RU2001135067A - Высокотемпературный сверхпроводник на основе фосфида лития и способ его изготовления - Google Patents
Высокотемпературный сверхпроводник на основе фосфида лития и способ его изготовленияInfo
- Publication number
- RU2001135067A RU2001135067A RU2001135067/28A RU2001135067A RU2001135067A RU 2001135067 A RU2001135067 A RU 2001135067A RU 2001135067/28 A RU2001135067/28 A RU 2001135067/28A RU 2001135067 A RU2001135067 A RU 2001135067A RU 2001135067 A RU2001135067 A RU 2001135067A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- lithium
- solid solution
- phosphide
- temperature superconductor
- layer
- Prior art date
Links
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 title claims 5
- IEAMEDSGNMSUND-UHFFFAOYSA-N trilithium;phosphanide Chemical compound [Li+].[Li+].[Li+].[PH2-] IEAMEDSGNMSUND-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 2
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims 6
- AJUFTLIHDBAQOK-UHFFFAOYSA-N Lithium nitride Chemical compound [Li+].[Li][N-][Li] AJUFTLIHDBAQOK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 5
- 239000010432 diamond Substances 0.000 claims 4
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 claims 4
- 230000001681 protective Effects 0.000 claims 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 239000000835 fiber Substances 0.000 claims 2
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims 2
- 229910052904 quartz Inorganic materials 0.000 claims 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims 1
- 238000005234 chemical deposition Methods 0.000 claims 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FZTWZIMSKAGPSB-UHFFFAOYSA-N phosphide(3-) Chemical compound [P-3] FZTWZIMSKAGPSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
Claims (5)
1. Высокотемпературный сверхпроводник на основе фосфида лития, отличающийся тем, что он выполнен в виде многослойной структуры, включающей диэлектрическую подложку, на которой последовательно расположены буферная алмазная пленка и слой твердого раствора нитрида лития в фосфиде лития с содержанием нитрида лития в пределах 4-7%, а поверх слоя твердого раствора расположена защитная пленка.
2. Высокотемпературный сверхпроводник по п.1, отличающийся тем, что толщина буферной и защитной алмазных пленок составляет 20-50 мкм, а толщина слоя твердого раствора не превышает 2 мкм.
3. Высокотемпературный сверхпроводник по п.1, отличающийся тем, что в качестве диэлектрической подложки используют кварцевый волоконный световод, покрытый оксонитридом кремния толщиной до 50 нм.
4. Способ изготовления высокотемпературного сверхпроводника на основе фосфида лития, отличающийся тем, что на расположенную в реакторе и нагретую до температуры 500-600°С диэлектрическую подложку из парогазовой смеси метана и водорода в потоке инертною газа в СВЧ-плазме пониженного давления осаждают буферную алмазную пленку, на которую затем наносят путем плазмохимического осаждения слой твердого раствора нитрида лития в фосфиде лития с содержанием нитрида лития 4-7% путем подачи в зону осаждения осушенного инертного газа и конгруэнтно испаренного при температуре 450-550°С твердого раствора фосфида и нитрида лития аналогичного состава, после чего на поверхность слоя твердого раствора осаждают защитную алмазную пленку.
5. Способ по п.4, отличающийся тем, что процесс получения ВТСП структур осуществляют в едином процессе с вытяжкой кварцевого волоконного световода.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2001135067/28A RU2267190C2 (ru) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | Высокотемпературный сверхпроводник на основе фосфида лития и способ его изготовления |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| RU2001135067/28A RU2267190C2 (ru) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | Высокотемпературный сверхпроводник на основе фосфида лития и способ его изготовления |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2001135067A true RU2001135067A (ru) | 2003-09-10 |
| RU2267190C2 RU2267190C2 (ru) | 2005-12-27 |
Family
ID=35870515
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2001135067/28A RU2267190C2 (ru) | 2001-12-26 | 2001-12-26 | Высокотемпературный сверхпроводник на основе фосфида лития и способ его изготовления |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| RU (1) | RU2267190C2 (ru) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114314537B (zh) * | 2021-12-30 | 2023-08-15 | 杭州电子科技大学 | 一种磷化锂基复合材料的制备方法及其作为补锂材料的应用 |
| CN114956020A (zh) * | 2022-05-18 | 2022-08-30 | 武汉理工大学 | 一种Li3P晶体粉体的制备方法、Li3P晶体粉体及其应用 |
-
2001
- 2001-12-26 RU RU2001135067/28A patent/RU2267190C2/ru not_active IP Right Cessation
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5604037A (en) | Diamond/carbon/carbon composite useful as an integral dielectric heat sink | |
| WO2016192391A1 (zh) | 一种二硫化钼薄膜的制备方法及二硫化钼薄膜 | |
| JP2005516882A5 (ru) | ||
| RU2479679C2 (ru) | Способ получения неприлипающего покрытия на основе карбида кремния | |
| KR101547199B1 (ko) | 응력 완충층을 포함하는 SiC 코팅 탄소 부재 및 그 제조 방법 | |
| JP2002513203A (ja) | 低κ誘電性無機／有機ハイブリッドフィルム及びその製造方法 | |
| JPH0579693B2 (ru) | ||
| CN110358123A (zh) | 一种高导热石墨烯复合薄膜及其制备方法 | |
| Haque et al. | Correlation of stress behavior with hydrogen-related impurities in plasma-enhanced chemical vapor deposited silicon dioxide films | |
| RU2001135067A (ru) | Высокотемпературный сверхпроводник на основе фосфида лития и способ его изготовления | |
| US20070257285A1 (en) | Silicon-rich-oxide white light photodiode | |
| WO2017206137A1 (zh) | 一种异质结可饱和吸收镜及其制备方法、锁膜光纤激光器 | |
| US4555300A (en) | Method for producing single crystal layers on insulators | |
| JP4925084B2 (ja) | ケイ素系混合高分子材料による炭化ケイ素（ＳｉＣ）薄膜の合成法 | |
| WO2024066206A1 (zh) | 一种二维双层硫化钨同质结的制备方法与应用 | |
| CN113735160B (zh) | 一种利用Sn纳米线作为模板引导生长CdS分支结构及其催化生长方法和应用 | |
| Domı́nguez et al. | Effect of hydrogen-related impurities on the thermal behavior of mechanical stress in silicon oxides suitable for integrated optics | |
| Wang et al. | Temporary bonding system with photopolymer release layer for 365nm UV debonding without laser | |
| Baranauskas et al. | Structure and properties of diamond films deposited on porous silicon | |
| KR20070025829A (ko) | 탄소/탄소 복합체의 내산화성 다층 코팅막 및 그 제조방법 | |
| Choi et al. | Oxidation study of plasma-enhanced chemical vapor deposited and rf sputtered hydrogenated amorphous silicon carbide films | |
| JPH10287495A (ja) | 高純度炭化珪素質半導体処理部材及びその製造方法 | |
| RU2378739C2 (ru) | Способ получения боросодержащих пленок | |
| JP2010215417A (ja) | ガス分離用セラミック薄膜の製造方法 | |
| Dı́az et al. | Optical properties of silicon rich silicon oxides obtained by PECVD |