RU2004119039A - Трехмерное запоминающее устройство - Google Patents

Трехмерное запоминающее устройство Download PDF

Info

Publication number
RU2004119039A
RU2004119039A RU2004119039/09A RU2004119039A RU2004119039A RU 2004119039 A RU2004119039 A RU 2004119039A RU 2004119039/09 A RU2004119039/09 A RU 2004119039/09A RU 2004119039 A RU2004119039 A RU 2004119039A RU 2004119039 A RU2004119039 A RU 2004119039A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
tape
storage device
structures
foot
dimensional storage
Prior art date
Application number
RU2004119039/09A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2274913C2 (ru
Inventor
Ханс Гуде ГУДЕСЕН (BE)
Ханс Гуде Гудесен
Пер-Эрик НОРДАЛ (NO)
Пер-Эрик НОРДАЛ
Original Assignee
Тин Филм Электроникс Аса (No)
Тин Филм Электроникс Аса
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тин Филм Электроникс Аса (No), Тин Филм Электроникс Аса filed Critical Тин Филм Электроникс Аса (No)
Publication of RU2004119039A publication Critical patent/RU2004119039A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2274913C2 publication Critical patent/RU2274913C2/ru

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C11/00Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/22Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10BELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B99/00Subject matter not provided for in other groups of this subclass
    • H10B99/10Memory cells having a cross-point geometry

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Forging (AREA)
  • Magnetic Heads (AREA)
  • Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)
  • Insulated Conductors (AREA)
  • Ropes Or Cables (AREA)
  • Credit Cards Or The Like (AREA)
  • Shaping Of Tube Ends By Bending Or Straightening (AREA)

Claims (12)

1. Ферроэлектрическое или электретное трехмерное запоминающее устройство, в котором ферроэлектрический или электретный материал (1) находится между первым и вторым электродными слоями (2, 4), содержащими соответственно первые и вторые полосковые электроды (2а, 4а), образующие соответственно управляющие шины и шины данных запоминающего массива (М) с матричной адресацией, причем управляющие шины и шины данных указанного массива расположены под прямым углом, а ячейки памяти задаются в объеме запоминающего материала (1) в зонах между скрещивающимися управляющими шинами и шинами данных, тогда как множество подобных запоминающих массивов собрано, по меньшей мере, в одну стопу (S), которая образует запоминающее устройство с трехмерной структурой, отличающееся тем, что стопа (S) запоминающих массивов (М) сформирована из двух или более ленточных конструкций (R), которые сложены с наложением одна на другую или переплетены одна с другой, а каждая ленточная конструкция (R) содержит гибкую подложку (3) из неэлектропроводящего материала, по меньшей мере, один электродный слой, нанесенный на подложку, причем единственный или каждый электродный слой содержит параллельные полосковые электроды, расположенные по длине ленточной конструкции (R), и слой запоминающего материала (1), покрывающий электродный слой и расположенный без разрывов от кромки до кромки ленточной конструкции, при этом каждый запоминающий массив (М) в составе стопы (S) образован скрещивающимися частями пары смежных ленточных конструкций (R), которые сложены с наложением одна на другую или переплетены одна с другой таким образом, что являются взаимно ортогональными в зоне взаимного скрещивания, а управляющие шины и шины данных запоминающего массива (М) в составе стопы (S) находятся в первой ленточной конструкции из пары смежных ленточных конструкций (R), а шины данных находятся во второй ленточной конструкции из пары смежных ленточных конструкций (R).
2. Трехмерное запоминающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждый второй запоминающий массив (М) в составе стопы (S) расположен со смещением относительно соответствующего первого массива.
3. Трехмерное запоминающее устройство по п.1, отличающееся тем, что содержит более одной стопы (S), причем ленточные структуры сложены с наложением или переплетены таким образом, что при переходе от одной стопы к другой обеспечивается попарное изменение порядка следования ленточных конструкций.
4. Трехмерное запоминающее устройство по п.1, отличающееся тем, что ленточные конструкции (R) сгруппированы в виде двух или более групп (X) таким образом, что ленточные конструкции (R) каждой группы ориентированы взаимно параллельно и не параллельно ленточным конструкциям (R) другой группы (других групп).
5. Трехмерное запоминающее устройство по п.4, отличающееся тем, что, по меньшей мере, одна ленточная конструкция (R) каждой из, по меньшей мере, двух групп (X) снабжена продольно ориентированными электродами на одной стороне и цельным запоминающим слоем на другой стороне.
6. Трехмерное запоминающее устройство по п.4, отличающееся тем, что количества ленточных конструкций (R) и образуемых ими групп (X) выбраны из условия минимизации длины ленточных конструкций (R) при сохранении требуемых функциональных свойств стопы (S).
7. Трехмерное запоминающее устройство по п.1, отличающееся тем, что каждая из ленточных конструкций (R) предварительно снабжена изолирующим(и), и/или электропроводящим(и), и/или полупроводниковыми слоями и структурами в пределах своего поперечного сечения и/или на одной или обеих своих поверхностях.
8. Трехмерное запоминающее устройство по п.1, отличающееся тем, что две или более ленточных конструкций (R) в составе стопы (S) снабжены набором электродов (2а, 4а), расположенных по длине ленточной конструкции на обеих ее сторонах.
9. Трехмерное запоминающее устройство по п.8, отличающееся тем, что каждый электрод (2а, 4а) присоединен для обеспечения электрического доступа к нему к контактной зоне или к области, включающей активные и/или пассивные контура и расположенной на одном или на обоих концах ленточных конструкций (R) или вблизи указанного конца или концов, причем контактная зона электрически или оптически связана с контурами, внешними по отношению к ленточной конструкции (R).
10. Трехмерное запоминающее устройство по п.1, отличающееся тем, что стопа (S) содержит ленточные конструкции (R), по меньшей мере, двух различных типов.
11. Трехмерное запоминающее устройство по п.1, отличающееся тем, что, по меньшей мере, одна ленточная конструкция (R) в составе стопы (S) имеет на одной или обеих своих сторонах цельную изолирующую поверхность.
12. Трехмерное запоминающее устройство по п.1, отличающееся тем, что, по меньшей мере, одна ленточная конструкция (R) в составе стопы (S) имеет длину, отличную от длины другой ленточной конструкции (R).
RU2004119039/09A 2001-11-30 2002-11-29 Трехмерное запоминающее устройство RU2274913C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NO20015871A NO20015871D0 (no) 2001-11-30 2001-11-30 Minneinnretning med flettede lag
NO20015871 2001-11-30

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2004119039A true RU2004119039A (ru) 2006-01-10
RU2274913C2 RU2274913C2 (ru) 2006-04-20

Family

ID=19913088

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2004119039/09A RU2274913C2 (ru) 2001-11-30 2002-11-29 Трехмерное запоминающее устройство

Country Status (13)

Country Link
EP (1) EP1456850B1 (ru)
JP (1) JP2005510866A (ru)
KR (1) KR100603678B1 (ru)
CN (1) CN1596448A (ru)
AT (1) ATE309608T1 (ru)
AU (1) AU2002348540B2 (ru)
CA (1) CA2465341C (ru)
DE (1) DE60207298T2 (ru)
DK (1) DK1456850T3 (ru)
ES (1) ES2250724T3 (ru)
NO (1) NO20015871D0 (ru)
RU (1) RU2274913C2 (ru)
WO (1) WO2003046924A1 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6762950B2 (en) 2001-11-30 2004-07-13 Thin Film Electronics Asa Folded memory layers
US7808024B2 (en) 2004-09-27 2010-10-05 Intel Corporation Ferroelectric polymer memory module
JP4729989B2 (ja) * 2005-06-03 2011-07-20 ソニー株式会社 アンテナ装置、無線通信装置、その制御方法、コンピュータ処理可能なプログラム及びその記録媒体
US7952525B2 (en) 2005-06-03 2011-05-31 Sony Corporation Antenna device associated wireless communication apparatus and associated control methodology for multi-input and multi-output communication systems

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5969380A (en) * 1996-06-07 1999-10-19 Micron Technology, Inc. Three dimensional ferroelectric memory
NO309500B1 (no) * 1997-08-15 2001-02-05 Thin Film Electronics Asa Ferroelektrisk databehandlingsinnretning, fremgangsmåter til dens fremstilling og utlesing, samt bruk av samme
NO308149B1 (no) * 1998-06-02 2000-07-31 Thin Film Electronics Asa Skalerbar, integrert databehandlingsinnretning

Also Published As

Publication number Publication date
AU2002348540A1 (en) 2003-06-10
EP1456850A1 (en) 2004-09-15
CN1596448A (zh) 2005-03-16
KR20040068557A (ko) 2004-07-31
EP1456850B1 (en) 2005-11-09
CA2465341A1 (en) 2003-06-05
RU2274913C2 (ru) 2006-04-20
DE60207298D1 (de) 2005-12-15
CA2465341C (en) 2006-05-16
AU2002348540B2 (en) 2007-02-15
WO2003046924A1 (en) 2003-06-05
ATE309608T1 (de) 2005-11-15
JP2005510866A (ja) 2005-04-21
NO20015871D0 (no) 2001-11-30
DK1456850T3 (da) 2006-03-20
DE60207298T2 (de) 2006-07-20
ES2250724T3 (es) 2006-04-16
KR100603678B1 (ko) 2006-07-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100524427B1 (ko) 전자적 장치를 위한 다차원 어드레싱 아키텍쳐
CA2403231C (en) Vertical electrical interconnections in a stack
US9377914B2 (en) Capacitively operating touch panel device
KR20160108052A (ko) 반도체 소자
JP2003197867A5 (ru)
US7411775B2 (en) Feedthrough multilayer capacitor array
US9691820B2 (en) Block architecture for vertical memory array
JP4741602B2 (ja) Esd保護素子として種々の容量をもつ複数のバリスタを備えた多層コンポーネント
KR860002129A (ko) 다중 배선용 용량 결합된 전극들을 갖는 가스방전 표시판넬
RU2004119039A (ru) Трехмерное запоминающее устройство
US5770874A (en) High density semiconductor memory device
RU2004116275A (ru) Электродная решетка, способ и устройство для запоминающей структуры
KR101890817B1 (ko) 가변 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법
JP2024511021A (ja) 半導体デバイス、メモリデバイス、及びメモリシステム
US11029791B2 (en) Touch panel including a layered structure with first and second mesh terminal layers directly overlaid on each other and touch panel production method
RU2004126964A (ru) Устройство объемного хранения данных, содержащее множество собранных в пакет запоминающих устройств с матричной адресацией
US11711895B2 (en) Wiring board production method and wiring board
CN115172364B (zh) 半导体结构及存储器
JP2018144496A (ja) 印刷配線の製造方法
TWI806812B (zh) 三維電阻式記憶體結構
JP2018082110A (ja) 回路基板および電子機器
JPH01162317A (ja) フィルムコンデンサ
TW202332038A (zh) 三維電阻式記憶體結構
KR20150113365A (ko) 퓨즈 어레이
TWI538167B (zh) 三維半導體元件

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20071130