RU2010119780A - Способ получения кристаллов фуллерена с60 особой чистоты - Google Patents
Способ получения кристаллов фуллерена с60 особой чистоты Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010119780A RU2010119780A RU2010119780/05A RU2010119780A RU2010119780A RU 2010119780 A RU2010119780 A RU 2010119780A RU 2010119780/05 A RU2010119780/05 A RU 2010119780/05A RU 2010119780 A RU2010119780 A RU 2010119780A RU 2010119780 A RU2010119780 A RU 2010119780A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- temperature
- fullerene
- crystals
- powder
- vacuum
- Prior art date
Links
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Abstract
Способ получения кристаллов фуллерена С60 особой чистоты, включающий низкотемпературную обработку порошка фуллерена С60 в динамическом вакууме, отличающийся тем, что низкотемпературную обработку порошка С60 осуществляют в динамическом вакууме 10-4 Па при температуре 720 К в течение 3 ч, затем обработанный порошок подвергают сублимации в динамическом вакууме 10-4 Па при температуре 880 К в течение 8 ч, из сублимированного порошка выращивают первичные кристаллы фуллерена С60 в статическом вакууме 10-4 Па в запаянных кварцевых ампулах при температуре 880 К с температурным градиентом между зоной испарения и зоной роста 5 К в течение 1-5 суток, а далее из первичных кристаллов выращивают финишные кристаллы фуллерена С60 при условиях, аналогичных условиям выращивания первичных кристаллов.
Claims (1)
- Способ получения кристаллов фуллерена С60 особой чистоты, включающий низкотемпературную обработку порошка фуллерена С60 в динамическом вакууме, отличающийся тем, что низкотемпературную обработку порошка С60 осуществляют в динамическом вакууме 10-4 Па при температуре 720 К в течение 3 ч, затем обработанный порошок подвергают сублимации в динамическом вакууме 10-4 Па при температуре 880 К в течение 8 ч, из сублимированного порошка выращивают первичные кристаллы фуллерена С60 в статическом вакууме 10-4 Па в запаянных кварцевых ампулах при температуре 880 К с температурным градиентом между зоной испарения и зоной роста 5 К в течение 1-5 суток, а далее из первичных кристаллов выращивают финишные кристаллы фуллерена С60 при условиях, аналогичных условиям выращивания первичных кристаллов.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010119780/05A RU2442847C2 (ru) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | Способ получения кристаллов фуллерена с60 особой чистоты |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2010119780/05A RU2442847C2 (ru) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | Способ получения кристаллов фуллерена с60 особой чистоты |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010119780A true RU2010119780A (ru) | 2011-12-10 |
| RU2442847C2 RU2442847C2 (ru) | 2012-02-20 |
Family
ID=45404898
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010119780/05A RU2442847C2 (ru) | 2010-05-19 | 2010-05-19 | Способ получения кристаллов фуллерена с60 особой чистоты |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2442847C2 (ru) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2652204C1 (ru) * | 2017-07-03 | 2018-04-25 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) | Способ выращивания кристаллов фуллерена С60 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2135648C1 (ru) * | 1997-06-11 | 1999-08-27 | Санкт-Петербургский государственный технический университет | Способ получения кристаллических фуллеренов |
-
2010
- 2010-05-19 RU RU2010119780/05A patent/RU2442847C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| RU2442847C2 (ru) | 2012-02-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| Epelbaum et al. | Natural growth habit of bulk AlN crystals | |
| UA109915C2 (ru) | Способ получения эксципиента для фармацевтического применения | |
| JP2011135051A5 (ru) | ||
| JP2018527408A5 (ru) | ||
| Hu et al. | Effects of spent mushroom substrate biochar on growth of oyster mushroom (Pleurotus ostreatus) | |
| CN105001184A (zh) | 一种提取岩藻黄素用褐藻样品的前处理方法 | |
| RU2010119780A (ru) | Способ получения кристаллов фуллерена с60 особой чистоты | |
| RU2012144595A (ru) | Способ получения культуры симбиотических бактерий энтомопатогенных нематод | |
| RU2015121051A (ru) | Способ отбора штаммов trichoderma и способ получения биопрепарата на основе таких штаммов | |
| RU2015107998A (ru) | Способ разжижения крахмала | |
| JP2019535632A (ja) | ＳｉＣ結晶成長用ＳｉＣ原料の製造方法及び製造装置 | |
| RU2494605C1 (ru) | Способ выращивания рассады томата в защищенном грунте | |
| Mishra et al. | Effect of Photo Period on Morpho-cultural Characteristic of Rhizoctonia solani f. sp. sasakii of Maize | |
| ES2534707B1 (es) | Procedimiento de elaboración de paquetes de sustrato inoculados con espora de champiñón y producto obtenido | |
| 蒲小华 et al. | Refinement of the crystal structure of aconitine | |
| RU2006127698A (ru) | Способ бесполивочной кассетной технологии выращивания капусты | |
| RU2005136894A (ru) | Способ выращивания монокристаллов алмаза | |
| EA201900518A1 (ru) | Способ ускорения выращивания бактерий rhizobium phaseoli is taas-80tj | |
| RU2560572C2 (ru) | Способ производства вакцины для профилактики и терапии трихофитоза крупного рогатого скота | |
| UA140828U (uk) | Спосіб сублімаційного висушування біологічної сировини | |
| Yulya et al. | Morphogenetic potential of explants Rhamnus L. genus representatives in vitro | |
| RU2013103389A (ru) | Способ выращивания дрожжей | |
| TH1901003250A (th) | การเพาะเลี้ยงต่อเนื่องของกล้าเชื้อAspergillusnigerและวิธีการสำหรับการผลิตกรดชิตริกจากสิ่งนั้น | |
| UA120536U (uk) | Спосіб іммобілізації клітин | |
| CN104450535A (zh) | 一种保持蜡蚧轮枝菌对寄主昆虫毒力的方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160520 |