RU2005136894A - Способ выращивания монокристаллов алмаза - Google Patents
Способ выращивания монокристаллов алмаза Download PDFInfo
- Publication number
- RU2005136894A RU2005136894A RU2005136894/15A RU2005136894A RU2005136894A RU 2005136894 A RU2005136894 A RU 2005136894A RU 2005136894/15 A RU2005136894/15 A RU 2005136894/15A RU 2005136894 A RU2005136894 A RU 2005136894A RU 2005136894 A RU2005136894 A RU 2005136894A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- carbon
- iron
- aluminum
- alloy
- Prior art date
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Claims (1)
- Способ выращивания монокристаллов алмаза в области его термодинамической стабильности методом температурного градиента на затравочном кристалле, который отделяют от источника углерода металлом-растворителем, в качестве металла-растворителя используют сплав железа, алюминия и углерода, создают разницу температур между источником углерода и затравочным кристаллом 20-30°С, отличающийся тем, что сплав железа, алюминия и углерода берут в следующем соотношении, вес.%:
Железо 89-92 Алюминий 4-6 Углерод 4-5 при этом нагрев осуществляют до начальной температуры в зоне роста, на 10-20°С выше температуры плавления сплава металла-растворителя, производят выдержку при этой температуре до 20 ч, а затем проводят периодически повторяющиеся циклы изменения температуры, включающие этап скачкообразного повышения температуры на 10-25°С выше начальной и этап понижения температуры до начальной со скоростью 0,2-3° в мин.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005136894/15A RU2320404C2 (ru) | 2005-11-28 | 2005-11-28 | Способ выращивания монокристаллов алмаза |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2005136894/15A RU2320404C2 (ru) | 2005-11-28 | 2005-11-28 | Способ выращивания монокристаллов алмаза |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005136894A true RU2005136894A (ru) | 2007-06-10 |
| RU2320404C2 RU2320404C2 (ru) | 2008-03-27 |
Family
ID=38312062
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005136894/15A RU2320404C2 (ru) | 2005-11-28 | 2005-11-28 | Способ выращивания монокристаллов алмаза |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2320404C2 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114941173A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-08-26 | 曲阜师范大学 | 一种高相干金刚石氮空穴及金刚石压砧的制备与应用 |
-
2005
- 2005-11-28 RU RU2005136894/15A patent/RU2320404C2/ru active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114941173A (zh) * | 2022-05-26 | 2022-08-26 | 曲阜师范大学 | 一种高相干金刚石氮空穴及金刚石压砧的制备与应用 |
| CN114941173B (zh) * | 2022-05-26 | 2023-10-10 | 曲阜师范大学 | 一种高相干金刚石氮空穴及金刚石压砧的制备与应用 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2320404C2 (ru) | 2008-03-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102296368B (zh) | 一种减少晶体热应力的方法 | |
| EP2264223A3 (en) | Micropipe-free silicon carbide and related method of manufacture | |
| DE69904965T2 (de) | Herstellung von einkristallen aus aluminiumnitrid, siliziumkarbid und aluminiumnitrid-siliziumkarbid legierung | |
| KR960023272A (ko) | 결정 결함이 적은 실리콘 단결정의 제조방법 | |
| WO2006062955B1 (en) | Process for producing high quality large size silicon carbide crystals | |
| WO2008039914A3 (en) | Sic single crystals with reduced dislocation density grown by step-wise periodic perturbation technique | |
| JP2005507360A5 (ru) | ||
| ATE453000T1 (de) | Züchten von ultrahochreinen siliciumcarbidkristallen in wasserstoffhaltiger umgebung | |
| RU2006104555A (ru) | Твердые алмазы и способы их получения | |
| WO2008081103A3 (fr) | Croissance cristalline en solution dans des conditions stationnaires. | |
| RU2005136894A (ru) | Способ выращивания монокристаллов алмаза | |
| UA116899U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ AgxGaxGe1-xSe2 (X=0,333; 0,250; 0,200; 0,167) | |
| UA111911U (uk) | СПОСІБ ОТРИМАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag0,5Pb1,75GeS4 | |
| RU2008132276A (ru) | Способ выращивания тугоплавких монокристаллов | |
| Gallagher et al. | The growth and perfection of single crystals of trinitrotoluene (TNT) | |
| UA122889C2 (uk) | Спосіб вирощування активованих багатокомпонентних монокристалів методом горизонтальної спрямованої кристалізації | |
| RU2010119780A (ru) | Способ получения кристаллов фуллерена с60 особой чистоты | |
| RU2006127698A (ru) | Способ бесполивочной кассетной технологии выращивания капусты | |
| DE60319210D1 (de) | Verfahren zur virusproduktion | |
| RU2014108691A (ru) | Способ получения термоэлектрических материалов | |
| RU2006109203A (ru) | Изделия из шпинели и способы их изготовления | |
| UA153429U (uk) | СПОСІБ ВИРОЩУВАННЯ МОНОКРИСТАЛІВ Ag<sub>186</sub>Ge<sub>93</sub>Er<sub>10</sub>Pr<sub>4</sub>S<sub>300</sub> | |
| JPS6131379A (ja) | エメラルドの人工合成方法 | |
| CN104304003A (zh) | 一种延缓甜叶菊种质组培苗生长的培养基配方 | |
| UA117411C2 (uk) | Спосіб отримання кристалів подвійного променезаломлення |