2007147628A RU2007147628A RU 2007147628 A RU2007147628 A RU 2007147628A RU 2007147628/15 A RU2007147628/15 A RU 2007147628/15A RU 2007147628 A RU2007147628 A RU 2007147628A RU 2007147628 A RU2007147628 A RU 2007147628A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substance
pressure
regions
phase
relieving
Prior art date
Application number
RU2007147628/15A
Other languages
English (en)
Inventor
Ян Эндрю МАКСВЕЛЛ (AU)
Ян Эндрю МАКСВЕЛЛ
Джеймс Станислаус УИЛЛЬЯМС (AU)
Джеймс Станислаус УИЛЛЬЯМС
Джоуди Элизабет БРЭДБИ (AU)
Джоуди Элизабет БРЭДБИ
Original Assignee
Риота Пти Лтд (Au)
Риота Пти Лтд
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Риота Пти Лтд (Au), Риота Пти Лтд filed Critical Риота Пти Лтд (Au)
Publication of RU2007147628A publication Critical patent/RU2007147628A/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0002—Lithographic processes using patterning methods other than those involving the exposure to radiation, e.g. by stamping
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G11B7/263—Preparing and using a stamper, e.g. pressing or injection molding substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29C—SHAPING OR JOINING OF PLASTICS; SHAPING OF MATERIAL IN A PLASTIC STATE, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; AFTER-TREATMENT OF THE SHAPED PRODUCTS, e.g. REPAIRING
    • B29C59/00—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor
    • B29C59/02—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing
    • B29C59/022—Surface shaping of articles, e.g. embossing; Apparatus therefor by mechanical means, e.g. pressing characterised by the disposition or the configuration, e.g. dimensions, of the embossments or the shaping tools therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00015—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems
    • B81C1/00023—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate for manufacturing microsystems without movable or flexible elements
    • B81C1/00111—Tips, pillars, i.e. raised structures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81C—PROCESSES OR APPARATUS SPECIALLY ADAPTED FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS
    • B81C1/00—Manufacture or treatment of devices or systems in or on a substrate
    • B81C1/00436—Shaping materials, i.e. techniques for structuring the substrate or the layers on the substrate
    • B81C1/00444—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate
    • B81C1/0046—Surface micromachining, i.e. structuring layers on the substrate using stamping, e.g. imprinting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/033—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers
    • H01L21/0334—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/0337—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising inorganic layers characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/308—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks
    • H01L21/3083—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane
    • H01L21/3086—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching using masks characterised by their size, orientation, disposition, behaviour, shape, in horizontal or vertical plane characterised by the process involved to create the mask, e.g. lift-off masks, sidewalls, or to modify the mask, e.g. pre-treatment, post-treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0045—Recording
    • G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/2407—Tracks or pits; Shape, structure or physical properties thereof
    • G11B7/24073—Tracks
    • G11B7/24079—Width or depth

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

1. Способ переноса рисунка, включающий в себя: ! приложение давления к одной или более областям поверхности вещества с преобразованием фазы одной или более соответствующих областей упомянутого вещества во вторую фазу, причем упомянутое давление прикладывают в направлении, по существу, перпендикулярном упомянутой поверхности; и ! снятие упомянутого давления с преобразованием упомянутой второй фазы в по меньшей мере одну третью фазу; ! при этом соответствующие формы и относительные местоположения упомянутых областей, к которым прикладывают упомянутое давление, выбирают для переноса желательного рисунка на упомянутое вещество, причем перенесенный рисунок образован соответствующими формами и относительными местоположениями результирующих одной или более областей упомянутой по меньшей мере одной третьей фазы. ! 2. Способ переноса рисунка, включающий в себя: ! доступ к данным о рисунке, характеризующим желательный рисунок, состоящий из одной или более областей, имеющих соответствующие формы и относительные местоположения; ! приложение давления к одной или более областям вещества с преобразованием фазы одной или более соответствующих областей упомянутого вещества во вторую фазу, причем соответствующие формы и относительные местоположения тех областей, к которым прикладывают упомянутое давление, определяют по данным о рисунке для переноса желательного рисунка на упомянутое вещество; и ! снятие упомянутого давления с преобразованием упомянутой второй фазы в по меньшей мере одну третью фазу, причем перенесенный рисунок образован соответствующими формами и относительными местоположениями этих одной или б

Claims (64)

1. Способ переноса рисунка, включающий в себя:
приложение давления к одной или более областям поверхности вещества с преобразованием фазы одной или более соответствующих областей упомянутого вещества во вторую фазу, причем упомянутое давление прикладывают в направлении, по существу, перпендикулярном упомянутой поверхности; и
снятие упомянутого давления с преобразованием упомянутой второй фазы в по меньшей мере одну третью фазу;
при этом соответствующие формы и относительные местоположения упомянутых областей, к которым прикладывают упомянутое давление, выбирают для переноса желательного рисунка на упомянутое вещество, причем перенесенный рисунок образован соответствующими формами и относительными местоположениями результирующих одной или более областей упомянутой по меньшей мере одной третьей фазы.
2. Способ переноса рисунка, включающий в себя:
доступ к данным о рисунке, характеризующим желательный рисунок, состоящий из одной или более областей, имеющих соответствующие формы и относительные местоположения;
приложение давления к одной или более областям вещества с преобразованием фазы одной или более соответствующих областей упомянутого вещества во вторую фазу, причем соответствующие формы и относительные местоположения тех областей, к которым прикладывают упомянутое давление, определяют по данным о рисунке для переноса желательного рисунка на упомянутое вещество; и
снятие упомянутого давления с преобразованием упомянутой второй фазы в по меньшей мере одну третью фазу, причем перенесенный рисунок образован соответствующими формами и относительными местоположениями этих одной или более областей упомянутой по меньшей мере одной третьей фазы.
3. Способ по п.2, в котором упомянутые области преобразуют в упомянутую по меньшей мере одну третью фазу для изменения скорости удаления упомянутых областей во время последующего субтрактивного процесса.
4. Способ по п.3, включающий в себя применение упомянутого субтрактивного процесса к веществу таким образом, что эти одну или более преобразованных областей селективно удаляют или оставляют.
5. Способ переноса рисунка, включающий в себя:
приложение давления к одной или более областям вещества и снятие упомянутого давления с преобразованием фазы одной или более соответствующих областей упомянутого вещества, причем соответствующие формы и относительные местоположения тех областей, к которым прикладывают упомянутое давление, выбирают для переноса желательного рисунка на упомянутое вещество, причем перенесенный рисунок образован соответствующими формами и относительными местоположениями упомянутых одной или более преобразованных областей упомянутого вещества; и
применение субтрактивного процесса к веществу, причем скорость удаления упомянутого вещества при подвергании упомянутому субтрактивному процессу изменяется за счет этого преобразования, так что одну или более преобразованных областей селективно удаляют или оставляют.
6. Способ по п.5, включающий в себя нагревание преобразованных областей упомянутого вещества для дальнейшего преобразования по меньшей мере одной фазы преобразованных областей перед упомянутым субтрактивным процессом.
7. Способ по п.3, в котором субтрактивный процесс включает в себя процесс влажного или сухого травления, процесс распыления, плазменный процесс и/или процесс абляции.
8. Способ по п.3, в котором селективное удаление или оставление одной или более преобразованных областей определяет маску, которая соответственно открывает или маскирует одну или более преобразованных областей.
9. Способ по п.3, в котором субтрактивный процесс включает в себя процесс анизотропного травления, причем селективное удаление или оставление одной или более преобразованных областей определяет травильную маску для упомянутого процесса анизотропного травления.
10. Способ по п.9, причем этот способ включает в себя травление через маску упомянутого вещества посредством упомянутого процесса анизотропного травления для уменьшения отражения солнечного света от соответствующей поверхности солнечного элемента, изготовленного из упомянутого вещества.
11. Способ по п.1, в котором упомянутое давление прикладывают и снимают тиснением упомянутого вещества инструментом приложения давления таким образом, что отсутствует существенное боковое относительное перемещение упомянутого инструмента приложения давления и упомянутого вещества во время упомянутого приложения и снятия упомянутого давления.
12. Способ по п.1, включающий в себя:
доступ к данным о рисунке, характеризующим желательный рисунок, причем соответствующие формы и относительные местоположения тех областей, к которым прикладывают упомянутое давление, определяют на основании упомянутых данных о рисунке.
13. Способ по п.12, включающий в себя обработку упомянутых данных о рисунке для регулирования по меньшей мере одного из приложения давления к упомянутому веществу и его снятия для того, чтобы перенести желательный рисунок на упомянутое вещество.
14. Способ по п.12, в котором упомянутое давление прикладывают к упомянутому веществу инструментом приложения давления и способ включает в себя обработку упомянутых данных о рисунке для определения по меньшей мере одного пути прохода упомянутого инструмента приложения давления при приложении упомянутого давления к упомянутому веществу для обеспечения возможности переноса желательного рисунка на упомянутое вещество.
15. Способ по п.12, в котором упомянутое давление прикладывают к упомянутому веществу инструментом приложения давления и способ включает в себя обработку упомянутых данных о рисунке для определения множества мест упомянутого вещества, причем упомянутое приложение и снятие упомянутого давления включают в себя поступательное перемещение упомянутого инструмента приложения давления к каждому из упомянутых мест и приложение упомянутого давления к упомянутому веществу в каждом из упомянутых мест и снятие упомянутого давления с тем, чтобы перенести желательный рисунок на упомянутое вещество, причем каждое приложение и снятие упомянутого давления переносят соответствующую часть этого желательного рисунка.
16. Способ по п.1, в котором упомянутое давление прикладывают к упомянутому веществу инструментом приложения давления, имеющим один или более выступов, которые прикладывают упомянутое давление к упомянутому веществу.
17. Способ по п.16, в котором упомянутые один или более выступов включают в себя один или более, по существу, точечных выступов.
18. Способ по п.16, в котором упомянутые один или более выступов включают в себя один или более вытянутых выступов.
19. Способ по п.14, в котором упомянутый инструмент приложения давления включает в себя один или более из штампа, иглы и наконечника индентора.
20. Способ по п.14, в котором упомянутый инструмент приложения давления включает в себя по меньшей мере один штамп или штамп с одним или более выступами для приложения упомянутого давления к упомянутому веществу, причем формы и относительные местоположения выступов соответствуют желательному рисунку, и способ также включает в себя формирование упомянутых одного или более выступов на основании данных о рисунке, характеризующих желательный рисунок.
21. Способ по п.1, в котором приложение и снятие упомянутого давления включают в себя последовательное приложение давления к соответствующим областям упомянутого вещества и снятие упомянутого давления для последовательного преобразования соответствующих областей упомянутого вещества и тем самым переноса желательного рисунка на упомянутое вещество, причем каждое приложение и снятие упомянутого давления переносят соответствующую часть этого желательного рисунка на упомянутое вещество.
22. Способ по п.21, в котором упомянутое давление прикладывают к упомянутому веществу посредством повторяющегося тиснения упомянутого вещества инструментом приложения давления, причем способ включает в себя поступательное перемещение упомянутого инструмента приложения давления между последовательными этапами тиснения к соответствующим местам упомянутого вещества для переноса желательного рисунка на упомянутое вещество.
23. Способ по п.21, в котором упомянутое приложение и снятие упомянутого давления включают в себя последовательное поступательное перемещение инструмента приложения давления ко множеству мест и последовательное приложение давления к и снятие давления с соответствующих областей упомянутого вещества для преобразования фазы упомянутых соответствующих областей упомянутого вещества и тем самым переноса желательного рисунка на упомянутое вещество.
24. Способ по п.21, в котором приложение и снятие упомянутого давления включают в себя прокатку инструмента приложения давления по упомянутому веществу при одновременном приложении давления для того, чтобы последовательно преобразовать упомянутые области упомянутого вещества.
25. Способ по п.21, в котором последовательное приложение упомянутого инструмента приложения давления последовательно преобразует перекрывающиеся области упомянутого вещества с формированием по меньшей мере одной преобразованной области, которая включает в себя эти перекрывающиеся преобразованные области.
26. Способ по п.1, в котором упомянутый этап приложения и снятия давления включает в себя регулирование по меньшей мере одного из приложения и снятия упомянутого давления для управления преобразованием упомянутых одной или более областей упомянутого вещества.
27. Способ по п.1, в котором упомянутый этап приложения и снятия давления включает в себя регулирование по меньшей мере одного из приложения и снятия упомянутого давления для задания по меньшей мере одной третьей фазы преобразованных одной или более областей упомянутого вещества.
28. Способ по п.1, в котором упомянутый этап приложения и снятия давления включает в себя регулирование по меньшей мере одного из приложения и снятия упомянутого давления для задания формы преобразованных одной или более областей упомянутого вещества.
29. Способ по п.1, в котором упомянутый этап приложения и снятия давления включает в себя регулирование по меньшей мере одного из приложения и снятия упомянутого давления для задания боковой протяженности преобразованных одной или более областей упомянутого вещества.
30. Способ по п.1, в котором упомянутый этап приложения и снятия давления включает в себя регулирование по меньшей мере одного из приложения и снятия упомянутого давления для задания толщины преобразованных одной или более областей упомянутого вещества.
31. Способ по п.1, в котором упомянутый этап приложения и снятия давления включает в себя регулирование скорости снятия упомянутого давления для управления преобразованием упомянутых одной или более областей упомянутого вещества.
32. Способ по п.1, в котором упомянутая фаза включает в себя первую фазу и упомянутый этап приложения и снятия давления включает в себя регулирование приложения и снятия давления для задания соответствующих пространственных распределений упомянутой второй фазы и упомянутой по меньшей мере одной третьей фазы.
33. Способ по п.27, в котором упомянутое регулирование упомянутого приложения и снятия давления включает в себя выбор максимального приложенного давления, прилагаемого к упомянутому веществу, и регулирование одной или более скоростей снятия упомянутого давления с упомянутого вещества.
34. Способ по п.33, в котором упомянутое регулирование включает в себя снятие части упомянутого давления при первой скорости снятия с преобразованием упомянутой второй фазы одной или более первых областей в третью фазу и далее снятие по меньшей мере некоторой дополнительной части упомянутого давления при второй скорости снятия с преобразованием одной или более вторых областей в четвертую фазу.
35. Способ по п.1, включающий в себя дополнительную обработку непреобразованных и преобразованных областей упомянутого вещества для изготовления прибора, причем по меньшей мере одна из непреобразованных и преобразованных областей дает активный или пассивный компонент упомянутого прибора.
36. Способ по п.35, в котором упомянутые одна или более преобразованных областей образуют по меньшей мере один компонент электронного, механического и/или оптического прибора, солнечного элемента или индикаторного прибора.
37. Способ по п.36, в котором упомянутый по меньшей мере один компонент включает в себя одну или более преобразованных областей упомянутого вещества.
38. Способ по п.36, в котором упомянутый по меньшей мере один компонент включает в себя одну или более непреобразованных областей упомянутого вещества.
39. Способ по п.35, в котором преобразование фазы изменяет по меньшей мере одно свойство упомянутого вещества, причем это измененное по меньшей мере одно свойство определяет функцию по меньшей мере одного компонента упомянутого прибора.
40. Способ по п.39, в котором измененное по меньшей мере одно свойство включает в себя по меньшей мере одно из электрического свойства, химического свойства, термического свойства, механического свойства и оптического свойства.
41. Способ по п.1, в котором упомянутое давление прикладывают к отпущенной аморфной фазе упомянутого вещества, причем эту одну или более областей упомянутого вещества преобразуют в по меньшей мере одну кристаллическую фазу.
42. Способ по п.1, в котором упомянутое давление прикладывают к по меньшей мере одной кристаллической фазе упомянутого вещества, причем эту одну или более областей упомянутого вещества преобразуют в аморфную фазу.
43. Способ по п.1, включающий в себя нагревание вещества для дальнейшего преобразования по меньшей мере одной фазы преобразованных областей.
44. Способ по п.43, в котором преобразованные области включают в себя фазы Si-III/Si-XII и способ включает в себя нагревание вещества для дальнейшего преобразования фаз Si-III/Si-XII в фазу Si-I.
45. Способ по п.44, в котором упомянутое нагревание также преобразует аморфный Si внутри фаз Si-III/Si-XII в фазу Si-I.
46. Способ по п.1, в котором упомянутое вещество является полупроводником.
47. Способ по п.46, в котором упомянутый полупроводник является кремнием.
48. Способ по п.1, в котором приложение и снятие давления вызывают, по существу, постоянную деформацию поверхности упомянутого вещества с уменьшением отражения света от упомянутой поверхности.
49. Способ по п.1, в котором одна или более преобразованных областей образуют одну или более проводящих и/или изолирующих областей электронного прибора.
50. Способ по п.1, в котором упомянутое вещество является полупроводником в виде тонкой пленки.
51. Способ по п.50, в котором тонкая пленка прикреплена к гибкой подложке.
52. Способ по п.1, в котором упомянутые одна или более преобразованных областей образуют электропроводящие области одного или более солнечных элементов.
53. Способ по п.1, в котором упомянутые одна или более преобразованных областей образуют один или более каналов соответствующих транзисторов.
54. Способ по п.53, в котором упомянутые один или более транзисторов включают в себя один или более тонкопленочных транзисторов индикаторного прибора.
55. Способ по п.1, в котором, по существу, всю одну поверхность упомянутого вещества, по существу, преобразуют из по меньшей мере одной первой фазы в по меньшей мере одну вторую фазу.
56. Способ по п.1, в котором вещество находится в виде слоя, прикрепленного к подложке, причем преобразованные одна или более областей простираются, по существу, через упомянутый слой.
57. Способ по п.56, в котором, по существу, весь упомянутый слой упомянутого вещества, по существу, преобразуют из по меньшей мере одной первой фазы в упомянутую по меньшей мере одну третью фазу.
58. Способ по п.1, в котором упомянутые одна или более областей упомянутого вещества, к которым прикладывают упомянутое давление, являются, по существу, по меньшей мере одной кристаллической первой фазой, а упомянутая по меньшей мере одна третья фаза является, по существу, аморфной фазой.
59. Способ по п.1, в котором упомянутые одна или более областей упомянутого вещества, к которым прикладывают упомянутое давление, являются, по существу, аморфной фазой, а упомянутая по меньшей мере одна третья фаза является, по существу, по меньшей мере одной кристаллической фазой.
60. Способ по п.1, в котором одна или более областей упомянутого вещества, к которым прикладывают упомянутое давление, являются, по существу, первой кристаллической фазой, а упомянутая по меньшей мере одна третья фаза является, по существу, по меньшей мере одной второй кристаллической фазой.
61. Способ по п.1, в котором упомянутые одна или более областей имеют размеры нанометрового масштаба.
62. Система переноса рисунка, имеющая компоненты для выполнения этапов по любому из пунктов с 1 по 61.
63. Вещество с рисунком, сформированным путем выполнения этапов по любому из пп.1-61.
64. Прибор или солнечный элемент, имеющий компонент, сформированный путем выполнения этапов по любому из пп.1-61.
RU2007147628/15A 2005-06-08 2006-06-07 Способ формирования рисунка RU2007147628A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US68873805P 2005-06-08 2005-06-08
US60/688,738 2005-06-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2007147628A true RU2007147628A (ru) 2009-06-27

Family

ID=37498030

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007147628/15A RU2007147628A (ru) 2005-06-08 2006-06-07 Способ формирования рисунка

Country Status (12)

Country Link
US (1) US20090126589A1 (ru)
EP (1) EP1896165A1 (ru)
JP (1) JP2008543093A (ru)
KR (1) KR20080032074A (ru)
CN (1) CN101222974A (ru)
AU (1) AU2006255487A1 (ru)
BR (1) BRPI0611622A2 (ru)
CA (1) CA2611184A1 (ru)
NZ (1) NZ564138A (ru)
RU (1) RU2007147628A (ru)
TW (1) TW200710986A (ru)
WO (1) WO2006130914A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2508989C2 (ru) * 2008-08-18 2014-03-10 Макро Инжиниринг & Текнолоджи Инк. Способ термической обработки тонкослойной полимерной пленки

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010512652A (ja) * 2006-12-13 2010-04-22 リオタ・ピーティーワイ・リミテッド 半導体ドーピング方法
US8197705B2 (en) * 2007-09-06 2012-06-12 Canon Kabushiki Kaisha Method of processing silicon substrate and method of manufacturing liquid discharge head
KR101402261B1 (ko) * 2007-09-18 2014-06-03 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법
US8701211B2 (en) * 2009-08-26 2014-04-15 Advanced Diamond Technologies, Inc. Method to reduce wedge effects in molded trigonal tips
KR101740692B1 (ko) * 2009-09-30 2017-05-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 축전 장치용 전극의 제작 방법 및 축전 장치의 제작 방법
WO2011118420A1 (en) * 2010-03-26 2011-09-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Secondary battery and method for forming electrode of secondary battery
CN101877369B (zh) * 2010-05-20 2012-04-04 东莞市万丰纳米材料有限公司 一种柔性太阳能电池板之绒面结构层及其制备方法和装置
CN106248510A (zh) * 2016-07-21 2016-12-21 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种粘棒胶的检测方法及用途
US10497564B1 (en) * 2017-07-17 2019-12-03 Northrop Grumman Systems Corporation Nano-imprinting using high-pressure crystal phase transformations
US10572697B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Lam Research Corporation Method of etch model calibration using optical scatterometry
US11921433B2 (en) 2018-04-10 2024-03-05 Lam Research Corporation Optical metrology in machine learning to characterize features
CN110983404A (zh) * 2019-12-30 2020-04-10 江苏乐彩印刷材料有限公司 一种环保节能ctp平版印刷材料
RU2743516C1 (ru) * 2020-07-27 2021-02-19 Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр "Красноярский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук" (ФИЦ КНЦ СО РАН, КНЦ СО РАН) Способ получения ферромагнитных наночастиц-дисков с помощью зондовой литографии и жидкого химического травления

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SU348148A1 (ru) * 1971-07-23 1973-04-18 С. М. РЫБКИНирдена Ленина физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе
JPS60180886A (ja) * 1984-02-29 1985-09-14 Fujitsu Ltd パタ−ン転写方法
US5997634A (en) * 1996-11-14 1999-12-07 Micron Technology, Inc. Method of forming a crystalline phase material
BRPI0417480A (pt) * 2003-12-09 2007-05-08 Wriota Pty Ltd dispositivo de memória, processo de armazenamento de informação, processo, e material estruturado

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2508989C2 (ru) * 2008-08-18 2014-03-10 Макро Инжиниринг & Текнолоджи Инк. Способ термической обработки тонкослойной полимерной пленки

Also Published As

Publication number Publication date
CA2611184A1 (en) 2006-12-14
BRPI0611622A2 (pt) 2010-09-21
US20090126589A1 (en) 2009-05-21
KR20080032074A (ko) 2008-04-14
WO2006130914A1 (en) 2006-12-14
EP1896165A1 (en) 2008-03-12
TW200710986A (en) 2007-03-16
NZ564138A (en) 2009-10-30
JP2008543093A (ja) 2008-11-27
AU2006255487A1 (en) 2006-12-14
CN101222974A (zh) 2008-07-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2007147628A (ru) Способ формирования рисунка
TWI279830B (en) Compliant template for UV imprinting
WO2017018711A1 (ko) 점착력 제어 필름 기반 선택적 연속 전사 장치
US8372731B2 (en) Device fabrication by ink-jet printing materials into bank structures, and embossing tool
US20030062334A1 (en) Method for forming a micro-pattern on a substrate by using capillary force
CN101583436B (zh) 用于挠性板件和基板接触的方法和系统
JP3236266B2 (ja) パターン形成方法
US7655498B2 (en) Film comprising organic semiconductors
WO2012071192A2 (en) Sidewall image transfer pitch doubling and inline critical dimension slimming
KR950034845A (ko) 박막회로를 포함하는 전자장치의 제조방법
CN102169960A (zh) 一种柔性电子器件薄膜晶体管的制备方法
WO2006111766A3 (en) Methods and apparatus for the manufacture of microstructures
CN104124137A (zh) 半导体器件的形成方法
CN105137712A (zh) 利用纳米压印技术构筑有机液晶分子单晶微米线阵列图案化的方法
CN102183875A (zh) 滚轮式紫外线软压印方法
US20020168594A1 (en) Method for reducing roughness of photoresist through cross-linking reaction of deposit and photoresist
JP7110189B2 (ja) 電子素子の遅延ビア形成
CN106847676A (zh) 半导体器件的图案化方法及形成方法
CN102751179B (zh) 一种制备石墨烯器件的方法
KR20010093616A (ko) 모세관 효과를 이용한 미세 패턴 형성 방법
CN118145593B (zh) 基于软纳米压印的tmdc材料图案化方法
KR20160001437A (ko) 태양전지 표면의 택스처링 방법
US20230008350A1 (en) Method of adjusting wafer shape using multi-directional actuation films
KR20120065015A (ko) 나노 패턴이 형성된 내지문 필름 및 그 제조 방법
CN101226327B (zh) 可传递打印的聚合物材料图形结构的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20090722